CN105741754A - 发光二极管装置的控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光二极管装置的控制方法，包含使用一重置电压源重置该发光二极管装置的一驱动晶体管的一控制端；补偿该驱动晶体管的该控制端至一补偿电位；重置该驱动晶体管的一第一端至一目标电位，从而增加该驱动晶体管的该第一端及一第二端之间的电压差；及该驱动晶体管提供一驱动电流以驱动该发光二极管装置的一发光二极管发光。通过实施本发明，可有效避免图像残留问题，改善高帧率应用的显示品质。

Description

发光二极管装置的控制方法
技术领域
本发明是关于一种发光二极管装置的控制方法，尤指一种可增加驱动晶体管的两端之间的电压差的发光二极管装置的控制方法。
背景技术
随着显示技术的演进，发光二极管已经被广泛应用在显示科技中，例如主动矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganiclight-emittingdiode；AMOLED)即为其中的一个范例。其控制方法可为使用驱动晶体管提供电流使发光二极管发光。然而以黑白交错的棋方格测试显示时，会产生图像残留(ImageRetention)现象。例如像素由灰阶亮度0(黑色)转为灰阶亮度64(灰色)时，会导致下一画面时间的亮度过高，至再下一画面时间才可达到预期亮度。在高速显示时，从黑色画面转态到任一灰阶画面的转换过程中，常需要二次充电才可到达预期的灰阶亮度。此现象在高速操作时，会造成黑色画面转态到任一灰阶的画面交界处产生鬼影(Ghost)，从而使高速显示的画面品质低落。上述不欲发生的图像残留现象，是因电荷聚集于驱动晶体管的通道(channel)造成。
发明内容
本发明的一实施例提供一种发光二极管装置的控制方法，包含使用一重置电压源重置该发光二极管装置的一驱动晶体管的一控制端；补偿该驱动晶体管的该控制端至一补偿电位；重置该驱动晶体管的一第一端至一目标电位，从而增加该驱动晶体管的该第一端及一第二端之间的电压差；及该驱动晶体管提供一驱动电流以驱动该发光二极管装置的一发光二极管发光。
本发明的另一实施例提供一种发光二极管装置的控制方法，包含提供一重置电压至该发光二极管装置的一驱动晶体管的一控制端；提供一补偿电位至该驱动晶体管的该控制端；于提供该补偿电位至该驱动晶体管的该控制端后，提供一目标电位至该驱动晶体管的一第一端；及于提供该目标电位至该驱动晶体管的该第一端后，该驱动晶体管提供一驱动电流以驱动该发光二极管装置的一发光二极管发光。
本发明实施例的有益效果在于，通过实施本发明，可有效避免图像残留问题，改善高帧率应用的显示品质。
附图说明
图1是本发明一实施例中的驱动晶体管的电流-电压曲线示意图。
图2是本发明一实施例中，发光二极管及驱动晶体管的耦接示意图。
图3是本发明一实施例中，发光二极管装置的控制方法的流程图。
图4是图3实施例中，补偿阶段执行补偿操作的对应曲线图。
图5A至图5D是本发明一实施例中，发光二极管装置的操作电路示意图。
图6是对应于图5A至图5D的操作波形示意图。
图7是驱动晶体管的驱动电流及源漏电压的对应曲线示意图。
图8A至图8D是根据本发明另一实施例，发光二极管装置的操作电路示意图。
图9是对应于图8A至图8D的操作波形示意图。
图10A至图10D是根据本案另一实施例，发光二极管装置的操作电路示意图。
图11是对应于图10A至图10D的操作波形示意图。
附图标号
VGS栅源电压
VSD源漏电压
IDS、Id驱动电流
FS-P1顺扫路径
BS-P2逆扫路径
VG0、V1、V2准位
ID1、ID2电流值
△ID0电流差值
△Gray色差
Td、590、890、1090驱动晶体管
t1第一端
t2第二端
t3第三端
300控制方法
310至340步骤
D、580、880、1080发光二极管
tc补偿时间
500、800、1000发光二极管装置
OVDD高电压源
OVSS低电压源
510、810、1010第一晶体管
520、820、1020第二晶体管
530、830、1030第三晶体管
540、840、1040第四晶体管
550、850、1050第五晶体管
860第六晶体管
C电荷存储单元
VINI重置电压源
VREF参考电压源
S0、S1、S2、EM、EM1、EM2端点
Data数据信号
P1第一重置阶段
P2补偿阶段
P3第二重置阶段
P4发光阶段
Vth门槛电压
pt1、pt2位置
具体实施方式
图1是本发明一实施例中的驱动晶体管的电流-电压曲线(I-Vcurve)示意图。驱动晶体管的电流-电压曲线，若以栅源电压VGS(gate-to-sourcevoltage)为横轴(其单位可为伏特)，且驱动电流IDS的绝对值为纵轴(其单位可例如为微安培(uA))，其曲线上升的顺扫(forwardsweep)路径FS-P1(对应于灰阶亮度上升)与下降的逆扫(backwardsweep)路径BS-P2(对应于灰阶亮度下降)并不相同。顺扫路径FS-P1与逆扫路径BS-P2会于驱动晶体管全开/全关(on/off)时会合，亦即对应于全白色画面/全黑色画面时将会合，但在中途位于灰阶部分时，则路径相异。由图1可见，顺扫路径FS-P1与逆扫路径BS-P2对应于同一准位VG0的栅源电压VGS的电流值ID1与ID2不同，换言之，当由黑色画面转灰阶、与由白色画面转灰灰阶，虽施加相同电压，对应的灰阶度却相异。电流值ID1与ID2的电流差值△ID0将导致欲消除的色差△Gray，因此导致灰阶亮度变化不如预期，无法于预定时间内完成转换，从而使显示品质不良。
图2是本发明一实施例中，发光二极管D及驱动晶体管Td的耦接示意图。图3是本发明一实施例中，发光二极管装置的控制方法300的流程图。控制方法300可包含：
步骤310：重置驱动晶体管Td的控制端t3；
步骤320：补偿驱动晶体管Td的控制端t3至补偿电位；
步骤330：重置驱动晶体管Td的第一端t1至目标电位，从而增加驱动晶体管Td的第一端t1及第二端t2之间的电压差；及
步骤340：驱动晶体管Td提供驱动电流Id以驱动发光二极管装置的发光二极管D发光。
图2仅为简化示意图，用以说明操作的流程，未绘示驱动晶体管Td与发光二极管D以外的控制电路，本发明各实施例的发光二极管装置的电路将叙述于后文。根据本发明实施例，以P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)作为驱动晶体管Td为例，上述的驱动晶体管Td的控制端t3可为栅极端，第一端t1可为漏极端，且第二端t2可为源极端。步骤310至320，可重新给定驱动晶体管Td的控制端t3的电压，并补偿驱动晶体管Td的控制端t3的电压，从而校正工艺漂移导致的元件特性误差(如门槛电压的误差△Vth)。其中步骤310可通过一重置电压源重置驱动晶体管Td的控制端t3。
步骤330中，重置驱动晶体管Td的第一端t1至目标电位，可使用重置电压源重置驱动晶体管Td的第一端t1至目标电位；或可使用低电压源重置驱动晶体管Td的第一端t1至目标电位。其相关操作将叙述下文的实施例。
前述的步骤310至340可分别对应于第一重置阶段、补偿阶段、第二重置阶段及发光阶段。此四阶段的时序可依序进入第一重置阶段、进入补偿阶段、进入第二重置阶段、及进入发光阶段，再进入第一重置阶段，依此循环操作，于前一阶段完成后，进入下一阶段。图4是图3的实施例中，于步骤320的补偿阶段执行补偿操作的对应曲线图。图4的横轴为时间，纵轴可为驱动晶体管Td的控制端t3的位准，于补偿阶段其可由位准V1经充电被补偿至位准V2，其中须补偿时间tc。步骤330中，增加驱动晶体管Td的第一端t1及第二端t2之间的电压差(其可为源漏电压(source-to-drainvoltage)VSD)可使驱动晶体管Td进入深饱和(deepsaturation)区，从而避免驱动晶体管介于导通/关闭的临界点造成的操作不良及驱动电流Id不稳定。根据本发明实施例，控制方法300对应于本案各实施例的电路，其操作可如下述。
图5A至图5D是本发明一实施例中，发光二极管装置500的操作电路示意图。图6是对应于图5A至图5D的操作波形示意图。图5A至图5D中，发光二极管装置500可包含驱动晶体管590、第一晶体管510、第二晶体管520、第三晶体管530、第四晶体管540、发光二极管580及电荷存储单元C。驱动晶体管590的第二端耦接于高电压源OVDD，发光二极管580具有阳极及阴极，阴极耦接于低电压源OVSS。第一晶体管510具有第一端，耦接于驱动晶体管590的第一端、控制端(以耦接于端点S1示意)、及第二端，耦接于重置电压源VINI。第二晶体管520具有第一端，耦接于参考电压源VREF、控制端、及第二端。第三晶体管530具有第一端，用以接收数据信号Data、控制端、及第二端，耦接于第二晶体管520的第二端。电荷存储单元C具有第一端，耦接于第三晶体管530的第二端、及第二端，耦接于驱动晶体管590的控制端。第四晶体管540具有第一端，耦接于驱动晶体管590的控制端、控制端，耦接于第三晶体管530的控制端(以耦接于共同端点S2示意)、及第二端，耦接于该驱动晶体管590的第一端。第五晶体管550具有第一端，耦接于驱动晶体管590的第一端、控制端，耦接于第二晶体管520的控制端(以耦接于共同端点EM示意)、及第二端，耦接于发光二极管580的阳极。图5A至图5D中以数据电位Data为1.5伏特、重置电压源VINI的电位是1伏特，且高电压源OVDD的电位是5伏特为例，上述数值用以举例说明而非用以限制本发明的范围。前述的控制方法300，对应于图5A至图5D及图6，其操作可如下述。
前述的步骤310可对应至图5A，使用重置电压源VINI重置发光二极管装置500的驱动晶体管590的控制端，可包含：截止第二晶体管520及第五晶体管550；及导通第一晶体管510、第三晶体管530及第四晶体管540。其可对应于图6的第一重置阶段P1，端点EM是高态，端点S1与S2是低态。此阶段中，重置电压源VINI可通过第一晶体管510及第四晶体管540，将驱动晶体管590的控制端重置为例如1伏特。图5A中，截止的晶体管以打叉示意，导通的晶体管以未打叉示意，下文亦然。
前述的步骤320可对应于图5B，补偿驱动晶体管590的控制端至补偿电位，可包含：截止第一晶体管510、第二晶体管520及第五晶体管550；并使第三晶体管530及第四晶体管540维持在导通状态。其可对应于图6的补偿阶段P2，端点EM与端点S1是高态，端点S2是低态。此阶段中，驱动晶体管590的控制端的电位，可被补偿到补偿电位，亦即高电压源OVDD的位准与驱动晶体管590的门槛电压Vth的差值，若以门槛电压Vth为1伏特为例，则驱动晶体管590的控制端的电位可被补偿为4伏特，如算式(eq1)所述：
OVDD-Vth＝5V-1V＝4V……(eq1)；
驱动晶体管590的第一端、及第四晶体管540的第二端的电位，可通过第四晶体管540也被拉抬至4伏特。
前述的步骤330可对应于图5C，使用重置电压源VINI重置驱动晶体管的该第一端至目标电位，从而增加驱动晶体管590的第一端及第二端之间的电压差，可包含：截止第三晶体管530及第四晶体管540；导通第一晶体管510；并使第二晶体管520及第五晶体管550维持在截止状态。驱动晶体管590的第一端可通过第一晶体管被重置电压源VINI(其电位可为1伏特)重置到目标电位，例如1伏特。比对图5B与图5C中，驱动晶体管590的第一端及第二端之间的电压差可由(OVDD-4V，即5伏特减4伏特所得之)1伏特，被增加到(OVDD-1V，即5伏特减1伏特所得之)4伏特。因此，驱动晶体管590的第一端及第二端之间的电压差得以增加。图7是驱动晶体管590的驱动电流Id及源漏电压VSD的对应曲线示意图。若不执行上述的步骤330，则驱动晶体管590的源漏电压VSD会保持于1伏特，亦即小于高电压源OVDD与门槛电压Vth的差值，此过小的源漏电压VSD会导致驱动晶体管590提供的驱动电流Id也过小。经执行上述的步骤330，则驱动晶体管590源漏电压VSD可随的增大，对应图7，可由曲线的位置pt1移动到位置pt2，进入深饱和区，从而使驱动电流Id的电流值足够大且稳定，故有助于改善背景技术中的图像残留问题。前述的步骤330与图5C可对应于图6的第二重置阶段P3，其中端点EM、S2是高态，端点S1是低态，以控制图5C所示的各晶体管的导通与截止。
前述的步骤340可对应于图5D，驱动晶体管590提供驱动电流Id以驱动发光二极管装置500的发光二极管580发光，可包含：截止第一晶体管510；导通第二晶体管520及第五晶体管550；并使第三晶体管530及第四晶体管540维持在截止状态。如图5D所示，驱动电流Id可通过第五晶体管550驱动发光二极管580发光，此阶段可对应于图6的发光阶段P4，其中端点EM是低态，且端点S1与S2是高态，从而控制图5D所示的各晶体管的导通与截止。
图8A至图8D是根据本发明另一实施例，发光二极管装置800的操作电路示意图。图9是对应于图8A至图8D的操作波形示意图。图8A至图8D中，发光二极管装置800可包含第一晶体管810至第六晶体管860、电荷存储单元C、驱动晶体管890、发光二极管880。发光二极管880具有阳极，耦接于驱动晶体管890的第一端、及阴极，耦接于低电压源OVSS。第一晶体管810具有第一端，耦接于驱动晶体管890的第一端、控制端(耦接于端点S1)、及第二端，耦接于重置电压源VINI。第二晶体管820具有第一端，耦接于高电压源OVDD、控制端(耦接于端点EM)、及第二端。电荷存储单元C具有第一端，耦接于第二晶体管820的第二端、及第二端，耦接于驱动晶体管890的控制端。第三晶体管830具有第一端，耦接于参考电压源VREF、控制端(耦接于端点S2)、及第二端，耦接于第二晶体管820的第二端。第四晶体管840具有第一端，耦接于驱动晶体管890的控制端、控制端，耦接于第三晶体管830的控制端(以耦接于共同端点S2示意)、及第二端，耦接于驱动晶体管890的第一端。第五晶体管850具有第一端，耦接于高电压源OVDD、控制端，耦接于第二晶体管820的控制端(以耦接于共同端点EM示意)、及第二端，耦接于驱动晶体管890的第二端。第六晶体管860具有第一端，耦接于驱动晶体管890的第二端，及第二端，用以接收数据信号Data。
前述的步骤310可对应至图8A与图9的第一重置阶段P1，使用重置电压源VINI重置发光二极管装置800的驱动晶体管890的控制端，可包含：通过控制端点S0、S1、S2及EM的位准为高态或低态，截止第二晶体管820及第五晶体管850；导通第一晶体管810、第三晶体管830及第四晶体管840；并使第六晶体管860维持在截止状态。举例而言，重置电压源VINI(其位准可例如为1伏特)可通过第一晶体管810与第四晶体管840，将驱动晶体管890的控制端重置为1伏特。
前述的步骤320可对应至图8B与图9的补偿阶段P2，补偿驱动晶体管890的控制端至补偿电位，可包含：截止第一晶体管810；导通第六晶体管860；使第二晶体管820及第五晶体管850维持在截止状态；并使第三晶体管830、第四晶体管840维持在导通状态。补偿电位可为数据信号Data的位准(例如4伏特)及驱动晶体管890的门槛电压Vth的差值，如算式(eq2)所述：
Data-Vth＝4V-1V＝3V……(eq2)；
数据信号Data可通过第六晶体管860，补偿驱动晶体管890的控制端的位准至补偿电位(例如3伏特)。
前述的步骤330可对应至图8C、图9的第二重置阶段P3，使用重置电压源VINI重置驱动晶体管890的第一端至目标电位，从而增加驱动晶体管890的第一端及第二端之间的电压差，可包含：截止第三晶体管830、第四晶体管840及第六晶体管860；导通第一晶体管810；并使第二晶体管820、第五晶体管850维持在截止状态。由图8B与图8C可见，可使用重置电压源VINI(其位准例如为1伏特)通过第一晶体管810重置驱动晶体管890的第一端至目标电位(例如为1伏特)，故驱动晶体管890的第一端的位准可例如由3伏特降至1伏特，驱动晶体管890的第一端及第二端之间的电压差可由原本的1伏特(4伏特减去3伏特)增加到3伏特(4伏特减去1伏特)。如上述图7说明的原理，增加驱动晶体管890的第一端及第二端之间的电压差可使驱动晶体管890的驱动电流稳定，从而改善发光二极管的显示品质。
前述的步骤340可对应至图8D与图9的发光阶段P4，驱动晶体管890提供驱动电流Id以驱动发光二极管装置800的发光二极管880发光，可包含：截止第一晶体管810；导通第二晶体管820及第五晶体管850；并使第三晶体管830、第四晶体管840及第六晶体管860维持在截止状态。
图10A至图10D是根据本案另一实施例，发光二极管装置1000的操作电路示意图。图11是对应于图10A至图10D的操作波形示意图。发光二极管装置1000可包含第一晶体管1010、第二晶体管1020、第三晶体管1030、第四晶体管1040、第五晶体管1050、电荷存储单元C及发光二极管1080。第一晶体管1010具有第一端，耦接于重置电压源VINI、控制端(以耦接于端点S1示意)、及第二端，耦接于驱动晶体管1090的控制端。第二晶体管1020具有第一端，耦接于驱动晶体管1090的控制端、控制端(以耦接于端点S2示意)、及第二端，耦接于驱动晶体管1090的第一端。第三晶体管1030具有第一端，耦接于驱动晶体管1090的第一端、控制端(以耦接于端点EM2示意)、及第二端，耦接于发光二极管1080的阳极。第四晶体管1040具有第一端，用以接收数据信号Data、控制端，耦接于第二晶体管1020的控制端(以耦接于共同端点S2示意)、及第二端，耦接于驱动晶体管1090的第二端。第五晶体管1050，具有第一端，耦接于高电压端OVDD、控制端(以耦接于端点EM1示意)、及第二端，耦接于驱动晶体管1090的第二端。电荷存储单元C具有第一端，耦接于高电压端OVDD、及第二端，耦接于驱动晶体管1090的控制端。
前述的步骤310可对应至图10A与图11的第一重置阶段P1，使用重置电压源VINI重置发光二极管装置1000的驱动晶体管1090的控制端，可包含：截止第三晶体管1030及第五晶体管1050；导通第一晶体管1010；并使第二晶体管1020及第四晶体管1040维持在截止状态。可如图11的第一重置阶段P1所示，调整端点S1、S2、EM1及EM2的高态/低态，控制上述的各晶体管的导通与截止。如图10A所示，重置电压源VINI(其位准可例如为1伏特)可通过第一晶体管1010重置发光二极管装置1000的驱动晶体管1090的控制端，使其位准也例如为1伏特。
前述的步骤320可对应至图10B与图11的补偿阶段P2，补偿驱动晶体管1090的控制端至补偿电位，可包含：截止第一晶体管1010；导通第二晶体管1020及第四晶体管1040；并使第三晶体管1030及第五晶体管1050维持在截止状态。可如图11的补偿阶段P2所示，调整端点S1、S2、EM1及EM2的高态/低态，控制上述的各晶体管的导通与截止。其中，补偿电位可为数据信号Data的位准(例如4伏特)及驱动晶体管1090的门槛电压Vth(例如1伏特)的差值，以图10B为例，补偿电位是3伏特。因此，驱动晶体管1090的第一端通过第二晶体管1020耦接于驱动晶体管1090的控制端，而具有例如3伏特的位准，且驱动晶体管1090的第二端通过第四晶体管1040而可为数据信号Data的位准(例如4伏特)，故驱动晶体管1090的第一端与第二端的电压差可例如为1伏特，若驱动晶体管1090的第二端与第一端分别为源极端与漏极端，则驱动晶体管1090的源漏电压VSD可例如为1伏特。
前述的步骤330可对应至图10C与图11的第二重置阶段P3，使用低电压源OVSS重置驱动晶体管1090的第一端至目标电位，从而增加驱动晶体管1090的第一端及第二端之间的电压差，可包含：截止第二晶体管1020及第四晶体管1040；导通第三晶体管1030；并使第一晶体管1010及第五晶体管1050维持在截止状态。可如图11的第二重置阶段P3所示，将端点S1、S2、EM1设为高态，将端点EM2设为低态，以控制上述的各个晶体管的的导通或截止。由于第三晶体管1030导通，故低电压源OVSS(其位准可例如为-4伏特)可通过第三晶体管1030将驱动晶体管1090的第一端拉至低准位，例如拉至-4伏特。故驱动晶体管1090的第二端与第一端的电压差可例如以下算式(eq-3)所示：
驱动晶体管1090的第二端的位准-驱动晶体管1090的第一端的位准
＝4V–(-4V)
＝8V……(eq-3)
若驱动晶体管1090的第二端与第一端分别为源极端与漏极端，则驱动晶体管1090的源漏电压VSD可由图10B的1伏特，被增加到图10C所示的8伏特。故可使驱动晶体管1090进入深饱和区，从而使驱动电流Id更加稳定，而改善图像残留问题，并提升显示品质。
前述的步骤340可对应至图10D与图11的发光阶段P4，驱动晶体管1090提供驱动电流Id以驱动发光二极管装置1000的发光二极管1080发光，可包含：导通第五晶体管1050；使第三晶体管1030维持在导通状态；并使第一晶体管1010、第二晶体管1020及第四晶体管1040维持在截止状态。如图11的发光阶段P4，端点S1、S2可为高态，且端点EM1、EM2可为低态，以控制上述各晶体管的导通或截止。第五晶体管1050导通后，驱动晶体管1090的第二端的位准可更为提高，故驱动晶体管1090的源漏电压VSD可由图10C所示的8伏特，提高至大于8伏特，更进入深饱和区。
上述各端点及电压源的位准数值仅为举例，用以辅助说明本发明实施例的原理，而非用以限定本发明的范围。应用本发明时，可根据工艺参数、电路设计需求、良品率考虑、操作频率、操作功率等因素，设定调整各端点的位准数值。上述的发光二极管可为(但不限于)有机发光二极管。上述的电荷存储单元C可包含电容、或其他可用以存储电荷的电子单元。上述实施例的晶体管以p型晶体管举例说明，但本发明不在此限，若以n型晶体管实现本发明的电路及对应的操作方式、操作波形，仍属于本发明的范围。
综上所言，本发明实施例通过增加驱动晶体管的第一端与第二端的电压差(如源漏电压VSD)，可使驱动晶体管更进入深饱和区，从而使驱动电流Id更稳定，并提高灰阶亮度的转换速度，故可有效避免背景技术的图像残留问题，尤其对于改善高帧率应用的显示品质，实有助益。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (11)

1.一种发光二极管装置的控制方法，其特征在于，包含：
使用一重置电压源重置该发光二极管装置的一驱动晶体管的一控制端；
补偿该驱动晶体管的该控制端至一补偿电位；
重置该驱动晶体管的一第一端至一目标电位，从而增加该驱动晶体管的该第一端及一第二端之间的电压差；及
该驱动晶体管提供一驱动电流以驱动该发光二极管装置的一发光二极管发光。
2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，该控制端是一栅极端，该第一端是一漏极端，且该第二端是一源极端。
3.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，重置该驱动晶体管的该第一端至该目标电位，使用该重置电压源重置该驱动晶体管的该第一端至该目标电位。
4.如权利要求3所述的控制方法，其特征在于，该驱动晶体管的该第二端耦接于一高电压源，该发光二极管具有一阳极、及一阴极，耦接于一低电压源，该发光二极管装置另包含：
一第一晶体管，具有一第一端，耦接于该驱动晶体管的该第一端、及一第二端，耦接于该重置电压源；
一第二晶体管，具有一第一端，耦接于一参考电压源、一控制端、及一第二端；
一第三晶体管，具有一第一端，用以接收一数据信号、一控制端、及一第二端，耦接于该第二晶体管的该第二端；
一电荷存储单元，具有一第一端，耦接于该第三晶体管的该第二端、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该控制端；
一第四晶体管，具有一第一端，耦接于该驱动晶体管的该控制端、一控制端，耦接于该第三晶体管的该控制端、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该第一端；及
一第五晶体管，具有一第一端，耦接于该驱动晶体管的该第一端、一控制端，耦接于该第二晶体管的该控制端、及一第二端，耦接于该发光二极管的该阳极；
使用该重置电压源重置该发光二极管装置的该驱动晶体管的该控制端，包含：
截止该第二晶体管及该第五晶体管；及
导通该第一晶体管、该第三晶体管及该第四晶体管；
补偿该驱动晶体管的该控制端至该补偿电位，包含：
截止该第一晶体管；
使用该重置电压源重置该驱动晶体管的该第一端至该目标电位，从而增加该驱动晶体管的该第一端及该第二端之间的电压差，包含：
截止该第三晶体管及该第四晶体管；及
导通该第一晶体管；及
该驱动晶体管提供该驱动电流以驱动该发光二极管装置的该发光二极管发光，包含：
截止该第一晶体管；及
导通该第二晶体管及该第五晶体管。
5.如权利要求4所述的控制方法，其特征在于，该补偿电位是该高电压源的位准及该驱动晶体管的一门槛电压的差值。
6.如权利要求3所述的控制方法，其特征在于，该发光二极管具有一阳极，耦接于该驱动晶体管的该第一端、及一阴极，耦接于一低电压源，该发光二极管装置另包含：
一第一晶体管，具有一第一端，耦接于该驱动晶体管的该第一端、及一第二端，耦接于该重置电压源；
一第二晶体管，具有一第一端，耦接于一高电压源、一控制端、及一第二端；
一电荷存储单元，具有一第一端，耦接于该第二晶体管的该第二端，及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该控制端；
一第三晶体管，具有一第一端，耦接于一参考电压源、一控制端、及一第二端，耦接于该第二晶体管的该第二端；
一第四晶体管，具有一第一端，耦接于该驱动晶体管的该控制端、一控制端，耦接于该第三晶体管的该控制端、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该第一端；
一第五晶体管，具有一第一端，耦接于该高电压源、一控制端，耦接于该第二晶体管的该控制端、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该第二端；及
一第六晶体管，具有一第一端，耦接于该驱动晶体管的该第二端，及一第二端，用以接收一数据信号；
使用该重置电压源重置该发光二极管装置的该驱动晶体管的该控制端，包含：
截止该第二晶体管及该第五晶体管；及
导通该第一晶体管、该第三晶体管及该第四晶体管；
补偿该驱动晶体管的该控制端至该补偿电位，包含：
截止该第一晶体管；及
导通该第六晶体管；
使用该重置电压源重置该驱动晶体管的该第一端至该目标电位，从而增加该驱动晶体管的该第一端及一第二端之间的电压差，包含：
截止该第三晶体管、该第四晶体管及该第六晶体管；及
导通该第一晶体管；及
该驱动晶体管提供该驱动电流以驱动该发光二极管装置的该发光二极管发光，包含：
截止该第一晶体管；及
导通该第二晶体管及该第五晶体管。
7.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，重置该驱动晶体管的该第一端至该目标电位，使用一低电压源重置该驱动晶体管的该第一端至该目标电位。
8.如权利要求7所述的控制方法，其特征在于，该发光二极管具有一阳极、及一阴极，耦接于该低电压源，该发光二极管装置另包含：
一第一晶体管，具有一第一端，耦接于该重置电压源、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该控制端；
一第二晶体管，具有一第一端，耦接于该驱动晶体管的该控制端、一控制端、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该第一端；
一第三晶体管，具有一第一端，耦接于该驱动晶体管的该第一端、及一第二端，耦接于该发光二极管的该阳极；
一第四晶体管，具有一第一端，用以接收一数据信号、一控制端，耦接于该第二晶体管的该控制端、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该第二端；
一第五晶体管，具有一第一端，耦接于一高电压端、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该第二端；及
一电荷存储单元，具有一第一端，耦接于该高电压端、及一第二端，耦接于该驱动晶体管的该控制端；
使用该重置电压源重置该发光二极管装置的该驱动晶体管的该控制端，包含：
截止该第三晶体管及该第五晶体管；及
导通该第一晶体管；
补偿该驱动晶体管的该控制端至该补偿电位，包含：
截止该第一晶体管；及
导通该第二晶体管及该第四晶体管；
使用该低电压源重置该驱动晶体管的该第一端至该目标电位，从而增加该驱动晶体管的该第一端及该第二端之间的电压差，包含：
截止该第二晶体管及该第四晶体管；及
导通该第三晶体管；及
该驱动晶体管提供该驱动电流以驱动该发光二极管装置的该发光二极管发光，包含：
导通该第五晶体管。
9.如权利要求6或8所述的控制方法，其特征在于，该补偿电位是该数据信号的位准及该驱动晶体管的一门槛电压的差值。
10.如权利要求1至8中任一项权利要求所述的控制方法，其特征在于，该发光二极管是一有机发光二极管。
11.一种发光二极管装置的控制方法，其特征在于，包含：
提供一重置电压至该发光二极管装置的一驱动晶体管的一控制端；
提供一补偿电位至该驱动晶体管的该控制端；
于提供该补偿电位至该驱动晶体管的该控制端后，提供一目标电位至该驱动晶体管的一第一端；及
于提供该目标电位至该驱动晶体管的该第一端后，该驱动晶体管提供一驱动电流以驱动该发光二极管装置的一发光二极管发光。
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