CN105695938A - 采用扫描式蒸发源的镀膜装置及其镀膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及薄膜制备技术，具体涉及一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置及其镀膜方法，其特征在于：在真空镀膜室内设置盛放基片的镀膜工件架，扫描式蒸发源设置在真空镀膜室上。扫描式蒸发源中的坩埚可以定点、定时、扫描方式运动并进行膜料蒸发；扫描式蒸发源还设置有与真空镀膜室相对独立的加药腔室，可使膜料的添加、预热和真空镀膜室的镀膜工序分隔开来。本发明的优点是：可实现在不借助膜厚补正板的情况下，工件架上所有基片的镀膜厚度满足均匀性要求，提升了膜料利用率和镀膜效率，降低了镀膜成本；能够实现加药腔室中的加药、排气和预热工序与真空镀膜室中的排气、镀膜工序同步进行，提升了生产效率和膜层质量。

Description

采用扫描式蒸发源的镀膜装置及其镀膜方法

技术领域

本发明涉及薄膜制备技术，具体涉及一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置及其镀膜方法。

背景技术

真空镀膜方法是制作薄膜产品的一种重要方法，利用真空镀膜方法制备的薄膜产品已被应用到众多领域。比如，防污膜已应用于触摸屏、镜片和镜头等光学产品。在这些包含防污膜的光学产品中，基片材料上通常先镀制一些光学薄膜（比如增透膜），然后再蒸镀防污膜。近年来，随着信息技术的发展，以智能手机、平板电脑为主导的终端产品高度普及，触摸屏产品需求迅猛增长。为了增加以触摸屏为主体的多种光电产品的防污、防刮擦效果，在多种光学产品表面上镀制防污膜已经成为必不可少的工序。

防污膜原料为含氟硅烷有机化合物。不论液态还是固体药片形式的防污膜原料，其价格昂贵。防污膜镀膜可以采用如下方法：首先，将有机防污膜原料溶解于有机溶剂形成有机溶液；然后，将此有机溶液注入到坩埚中的多孔吸附载体中；其后进行蒸镀。另一种常用的防污膜真空镀膜方法是：将吸附有防污膜有机膜料的载体进行特殊处理，制成固体药片作为镀膜原料，然后进行蒸镀。此种方法需要将药片在特定环境条件下保存以保持药片的镀膜效果，相比于液态防污膜料，其成本较高。

对于防污膜的镀膜装置，通常为单腔室的真空镀膜设备，即防污膜的前道膜层镀膜和防污膜镀膜在同一个镀膜腔室中进行。在真空镀膜时，为了使分布在整个镀膜工件架上的基片具有较好的膜厚均匀性，通常在镀膜腔室的盛有防污膜原料坩埚上方设置膜厚均匀性补正板。此补正板的存在遮挡了相当数量膜料分子，使之不能到达工件架的镀膜基片，造成膜料浪费，增大了镀膜成本；相应地，也延长了镀膜时间，降低了镀膜效率。由于液态防污膜膜料具有成本低、易于自动化等特点，已经被越来越多地采用。在使用含有机溶剂等溶媒的液态防污膜膜料进行镀膜前，需要通过预热将有机溶剂挥发。如果预热工序在真空镀膜室中进行，则需要占用主体镀膜时间，使得镀膜时间变长，影响生产效率；同时，预热时挥发的有机溶剂也可能达到镀膜基片，影响镀膜质量。

基于上述背景技术，寻求镀膜效率高和镀膜品质好的防污膜镀膜装置变得日益重要。比如，可以采用如下技术方案来进行镀膜：在镀膜室中设置多点蒸发源，并使之同时蒸发；通过对不同蒸发源设置不同的镀膜速率，来实现在不使用膜厚均匀性补正板的情况下，满足膜厚均匀性要求。不过，这种存在多个蒸发源的镀膜装置需要较高的设备成本，且在加药自动化、预热、蒸发等方面，具有较高的空间占用成本或控制成本。

发明内容

本发明的目的是根据上述现有技术的不足，提供一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置及其镀膜方法，该装置和方法通过设置扫描式蒸发源，即通过坩埚移动导向机构驱动坩埚，实现以定点、定时、扫描方式蒸发，同时提供与真空镀膜室相对独立的加药腔室，实现加药腔室中的加药、排气和预热工序与真空镀膜室中的排气、镀膜工序同步进行，提升了生产效率和膜层质量。

本发明目的实现由以下技术方案完成：

一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置，包括真空镀膜室、蒸发源，所述真空镀膜室内设置有镀膜工件架，所述镀膜工件架上放置有基片，所述蒸发源位于于所述真空镀膜室，其特征在于：所述蒸发源为扫描式蒸发源，所述扫描式蒸发源具有坩埚、坩埚移动导向机构，所述坩埚移动导向机构连接控制所述坩埚，以实现所述坩埚在所述真空镀膜室内的移动。

所述坩埚移动导向机构包括马达、丝杆、丝杆固定机构，所述马达连接驱动所述丝杆，所述坩埚固定于所述丝杆。

所述扫描式蒸发源还具有加药腔室、加药机构、排气机构，所述加药腔室的内腔与所述真空镀膜室的内腔连通，所述坩埚在所述坩埚移动导向机构的所述丝杆驱动下的移动区间位于由所述加药腔室和所述真空镀膜室形成的连通空间内。

在所述加药腔室与所述真空镀膜室的连通处设置有环形密封面，在所述丝杆上设置密封法兰，所述密封法兰的口径大于所述环形密封面的内径。

所述加药腔室底部设置有排污通道，所述排污通道用于清洗所述加药腔室时的废液导出；所述加药腔室设置有观察窗口。

上述任一项镀膜装置的一种采用扫描式蒸发源的镀膜方法，其特征在于：所述方法包含下列步骤：当真空镀膜室做好镀膜准备后，扫描式蒸发源的坩埚在坩埚移动导向机构驱动下开始移动，移动方式为移动-暂停交替进行，移动阶段时不进行蒸发，暂停阶段时通过坩埚加热控制机构使得所述坩埚中的膜料蒸发，在所述暂停阶段的时间需要使得所述膜料蒸发的时间满足：在不借助膜厚补正板的情况下，在一个镀膜周期内，镀膜工件架上放置的所有基片的镀膜厚度满足均匀性要求。

所述坩埚的移动行程是，从所述扫描式蒸发源的加药腔室移出，以进入所述真空镀膜室时的位置为起点，向所述真空镀膜室的中心移动，到达设定位置后按原路径返回，如此往复，直至镀膜结束。

一种采用扫描式蒸发源的镀膜方法，其特征在于：在所述扫描式蒸发源的加药腔室与所述真空镀膜室的连通处设置有环形密封面，在所述坩埚移动导向机构的丝杆上设置密封法兰，所述密封法兰设置于所述坩埚靠近所述真空镀膜室中心一侧，并与所述坩埚同步移动，所述密封法兰的口径大于所述环形密封面的内径；当所述密封法兰被所述马达驱动到达所述环形密封面处时，所述密封法兰和所述环形密封面一起构成一密封面，使得所述加药腔室和所述真空镀膜室处于分隔状态。

在镀膜过程中，所述坩埚处于所述暂停阶段的蒸发时间的确定依据为用于计算镀膜厚度的Knudsen余弦定律，通过已知的所述坩埚到所述镀膜工件架上的基片之间的位置关系来确定在所述坩埚运动路径上各个所述暂停阶段的蒸发时间的初始值，再根据实际镀膜厚度结果，对各个所述蒸发时间的初始值进行修正，直至满足镀膜厚度均匀性的要求。

本发明的优点是：1)可实现在不借助膜厚补正板的情况下，工件架上所有基片的镀膜厚度满足均匀性要求，提升了膜料利用率和镀膜效率，降低了镀膜成本。2)能够实现加药腔室中的加药、排气和预热工序与真空镀膜室中的排气、镀膜工序同步进行，提升了生产效率和膜层质量。

附图说明

图1是本发明中采用扫描式蒸发源的镀膜装置的结构示意图Ⅰ；

图2是本发明中采用扫描式蒸发源的镀膜装置时扫描式蒸发源在暂停阶段蒸发时间的确定方法示意图；

图3是本发明中采用扫描式蒸发源的镀膜装置的结构示意图Ⅱ（扫描式蒸发源在加药腔室中）；

图4是本发明中采用扫描式蒸发源的镀膜装置的结构示意图Ⅲ（扫描式蒸发源在真空镀膜室中）；

图5是本发明中实施例二所述的镀膜工艺流程图。

具体实施方式

以下结合附图通过实施例对本发明特征及其它相关特征作进一步详细说明，以便于同行业技术人员的理解：

如图1-5所示，图中标记1-22、41-43分别为：真空镀膜室1、镀膜工件架2、镀膜工件架回转机构3、基片4、坩埚5、马达6、滚珠丝杆7、滚珠丝杆固定机构8、法兰9、坩埚固定法兰10、坩埚底座11、丝杆螺母12、陶瓷加热片和热电偶13、固定蒸发源14、固定蒸发源补正板15、加药腔室16、加药机构17、加药机构法兰18、排气机构19、排污通道20、环形密封面21、密封法兰22、内圈基片41、中圈基片42、外圈基片43。

实施例一：本实施例中的采用扫描式蒸发源的镀膜装置，如图1所示，包括：真空镀膜室1、扫描式蒸发源。真空镀膜室1内设置有镀膜工件架2，镀膜工件架2可在镀膜工件架回转机构3的驱动下转动，镀膜工件架2上放置有基片4。扫描式蒸发源通过法兰9固定于真空镀膜室1的侧壁上，扫描式蒸发源包括坩埚5、坩埚移动导向机构、坩埚加热控制机构。坩埚移动导向机构包括马达6、滚珠丝杆7、滚珠丝杆固定机构8。滚珠丝杆7远离真空镀膜室1中心一端连接马达6，靠近真空镀膜室1中心一端连接滚珠丝杆固定机构8。坩埚移动导向机构连接控制坩埚5，以实现坩埚5在真空镀膜室1内的移动。坩埚加热控制机构为陶瓷加热片和热电偶13及其控制部分，陶瓷加热片和热电偶13可以为集成在一起的形式，其中的陶瓷加热片用于加热坩埚5，热电偶用于测量坩埚温度，此温度信号将被相应控制部件利用来控制陶瓷加热片的工作状态从而对坩埚5温度进行实时调整。坩埚5以及陶瓷加热片和热电偶13位于坩埚底座11之上，并通过坩埚固定法兰10固定在滚珠丝杆7的丝杆螺母12上，由马达6驱动在真空镀膜室1内按指定方式往复运动。为了实现多种膜层在一个镀膜流程中完成，还可以在真空镀膜室1中设置固定蒸发源14及其固定蒸发源补正板15。

本实施例中的采用扫描式蒸发源的镀膜方法至少包括以下步骤：

当真空镀膜室1做好镀膜准备后，坩埚5在马达6驱动下开始移动，移动方式为移动-暂停交替进行，移动阶段时不进行蒸发，暂停阶段通过陶瓷加热片和热电偶13使得坩埚5中的膜料蒸发，在暂停阶段的蒸发时间满足：在不借助膜厚补正板的情况下，在一个镀膜周期内，镀膜工件架2上放置的所有基片4的镀膜厚度满足均匀性要求。

对于上述坩埚5在暂停阶段的蒸发时间的确定可以选用如下方法：如图2所示，预设坩埚5在暂停点A1、A2、A3处暂停，停留时间分别为t1、t2、t3，镀膜工件架2上的基片4按内圈基片41、中圈基片42、外圈基片43的方式进行排布。当坩埚5在A1处时，对于镀膜工件架2上的中圈基片42上的一点B处的镀膜厚度可以根据计算镀膜厚度的Knudsen余弦定律来计算。Knudsen余弦定律可以表示成如下形式：

具体到本实施例的情形，上述公式中，D为中圈基片42上的一点B处的镀膜厚度，θ为坩埚5上的蒸发点A处的表面法线AA’与坩埚5跟中圈基片42上的某点B之间的连线的夹角，Φ为中圈基片42上某点B处的表面法线BB’与坩埚5跟中圈基片42上的某点B之间的连线的夹角；r为坩埚5上的蒸发点A与中圈基片42上的某点B之间的距离，C为比例常数。对于一个确定的镀膜装置，上述各量均可以获知。n表示蒸发源的蒸发特性，本实施例中，n可以取2。

在镀膜工件架2的内圈基片41、中圈基片42、外圈基片43上分别取点，记为B1、B2、B3；通过Knudsen余弦定律，分别计算坩埚5在A1、A2、A3处暂停时（停留时间为t1=t2=t3=t）的镀膜厚度，以D（A1B1）表示坩埚5在A1处时B1处所形成的镀膜厚度，依次类推。预设坩埚5在整个镀膜过程中的镀膜速率恒定。当坩埚5在暂停点A1、A2、A3三处各进行了一次暂停阶段的蒸发、且蒸发时间分别均为t的镀膜后，分别位于内圈基片41、中圈基片42、外圈基片43上的B1、B2、B3三处的各自的镀膜总厚度为：

D（B1）=D（A1B1）+D（A2B1）+D（A3B1）

D（B2）=D（A1B2）+D（A2B2）+D（A3B2）

D（B3）=D（A1B3）+D（A2B3）+D（A3B3）

如果D（B1）、D（B2）、D（B3）之间的差距不满足镀膜均匀性的要求，则通过常规数学运算将暂停阶段的蒸发时间t1、t2、t3之间的对比关系进行调整，直至在理论上，D（B1）、D（B2）、D（B3）之间的差距满足一定要求；比如1%以内，此要求可以结合实际仪器的控制精度并通过数学运算来满足。其后，以最终理论计算得到的坩埚5在暂停点A1、A2、A3处停留时间t10、t20、t30作为坩埚5在各个停留点的蒸发时间的初始值进行实际镀膜。镀膜完成后，测量内圈基片41、中圈基片42、外圈基片43上的B1、B2、B3三处各自的镀膜总厚度；根据实测的D’（B1）、D’（B2）、D’（B3）之间的比例关系，对坩埚5在暂停点A1、A2、A3处暂停阶段的蒸发时间理论值t10、t20、t30进行调整，调整过程可以多次完成，直至得到一组t1、t2、t3，使得D’（B1）、D’（B2）、D’（B3）之间的差距已满足镀膜均匀性的要求。

本实施例在具体实施时，对于如图2所示的移动-暂停模式，具有如下的镀膜流程：

镀膜前准备工作：按照前述坩埚5在暂停阶段蒸发时间的确定方法确定坩埚5在三处暂停点A1、A2、A3暂停阶段的蒸发时间t1、t2、t3。

1、如图1所示，将基片4放置于镀膜工件架2，将防污膜膜料放入坩埚5，关闭真空镀膜室1的腔体门，开始抽真空过程。

2、待真空镀膜室1的真空度到达5*10^-3Pa，启动马达6，坩埚5在马达6驱动下沿滚珠丝杆7运动。对于如图2所示的情形，坩埚5从靠近真空镀膜室1内侧壁处出发，最先运动至A3处(如图2所示)，并在此停留和蒸发，蒸发时间为t3；其后，继续移动到A2处，并在此停留和蒸发，蒸发时间为t2；最后，移动到A1处，并在此停留和蒸发，蒸发时间为t1。其后，坩埚5按原路径返回到出发点，如此往复，直至镀膜完成。

实施例二：本实施例中的采用扫描式蒸发源的镀膜装置，如图3所示，包括：真空镀膜室1、扫描式蒸发源。

真空镀膜室1内设置有镀膜工件架2，镀膜工件架2可在镀膜工件架回转机构3的驱动下转动，镀膜工件架2上放置有基片4。

扫描式蒸发源通过法兰9固定于真空镀膜室1的侧壁上，扫描式蒸发源包括坩埚5、坩埚移动导向机构、坩埚加热控制机构、加药腔室16、加药机构17、排气机构19、排污通道20。

其中，坩埚移动导向机构包括马达6、滚珠丝杆7、滚珠丝杆固定机构8。坩埚5通过坩埚固定法兰10固定在滚珠丝杆7的丝杆螺母12上，并可以在马达6的驱动下沿滚珠丝杆7运动。滚珠丝杆7远离真空镀膜室1中心一端连接马达6，靠近真空镀膜室1中心的一端连接滚珠丝杆固定机构8。

坩埚加热控制机构为陶瓷加热片和热电偶13及其控制部分，陶瓷加热片和热电偶13为集成在一起的形式，其中的陶瓷加热片用于加热坩埚5，热电偶用于测量坩埚5温度，此温度信号将被相应控制部件利用来对坩埚5的温度进行实时调整。坩埚5和陶瓷加热片和热电偶13位于坩埚底座11之上，并在马达6驱动下的移动。

加药腔室16通过法兰9固定在真空镀膜室1上，加药腔室16的内腔可与真空镀膜室1的内腔连通。坩埚5在马达6驱动下的移动区间位于由加药腔室16和真空镀膜室1形成的连通空间内。

加药腔室16与真空镀膜室1的连通处设置有环形密封面21，在滚珠丝杆7上设置密封法兰22，密封法兰22设置于坩埚5靠近所述真空镀膜室1中心一侧，并与坩埚5同步运动，密封法兰22的口径大于环形密封面21的内径；当密封法兰22被马达6驱动到达环形密封面21处时，密封法兰22和环形密封面21一起构成一密封面，使得加药腔室16和真空镀膜室1处于相对分隔与密封的状态。

加药机构17通过加药机构法兰18固定在加药腔室16上，加药机构17为自动加液装置。排气机构19包括机械泵和分子泵。

加药腔室16底部设置有排污通道20，排污通道20用于清洗加药腔室16时的废液导出。

加药腔室16还可以设置观察窗口，用于实时监测加药腔室16的内部状况。加药腔室16上还可以通过设置腔室门，用于打开加药腔室16，进行腔室内操作。

为了实现多种膜层在一个镀膜流程中完成，还可以在真空镀膜室1中设置固定蒸发源14及其固定蒸发源补正板15。

本实施例中的采用扫描式蒸发源的镀膜方法至少包括以下步骤：

当真空镀膜室1做好镀膜准备后，坩埚5在马达6驱动下开始移动，移动方式为移动-暂停交替进行，移动阶段时不进行蒸发，暂停阶段通过陶瓷加热片和热电偶13使得坩埚5中的膜料蒸发，在暂停阶段的蒸发时间满足：在不借助膜厚补正板的情况下，在一个镀膜周期内，镀膜工件架2上放置的所有基片4的镀膜厚度满足均匀性要求。

当真空镀膜室1做好镀膜准备后，坩埚5在马达6驱动下的移动行程是，从扫描式蒸发源的加药腔室16移出，以进入真空镀膜室1时的位置为起点，向真空镀膜室的1中心移动，到达设定位置后按原路径返回，如此往复，直至镀膜结束。

在扫描式蒸发源的加药腔室16与真空镀膜室1的连通处设置有环形密封面21，在丝杆7上设置密封法兰22，密封法兰22设置于坩埚5靠近真空镀膜室1中心一侧，并与坩埚5同步移动，密封法兰22的口径大于环形密封面21的内径；当密封法兰22被马达6驱动到达环形密封面21处时，密封法兰22和环形密封面21一起构成一密封面，使得加药腔室16和真空镀膜室1处于分隔状态。

对于坩埚5在暂停阶段的蒸发时间的确定方法，参见实施例一。

本实施例在具体实施时，如图5所示，具有如下的工作流程：

镀膜前准备工作：按照实施例一关于坩埚5在暂停阶段蒸发时间的确定方法确定坩埚5在三处暂停点A1、A2、A3暂停阶段的蒸发时间t1、t2、t3。

镀膜设备抽真空前的状态满足：真空镀膜室与加药腔室处于分隔状态。

步骤1：如图3所示，将基片4放置于镀膜工件架2上；将防污膜膜料通过加药机构17加入加药腔室16中的坩埚5中。此时，密封法兰22在马达6驱动到达环形密封面21处，密封法兰22和环形密封面21构成密封面，使得加药腔室16和真空镀膜室1处于分隔状态。

步骤2：关闭真空镀膜室1的腔体门，开始真空镀膜室1的抽真空过程。同时，排气机构19开始对加药腔室16抽真空，待达到一定真空度时，加热控制机构通过陶瓷加热片和热电偶13对坩埚5中的防污膜膜料进行预热。也可以根据实际真空镀膜室1的抽真空时间、加药腔室16的抽真空时间和防污膜膜料的预热时间来选择此步骤的开始点。

步骤3：待真空镀膜室1的真空度到达5*10^-3Pa，启动马达6，坩埚5在马达6驱动下沿滚珠丝杆7从加药腔室16向真空镀膜室1的中心方向运动，密封法兰22和环形密封面21不再构成密封面，加药腔室16和真空镀膜室1之间形成连通空间。坩埚5在马达6驱动下沿滚珠丝杆7从加药腔室16进入真空镀膜室1内部，如图4所示。

步骤4：真空镀膜室1开始蒸镀过程。本实施例中，坩埚5在真空镀膜室1中的运动形式与实施例一中的情形相同。参见图2，坩埚5最先运动至A3处，并在此停留和蒸发，蒸发时间为t3；其后，继续移动到A2处，并在此停留和蒸发，蒸发时间为t2；最后，移动到A1处，并在此停留和蒸发，蒸发时间为t1。其后，坩埚5按原路径返回到出发点，如此往复，直至镀膜完成。如图4所示，为坩埚5运动至A1处对应位置时的镀膜装置示意图。

步骤5：镀膜完成后，坩埚5在马达6驱动下沿滚珠丝杆7从真空镀膜室1向加药腔室16的方向运动，以至密封法兰22和环形密封面21构成密封面，加药腔室16和真空镀膜室1处于分隔密封状态。

步骤6：真空镀膜室1破真空后，基片取出。加药腔室16破真空，做下次镀膜准备。

为了实现多种膜层在一个镀膜流程中完成，还可以在真空镀膜室1设置固定蒸发源14及其固定蒸发源补正板15。如果在防污膜镀膜前还需要蒸镀其他前道膜层，则上述实施例二中的加药腔室的步骤1可以在前道膜层进行中开始，以节省整体镀膜时间。

虽然上述实施例已经参照附图对本发明目的的构思和实施例做了详细说明，但本领域普通技术人员可以认识到，在没有脱离权利要求限定范围的前提条件下，仍然可以对发明作出各种改进和变换，如：坩埚5的驱动方式、加药机构17的加药方式，等等，故在此不一一赘述。

Claims (9)

1.一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置，包括真空镀膜室、蒸发源，所述真空镀膜室内设置有镀膜工件架，所述镀膜工件架上放置有基片，所述蒸发源位于于所述真空镀膜室，其特征在于：所述蒸发源为扫描式蒸发源，所述扫描式蒸发源具有坩埚、坩埚移动导向机构，所述坩埚移动导向机构连接控制所述坩埚，以实现所述坩埚在所述真空镀膜室内的移动。

2.根据权利要求1所述的一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置，其特征在于：所述坩埚移动导向机构包括马达、丝杆、丝杆固定机构，所述马达连接驱动所述丝杆，所述坩埚固定于所述丝杆。

3.根据权利要求1所述的一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置，其特征在于：所述扫描式蒸发源还具有加药腔室、加药机构、排气机构，所述加药腔室的内腔与所述真空镀膜室的内腔连通，所述坩埚在所述坩埚移动导向机构的所述丝杆驱动下的移动区间位于由所述加药腔室和所述真空镀膜室形成的连通空间内。

4.根据权利要求3所述的一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置，其特征在于：在所述加药腔室与所述真空镀膜室的连通处设置有环形密封面，在所述丝杆上设置密封法兰，所述密封法兰的口径大于所述环形密封面的内径。

5.根据权利要求3所述的一种采用扫描式蒸发源的镀膜装置，其特征在于：所述加药腔室底部设置有排污通道，所述排污通道用于清洗所述加药腔室时的废液导出；所述加药腔室设置有观察窗口。

6.一种涉及权利要求1-5任一项镀膜装置的一种采用扫描式蒸发源的镀膜方法，其特征在于：所述方法包含下列步骤：当真空镀膜室做好镀膜准备后，扫描式蒸发源的坩埚在坩埚移动导向机构驱动下开始移动，移动方式为移动-暂停交替进行，移动阶段时不进行蒸发，暂停阶段时通过坩埚加热控制机构使得所述坩埚中的膜料蒸发，在所述暂停阶段的时间需要使得所述膜料蒸发的时间满足：在不借助膜厚补正板的情况下，在一个镀膜周期内，镀膜工件架上放置的所有基片的镀膜厚度满足均匀性要求。

7.根据权利要求6所述的一种采用扫描式蒸发源的镀膜方法，其特征在于：所述坩埚的移动行程是，从所述扫描式蒸发源的加药腔室移出，以进入所述真空镀膜室时的位置为起点，向所述真空镀膜室的中心移动，到达设定位置后按原路径返回，如此往复，直至镀膜结束。

8.根据权利要求6所述的一种采用扫描式蒸发源的镀膜方法，其特征在于：在所述扫描式蒸发源的加药腔室与所述真空镀膜室的连通处设置有环形密封面，在所述坩埚移动导向机构的丝杆上设置密封法兰，所述密封法兰设置于所述坩埚靠近所述真空镀膜室中心一侧，并与所述坩埚同步移动，所述密封法兰的口径大于所述环形密封面的内径；当所述密封法兰被所述马达驱动到达所述环形密封面处时，所述密封法兰和所述环形密封面一起构成一密封面，使得所述加药腔室和所述真空镀膜室处于分隔状态。

9.根据权利要求6-8所述的一种采用扫描式蒸发源的镀膜方法，其特征在于：在镀膜过程中，所述坩埚处于所述暂停阶段的蒸发时间的确定依据为用于计算镀膜厚度的Knudsen余弦定律，通过已知的所述坩埚到所述镀膜工件架上的基片之间的位置关系来确定在所述坩埚运动路径上各个所述暂停阶段的蒸发时间的初始值，再根据实际镀膜厚度结果，对各个所述蒸发时间的初始值进行修正，直至满足镀膜厚度均匀性的要求。