CN105759225B - 磁场感测装置及其磁场感测方法 - Google Patents

磁场感测装置及其磁场感测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105759225B
CN105759225B CN201410794498.3A CN201410794498A CN105759225B CN 105759225 B CN105759225 B CN 105759225B CN 201410794498 A CN201410794498 A CN 201410794498A CN 105759225 B CN105759225 B CN 105759225B
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
sensing
field
magnetic fields
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410794498.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105759225A (zh
Inventor
张元泰
庄凯翔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of CN105759225A publication Critical patent/CN105759225A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105759225B publication Critical patent/CN105759225B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0017Means for compensating offset magnetic fields or the magnetic flux to be measured; Means for generating calibration magnetic fields
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0023Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
    • G01R33/0035Calibration of single magnetic sensors, e.g. integrated calibration

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

一种磁场感测装置及其磁场感测方法。磁场感测装置包括参考磁场产生单元、磁场感测单元、信号处理单元、校准单元以及频率产生单元。磁场感测单元用以感测外部磁场以及参考磁场以提供磁场感测信号。信号处理单元接收磁场感测信号以将其转换为输出信号。校准单元依据磁场感测信号以校正输出信号。频率产生单元提供操作频率。参考磁场产生单元依据操作频率以提供参考磁场,且磁场感测单元依据操作频率以感测外部磁场及参考磁场。

Description

磁场感测装置及其磁场感测方法
技术领域
本公开涉及一种感测装置,且特别涉及一种磁场感测装置及其磁场感测方法。
背景技术
磁场传感器(magnetic sensor)目前已广泛运用于车体、工业及消费性电子,其可感应磁场的扰动以产生输出电压。磁场传感器经常用在非接触式无损感测中,例如感测磁场物件(例如,马达)转动的速度、位置、角度…等物理参数,让控制系统能够藉由这些物理参数来动态控制磁场物件。磁场传感器可应用于车辆中引擎、曲轴、轮胎、车窗…等设备、工业电流感测、机器人动作控制或是相机的自动变焦技术中。
由于磁场传感器容易受到环境的影响,譬如说在温度变化、湿度改变以及外力震动等极度恶劣的环境条件下,都会使磁场传感器的灵敏度受到考验。目前来说,若要解决磁场传感器的灵敏度,便会针对磁场传感器配置多组磁感应探头来同时进行外部磁场的测量,因而可能产生成本较高以及多组磁感应探头之间的匹配度;若藉由后端的信号处理电路来校正感测成果,则可能会需要耗费较多的信号处理时间来换取精密度。
发明内容
本公开提供一种磁场感测装置,藉由将磁场感测装置中的磁场探头跟参考磁场源具备相同操作频率,并基于信号的同步激发(synchronous excitation)效应以自动校准磁场感测装置的灵敏度。
本公开提供一种磁场感测方法,适用于上述磁场感测装置。此磁场感测方法藉由将磁场感测装置中的磁场探头跟参考磁场源具备相同的操作频率,并基于信号的同步激发效应以自动校准磁场感测装置的灵敏度。
本公开提出一种磁场感测装置。此磁场感测装置包括参考磁场产生单元、磁场感测单元、信号处理单元、校准单元以及频率产生单元。参考磁场产生单元用以提供参考磁场。磁场感测单元用以感测外部磁场以及参考磁场以提供磁场感测信号。信号处理单元耦接磁场感测单元,并接收磁场感测信号以将其转换为输出信号。校准单元耦接信号处理单元,用以依据磁场感测信号以校正输出信号。频率产生单元耦接参考磁场产生单元以及磁场感测单元,用以提供操作频率,其中参考磁场产生单元依据操作频率以提供参考磁场,且磁场感测单元依据操作频率以感测外部磁场及参考磁场。
本公开提出一种磁场感测装置的磁场感测方法,包括以下步骤。依据操作频率以产生参考磁场。依据操作频率以感测外部磁场及参考磁场,并产生磁场感测信号。将磁场感测信号转换为输出信号,并依据磁场感测信号以校正输出信号。
基于上述,本公开所述的磁场感测装置具有可产生操作频率的频率产生单元,并使参考磁场产生单元以及磁场感测单元具备相同的操作频率。由于磁场探头原本便具备藉由调整操作频率来调整磁场探头灵敏度的频率调制电路。因此,基于信号的同步激发效应,且在参考磁场产生单元所产生的参考磁场不会因为环境条件而受到影响的情况下,此频率调制电路可将磁场探头中电感元件所产生的相对高频的感测信号处理成直流参考信号。直流参考信号将会对应参考磁场的大小,使得校准单元可藉由此直流参考信号来校正磁场探头的灵敏度或是校正磁场感测装置的输出信号。藉此,便可在不另外增加过多成本以及不影响信号操作的带宽的情况下,提高磁场感测装置的灵敏度。
为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路方块示意图。
图2绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。
图3A至图3C绘示本公开一实施例的磁场感测装置的信号波形图。
图4绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。
图5绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。
图6绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。
图7绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。
图8绘示本发明一实施例的磁场感测装置的磁场感测方法的步骤流程图。
【符号说明】
100:磁场感测装置
110、210:磁场感测单元
120、220:频率产生单元
130、230:参考磁场产生单元
140、240、340、440、540、640、740:信号处理单元
150、250、350、450、550、650、750:校准单元
211:磁场探头
212:偏压电路
213:频率调制电路
Bref、Bref1、Bref2:参考磁场
Bext、Bext1、Bext2:外部磁场
Smf:磁场感测信号
Sref:参考感测信号
Scal:校正信号
Vo:输出信号
Fctrl:操作频率
CO:线圈
Icoil:感应电流
Ihb:驱动电流
A1、A2、A3、A4:放大器
Vo1:第二级输出信号
V:电压
T:时间
VDD:系统电压
S810、S820、S830:步骤
具体实施方式
图1绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路方块示意图。请参考图1,本实施例的磁场感测装置100包括磁场感测单元110、频率产生单元120、参考磁场产生单元130、信号处理单元140以及校准单元150。在本实施例中,参考磁场产生单元130提供参考磁场Bref。磁场感测单元110感测外部磁场Bext以及参考磁场Bref以提供磁场感测信号Smf。信号处理单元140耦接磁场感测单元110,接收磁场感测信号Smf以将其转换为输出信号Vo。校准单元150耦接信号处理单元140,用以依据磁场感测信号Smf以校正输出信号Vo。频率产生单元120耦接参考磁场产生单元130以及磁场感测单元110,用以提供操作频率Fctrl。其中参考磁场产生单元130依据操作频率Fctrl以提供参考磁场Bref,且磁场感测单元110依据操作频率Fctrl以感测外部磁场Bext以及参考磁场Bref。
在本实施例中,参考磁场产生单元130可以利用电感或线圈以闭回路的设计加以实现,但不限于此。参考磁场产生单元130可持续且稳定地提供参考磁场Bref,并不会因外部磁场Bext或环境条件所影响。磁场感测单元110可以是磁场探头,其通常可感测磁场的扰动以产生对应的输出电压。举例来说,磁场探头可以非接触的方式来感测磁场物件(例如,马达)的转速、位置以及角度等的物理量,并据以提供给采用此磁场感测装置的控制系统。一般来说,磁场探头会具备可藉由调整操作频率来调制磁场探头的灵敏度的相关机制与频率调制电路。因此,参考磁场产生单元130以及磁场感测单元110依据此操作频率Fctrl来进行动作之后,磁场感测单元110中的频率调制电路将由于参考磁场Bref与磁场感测单元110的操作频率相同,从而达到信号的同步激发效应。
在本实施例中,磁场感测单元110在感测具有相同频率操作频率Fctrl的参考磁场Bref与外部磁场Bext后,将提供磁场感测信号Smf。磁场感测信号Smf包括具备第一频率(例如是相对高频的频率)的第一磁场感测信号以及具备第二频率(例如是相对低频的频率)的第二磁场感测信号,所述第一频率大于所述第二频率。具备相对高频的频率的第一磁场感测信号主要是由磁场感测单元110中磁场探头的电感元件基于参考磁场Bref而产生,而具备相对低频的频率的第二磁场感测信号主要是基于外部磁场Bext而产生。上述第一磁场感测信号以及第二磁场感测信号再经过磁场探头中频率调制电路的处理后会发生相当巨大的变化。例如,具备相对高频的频率的第一磁场感测信号将会因为频率调制电路以及其操作频率的关系而处理成为直流参考信号;相对地,具备相对低频的频率的第二磁场感测信号则会因为频率调制电路以及其操作频率的关系而处理成为具备较为高频的感测信号。直流参考信号即是对应到参考磁场产生单元130的参考磁场Bref,而较为高频的感测信号则对应的是外部磁场Bext。本实施例中的校准单元150会藉由经频率调制电路处理后的磁场感测信号Smf的直流参考信号来提供校正信号,从而校正输出信号Vo。
具体而言,本实施例中的信号处理单元140接收磁场感测单元110的参考磁场Bref与外部磁场Bext以产生磁场感测信号Smf,并分离出其中所对应的直流参考信号以及较为高频的感测信号。由于参考磁场Bref的大小会相对应于直流参考信号的电压大小,因此校准单元150将分离出的直流参考信号作为校正输出信号Vo的校正量,藉以对磁场感测单元110进行灵敏度的校正。
值得注意的是,本实施例的频率产生单元120所提供的操作频率Fctrl还可以藉由动态激发频率调节(dynamic excitation frequency adjustment,DEFA)来进行不同频率点的校正。本实施例中的信号同步激发效应是将操作频率Fctrl与参考磁场Bref调整成具有相同的频率,因此应用本实施例者还可动态地调整操作频率Fctrl以针对不同频率点进行调整,即可使参考磁场产生单元130在不同频率点的情况下提供不同的参考磁场Bref。更进一步来说,在操作动态激发频率调节时,应用本实施例者可藉由信号同步激发效应来一同移动操作频率Fctrl与参考磁场Bref两者同频的频率,如此一来便可校正不同的频率点,达成较完整且精确的频率响应。
图2绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。请参考图1以及图2,本实施例的参考磁场产生单元230、磁场感测单元210、校准单元250以及信号处理单元240大致可以参考前一实施例中各区块130、110、250、240的操作方式。在本实施例中,参考磁场产生单元230包括线圈CO以及感应电流Icoil,参考磁场产生单元230以电磁感应的方式提供参考磁场Bref。本实施例的磁场感测单元可以包括磁场探头211、偏压电路212以及频率调制电路213。在本实施例中,偏压电路212是以电流源作为举例,偏压电路212用以产生驱动电流Ihb。应用本实施例者可藉由其他偏压电路或电流镜电路来实现偏压电路212。磁场探头211耦接偏压电路212,其中磁场探头211接收驱动电流Ihb来感测外部磁场Bext以及参考磁场Bref,且驱动电流Ihb的电流大小相对应于磁场感测单元210的灵敏度。频率调制电路213是原本位于磁场探头211当中的电路,为了方便说明而特别绘示于图2,且在上述描述中已公开频率调制电路213的功能。
在本实施例中,信号处理单元240可以包括第一放大器A1。第一放大器A1的输入端用以接收磁场感测信号Smf,并在第一放大器A1的输出端将磁场感测信号Smf转换为输出信号Vo。本实施例的校准单元250从第一放大器A1接收相关于磁场感测信号Smf的参考感测信号Sref,依据参考感测信号Sref产生校正信号Scal,并传送校正信号Scal至偏压电路212以调整偏压电路212的驱动电流Ihb,从而调整磁场探头211的灵敏度。具体来说,本实施例的磁场感测信号Smf可以藉由第一放大器A1分离出直流部分,校准单元250从第一放大器A1接收的参考感测信号Sref具有磁场感测信号Smf中的直流部分,而校准单元250就依据此直流部分来提供校正信号Scal。
值得注意的是,磁场感测单元210中的偏压电路212所提供的驱动电流Ihb,是可以用来调整磁场感测单元210中磁场探头211的灵敏度。也就是说,若磁场探头211的灵敏度受到外在环境影响时,磁场感测单元210可调整偏压电路212提供的驱动电流Ihb,以提升磁场探头211的灵敏度。因此,磁场感测单元210需要有稳定且不易受影响的参考磁场做为参考值,即为本实施例中参考磁场产生单元230所提供的参考磁场Bref。具体而言,磁场感测单元210调整驱动电流Ihb需将原先输入磁场感测单元210的频率进行调制,例如调整为载波频率。本实施例中的频率产生单元220提供具有载波频率特性的操作频率Fctrl至磁场感测单元210以及参考磁场产生单元230,以使磁场感测单元210以及参考磁场产生单元230达到同频,从而达到信号同步激发效应。
图3A至图3C绘示本公开一实施例的磁场感测装置的信号波形图。图3A中,参考磁场Bref1以及Bref2是由参考磁场产生单元230所提供。如图3A所示,在本实施例中,磁场感测单元210所感测到的参考磁场Bref1以及Bref2分别为稳定的1V以及4V。图3B中,磁场感测装置210所感测到的外部磁场Bext1以及Bext2皆为弦波。由此可知,本实施例中的磁场感测单元210感测参考磁场Bref1及Bref2和外部磁场Bext1及Bext2以提供的磁场感测信号Smf中,直流参考信号即是对应于参考磁场Bref1及Bref2,较为高频的感测信号即是对应于外部磁场Bext1以及Bext2。因此,在本实施例中,信号处理单元240在接收到磁场感测信号Smf后,会将磁场感测信号Smf由模拟信号转为数字信号。图3C中,当磁场感测信号Smf输入到信号处理单元之后,会将原本图3B中混合的外部磁场Bext1及Bext2依据参考磁场Bref1及Bref2进行分离,如图3C所示,外部磁场Bext1分离到对应于参考磁场Bref1的1V位置,外部磁场Bext2分离到对应于参考磁场Bref2的4V位置。
图4绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。请参考图1至图4,相同元件采用相同标号,可参考前述实施例。本实施例与图2实施例差异在于信号处理单元440以及校准单元350的操作方式。本实施例的信号处理单元除了包括第一放大器A1,还包括第二放大器A2。第一放大器A1的输入端用以接收磁场感测信号Smf,并在第一放大器A1的输出端将磁场感测信号Smf转换为输出信号Vo。第二放大器A2的输入端用以接收第一放大器的输出信号Vo,并在第二放大器A2的输出端将输出信号Vo转换为第二级输出信号Vo1。本实施例的校准单元450从第二放大器A2接收相关于磁场感测信号Smf的参考感测信号Sref,依据参考感测信号产生校正信号Scal,并传送校正信号Scal至第一放大器A1以调整第一放大器A1的增益,从而校正输出信号Vo。也就是说,本实施例中信号处理单元440利用第一放大器A1以及第二放大器A2以二级信号处理的手段来调整磁场感测信号Smf。值得注意的是,本公开并不限制运用多少级信号处理,在其他实施例中,信号处理单元也可以包括三个或多个放大器串联耦接来实现。
图5绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。请参考图1至图5。相同元件采用相同标号,可参考前述实施例。本实施例的信号处理单元540与图3A至图3C实施例中的信号处理单元440同样具有第一放大器A1以及第二放大器A2,然而差异在于,本实施例的校准单元550从第一放大器A1接收相关于磁场感测信号210的参考感测信号Sref,依据参考感测信号Sref产生校正信号Scal,并传送校正信号Scal至第二放大器A2以调整第二放大器A2的增益,从而校正第二级输出信号Vo1。就图4以及图5的信号处理单元440、540的操作方式来说,信号处理单元440藉由校准单元450以达成第二放大器A2对第一放大器A1的信号反馈(Feedback),也就是当第一放大器A1产生偏移的情况下,第二放大器A2就会对第一放大器A1进行补偿,以校正第一放大器的输出信号Vo;而本实施例中,信号处理单元540藉由校准单元550以达成第一放大器A1对第二放大器A2的信号前馈(FeedFoward),也就是预测判断第二放大器A2可能会产生偏移的情况下,先以第一放大器A1对第二放大器A2进行补偿,以直接校正第二放大器A2的第二级输出信号Vo1。同样的,本公开亦不限制本实施例中信号处理单元540的放大器数量。
图6绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。请参考图1、图2、图3A至图3C以及图6,相同元件采用相同标号,可参考前述实施例。本实施例的信号处理单元640与图4实施例中的信号处理单元440同样具有第一放大器A1以及第二放大器A2,然而差异在于,本实施例的校准单元从第二放大器A2接收相关于磁场感测信号Smf的参考感测信号Sref,依据参考感测信号Sref产生校正信号Scal,并传送校正信号Scal至偏压电路212以调整偏压电路212的驱动电流Ihb,从而调整磁场探头211的灵敏度。具体来说,本实施例的校准单元650藉由信号处理单元640中的第一放大器A1以及第二放大器A2进行二级信号处理,以对偏压电路212作调整。本公开并不限定运用多少级的信号处理,在其他实施例中,信号处理单元也可以包括三个或多个放大器串联耦接来实现。
图7绘示本公开一实施例的磁场感测装置的电路示意图。请参考图1、图2、图3A至图3C、图6以及图7,相同元件采用相同标号,可参考前述实施例。本实施例的信号处理单元740与图2实施例中的信号处理单元240差异在于,图2的信号处理单元240包括一个放大器A1,图7的信号处理单元740则包括相互并联耦接的放大器A3以及A4。在本实施例中,放大器A3以及A4相互并联耦接,且各放大器的输入端用以接收磁场感测信号Smf,并在放大器A3的输出端将磁场感测信号Smf转换为输出信号Vo。校准单元750从放大器A4接收对应的输出信号Vo1,依据输出信号Vo1产生校正信号Scal,并传送校正信号Scal至偏压电路212以调整偏压电路212的驱动电流Ihb,从而调整磁场探头211的该灵敏度。也就是说,除了前述图3A至图3C至图4的信号处理单元中放大器串联耦接的设计,本公开的信号处理单元也可以用放大器并联耦接的方式加以实现。同样的,本公开也不限制信号处理单元740内的放大器数量,在其他实施例中,信号处理单元可以包括三个以上的放大器并联耦接。
图8绘示本发明一实施例的磁场感测装置的磁场感测方法的步骤流程图。请参考图1及图8,本实施例的磁场感测方法可适用于例如图1的磁场感测装置100,并且包括以下步骤。在步骤S810中,磁场感测装置100依据操作频率Fctrl以产生参考磁场Bref。在步骤S820中,磁场感测装置100依据操作频率Fctrl以感测外部磁场Bext及参考磁场Bref,并产生磁场感测信号Smf。在步骤S830中,磁场感测装置100将磁场感测信号Smf转换为输出信号Vo,并依据磁场感测信号Smf以校正输出信号Vo。
值得注意的是,应用本实施例者可以通过多种实现方式来实现步骤S830。步骤S830具备多种实现方式以对应于本发明实施例所述的各种实施例及其衍伸范例。例如,步骤S830的实现方式在图2的实施例中可以是让校准单元250依据参考感测信号Sref以产生校正信号Scal,并且磁场感测单元210将依据校正信号Scal以调整偏压电路212中的驱动电流Ihb,从而调整磁场感测单元210的灵敏度。又例如,步骤S830的实现方式在图4的实施例中可以是让校准单元250依据参考感测信号Sref以产生校正信号Scal,并且信号处理单元240中的第一放大器A1将依据校正信号Scal来调整其信号增益,从而校正输出信号Vo。
综上所述,本公开所述的磁场感测装置具有可产生操作频率的频率产生单元,并使参考磁场产生单元以及磁场感测单元具备相同的操作频率。由于磁场探头原本便具备藉由调整操作频率来调整磁场探头灵敏度的频率调制电路。因此,基于信号的同步激发效应,且在参考磁场产生单元所产生的参考磁场不会因为环境条件而受到影响的情况下,此频率调制电路可将磁场探头中电感元件所产生的相对高频的感测信号处理成直流参考信号。直流参考信号将会对应参考磁场的大小,使得校准单元可藉由此直流参考信号来校正磁场探头的灵敏度或是校正磁场感测装置的输出信号。藉此,便可在不另外增加过多成本以及不影响信号操作的带宽的情况下,提高磁场感测装置的灵敏度。
虽然本公开已以实施例公开如上,然其并非用以限定本公开,本领域技术人员在不脱离本公开的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本公开的保护范围当视所附权利要求书界定范围为准。

Claims (14)

1.一种磁场感测装置,包括:
参考磁场产生单元,用以提供参考磁场;
磁场感测单元,用以感测外部磁场以及该参考磁场以提供磁场感测信号;
信号处理单元,耦接该磁场感测单元,接收该磁场感测信号以将其转换为输出信号;
校准单元,用以依据该磁场感测信号以校正该输出信号;以及
频率产生单元,耦接该参考磁场产生单元以及该磁场感测单元,用以提供操作频率,
其中该参考磁场产生单元依据该操作频率以提供该参考磁场,且该磁场感测单元依据该操作频率以感测该外部磁场及该参考磁场;
其中,该磁场感测信号包括具备第一频率的第一磁场感测信号以及具备第二频率的第二磁场感测信号,其中该第一频率大于该第二频率,并且,
该磁场感测单元包括:
频率调制电路,接收该操作频率以调整该磁场感测单元的灵敏度,且该频率调制电路依据该操作频率并藉由信号同步激发效应以将该第一频率的该第一磁场感测信号处理为该磁场感测信号中的直流参考信号,
其中该直流参考信号对应于该参考磁场,且该第二磁场感测信号对应于该外部磁场,
并且该校准单元藉由该直流参考信号以提供校正信号,从而校正该输出信号。
2.如权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,该频率产生单元藉由该信号同步激发效应,以动态激发频率调节动态的调整该操作频率以及该参考磁场。
3.如权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,该磁场感测单元包括:
偏压电路,用以提供驱动电流;以及
磁场探头,耦接该偏压电路,其中该磁场探头接收该驱动电流来感测该外部磁场以及该参考磁场,且该驱动电流的电流大小相对应于该磁场感测单元的灵敏度。
4.如权利要求3所述的磁场感测装置,其特征在于,该信号处理单元包括:
第一放大器,该第一放大器的输入端用以接收该磁场感测信号,并在该第一放大器的输出端将该磁场感测信号转换为该输出信号。
5.如权利要求4所述的磁场感测装置,其特征在于,该校准单元从该第一放大器接收相关于该磁场感测信号的参考感测信号,依据该参考感测信号产生校正信号,并传送该校正信号至该偏压电路以调整该偏压电路的该驱动电流,从而调整该磁场探头的该灵敏度。
6.如权利要求4所述的磁场感测装置,其特征在于,该信号处理单元还包括:
第二放大器,该第二放大器的输入端用以接收该输出信号,并在该第二放大器的输出端将该输出信号转换为第二级输出信号。
7.如权利要求6所述的磁场感测装置,其特征在于,该校准单元从该第二放大器接收相关于该磁场感测信号的参考感测信号,依据该参考感测信号产生校正信号,并传送该校正信号至该第一放大器以调整该第一放大器的增益,从而校正该输出信号。
8.如权利要求6所述的磁场感测装置,其特征在于,该校准单元从该第一放大器接收相关于该磁场感测信号的参考感测信号,依据该参考感测信号产生校正信号,并传送该校正信号至该第二放大器以调整该第二放大器的增益,从而校正该第二级输出信号。
9.如权利要求6所述的磁场感测装置,其特征在于,该校准单元从该第二放大器接收相关于该磁场感测信号的参考感测信号,依据该参考感测信号产生校正信号,并传送该校正信号至该偏压电路以调整该偏压电路的该驱动电流,从而调整该磁场探头的该灵敏度。
10.如权利要求3所述的磁场感测装置,其特征在于,该信号处理单元包括:
多个第一放大器,各该第一放大器的输入端用以接收该磁场感测信号,并在这些第一放大器的输出端将该磁场感测信号转换为该输出信号,
其中该校准单元从这些第一放大器其中之一接收对应的该输出信号,依据该输出信号产生校正信号,并传送该校正信号至该偏压电路以调整该偏压电路的该驱动电流,从而调整该磁场探头的该灵敏度。
11.一种磁场感测装置的磁场感测方法,包括以下步骤:
依据操作频率以产生参考磁场;
依据该操作频率以感测外部磁场及该参考磁场,并产生磁场感测信号;以及
将该磁场感测信号转换为输出信号,并依据该磁场感测信号以校正该输出信号;
其中,将该磁场感测信号被转换为该输出信号,并依据该磁场感测信号以校正该输出信号的步骤还包括:
依据该操作频率并藉由信号同步激发效应以将第一频率的第一磁场感测信号处理为该磁场感测信号中的直流参考信号;
依据该直流参考信号以产生校正信号,并依据该校正信号以校正该输出信号。
12.如权利要求11所述的磁场感测方法,其特征在于,依据该操作频率并藉由该信号同步激发效应以将该第一频率的该第一磁场感测信号处理为该磁场感测信号中的该直流参考信号的步骤还包括:
依据该信号同步激发效应,以动态激发频率调节动态的调整该操作频率以及该参考磁场。
13.如权利要求11所述的磁场感测方法,其特征在于,将该磁场感测信号被转换为该输出信号,并依据该磁场感测信号以校正该输出信号的步骤还包括:
依据参考感测信号以产生校正信号,并依据该校正信号以调整驱动电流,从而调整该磁场感测装置的灵敏度。
14.如权利要求11所述的磁场感测方法,其特征在于,将该磁场感测信号被转换为该输出信号,并依据该磁场感测信号以校正该输出信号的步骤还包括:
依据参考感测信号以产生校正信号,并依据该校正信号来调整信号增益,从而校正该输出信号。
CN201410794498.3A 2014-12-11 2014-12-18 磁场感测装置及其磁场感测方法 Active CN105759225B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103143273A TWI582447B (zh) 2014-12-11 2014-12-11 磁場感測裝置及其磁場感測方法
TW103143273 2014-12-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105759225A CN105759225A (zh) 2016-07-13
CN105759225B true CN105759225B (zh) 2018-11-23

Family

ID=56110948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410794498.3A Active CN105759225B (zh) 2014-12-11 2014-12-18 磁场感测装置及其磁场感测方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9696388B2 (zh)
CN (1) CN105759225B (zh)
TW (1) TWI582447B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9817078B2 (en) 2012-05-10 2017-11-14 Allegro Microsystems Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil
US10145908B2 (en) 2013-07-19 2018-12-04 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field
TWI644112B (zh) * 2016-12-14 2018-12-11 旺玖科技股份有限公司 用以感測電氣設備使用狀態之感測器及其感測方法
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
EP3457154B1 (en) * 2017-09-13 2020-04-08 Melexis Technologies SA Stray field rejection in magnetic sensors
TWI649540B (zh) 2017-10-26 2019-02-01 財團法人工業技術研究院 無電池旋轉編碼器
CN108494301A (zh) * 2018-04-16 2018-09-04 北京京大律业知识产权代理有限公司 一种智能永磁同步电机双闭环控制系统
JP7123767B2 (ja) * 2018-11-20 2022-08-23 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 磁気共鳴撮像装置
US11262422B2 (en) 2020-05-08 2022-03-01 Allegro Microsystems, Llc Stray-field-immune coil-activated position sensor
TWI754544B (zh) * 2021-02-08 2022-02-01 創磁微測股份有限公司 電磁場產生裝置之電磁場校正及故障判斷方法
US11493361B2 (en) 2021-02-26 2022-11-08 Allegro Microsystems, Llc Stray field immune coil-activated sensor
US11578997B1 (en) 2021-08-24 2023-02-14 Allegro Microsystems, Llc Angle sensor using eddy currents
DE102022121887A1 (de) 2022-08-30 2024-02-29 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und verfahren zur kompensation von sensitivitätsschwankungen einer magnetfeldsensorschaltung

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4305034A (en) * 1979-04-09 1981-12-08 Hughes Aircraft Company Magnetic field intensity measuring device with frequency change indication
CH664632A5 (de) * 1984-08-16 1988-03-15 Landis & Gyr Ag Schaltungsanordnung zur kompensation von schwankungen des uebertragungsfaktors eines magnetfeldsensors.
KR100296301B1 (ko) * 1998-11-19 2001-08-07 구자홍 모니터의지자계자동보정장치
DE10032527C1 (de) 2000-07-05 2001-12-06 Infineon Technologies Ag Temperaturkompensationsschaltung für ein Hall-Element
TWI261680B (en) * 2003-12-24 2006-09-11 Ind Tech Res Inst Electromagnetic signal sensing system
EP1637898A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-22 Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. Continuously calibrated magnetic field sensor
WO2007042959A2 (en) * 2005-10-12 2007-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetic sensor device with different internal operating frequencies
GB0620307D0 (en) 2006-10-16 2006-11-22 Ami Semiconductor Belgium Bvba Auto-calibration of magnetic sensor
US7923996B2 (en) 2008-02-26 2011-04-12 Allegro Microsystems, Inc. Magnetic field sensor with automatic sensitivity adjustment
US8120354B2 (en) 2008-05-01 2012-02-21 Broadband Discovery Systems, Inc. Self-calibrating magnetic field monitor
US8447556B2 (en) 2009-02-17 2013-05-21 Allegro Microsystems, Inc. Circuits and methods for generating a self-test of a magnetic field sensor
EP2402777B1 (en) 2010-06-30 2013-01-09 LEM Intellectual Property SA Autonomously calibrated magnetic field sensor
US8350563B2 (en) 2010-10-12 2013-01-08 Allegro Microsystems, Inc. Magnetic field sensor and method used in a magnetic field sensor that adjusts a sensitivity and/or an offset over temperature
US8680846B2 (en) 2011-04-27 2014-03-25 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for self-calibrating or self-testing a magnetic field sensor
TWI436082B (zh) * 2011-06-02 2014-05-01 Univ Nat Taiwan 磁場感測裝置及其製造方法
US9285438B2 (en) * 2011-09-28 2016-03-15 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for processing signals generated by a plurality of magnetic field sensing elements
US9417293B2 (en) 2012-12-31 2016-08-16 Texas Instruments Incorporated Magnetic field sensor linearization architecture and method

Also Published As

Publication number Publication date
CN105759225A (zh) 2016-07-13
TW201621342A (zh) 2016-06-16
US9696388B2 (en) 2017-07-04
US20160169983A1 (en) 2016-06-16
TWI582447B (zh) 2017-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105759225B (zh) 磁场感测装置及其磁场感测方法
CN101023367B (zh) 连续校准的磁场传感器
US9654181B1 (en) Dynamic transmitter signal envelope shaping control for NFC or RFID devices
WO2006130828A2 (en) System and method for sensing capacitance change of a capacitive sensor
US9154033B2 (en) Current control semiconductor device and control device using the same
TW201531950A (zh) 非接觸通訊元件及其天線共振頻率控制方法
US20120235800A1 (en) Receiver and Transmitter Receiver System
US8368378B2 (en) Plasma measurement device, plasma system, and method for measuring plasma characteristics
CN104183258A (zh) 用于不同类型的器件的数据接收的系统和方法
CN101689886B (zh) 修正电路以及测试装置
US20140233685A1 (en) Receiver compensation
TWI284462B (en) Optical transceiver module and calibration method thereof
US10969511B2 (en) Signal processing technique for a metal detector
CN102007687B (zh) 振幅控制电路、极化调制发送电路以及极化调制方法
JP5981890B2 (ja) ホール素子駆動回路
CN106932736B (zh) 使用宽带信号的闭环设备校准
JP2014163825A (ja) 磁気センサの温度特性補正回路及び温度特性補正方法
US9184704B2 (en) Timing alignment for power amplifier
TWI613458B (zh) 磁場感測裝置及其感測方法
US10411758B2 (en) Drive control apparatus that receives power and a plurality of frequency-multiplexed control signals
CN103543293B (zh) 校正装置、传感器和方法
US9553622B2 (en) Reception circuit and communication system
JP2006033185A (ja) ダイオード検波回路
KR102213528B1 (ko) 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서
CN113810893B (zh) 用于时钟信号恢复的装置及方法、nfc芯片

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant