CN105720942A - 一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，在整体电路的输入端采用宽带匹配网络实现超宽频带内的匹配特性；第一级放大器采用共射共基极低噪声放大器来减小整体有源巴伦的噪声系数，并在第一级放大器的输出采用片上电感来补偿高频增益；第二级放大器采用达林顿单元的差分放大器，在每个达林顿管的集电极和基极之间采用电阻反馈技术保证达林顿管工作的稳定性，在达林顿单元差分对的尾电流引入串联电感来补偿尾电流的寄生电容来提升输出差分信号的平衡性；第一级放大器和第二级放大器之间采用射随器来实现两级之间的隔离和直流电位的移位。本发明具有噪声系数小、带宽宽、高平衡性的特点。

Description

一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦
技术领域
本发明属于超宽带射频集成电路领域，涉及一种在超宽频带内具有低噪声系数和高平衡特性的有源巴伦。
背景技术
巴伦又称为平衡-不平衡转换器，作为一种单端到差分的转换器，在通信系统中的全差分放大器、移相器和平衡混频器等中有着广泛应有。常用的巴伦大致可以分为两类：无源巴伦和有源巴伦。无源巴伦有无源变压器结构，传输线耦合器巴伦等，不仅占用面积大不利于集成，而且还具有较大的插入损耗。有源巴伦常用的结构有CG/CS结构，cascade-cascode结构，差分对结构等。这些常见结构的有源巴伦占用面积小，便于集成，但是不能在超宽频带内具有低噪声系数和高平衡的特性。
超宽带技术具有抗干扰能力强、穿透能力强、被截获概率低、多径分辨力强、传输速率高、定位精度高等众多优点，应用于超宽带通信系统中的巴伦应具有较宽的带宽。有源巴伦主要指标有：(1)工作带宽；(2)增益；(3)差分信号输出的幅度不平衡性和相位不平衡性；(4)功耗；(5)占用面积；(6)输入匹配和输出匹配；(7)群时延。
射频前端电路中有单端电路模块和差分电路模块，一个较小噪声系数的巴伦可以显著减弱后级电路噪声对整体系统噪声系数的影响。巴伦差分输出信号的不平衡性对下级差分电路也有着极大影响，尤其对于高频共模抑制比不高的电路，因此一个巴伦差分输出信号应具有较高的平衡性。
发明内容
本发明提出一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，具有噪声系数小、带宽宽、高平衡性的特点。
本发明的技术方案如下：
一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，主要由输入匹配网络、第一级放大器和第二级放大器构成；所述输入匹配网络采用宽带匹配结构以实现超宽频带内的匹配特性，第一级放大器采用共射共基极放大电路以减小有源巴伦整体的噪声系数，并在第一级放大器的输出串联片上电感以补偿高频增益；第二级放大器采用达林顿单元的差分放大器，在达林顿管差分对的集电极和基极之间均引入反馈电阻，在达林顿单元差分对的尾电流引入串联电感以补偿尾电流的寄生电容；在第一级放大器与第二级放大器之间采用射随器进行隔离，使得有源巴伦的噪声特性和平衡特性相对独立。
在以上方案的基础上，本发明还进一步作了如下具体优化：
所述输入匹配网络采用电感L1、电容C2和电容C3组成π型匹配网络，电感L1的一端接至有源巴伦对外的输入端口，另一端接至第一级放大器中作为输入端的基极，电容C2和电容C3分别在电感L1的两端接地。
所述第一级放大器中，晶体管Q1和晶体管Q2构成共射共基结构，晶体管Q1和晶体管Q2的基极分别接直流偏置，晶体管Q1的基极与输入匹配网络的输出相连，发射极接地，集电极与晶体管Q2的发射极连接；晶体管Q2的集电极依次串联电阻R2和电感L1接至直流电源。
采用晶体管Q3为晶体管Q1的基极提供偏置电流，晶体管Q1的基极与晶体管Q3的基极连接；采用电阻R1和电容C1为晶体管Q2提供偏置电压，其中电容C1一端接地，另一端分别与晶体管Q2的基极、电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端接至所述直流电源。
所述第二级放大器中，晶体管Q5、Q6、Q7和Q8构成达林顿管差分对产生有源巴伦的差分输出；其中晶体管Q7和Q8的基极共接偏置，晶体管Q5和Q7的集电极共接、晶体管Q6和Q8的集电极共接，并分别经串联的电感L2和电阻R3、串联的电感L3和电阻R4接至所述直流电源；晶体管Q5的发射极与Q7的基极相连、晶体管Q6的发射极与Q8的基极相连，连接结点并分别经电阻R5和R6接地使得达林顿差分对获得偏置，晶体管Q5的集电极与基极之间、晶体管Q7的集电极与基极之间分别接反馈电阻Rf1和Rf2。
晶体管Q6的基极与Q5的集电极经电容Cf连接以补偿差分输出相位的非平衡特性。
晶体管Q7和Q8的基极共接结点经电感L4串联偏置电流源，以补偿尾电流的寄生电容。
本发明有如下优点：
有源巴伦噪声性能和输出差分信号的平衡特性相对独立，便于优化和设计，整体有源巴伦在超宽频带内具有低噪声和高平衡的特性。
达林顿管的转折频率fT比单管的高，实现了微波频段内的超宽带特性。
该电路主要由有源器件和片上电感实现，便于集成，具有噪声系数小、输出差分信号高度平衡的优点。
附图说明：
图1为本发明的电路结构示意。
图2为本发明的输入匹配网络。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详述。
本发明主要由输入匹配网络、第一级共射共基极低噪声放大器、第二级放大器采用达林顿单元的差分放大器以及第一级和第二级之间的射随器构成。
输入匹配网络利用π型匹配网络把整体电路的输入阻抗匹配到50Ω，同时考虑静电防护二极管的寄生电容CESD和输入管Q1以及偏置管Q3的寄生电容Cπ和输入管Q1寄生电阻，从而实宽带内的良好匹配。
第一级共射共基极低噪声放大器可以实现宽带特性，由Q1,Q2,R1,R2，L1,C1组成，其中Q1，Q2构成共射共基结构，R1、C1给Q2提供偏置，R2、L1构成共射共基极低噪声放大器的负载，L1补偿共射共基极低噪声放大器高频增益。第一次采用共射共基极低噪声放大器，从而整体有源巴伦的噪声系数由该级决定，实现了低噪声的有源巴伦。
第二级采用达林顿单元的差分放大器，实现单端到差分的转换。主要由Q5,Q6,Q7,Q8,R3,R4,R5,R6,Rf1,Rf2,L2,L3,Cf,L4以及尾电流构成。Q5,Q6,Q7,Q8构成达林顿差分放大器的差分对，R5和R6给达林顿差分对提供偏置，Rf1和Rf2作为达林顿差分对的反馈电阻保证达林顿差分对工作的稳定性。R3、R4和L2、L3作为达林顿差分对的负载，Cf连接在林顿差分对Q6的基极与Q5的集电极之间来补偿差分输出相位的非平衡特性。L4补偿尾电流的寄生电容，提高整体达林顿差分放大器的共模抑制比。
第一级和第二级之间的射随器隔离了第一级的共射共基放大器和第二级的顿差分放大器，使得有源巴伦噪声系数与平衡性相对独立，从而实现有源巴伦的低噪声高平衡特性。
下面参照图1、图2，介绍电路的具体连接结构。
输入匹配网络一端接有源巴伦的输入端口，另外一端接输入管Q1的基极。Q3作为偏置管，基极与Q1的基极连接，发射极与地连接，集电极与输入电流偏置连接。Q1、Q2，R1、R2，L1及C1构成第一级共射共基低噪声放大器。其中，Q1的基极与输入匹配网络的输出、偏置管Q3的基极相连，Q1的发射极与地连接，Q1的的集电极与Q2的发射极连接。R1，C1为Q2提供偏置，C1一端与地连接，另一端与Q2的基极、R1的一端连接。R1的另一端与电源连接。Q2的集电极与Q4的基极、R2的一端连接。R2的另一端与L1的一端连接，L1的另一端与电源连接。第一次共射共基低噪声的放大器与第二级达林顿产分放大器之间的射随器由偏置尾电流Ibias2、Q4构成。Q4的集电极跟电源连接，发射极与尾电流Ibias2、达林顿差分放大器输入管Q5的基极连接。第二级达林顿差分放大器由Q5,Q6,Q7,Q8,R3,R4,R5,R6,Rf1,Rf2,L2,L3,Cf,L4以及尾电流Ibias3构成。Q5,Q6,Q7,Q8构成达林顿差分放大器的差分对，R5和R6给达林顿差分对提供偏置，Rf1和Rf2作为达林顿差分对的反馈电阻保证达林顿差分对工作的稳定性。R3、R4和L2、L3作为达林顿差分对的负载，Cf连接在林顿差分对Q6的基极与Q5的集电极之间来补偿差分输出相位的非平衡特性。Q5的基极与射随器的输出、Rf1的一端连接。Rf1的另一端与Q5、Q7的集电极，R3的一端以及Cf的一端连接。Q5的发射极与R5的一端、Q7的基极连接。R5的另一端与地连接。Q7的发射极与Q8发射极、L4的一端连接。Q7的集电极与Rf1的一端，Q5的集电极，R3的一端以及Cf的一端连接。L4的另一端与尾电流Ibias3的一端连接。Ibias3的另一端与地连接。Q8的基极与Q6的发射极、R6的一端连接。R6的一端与地连接。Q6的基极与Rf2的一端、Cf的一端连接。Q6的集电极与Rf2的另一端，Q8的集电极，R4的一端连接。L2，L3及R3，R4作为达林顿差分放大器的负载。R3的一端与Rf1的一端，Q5和Q7的集电极，Cf的一端连接，另一端与L2的一端连接。L2的另一端与电源连接。R4的一端与Rf2的一端，Q6和Q8的集电极连接，另一端与L3的一端连接。L3的另一端与电源连接。
参照图2，输入匹配网络采用π型匹配网络，同时考虑静电防护(ESD)的寄生电容CESD，输入管Q1的寄生电容Cπ和寄生电路rtotal。π型匹配网络由L1，C2及C3构成。C2一端与输入连接，另一端与地连接。L1一端与输入连接，另一端与输入管连接。C3一端与输入管连接，另一端与地连接。

Claims (7)

1.一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，其特征在于：主要由输入匹配网络、第一级放大器和第二级放大器构成；所述输入匹配网络采用宽带匹配结构以实现超宽频带内的匹配特性，第一级放大器采用共射共基极放大电路以减小有源巴伦整体的噪声系数，并在第一级放大器的输出串联片上电感以补偿高频增益；第二级放大器采用达林顿单元的差分放大器，在达林顿管差分对的集电极和基极之间均引入反馈电阻，在达林顿单元差分对的尾电流引入串联电感以补偿尾电流的寄生电容；在第一级放大器与第二级放大器之间采用射随器进行隔离，使得有源巴伦的噪声特性和平衡特性相对独立。
2.根据权利要求1所述的超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，其特征在于：所述输入匹配网络采用电感L1、电容C2和电容C3组成π型匹配网络，电感L1的一端接至有源巴伦对外的输入端口，另一端接至第一级放大器中作为输入端的基极，电容C2和电容C3分别在电感L1的两端接地。
3.根据权利要求1所述的超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，其特征在于：所述第一级放大器中，晶体管Q1和晶体管Q2构成共射共基结构，晶体管Q1和晶体管Q2的基极分别接直流偏置，晶体管Q1的基极与输入匹配网络的输出相连，发射极接地，集电极与晶体管Q2的发射极连接；晶体管Q2的集电极依次串联电阻R2和电感L1接至直流电源。
4.根据权利要求3所述的超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，其特征在于：采用晶体管Q3为晶体管Q1的基极提供偏置电流，晶体管Q1的基极与晶体管Q3的基极连接；采用电阻R1和电容C1为晶体管Q2提供偏置电压，其中电容C1一端接地，另一端分别与晶体管Q2的基极、电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端接至所述直流电源。
5.根据权利要求1所述的超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，其特征在于：所述第二级放大器中，晶体管Q5、Q6、Q7和Q8构成达林顿管差分对产生有源巴伦的差分输出；其中晶体管Q7和Q8的基极共接偏置，晶体管Q5和Q7的集电极共接、晶体管Q6和Q8的集电极共接，并分别经串联的电感L2和电阻R3、串联的电感L3和电阻R4接至所述直流电源；晶体管Q5的发射极与Q7的基极相连、晶体管Q6的发射极与Q8的基极相连，连接结点并分别经电阻R5和R6接地使得达林顿差分对获得偏置，晶体管Q5的集电极与基极之间、晶体管Q7的集电极与基极之间分别接反馈电阻Rf1和Rf2。
6.根据权利要求5所述的超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，其特征在于：晶体管Q6的基极与Q5的集电极经电容Cf连接以补偿差分输出相位的非平衡特性。
7.根据权利要求5所述的超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，其特征在于：晶体管Q7和Q8的基极共接结点经电感L4串联偏置电流源，以补偿尾电流的寄生电容。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106253864A (zh) * 2016-08-11 2016-12-21 宜确半导体（苏州）有限公司 一种射频功率放大器
CN107707217A (zh) * 2017-11-17 2018-02-16 西安电子科技大学 高dB增益的宽带变跨导六位有源移相器
CN108063600A (zh) * 2018-01-03 2018-05-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种低噪声放大器及射频前端集成电路
CN108566166A (zh) * 2018-02-09 2018-09-21 中国科学院国家天文台 一种低功耗超宽带低噪声放大器
CN108900164A (zh) * 2018-07-06 2018-11-27 电子科技大学 一种基于不对称交叉连接的超宽带倍频器
CN109361366A (zh) * 2018-09-19 2019-02-19 天津大学 一种基于有源巴伦技术的高输出功率高增益的功率放大器
CN109450381A (zh) * 2018-11-30 2019-03-08 南京米乐为微电子科技有限公司 一种无源宽带混频器
CN109617536A (zh) * 2018-12-27 2019-04-12 复旦大学 一种x波段移相器
CN110895318A (zh) * 2018-09-12 2020-03-20 通用电气公司 用于mr成像的射频线圈的系统和方法
CN110932693A (zh) * 2019-12-16 2020-03-27 广东工业大学 宽带差分式输入匹配网络设计方法和lc巴伦电路失配方法
CN111756336A (zh) * 2020-07-22 2020-10-09 成都华光瑞芯微电子股份有限公司 一种改进达林顿结构宽带低噪声放大器
CN113098484A (zh) * 2021-04-02 2021-07-09 南方科技大学 单端转差分电路
CN113630097A (zh) * 2021-08-18 2021-11-09 东南大学 一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020187768A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Jenshan Lin Active balun circuit for single-ended to differential RF signal conversion with enhanced common-mode rejection
CN101364789A (zh) * 2008-09-27 2009-02-11 电子科技大学 一种基于cs/cg有源巴伦的mmic平衡式超宽带倍频器
CN101364659A (zh) * 2008-09-27 2009-02-11 电子科技大学 一种减小宽带cs/cg有源巴伦相位不平衡度的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020187768A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Jenshan Lin Active balun circuit for single-ended to differential RF signal conversion with enhanced common-mode rejection
CN101364789A (zh) * 2008-09-27 2009-02-11 电子科技大学 一种基于cs/cg有源巴伦的mmic平衡式超宽带倍频器
CN101364659A (zh) * 2008-09-27 2009-02-11 电子科技大学 一种减小宽带cs/cg有源巴伦相位不平衡度的方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106253864A (zh) * 2016-08-11 2016-12-21 宜确半导体（苏州）有限公司 一种射频功率放大器
CN107707217A (zh) * 2017-11-17 2018-02-16 西安电子科技大学 高dB增益的宽带变跨导六位有源移相器
CN108063600A (zh) * 2018-01-03 2018-05-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种低噪声放大器及射频前端集成电路
CN108063600B (zh) * 2018-01-03 2021-07-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种低噪声放大器及射频前端集成电路
CN108566166A (zh) * 2018-02-09 2018-09-21 中国科学院国家天文台 一种低功耗超宽带低噪声放大器
CN108566166B (zh) * 2018-02-09 2022-03-11 中国科学院国家天文台 一种低功耗超宽带低噪声放大器
CN108900164A (zh) * 2018-07-06 2018-11-27 电子科技大学 一种基于不对称交叉连接的超宽带倍频器
CN110895318A (zh) * 2018-09-12 2020-03-20 通用电气公司 用于mr成像的射频线圈的系统和方法
CN109361366A (zh) * 2018-09-19 2019-02-19 天津大学 一种基于有源巴伦技术的高输出功率高增益的功率放大器
CN109450381A (zh) * 2018-11-30 2019-03-08 南京米乐为微电子科技有限公司 一种无源宽带混频器
CN109450381B (zh) * 2018-11-30 2023-11-21 南京米乐为微电子科技有限公司 一种无源宽带混频器
CN109617536A (zh) * 2018-12-27 2019-04-12 复旦大学 一种x波段移相器
CN110932693A (zh) * 2019-12-16 2020-03-27 广东工业大学 宽带差分式输入匹配网络设计方法和lc巴伦电路失配方法
CN110932693B (zh) * 2019-12-16 2023-03-24 广东工业大学 宽带差分式输入匹配网络设计方法和lc巴伦电路失配方法
CN111756336A (zh) * 2020-07-22 2020-10-09 成都华光瑞芯微电子股份有限公司 一种改进达林顿结构宽带低噪声放大器
CN113098484A (zh) * 2021-04-02 2021-07-09 南方科技大学 单端转差分电路
CN113630097A (zh) * 2021-08-18 2021-11-09 东南大学 一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器
CN113630097B (zh) * 2021-08-18 2022-11-11 东南大学 一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器

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