CN105702691A - 固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法 - Google Patents

固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105702691A
CN105702691A CN201510869865.6A CN201510869865A CN105702691A CN 105702691 A CN105702691 A CN 105702691A CN 201510869865 A CN201510869865 A CN 201510869865A CN 105702691 A CN105702691 A CN 105702691A
Authority
CN
China
Prior art keywords
camera head
solid camera
resin bed
resin layer
transparency carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510869865.6A
Other languages
English (en)
Inventor
川崎敦子
上野宗郎
上野宗一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN105702691A publication Critical patent/CN105702691A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法。实施方式的固体摄像装置具备：传感器基板，具有微透镜；透明树脂层，以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的主表面接触的方式设置；及透明基板，配置在所述透明树脂层的上表面上。所述透明树脂层的导热率高于空气，所述透明树脂层的折射率较所述微透镜低且为所述透明基板以下。

Description

固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法
相关申请
本申请案享有以日本专利申请案2014-250802号(申请日：2014年12月11日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法。
背景技术
以往的固体摄像装置具有：传感器基板，具有受光部；粘接剂，形成在受光部的周围的传感器基板上；及玻璃基板，配置在粘接剂上。在这种固体摄像装置中，在受光部与玻璃基板之间形成有被粘接剂包围的空间。
该空间被导热性极低的空气填充，因此难以成为从传感器基板产生的热的散热路径。因此，以往的固体摄像装置的散热性较差，有在受光部上的空间内蓄积热的问题。其结果，产生源自热的干扰，固体摄像装置的摄像特性劣化。
进而，入射至这种固体摄像装置的光经由玻璃基板、空气到达至传感器基板的受光部。然而，无法避免玻璃基板与空气的界面上的光的反射，从而无法避免因这种光的反射而导致的固体摄像装置的感度劣化。如此，即便是因入射的光的反射也会导致固体摄像装置的摄像特性劣化。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够改善摄像特性的固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法。
实施方式的固体摄像装置具备：传感器基板，具有微透镜；透明树脂层，以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的主表面接触的方式设置；及透明基板，配置在所述透明树脂层的上表面上。所述透明树脂层的导热率高于空气，所述透明树脂层的折射率较所述微透镜低且为所述透明基板以下。
附图说明
图1是第1实施例的固体摄像装置的一剖视图。
图2A是用来说明第1实施例的固体摄像装置的制造方法的与图1对应的剖视图。
图2B是用来说明第1实施例的固体摄像装置的制造方法的与图1对应的剖视图。
图2C是用来说明第1实施例的固体摄像装置的制造方法的与图1对应的剖视图。
图2D是用来说明第1实施例的固体摄像装置的制造方法的与图1对应的剖视图。
图3是用来说明第1实施例的固体摄像装置的散热作用的与图1相当的剖视图。
图4是第2实施例的固体摄像装置的一剖视图。
图5A是用来说明第2实施例的固体摄像装置的制造方法的与图4对应的剖视图。
图5B是用来说明第2实施例的固体摄像装置的制造方法的与图4对应的剖视图。
图5C是用来说明第2实施例的固体摄像装置的制造方法的与图4对应的剖视图。
图5D是用来说明第2实施例的固体摄像装置的制造方法的与图4对应的剖视图。
图6是第3实施例的固体摄像装置的一剖视图。
图7A是用来说明第3实施例的固体摄像装置的制造方法的与图6对应的剖视图。
图7B是用来说明第3实施例的固体摄像装置的制造方法的与图6对应的剖视图。
图8是第4实施例的固体摄像装置的一剖视图。
图9A是用来说明第4实施例的固体摄像装置的制造方法的与图8对应的剖视图。
图9B是用来说明第4实施例的固体摄像装置的制造方法的与图8对应的剖视图。
图10是第5实施例的固体摄像装置的一剖视图。
图11A是用来说明第5实施例的固体摄像装置的制造方法的与图10对应的剖视图。
图11B是用来说明第5实施例的固体摄像装置的制造方法的与图10对应的剖视图。
图11C是用来说明第5实施例的固体摄像装置的制造方法的与图10对应的剖视图。
图12是第6实施例的固体摄像装置的一剖视图。
图13A是用来说明第6实施例的固体摄像装置的制造方法的与图12对应的剖视图。
图13B是用来说明第6实施例的固体摄像装置的制造方法的与图12对应的剖视图。
图13C是用来说明第6实施例的固体摄像装置的制造方法的与图12对应的剖视图。
图14是用来说明第6实施例的固体摄像装置的散热作用的与图12相当的剖视图。
图15是应用第1实施例的固体摄像装置的相机模块的一剖视图。
图16A是用来说明图15的相机模块的组装方法的与图15对应的剖视图。
图16B是用来说明图15的相机模块的组装方法的与图15对应的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施例的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法、以及相机模块详细地进行说明。
＜第1实施例＞
图1是第1实施例的固体摄像装置的一剖视图。图1所示的固体摄像装置10包含传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13。
传感器基板11接收光并进行光电转换而产生与所接收到的光对应的电信号。该传感器基板11是通过在半导体基板14上设置受光部15、各种信号处理电路(未图示)等而构成。
半导体基板14例如为经薄型化的硅基板。另外，受光部15形成在半导体基板14的大致中央部，且通过二维排列多个像素而构成。各像素至少具备：光电二极管15a，进行光电转换；及微透镜15b，将光聚光于光电二极管15a。此外，在图1中，光电二极管15a被示为一个杂质层，但实际上于每一像素分离。另外，所述信号处理电路至少包含输出电路，该输出电路基于在受光部15形成的信号电荷而形成电信号。各种信号处理电路除包含输出电路以外，也可包含逻辑电路等，该逻辑电路对从输出电路输出的电信号进行所需的信号处理。
透明树脂层12为至少相对于期望由固体摄像装置10接收的波长透明的树脂层。在本实施例中，透明树脂层为至少相对于可见光(380nm～780nm左右的波段的光)透明的树脂层。透明树脂层12是以与包含通过二维排列多个微透镜15b而构成的微透镜阵列的表面的传感器基板11的主表面接触的方式设置。
透明树脂层12将传感器基板11固定于所述透明基板13，并且形成用来将在传感器基板11产生的热散热至透明基板13的散热路径。
透明基板13与透明树脂层12同样为至少相对于期望由固体摄像装置10接收的波长透明的基板。在本实施例中，透明基板13为至少相对于可见光(380nm～780nm左右的波段的光)透明的基板。透明基板13是以使该基板13的下表面仅与透明树脂层12的上表面接触的方式设置。即，透明基板13仅通过透明树脂层12支撑在传感器基板11上。
这种透明基板13例如为玻璃基板，且被用作用来使传感器基板11薄型化的支撑基板。
在这种固体摄像装置10中，形成在传感器基板11上的微透镜15b、透明树脂层12、及透明基板13分别由具有满足以下条件的导热率的材料构成。
Km＞Kair
Kr＞Kair
Kg＞Kair
其中，Km为微透镜15b的导热率，Kr为透明树脂层12的导热率，Kg为透明基板13的导热率，Kair为空气的导热率。在本实施例中，例如为Km＝0.1～0.3(W/mk)、Kr＝0.1～0.3(W/mk)、Kg＝1.0～1.5(W/mk)左右。
进而，在固体摄像装置10中，微透镜15b、透明树脂层12、及透明基板13分别由具有满足以下条件的折射率的材料构成。
Nm＞Nr
Nr≤Ng
其中，Nm为微透镜15b的折射率，Nr为透明树脂层12的折射率，Ng为透明基板13的折射率。在本实施例中，例如为Nm＝1.8、Nr＝1.2、Ng＝1.5左右。
图2A～图2D的各图是用来说明本实施例的固体摄像装置10的制造方法的与图1对应的剖视图。以下，参照图2A～图2D对本实施例的固体摄像装置10的制造方法进行说明。此外，在该制造方法中执行的各步骤全部是在晶片的状态下执行。
首先，如图2A所示，通过在作为半导体晶片的一例的硅晶片16的主表面上，二维排列多个具备光电二极管15a及微透镜15b等的像素而形成受光部15。例如，光电二极管15a是通过对硅晶片16的表面注入所需导电型的离子而形成，微透镜15b是通过利用熔融法将经图案化的块状的微透镜材成形为透镜状而形成。此外，在该步骤中，也可形成各种信号处理电路。
其次，如图2B所示，以与包含由多个微透镜15b构成的微透镜阵列的表面的硅晶片16的整个主表面接触的方式形成透明树脂层12。透明树脂层12是通过例如利用旋转涂布法将透明树脂材料涂布在硅晶片16的主表面上而形成。
其次，如图2C所示，以与透明树脂层12的上表面接触的方式配置作为透明基板的一例的玻璃晶片17，并隔着透明树脂层12将玻璃晶片17与硅晶片16相互固定。这是通过例如利用加热、紫外线照射等方法使透明树脂层12硬化而进行。
以这种方式使硅晶片16支撑在玻璃晶片17之后，将硅晶片16薄型化。硅晶片16的薄型化是通过例如将硅晶片16的背面研磨至晶片16成为特定厚度为止而进行。
最后，如图2D所示，将维持晶片状态而形成的多个固体摄像装置10单片化。通过单片化，具有受光部15等的硅晶片16成为传感器基板11，玻璃晶片17成为透明基板13。此外，单片化是以例如如下方式执行。首先，将维持晶片状态而形成的多个固体摄像装置10固定在切割带等支撑材上。其次，通过切割而将相当于受光部15之间的硅晶片16、透明树脂层12、及玻璃基板17切断。最后，将被切断的各固体摄像装置10从支撑材剥下。以这种方式将多个固体摄像装置10单片化。
以这种方式，可制造图1所示的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13的大小互为大致相等的芯片级型的固体摄像装置10。此外，所述“大小大致相等”是指在从上方观察固体摄像装置10的情况(在从透明基板13的上方观察固体摄像装置10的情况)下的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13的形状及面积实质上相等。在以下所说明的各实施例中也同样，“大小大致相等”是指所述意思。
图3是用来说明以这种方式形成的固体摄像装置10的散热作用的与图1相当的剖视图。在本实施例的固体摄像装置10中，在传感器基板11发热的情况下，其热如图中的箭头所示般经由半导体基板14而向固体摄像装置10的下方散热。进而，从传感器基板11发出的热也同样地如图中的箭头所示般散热至与传感器基板11的主表面相接的透明树脂层12。散热至透明树脂层12的热也经由透明基板13而向固体摄像装置10的上方散热。如此，本实施例的固体摄像装置10能够使从传感器基板11发出的热的散热路径变大。因此，本实施例的固体摄像装置10具备良好的散热性。
相对于此，在如以往的固体摄像装置般在受光部与透明基板之间设置有空间的情况下，在该空间内充满着导热率较低的空气，由此几乎不进行经由空间的散热。因此，以往的固体摄像装置的散热性较差。
根据以上所说明的第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法，在传感器基板11的主表面与透明基板13之间，以填充该等之间的方式形成有导热率高于空气的透明树脂层12。因此，可提供一种散热性良好的固体摄像装置及其制造方法。
进而，根据第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法，在传感器基板11的主表面与透明基板13之间，以填充该等之间的方式形成有具有较微透镜15b低且为透明基板13以下的折射率的透明树脂层12。因此，能够抑制微透镜15b的界面、及透明基板13的界面上的反射量。因此，可提供感度良好的固体摄像装置及其制造方法。
通过以这种方式提高散热性且提高感度，可提供摄像特性得以改善的固体摄像装置及其制造方法。
另外，根据第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法，在极薄的传感器基板11的主表面与透明基板13之间埋设有透明树脂层12，因此也能够抑制传感器基板11的翘曲。
进而，根据第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法，也能够容易地制造固体摄像装置。以下，更具体地进行说明。
在以往的固体摄像装置中，为了提高散热性，考虑利用透明树脂填充受光部与玻璃基板之间的被粘接剂包围的空间内的情况。这种固体摄像装置可通过如下方法进行制造，即隔着粘接剂而将透明基板固定在传感器基板上，且在透明基板形成孔，经由该孔而将透明树脂填充至空间内。
相对于此，根据第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法，在传感器基板11的整个主表面形成透明树脂层12，并将透明基板13固定在透明树脂层12的上表面，因此无需以在固定透明基板之后填充透明树脂的方式分开进行这些步骤。进而，也无需为了填充透明树脂而在透明基板上设置孔。因此，也能够容易地制造第1实施例的固体摄像装置10。
＜第2实施例＞
图4是第2实施例的固体摄像装置的一剖视图。图4所示的固体摄像装置20与第1实施例的固体摄像装置10相比，透明树脂层22的构造不同。因此，以下对第2实施例的固体摄像装置20的透明树脂层22进行说明。此外，固体摄像装置20的传感器基板11及透明基板13与第1实施例的固体摄像装置10的传感器基板11及透明基板13相同。因此，对固体摄像装置20的传感器基板11及透明基板13标注与第1实施例的固体摄像装置10的传感器基板11及透明基板13相同的符号，并省略固体摄像装置20的传感器基板11及透明基板13的说明。
第2实施例的固体摄像装置20的透明树脂层22包括：第1树脂层221，以与包含由多个微透镜15b构成的微透镜阵列的表面的传感器基板11的主表面接触的方式设置；及第2树脂层222，设置在第1树脂层221的整个上表面上。
第1树脂层221是与第1实施例的固体摄像装置10的透明树脂层12相同的树脂层。第1树脂层221是至少相对于期望由固体摄像装置20接收的波长(例如可见光(380nm～780nm左右的波段的光))透明的树脂层。第1树脂层221形成用来将在传感器基板11产生的热向上方(透明基板13侧)散热的散热路径。第1树脂层221的上表面实质上为平坦形状。
第2树脂层222与第1树脂层221同样地是至少相对于期望由固体摄像装置20接收的波长(例如可见光(380nm～780nm左右的波段的光))透明的树脂层，且形成散热路径。进而，第2树脂层222将包含第1树脂层221的传感器基板11固定在透明基板13。
透明基板13是以使该基板13的下表面仅与如上所述的积层构造的透明树脂层22的上表面(第2树脂层222的上表面)接触的方式设置。
在这种固体摄像装置20中，形成在传感器基板11上的微透镜15b、第1树脂层221、第2树脂层222、及透明基板13分别由具有满足以下条件的导热率的材料构成。
Km＞Kair
Kr1＞Kair
Kr2＞Kair
Kg＞Kair
其中，Kr1为第1树脂层221的导热率，Kr2为第2树脂层222的导热率。在本实施例中，例如为Kr1＝0.1～0.3(W/mk)、Kr2＝0.1～0.3(W/mk)左右。
进而，在固体摄像装置20中，微透镜15b、第1树脂层221、第2树脂层222、及透明基板13分别由具有满足以下条件的折射率的材料构成。
Nm＞Nr1
Nm＞Nr2
Nr1≤Ng
其中，Nr1为第1树脂层221的折射率，Nr2为第2树脂层222的折射率。在本实施例中，例如为Nr1＝1.2、Nr2＝1.5左右。
图5A～图5D的各图是用来说明本实施例的固体摄像装置20的制造方法的与图4对应的剖视图。以下，参照图5A～图5D，对本实施例的固体摄像装置20的制造方法进行说明。此外，在该制造方法中执行的各步骤也全部是在晶片的状态下执行。
首先，如图5A所示，在作为半导体晶片的一例的硅晶片16的主表面上，二维状地排列形成分别具备光电二极管15a及微透镜15b等的多个像素而形成受光部15。在该步骤中，也可形成各种信号处理电路。然后，以与包含由多个微透镜15b构成的微透镜阵列的表面的硅晶片16的整个主表面接触的方式形成第1树脂层221。第1树脂层221可通过例如利用旋转涂布法将构成第1树脂层221的树脂材料涂布在硅晶片16的主表面上而形成。如上所述般形成的第1树脂层221的上表面实质上为平坦形状。
其次，如图5B所示，在第1树脂层221的整个上表面上形成第2树脂层222。第2树脂层222也与第1树脂层221同样地，可通过利用旋转涂布法将构成第2树脂层222的树脂材料涂布在第1树脂层221的整个上表面上而形成。以这种方式，形成由第1树脂层221及第2树脂层222构成的透明树脂层22。
其次，如图5C所示，在透明树脂层22的上表面上配置作为透明基板的一例的玻璃晶片17，并隔着透明树脂层22而将玻璃晶片17与硅晶片16相互固定。在以这种方式使硅晶片16支撑在玻璃晶片17之后，将硅晶片16薄型化。
最后，如图5D所示，将维持晶片状态而形成的多个固体摄像装置20单片化。通过单片化，具有受光部15等的硅晶片16成为传感器基板11，玻璃晶片17成为透明基板13。
以这种方式，可制造图4所示的传感器基板11、透明树脂层22、及透明基板13的大小互为大致相等的芯片级型的固体摄像装置20。
此外，这种固体摄像装置20的散热作用是如参照图3所说明般，因此省略说明。
在以上所说明的第2实施例的固体摄像装置20及其制造方法中，也由于与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法相同的理由而散热性及感度提高，由此，可提供摄像特性得以改善的固体摄像装置及其制造方法。另外，与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法同样，也能够抑制传感器基板11的翘曲，也能够容易地制造第2实施例的固体摄像装置20。
此外，在所述第2实施例的固体摄像装置20中，以满足以下关系的方式构成第1树脂层221及第2树脂层222。
Kair＜Kr1
Kair＜Kr2
Nr1≤Ng
Nr1≤Nr2＜Nm
通过以这种方式构成第1树脂层221及第2树脂层222，而能够在包含微透镜15b的传感器基板11与透明基板13之间抑制导热率及折射率的急遽的变化。因此，能够获得更良好的散热性，并且也能够进而抑制入射光的反射。
＜第3实施例＞
图6是第3实施例的固体摄像装置的一剖视图。图6所示的固体摄像装置30与第1实施例的固体摄像装置10相比，透明基板13的上表面被IR(InfraredRay，红外线)截止涂布的方面不同。即，在第3实施例的固体摄像装置30中，在透明基板13的上表面设置有红外线阻断膜38。此外，固体摄像装置30的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13与第1实施例的固体摄像装置10的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13相同。因此，对固体摄像装置30的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13标注与第1实施例的固体摄像装置10的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13相同的符号，并在以下的说明中，省略固体摄像装置30的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13的说明。
图7A及图7B的各图是用来说明本实施例的固体摄像装置的制造方法的与图6对应的剖视图。以下，参照图7A及图7B，对本实施例的固体摄像装置30的制造方法进行说明。此外，在该制造方法中执行的各步骤也全部是在晶片的状态下执行。
首先，经过图2A及图2B所示的各步骤，通过在作为半导体晶片的一例的硅晶片16的主表面上，二维状地排列形成分别具备光电二极管15a及微透镜15b等的多个像素而形成受光部15。继而，以与包含由多个微透镜15b构成的微透镜阵列的表面的硅晶片16的整个主表面接触的方式形成透明树脂层12。
然后，如图7A所示，将在上表面上设置有红外线阻断膜38的玻璃晶片17以使其下表面与透明树脂层12的上表面接触的方式配置，并将硅晶片16隔着透明树脂层12而固定在玻璃晶片17。以这种方式使硅晶片16支撑在玻璃晶片17之后，将硅晶片16薄型化。
最后，如图7B所示，将维持晶片状态而形成的多个固体摄像装置30单片化。通过单片化，具有受光部15等的硅晶片16成为传感器基板11，玻璃晶片17成为透明基板13。
以这种方式，可制造图6所示的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板13的大小互为大致相等的芯片级型的固体摄像装置30。
此外，这种固体摄像装置30的散热作用是如参照图3所说明般，因此省略说明。
在以上所说明的第3实施例的固体摄像装置30及其制造方法中，也由于与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法相同的理由而散热性及感度提高，由此，可提供摄像特性得以改善的固体摄像装置及其制造方法。另外，与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法同样，也能够抑制传感器基板11的翘曲，也能够容易地制造第3实施例的固体摄像装置30。
进而，在第3实施例的固体摄像装置30中，在透明基板13的上表面设置有红外线阻断膜38。因此，能够抑制因由在受光部15接收红外线所产生的干扰干扰而导致拍摄到的图像劣化。
＜第4实施例＞
图8是第4实施例的固体摄像装置的一剖视图。图8所示的固体摄像装置40与第1实施例的固体摄像装置10相比，透明基板43为透过可见光、且阻断红外线的红外线阻断玻璃的方面不同。此外，固体摄像装置40的传感器基板11及透明树脂层12与第1实施例的固体摄像装置10的传感器基板11及透明树脂层12相同。因此，对固体摄像装置40的传感器基板11及透明树脂层12标注与第1实施例的固体摄像装置10的传感器基板11及透明树脂层12相同的符号，在以下的说明中，省略固体摄像装置40的传感器基板11及透明树脂层12的说明。
图9A及图9B的各图是用来说明本实施例的固体摄像装置40的制造方法的与图8对应的剖视图。以下，参照图9A及图9B对本实施例的固体摄像装置40的制造方法进行说明。此外，在该制造方法中执行的各步骤也全部是在晶片的状态下执行。
首先，经过图2A及图2B所示的各步骤，通过在作为半导体晶片的一例的硅晶片16的主表面上，二维状地排列形成分别具备光电二极管15a及微透镜15b等的多个像素而形成受光部15。继而，以与包含由多个微透镜15b构成的微透镜阵列的表面的硅晶片16的整个主表面接触的方式形成透明树脂层12。
然后，如图9A所示，将具有红外线阻断功能的玻璃晶片47以使其下表面与透明树脂层12的上表面接触的方式配置，并将硅晶片16隔着透明树脂层12而固定在玻璃晶片47。在以这种方式使硅晶片16支撑在玻璃晶片47之后，将硅晶片16薄型化。
最后，如图9B所示，将维持晶片状态而形成的多个固体摄像装置40单片化。通过单片化，具有受光部15等的硅晶片16成为传感器基板11，玻璃晶片47成为由红外线阻断玻璃构成的透明基板43。
以这种方式，可制造图8所示的传感器基板11、透明树脂层12、及透明基板43的大小互为大致相等的芯片级型固体摄像装置40。
这种固体摄像装置40的散热作用是如参照图3所说明般，因此省略说明。
在以上所说明的第4实施例的固体摄像装置40及其制造方法中，也由于与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法相同的理由而散热性及感度提高，由此，可提供一种摄像特性得以改善的固体摄像装置及其制造方法。另外，与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法同样，也能够抑制传感器基板11的翘曲，也能够容易地制造第4实施例的固体摄像装置40。
进而，在第4实施例的固体摄像装置40中，透明基板43由具有红外线阻断功能的红外线阻断玻璃构成，因此能够抑制因由在受光部15接收红外线所产生的干扰而导致拍摄到的图像劣化。
＜第5实施例＞
图10是第5实施例的固体摄像装置的一剖视图。图10所示的固体摄像装置50与第1实施例的固体摄像装置10相比，透明树脂层52具有透过可见光、且阻断红外线的功能的方面不同。作为构成这种透明树脂层52的树脂材料，例如可应用导热率Kr＝0.1～0.3(W/mk)、折射率Nr＝1.2的树脂材料。此外，固体摄像装置50的传感器基板11及透明基板13与第1实施例的固体摄像装置10的传感器基板11及透明基板13相同。因此，对固体摄像装置50的传感器基板11及透明基板13，标注与第1实施例的固体摄像装置10的传感器基板11及透明基板13相同的符号，在以下的说明中，省略固体摄像装置50的传感器基板11及透明基板13的说明。
图11A～图11C的各图是用来说明本实施例的固体摄像装置50的制造方法的与图10对应的剖视图。以下，参照图11A～图11C，对本实施例的固体摄像装置50的制造方法进行说明。此外，在该制造方法中执行的各步骤也全部是在晶片的状态下执行。
首先，经过图2A所示的各步骤，通过在作为半导体晶片的一例的硅晶片16的主表面上，二维状地排列形成分别具备光电二极管15a及微透镜15b等的多个像素而形成受光部15。
其次，如图11A所示，以与包含由多个微透镜15b构成的微透镜阵列的表面的硅晶片16的整个主表面接触的方式，形成由透过可见光、且阻断红外线的树脂材料构成的透明树脂层52。关于该透明树脂层52，也可通过例如利用旋转涂布法在硅晶片16的主表面上涂布透过可见光、且阻断红外线的树脂材料而形成。
其次，如图11B所示，以与透明树脂层52的上表面接触的方式配置作为透明基板的一例的玻璃晶片17，并将硅晶片16隔着透明树脂层52而固定在玻璃晶片17。这也是通过例如利用加热、紫外线照射等方法使透明树脂层52硬化而进行。
在以这种方式使硅晶片16支撑在玻璃晶片17之后，将硅晶片16薄型化。
最后，如图11C所示，将维持晶片状态而形成的多个固体摄像装置50单片化。通过单片化，具有受光部15等的硅晶片16成为传感器基板11，玻璃晶片17成为透明基板13。
以这种方式，可制造图10所示的传感器基板11、透明树脂层52、及透明基板13的大小互为大致相等的芯片级型的固体摄像装置50。
这种固体摄像装置50的散热作用是如参照图3所说明般，因此省略说明。
在以上所说明的第5实施例的固体摄像装置50及其制造方法中，也由于与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法相同的理由而散热性及感度提高，由此，可提供摄像特性得以改善的固体摄像装置及其制造方法。另外，与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法同样，也能够抑制传感器基板11的翘曲，也能够容易地制造第5实施例的固体摄像装置50。
进而，在第5实施例的固体摄像装置50中，透明树脂层52由具有红外线阻断功能的树脂材料构成，因此能够抑制因由在受光部15接收红外线所产生的干扰而导致拍摄到的图像劣化。
＜第6实施例＞
图12是第6实施例的固体摄像装置的一剖视图。图12所示的固体摄像装置60是搭载在数字相机等的传感器封装，且由传感器基板11及收纳传感器基板11的封装68构成。此外，关于传感器基板11，与在所述第1～第5各实施例中所说明的传感器基板11相同。因此，对本实施例的固体摄像装置60的传感器基板11标注与所述第1～第5各实施例中所说明的传感器基板11相同的符号，并且省略本实施例的固体摄像装置60的传感器基板11的说明。
封装68包括：框体69，在电介质块的上表面具有凹状的收纳部69a；及透明基板63，以堵住收纳部69a的方式设置在框体69的上表面。电介质块例如由陶瓷构成。另外，透明基板63例如由玻璃基板构成。
传感器基板11配置于被设置在框体69的收纳部69a与透明基板63之间的空间内，且通过导线W而与设置在框体69的配线(未图示)电连接。以这种方式，传感器基板11搭载在封装68的空间内。
而且，在搭载有传感器基板11的封装68的空间内形成有透明树脂层62。透明树脂层62是以充满封装68的空间的方式形成。
于此，在本实施例的固体摄像装置60中，封装68的透明基板63与第1实施例的固体摄像装置10的透明基板13相同，透明树脂层62与第1实施例的固体摄像装置10的透明树脂层12相同。然而，本实施例的固体摄像装置60的透明基板63也可与第2～5各实施例的固体摄像装置20、30、40、50的透明基板13、43相同，透明树脂层62也可与第2～5各实施例的固体摄像装置20、30、40、50的透明树脂层12、22、52相同。
图13A～图13C的各图是用来说明本实施例的固体摄像装置60的制造方法的与图12对应的剖视图。以下，参照图13A～图13C对本实施例的固体摄像装置60的制造方法进行说明。此外，该制造方法并非为在晶片状态下一次性形成的方法，而是个别地制造固体摄像装置60的方法。
首先，如图13A所示，在框体69的收纳部69a内配置传感器基板11，并使用导线W将该等的配线(未图示)间电连接。以这种方式，将传感器基板11搭载在框体69。
其次，如图13B所示，以充满框体69的收纳部69a的方式形成透明树脂层62。然后，如图13C所示，在包含透明树脂层62的上表面的框体69的上表面设置透明基板63。
此外，也可于在框体69的上表面设置透明基板63之后，以填充框体69与透明基板63之间的空间内的方式形成透明树脂层62，但在该情况下，必需将透明树脂层62注入至空间内的注入孔。因此，更优选为如图13B及图13C所示般，在形成透明树脂层62后，在框体69的上表面设置透明基板63的制法。
以这种方式，可制造图12所示的固体摄像装置60。
图14是用来说明以这种方式形成的固体摄像装置60的散热作用的与图12相当的剖视图。在本实施例的固体摄像装置60中，在传感器基板11发热的情况下，其热如图中的箭头所示般经由传感器基板11的半导体基板14、封装68的框体69而向固体摄像装置60的下方散热。进而，从传感器基板11发出的热也同样如图中的箭头所示般，散热至与包含由多个微透镜15b构成的微透镜阵列的表面的传感器基板11的主表面接触的透明树脂层62。散热至透明树脂层62的热也经由封装68的透明基板63而向固体摄像装置60的上方散热。如此，本实施例的固体摄像装置60可使从传感器基板11发出的热的散热路径变大。
在以上所说明的第6实施例的固体摄像装置60及其制造方法中，也由于与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法相同的理由而散热性及感度提高，由此，可提供摄像特性得以改善的固体摄像装置及其制造方法。另外，与第1实施例的固体摄像装置10及其制造方法同样，也能够抑制传感器基板11的翘曲，也能够容易地制造第6实施例的固体摄像装置60。
＜应用例＞
第1～第5各实施例的固体摄像装置10、20、30、40、50例如可应用于搭载在手机等小型电子设备的小型相机模块。以下，作为第1～第5各实施例的固体摄像装置10、20、30、40、50的应用例，对应用第3实施例的固体摄像装置30的相机模块进行说明。
图15是应用第3实施例的固体摄像装置30的相机模块的一剖视图。在图15所示的相机模块100中，在固体摄像装置30的下表面(传感器基板11的下表面)设置有多个作为外部电极的焊球101。此外，各焊球101是经由贯通传感器基板11的贯通电极106而与传感器基板11的受光部(在图15中未图示)电连接。
另外，在固体摄像装置30的上表面(设置在透明基板13上的红外线阻断膜38的上表面)，经由粘接剂104而设置有在内部具备使光聚光的透镜102的透镜支座103。透镜支座103是由遮光性树脂材料构成的筒体，且以使通过透镜102聚光的光在固体摄像装置30的受光部成像的方式调整其位置而设置。
进而，固体摄像装置30被具有阻断电磁波的功能的金属制遮罩105覆盖。遮罩105为筒状，且以在下端部与传感器基板11的下表面接触、在上端部固定在透镜支座103的外周面的方式设置。
图16A及图16B分别是用来说明这种相机模块100的组装方法的与图15相当的剖视图。以下，参照图16A及图16B，对图15所示的相机模块100的组装方法进行说明。
首先，如图16A所示，在固体摄像装置30的下表面(传感器基板11的下表面)形成多个焊球101。另外，在固体摄像装置30的上表面(设置在透明基板13上的红外线阻断膜38的上表面)，沿该上表面的外周而呈环状形成粘接剂104，并在该粘接剂104上配置筒状透镜支座103。然后，调整透镜支座103的上下方向的位置，并使粘接剂104硬化。以这种方式，将透镜支座103固定在固体摄像装置30上。
其次，如图16B所示，例如在透镜支座103的外周面形成粘接剂(未图示)，将筒状遮罩105以使其下端部与固体摄像装置30的下表面接触、并使上端部与透镜支座103的外周面的粘接剂接触的方式配置。然后，使粘接剂硬化而将遮罩105固定在透镜支座103，从而组装成图15所示的相机模块100。
根据这种相机模块100，应用摄像特性优异的固体摄像装置30，因此能够进行更良好的摄像。
已对本发明的若干个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提出的，并非意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其他各种方式实施，且能在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式或其变化包含在发明的范围或主旨内，并且包含在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。

Claims (20)

1.一种固体摄像装置，其特征在于具备：
传感器基板，具有微透镜；
透明树脂层，以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的主表面接触的方式设置；及
透明基板，配置在所述透明树脂层的上表面上；且
所述透明树脂层的导热率高于空气；且
所述透明树脂层的折射率较所述微透镜低且为所述透明基板以下。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述传感器基板、所述透明树脂层、及所述透明基板的大小互为相等。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述透明基板仅与所述透明树脂层的上表面接触。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述透明树脂层是积层有多个树脂层的构造。
5.根据权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于：所述透明树脂层包括：第1树脂层，以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的所述主表面接触的方式设置；及
第2树脂层，以与所述第1树脂层的上表面接触的方式设置；且
在将空气的导热率设为Kair、将所述第1树脂层的导热率设为Kr1、将所述第2树脂层的导热率设为Kr2时，所述第1树脂层及所述第2树脂层满足Kair＜Kr1、Kair＜Kr2的关系，且
在将所述微透镜的折射率设为Nm、将所述透明基板的折射率设为Ng、将所述第1树脂层的折射率设为Nr1、将所述第2树脂层的折射率设为Nr2时，所述第1树脂层及所述第2树脂层满足Nr1≤Ng、Nr1＜Nm、Nr2＜Nm的关系。
6.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其特征在于：所述第1树脂层及所述第2树脂层还满足Nr1≤Nr2的关系。
7.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其特征在于：所述第1树脂层的上表面实质上为平坦形状。
8.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其特征在于：所述透明基板仅与所述第2树脂层的上表面接触。
9.根据权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于：所述传感器基板、所述透明树脂层、及所述透明基板的大小互为相等。
10.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：具备设置在所述透明基板的上表面上的红外线阻断膜。
11.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述透明基板是透过可见光、且阻断红外线的红外线阻断玻璃。
12.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述透明树脂层透过可见光，且阻断红外线。
13.一种相机模块，其特征在于具有：
固体摄像装置，接收光；
透镜支座，设置在所述固体摄像装置的上表面，且在内部具备使所述光聚光于所述固体摄像装置的透镜；及
遮罩，以覆盖所述透镜支座的周围的方式设置；且
所述固体摄像装置具备：
传感器基板，具有像素，该像素具有微透镜且接收所述光；
透明树脂层，以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的主表面接触的方式设置；
透明基板，配置在所述透明树脂层的上表面上；及
红外线阻断膜，设置在所述透明基板的上表面上；且
所述透明树脂层的导热率高于空气；且
所述透明树脂层的折射率较所述微透镜低且为所述透明基板以下。
14.一种固体摄像装置的制造方法，其特征在于：在半导体晶片的主表面上形成分别包含微透镜的多个受光部，且
在包含多个所述微透镜的表面的所述半导体晶片的所述主表面上依序形成透明树脂层及透明基板，且所述透明树脂层具有高于空气的导热率，且具有较所述微透镜低且为所述透明基板以下的折射率；且
将相当于多个受光部之间的所述半导体晶片、所述透明树脂层、及所述透明基板切断。
15.根据权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于：将所述透明基板以仅与所述透明树脂层的上表面接触的方式形成。
16.根据权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于：以与包含所述多个微透镜的表面的所述半导体晶片的所述主表面接触的方式形成第1树脂层，且
在所述第1树脂层的上表面上形成第2树脂层，由此
以与包含所述多个微透镜的表面的所述半导体晶片的所述主表面接触的方式形成所述透明树脂层。
17.根据权利要求16所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于：在将空气的导热率设为Kair、将所述第1树脂层的导热率设为Kr1、将所述第2树脂层的导热率设为Kr2时，所述第1树脂层及所述第2树脂层满足Kair＜Kr1、Kair＜Kr2的关系，且
在将所述微透镜的折射率设为Nm、将所述透明基板的折射率设为Ng、将所述第1树脂层的折射率设为Nr1、将所述第2树脂层的折射率设为Nr2时，所述第1树脂层及所述第2树脂层满足Nr1≤Ng、Nr1＜Nm、Nr2＜Nm的关系。
18.根据权利要求17所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于：所述第1树脂层及所述第2树脂层还满足Nr1≤Nr2的关系。
19.根据权利要求16所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于：以使所述第1树脂层的上表面实质上成为平坦形状的方式形成所述第1树脂层。
20.根据权利要求16所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于：以仅与所述第2树脂层的上表面接触的方式形成所述透明基板。
CN201510869865.6A 2014-12-11 2015-12-02 固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法 Pending CN105702691A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014250802A JP2016115706A (ja) 2014-12-11 2014-12-11 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2014-250802 2014-12-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105702691A true CN105702691A (zh) 2016-06-22

Family

ID=56111946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510869865.6A Pending CN105702691A (zh) 2014-12-11 2015-12-02 固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160172401A1 (zh)
JP (1) JP2016115706A (zh)
CN (1) CN105702691A (zh)
TW (1) TW201633774A (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6818468B2 (ja) 2016-08-25 2021-01-20 キヤノン株式会社 光電変換装置及びカメラ
JP2019160830A (ja) * 2018-03-07 2019-09-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像素子の製造方法
JP2020031127A (ja) * 2018-08-22 2020-02-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、撮像装置、および電子機器
KR20220095595A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서, 이를 이용한 이미지 센서 테스트 시스템 및 방법
CN114664876B (zh) * 2022-05-25 2022-08-23 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种图像传感器及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982882A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Nec Corp マルチチップモジュール
CN1484318A (zh) * 2002-08-12 2004-03-24 三洋电机株式会社 固体摄像装置及其制造方法
CN1901215A (zh) * 2005-07-20 2007-01-24 松下电器产业株式会社 固体摄像装置及其制造方法
CN1967854A (zh) * 2005-11-18 2007-05-23 松下电器产业株式会社 固体摄像装置
CN101414617A (zh) * 2007-10-02 2009-04-22 松下电器产业株式会社 固体摄像装置以及制造方法
US20130032914A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and electronic apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5705140B2 (ja) * 2011-09-27 2015-04-22 株式会社東芝 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
US8742527B2 (en) * 2011-09-27 2014-06-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state imaging device, solid state imaging element, portable information terminal device and method for manufacturing the solid state imaging element
JPWO2014021232A1 (ja) * 2012-07-31 2016-07-21 旭硝子株式会社 マイクロレンズアレイ、撮像素子パッケージおよびマイクロレンズアレイの製造方法
KR102276432B1 (ko) * 2014-04-07 2021-07-09 삼성전자주식회사 색분리 소자 및 상기 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982882A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Nec Corp マルチチップモジュール
CN1484318A (zh) * 2002-08-12 2004-03-24 三洋电机株式会社 固体摄像装置及其制造方法
CN1901215A (zh) * 2005-07-20 2007-01-24 松下电器产业株式会社 固体摄像装置及其制造方法
CN1967854A (zh) * 2005-11-18 2007-05-23 松下电器产业株式会社 固体摄像装置
CN101414617A (zh) * 2007-10-02 2009-04-22 松下电器产业株式会社 固体摄像装置以及制造方法
US20130032914A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20160172401A1 (en) 2016-06-16
TW201633774A (zh) 2016-09-16
JP2016115706A (ja) 2016-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105702691A (zh) 固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法
KR100735446B1 (ko) 촬상 장치 및 그 제조 방법
TWI512956B (zh) 光學成像裝置及其製造方法
JP5324890B2 (ja) カメラモジュールおよびその製造方法
JP5401628B2 (ja) レンズモジュールの製造方法、及びレンズモジュール
US10388701B2 (en) Stacked image sensor and method of manufacturing the same
US7745834B2 (en) Semiconductor image sensor and method for fabricating the same
US10319766B2 (en) Packaged optical device with sealing resin and method of manufacturing packaged optical device
TW201347524A (zh) 微型相機模組
JP2008129606A (ja) レンズアセンブリ及びその製作方法
JP2006319329A (ja) 埋め込まれたレンズを有するイメージセンサー
US20140284746A1 (en) Solid state imaging device and portable information terminal
JPWO2012073402A1 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR20160144667A (ko) 일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법 및 이를 이용한 일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
JP2007317719A (ja) 撮像装置及びその製造方法
JP2010147327A (ja) 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
KR101159807B1 (ko) 이미지 센서 패키지 및 제작 방법
US20100321563A1 (en) Solid-state imaging unit
JP2012182244A (ja) 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器
JP2013125881A (ja) 固体撮像装置の製造方法
CN103943613B (zh) 半导体器件和半导体器件的制造方法
TW201520631A (zh) 光學鏡頭及其陣列式鏡片模組與製造方法
JP2013161873A (ja) 固体撮像装置及びカメラモジュール
JP2013225705A (ja) 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
US20070148373A1 (en) Image sensor

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160622