CN109450381B - 一种无源宽带混频器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种无源宽带混频器,包括:本振巴伦、射频巴伦、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、感性补偿单元、有损感性接地网络。本发明可以实现带宽比1:7以内的混频器,在不影响全频带变频损耗的基础上,隔离度恶化的点被有效的抑制;在本设计方案的全频带内,本振射频端口隔离度指标得到了优化,可以很好的满足宽带混频器在通信系统中的应用。

Description

一种无源宽带混频器
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其是一种无源宽带混频器。
背景技术
混频器在通信中一直有着广泛的应用,是实现频率变换的关键器件。在集成电路领域,无源混频器由于其端口隔离度较好、带宽较宽、无需直流供电等优点,是很多场景的优先选项。由于其需要比较大的本振驱动功率,因此,在应用中,本振端口与射频端口之间的隔离度指标尤为重要。因为其若通过射频端口泄露出去,再经过天线反向辐射出去,会造成对其他设备的干扰。更进一步,可能再从天线接收回电路,造成自混频以及信号阻塞(灵敏度退化)等问题,严重干扰后级电路。
传统的无源混频器,大多数采用二极管作为核心器件,综合考虑到线性度、带宽、隔离度等指标,双平衡结构是优先的选择。如图1所示,该传统电路结构,可以实现一定带宽内性能比较好的混频器设计。实现双平衡结构,就需要使用到巴伦电路,常使用的巴伦是由两段电长度为四分之一波长的耦合微带线构成,其在50欧姆匹配环境,可以实现超宽的带宽,但是二极管作为单向导通器件,很难与巴伦电路之间实现宽带的匹配,而巴伦电路是决定本振与射频端口隔离度指标的关键因素。因此,我们可以看到,传统的宽带(一般带宽比大于4)无源双平衡混频器,在整个频带内,都会有一段频带间的隔离度指标比较差,如图2所示。隔离度指标最差的点在-20dB,很难实现全频带的隔离度指标优化。因此,十分有必要,提出一种新的电路结构,专门针对宽带混频器,可以在不影响混频器工作带宽的前提下,实现宽带混频器全频带内较好的本振与射频端口间隔离度指标。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种无源宽带混频器,本振射频端口隔离度指标得到了优化,可以很好的满足宽带混频器在通信系统中的应用。
为解决上述技术问题,本发明提供一种无源宽带混频器,包括:本振巴伦、射频巴伦、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、感性补偿单元、有损感性接地网络;第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4首尾相连,组成一个环路,本振巴伦一端与第一二极管D1和第四二极管D4的连接点相连,一端通过感性补偿单元、有损感性接地网络与第二二极管D2和第三二极管D3的连接点相连,射频巴伦一端与第一二极管D1和第二二极管D2的连接点相连,一端与第三二极管D3和第四二极管D4的连接点相连。
优选的,感性补偿单元串接在本振巴伦的+90°输出端与二极管回路间,该单元由第二片上螺旋电感L2实现;有损感性接地网络并联于第二二极管D2和第三二极管D3的连接点处,由第一片上螺旋电感L1和片上电阻R1并联后一端接地实现。
优选的,对于带宽6-26.5GHz的宽带混频器,第二片上螺旋电感L2的感值为0.2nH~0.5nH之间。
优选的,对于带宽6-26.5GHz的宽带混频器,片上螺旋电感L1的感值在3nH~5nH之间。
优选的,对于带宽6-26.5GHz的宽带混频器,片上电阻R1的阻值在500~600欧姆之间。
本发明的有益效果为:本发明可以实现带宽比1:7以内的混频器,在不影响全频带的变频损耗的基础上,隔离度恶化的点被有效的抑制;在该混频器全频带内,本振射频端口隔离度指标得到了优化,可以很好的满足宽带混频器在通信系统中的应用;在带来上述有益效果的同时,本发明提供的混频器带宽比可以达到1:7。
附图说明
图1为传统的混频器结构示意图。
图2为传统的混频器结构隔离度指标示意图。
图3为本发明的混频器结构示意图。
图4为本发明的混频器结构隔离度指标示意图。
具体实施方式
如图3所示,一种无源宽带混频器,包括:本振巴伦、射频巴伦、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、感性补偿单元、有损感性接地网络;第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4首尾相连,组成一个环路,本振巴伦一端与第一二极管D1和第四二极管D4的连接点相连,一端通过感性补偿单元、有损感性接地网络与第二二极管D2和第三二极管D3的连接点相连,射频巴伦一端与第一二极管D1和第二二极管D2的连接点相连,一端与第三二极管D3和第四二极管D4的连接点相连。
感性补偿单元串接在本振巴伦的+90°输出端与二极管回路间,该单元由第二片上螺旋电感L2实现,有损感性接地网络并联于第二二极管D2和第三二极管D3的连接点处,由第一片上螺旋电感L1和片上电阻R1并联后一端接地实现。信号从本振巴伦输入端进入,理想情况下,在输出端分别实现+90°移相和-90°移相,使两路信号存在180°相位差。理想180°相位差的带宽有一定限制,在这里有损感性接地网络,可以补偿通带内180°相位差。
本发明提供的带宽比为1:7以内(即上限频率是下限频率的1-7倍)的上述结构的混频器,一方面在不影响全频带的变频损耗的基础上,隔离度恶化的点被有效的抑制;另一方面在该混频器全频带内,本振射频端口隔离度指标得到了优化,可以很好的满足宽带混频器在通信系统中的应用;与此同时,相对现有技术而言,本发明提供的混频器在带来上述效果的同时,带宽比可高达1:7(上限频率最高可以高达下限频率的7倍)。
对于带宽6-26.5GHz的宽带混频器,该有损感性接地网络可由第一片上螺旋电感L1实现,第一片上螺旋电感L1的经典感值为3nH~5nH之间,这样的电感值,既可以使得其谐振点落在混频器工作频带内,也不会导致本振信号能量的无用消耗。
由于第一片上螺旋电感L1是并联接地加入电路,一定程度上会消耗本振功率。并联片上电阻R1,可以有效降低该电感的Q值,从而减小有损感性接地网络对本振信号的无用消耗。
感性补偿单元直接串联接在巴伦电路的+90°输出端,由第二片上螺旋电感L2实现,该电感的经典感值为0.2nH~0.5nH之间,对巴伦产生一定程度的电长度补偿,可以在第一片上螺旋电感L1和片上电阻R1构成的有损感性接地网络实现对本振射频隔离度优化的同时,不影响混频器的其他指标的性能。
传统的结构可以实现6-26.5GHz的混频器变频损耗都在-10dB以内,其隔离度指标如图2所示,并没有实现全频带的隔离度指标优化。本发明适用于混频器带宽比在1:7以内,本实施例选用带宽6-26.5GHz进行实验,测试结果表明:在不影响全频带的变频损耗的基础上,隔离度恶化的点被有效的抑制了,如图4所示。可以看出,本发明提供的混频器全频带内,本振射频端口隔离度指标得到了优化,可以很好的满足宽带混频器在通信系统中的应用。

Claims (5)

1.一种无源宽带混频器,其特征在于,包括:本振巴伦、射频巴伦、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、感性补偿单元、有损感性接地网络;第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4首尾相连,组成一个环路,本振巴伦一端与第一二极管D1和第四二极管D4的连接点相连,一端通过感性补偿单元、有损感性接地网络与第二二极管D2和第三二极管D3的连接点相连,射频巴伦一端与第一二极管D1和第二二极管D2的连接点相连,一端与第三二极管D3和第四二极管D4的连接点相连。
2.如权利要求1所述的无源宽带混频器,其特征在于,感性补偿单元串接在本振巴伦的+90°输出端与二极管回路间,该单元由第二片上螺旋电感L2实现;有损感性接地网络并联于第二二极管D2和第三二极管D3的连接点处,由第一片上螺旋电感L1和片上电阻R1并联后一端接地实现。
3.如权利要求2所述的无源宽带混频器,其特征在于,对于带宽6-26.5GHz的宽带混频器,第二片上螺旋电感L2的感值为0.2nH~0.5nH之间。
4.如权利要求2所述的无源宽带混频器,其特征在于,对于带宽6-26.5GHz的宽带混频器,片上螺旋电感L1的感值在3nH~5nH之间。
5.如权利要求2所述的无源宽带混频器,其特征在于,对于带宽6-26.5GHz的宽带混频器,片上电阻R1的阻值在500~600欧姆之间。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN209375584U (zh) * 2018-11-30 2019-09-10 南京米乐为微电子科技有限公司 一种无源宽带混频器
CN112688652A (zh) * 2020-12-22 2021-04-20 成都美数科技有限公司 一种数控0-π移相器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103647511A (zh) * 2013-12-03 2014-03-19 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种宽带预选混频器设计方法
CN105445366A (zh) * 2015-10-30 2016-03-30 中国人民解放军理工大学气象海洋学院 基于双路声表面波器件补偿型的露点传感器
CN105720942A (zh) * 2016-01-22 2016-06-29 西安电子科技大学 一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦
WO2018010261A1 (zh) * 2016-07-12 2018-01-18 成都泰格微波技术股份有限公司 一种2~4 GHz GaAs无源双平衡混频器芯片及其设计方法
CN108649904A (zh) * 2018-05-09 2018-10-12 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种新型无源巴伦结构及其平衡式混频器
CN209375584U (zh) * 2018-11-30 2019-09-10 南京米乐为微电子科技有限公司 一种无源宽带混频器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5339462A (en) * 1991-11-04 1994-08-16 Motorola, Inc. Broadband mixer circuit and method
US5854974A (en) * 1995-04-11 1998-12-29 Watkins Johnson Company Compensated ring mixers
US6957055B2 (en) 2002-02-20 2005-10-18 Doron Gamliel Double balanced FET mixer with high IP3 and IF response down to DC levels
CN103338008A (zh) 2013-07-24 2013-10-02 东南大学 一种宽中频的毫米波双平衡无源混频器
CN106160669B (zh) 2015-04-20 2023-12-08 南京米乐为微电子科技有限公司 改进型三平衡混频器
CN204966644U (zh) 2015-07-16 2016-01-13 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种采用串并电容平面螺旋巴伦的宽带无源双平衡混频器
CN107786168B (zh) * 2017-11-07 2024-03-26 四川大学 一种高增益高隔离毫米波双平衡无源亚谐波混频器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103647511A (zh) * 2013-12-03 2014-03-19 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种宽带预选混频器设计方法
CN105445366A (zh) * 2015-10-30 2016-03-30 中国人民解放军理工大学气象海洋学院 基于双路声表面波器件补偿型的露点传感器
CN105720942A (zh) * 2016-01-22 2016-06-29 西安电子科技大学 一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦
WO2018010261A1 (zh) * 2016-07-12 2018-01-18 成都泰格微波技术股份有限公司 一种2~4 GHz GaAs无源双平衡混频器芯片及其设计方法
CN108649904A (zh) * 2018-05-09 2018-10-12 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种新型无源巴伦结构及其平衡式混频器
CN209375584U (zh) * 2018-11-30 2019-09-10 南京米乐为微电子科技有限公司 一种无源宽带混频器

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