CN105742244A - 硅片裂片崩边阻断方法 - Google Patents

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CN105742244A CN201610202363.2A CN201610202363A CN105742244A CN 105742244 A CN105742244 A CN 105742244A CN 201610202363 A CN201610202363 A CN 201610202363A CN 105742244 A CN105742244 A CN 105742244A
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季大君
张研
汪金磊
刘向雨
车振华
刘晶岩
魏洪松
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    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

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Abstract

硅片裂片崩边阻断方法，涉及半导体器件芯片制造技术领域，解决现有半导体芯片在制造过程中，容易出现崩边的问题，本发明采用光刻技术在硅片槽两侧的硅片上刻出图形；在刻出的图形上进行蒸发铝层，并将所述铝层覆盖至划片槽两侧；所述划片槽两侧的铝层距离划片槽的宽度为22μm；采用划片刀沿划片槽进行切割，获得切割图形。本发明所述的方法在遇到增加的铝层后将停止向芯片的有效区内延伸。采用本发明所述的方法阻止了崩边直接延伸至芯粒内部与芯粒接触，进而造成的崩边出现废品的问题。

Description

硅片裂片崩边阻断方法
技术领域
本发明涉及半导体器件芯片制造技术领域，具体涉及一种硅片裂片崩边阻断方法。
能够有效阻断划片过程产生的崩边，避免裂片过程中的崩边剔废，提高芯片质量与合格率。
背景技术
目前，在半导体芯片制造过程中，存在裂片的工步，结合图1，需要将晶圆按划片线切割成单个芯粒，现芯片切割普遍采用磨轮划片机进行裂片，在芯片裂片过程中，由于所处环境较差，所以由于诸多原因(划片刀损耗、芯片飞带、芯片材质工艺等)，会导致划片过程中产生不可避免的崩边。
发明内容
本发明为解决现有半导体芯片在制造过程中，容易出现崩边的问题，提供一种半导体划片崩边阻断方法。
半导体划片崩边阻断方法由以下步骤实现：
步骤一、采用光刻技术在硅片槽两侧的硅片上刻出图形；
步骤二、在步骤一刻出的图形上进行蒸发铝层，并将所述铝层覆盖至划片槽两侧；所述划片槽两侧的铝层距离划片槽的宽度为22μm；
步骤三、采用划片刀沿划片槽进行切割，获得切割图形；
所述的铝层厚度为3.5μm至5.5μm；
划片刀的刀刃宽度18μm-21μm；
划片槽两侧加铝条覆盖后，切割刀痕处与芯片有效区间会存在一个台阶，来阻断崩边向管芯方向的延伸。
本发明的有益效果：本发明所述的方法在加铝层后，崩边在遇到增加的铝层后将停止向芯片有效区内延伸。阻止了崩边直接延伸至芯粒内部与芯粒接触，造成的崩边废品。
附图说明
图1为本发明所述的硅片裂片崩边阻断方法的原理示意图；
图2中图2a和图2b分别为采用现有方法和本发明方法进行切割的效果图；
图3为本实施方式一中的数据统计示意图；
图4为本明所述的硅片裂片崩边阻断方法的实验对比图，其中，图4a为未采用铝进行保护的崩边片，图4b为采用铝片进行保护的崩边片，图4c为去除铝层保护的硅片效果图。
具体实施方式
具体实施方式一、结合图1至图4说明本实施方式，硅片裂片崩边阻断方法，该方法由以下步骤实现：
步骤一、采用光刻技术在硅片槽两侧的硅片上刻出图形；
步骤二、在步骤一刻出的图形上进行蒸发铝层，并将所述铝层覆盖至划片槽两侧；所述划片槽两侧的铝层距离划片槽的宽度为22μm；
步骤三、采用划片刀沿划片槽进行切割，获得切割图形；
所述的铝层厚度为3.5μm至5.5μm；铝层的覆盖宽度根据图形上铝的宽度而定。
本实施划片槽两侧加铝层覆盖后，切割刀痕处与硅片有效区间会存在一个台阶，来阻断崩边向管芯方向的延伸。
本实施方式所述的方法，在芯片制作过程中，延长四次光刻板铝板长度来覆盖部分划片槽，覆盖后的划片槽宽度为单侧11μm(切割刀刃宽度18μm-21μm)，光刻后蒸发铝来达到阻断崩边的目的。
如图3为B132DG品种芯片历史崩边剔废统计，此型号芯片2014年10月后进行的划片线改版，更改后此品种崩边剔废率由0.6％下降至0.08％，芯片质量与合格率提升改善效果十分明显。从以上数据可以看出，本实施方式可以有效的降低崩边剔废率。
结合图4说明本实施方式，图4a为更改前未加铝条崩边片，需进行剔废。图4b为增加铝条的崩边片，图4c为将铝条去除后的崩边片。由图4c可以看出铝条可有效阻止崩边延伸至芯片有效区域。

Claims (3)

1.硅片裂片崩边阻断方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：
步骤一、采用光刻技术在硅片槽两侧的硅片上刻出图形；
步骤二、在步骤一刻出的图形上进行蒸发铝层，并将所述铝层覆盖至划片槽两侧；所述划片槽两侧的铝层距离划片槽的宽度为22μm；
步骤三、采用划片刀沿划片槽进行切割，获得切割图形。
2.根据权利要求1所述的硅片裂片崩边阻断方法，其特征在于，步骤二中所述的铝层厚度为3.5μm至5.5μm。
3.根据权利要求1所述的硅片裂片崩边阻断方法，其特征在于，步骤三中所述的划片刀的刀刃宽度18μm-21μm。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60182746A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
EP0691677A2 (de) * 1994-07-08 1996-01-10 ANT Nachrichtentechnik GmbH Verfahren zur Erhöhung der lateralen Unterätzung einer strukturierten Schicht
US6174789B1 (en) * 1998-02-20 2001-01-16 Nec Corporation Method of dividing a compound semiconductor wafer into pellets by utilizing extremely narrow scribe regions
CN101075580A (zh) * 2007-06-01 2007-11-21 日月光半导体制造股份有限公司 切割晶圆的方法
CN101490812A (zh) * 2006-05-25 2009-07-22 伊雷克托科学工业股份有限公司 背面晶圆切割
US20090186465A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Disco Corporation Wafer dividing method
CN103407959A (zh) * 2013-09-03 2013-11-27 中国电子科技集团公司第二十六研究所 三维电极图形制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60182746A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
EP0691677A2 (de) * 1994-07-08 1996-01-10 ANT Nachrichtentechnik GmbH Verfahren zur Erhöhung der lateralen Unterätzung einer strukturierten Schicht
US6174789B1 (en) * 1998-02-20 2001-01-16 Nec Corporation Method of dividing a compound semiconductor wafer into pellets by utilizing extremely narrow scribe regions
CN101490812A (zh) * 2006-05-25 2009-07-22 伊雷克托科学工业股份有限公司 背面晶圆切割
CN101075580A (zh) * 2007-06-01 2007-11-21 日月光半导体制造股份有限公司 切割晶圆的方法
US20090186465A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Disco Corporation Wafer dividing method
CN103407959A (zh) * 2013-09-03 2013-11-27 中国电子科技集团公司第二十六研究所 三维电极图形制作方法

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