CN105684704A - 一种霍山石斛立体式栽培方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种霍山石斛立体式栽培方法,包括以下步骤:(一)栽培设施的准备;(二)苗床制作安置;包括以下步骤:(1)钉制框架;(2)钉制苗床板,带树皮的边板设置在框架上,并保证树皮朝外;(三)石斛种苗栽培管理,包括以下步骤:(1)定植种苗,将准备好的石斛种苗根部舒展开并覆盖上一层青苔,并设置在苗床边板上;种苗扎根于相邻的边板上,相邻的边板上不种,种苗头朝上方,浇定根水;(2)正常管理。本发明具有空间利用率高、降低种植成本、提高成活率、方便管理、灵活多变的优点。
Description
技术领域
本发明涉及霍山石斛栽培技术领域,尤其涉及一种霍山石斛立体式栽培方法。
背景技术
霍山石斛(学名:DendrobiumhuoshanenseC.Z.TangetS.J.Cheng)俗称米斛,是兰科石斛属的草本植物。茎直立,肉质,不分枝,具3-7节,淡黄绿色,有时带淡紫红色斑点,干后淡黄色。叶革质,2-3枚互生于茎的上部,斜出,舌状长圆形。总状花序1-3个,从落了叶的老茎上部发出,具1-2朵花;花淡黄绿色,开展;花瓣卵状长圆形,先端钝,具5条脉;唇瓣近菱形,长和宽约相等。花期5月。
霍山石斛是中国国家地理标志产品。主产于大别山区的安徽省霍山县,大多生长在云雾缭绕的悬崖峭壁崖石缝隙间和参天古树上,生于山地林中树干上和山谷岩石上。霍山石斛能大幅度提高人体内SOD(延缓衰老的主要物质)水平,对经常熬夜、用脑、烟酒过度,体虚乏力的人群,经常饮用非常适宜。霍山石斛有明目作用,也能调和阴阳、壮阳补肾、养颜驻容,从而达到保健益寿的功效。
目前霍山石斛的种植模式主要有地栽模式、架空平面栽培模式、树栽模式、林下栽培以及盆栽等模式,这些栽培模式空间面积的利用率都相对比较低。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提供一种空间利用率高、降低种植成本、提高成活率、方便管理、灵活多变的霍山石斛立体式斜面栽培方法。
本发明主要采用下述技术手段解决上述技术问题的:一种霍山石斛立体式栽培方法,包括以下步骤:
(一)栽培设施的准备;
(二)苗床制作安置;包括以下步骤:
(1)钉制框架;
(2)钉制苗床板,带树皮的边板设置在框架上,并保证树皮朝外;
(三)石斛种苗栽培管理,包括以下步骤:
(1)定植种苗,将准备好的石斛种苗根部舒展开并覆盖上一层青苔,并设置在苗床边板上;种苗扎根于相邻的边板上,相邻的边板上不种,种苗头朝上方,浇定根水;
(2)正常管理。
优选地,所述栽培设施的准备包括以下步骤:
(1)选择基地;
(2)整理基地,用挖机将选好的地块整理成平整的方形地块,然后用挖机在整个基地的外围挖出主排水沟,将基地外围和内部的雨水和灌溉用水集中排入基地附近的河道里;在基地的南北方向间隔挖出作为整排大棚雨水和灌溉用水汇聚的排水沟,并与主排水沟相连通;
(3)搭建大棚,在基地上建造钢架大棚,在建造好的钢架大棚顶上覆盖一层塑料无滴薄膜和遮荫度为70%的遮荫网,遮阳网覆盖在最上边;在两大棚之间挖一条引流的水沟,水沟与对应的排水沟相连接,且沟深不超过排水沟的沟深;在两排大棚之间的过道上方用70%的遮阳网遮阳,遮阳网扎到各个棚头上。
优选地,所述主排水沟的宽度为2米、深度为1.5~2米;所述排水沟的宽度为0.8米、深度为0.5米,且南北方向隔间27米设置;紧邻排水沟东边铺一条宽1米的水泥路;各水沟的边缘和沟底用小方砖和水泥砌起抹平;所述大棚呈东西方向搭建;所述大棚的规格为长25米、宽8米、高4米,肩高2米,所述大棚的一端与排水沟相距20cm,另一端与基地内部道路相连;大棚之间间隔1米的距离。
优选地,所述步骤(二)中钉制框架,将5cm宽的方木料钉好做成横竖间隔0.5m宽2m、长5m的网络状框架;钉制苗床板,将宽10cm厚2cm、宽5cm厚2cm的两种带树皮的长方形边板的长度平行于框架长度方向、并沿着框架的宽度方向交替设置在框架上;苗床板呈倾斜状设置,将两块苗床板块背靠背,保证树皮朝外;两块苗床板块上部固定、下部分开呈夹角立于地面上,侧面和地面呈等腰三角形。
优选地,将做好的苗床按每组苗床横向间隔50cm,纵向间隔1米排放在大棚内,苗床与大棚边缘留有50cm的道路。
优选地,所述苗床制作安置还包括安装喷灌;喷头悬挂安装在苗床的上方;将直径2.5cm、长25米的3根塑料水管间隔2米均匀平行的用托木线整齐的悬挂在苗床上方25cm处;将喷头间隔2米均匀安装到水管上,喷头朝下。
优选地,将石斛种苗根牢牢的钉到苗床的斜面10cm宽的边板上,5cm宽边板用于种苗扎根,种苗头朝上方,间隔10cm。
优选地,所述正常管理包括以下步骤:
(8.1)定植后1周内空气湿度宜保持在80%~95%,1周后空气湿度保持在70%~80%。
(8.2)在新根萌动后,喷施液体肥,浓度为0.1%,15天喷施1次。
优选地,当栽培床面偏干时,补充水分;大棚内温度白天保持在20~26℃,最低温不低于4℃,最高温不高于35℃;夏天高温低湿,采取遮荫及喷灌进行降温加湿;冬季气温低,通过加盖保温膜给大棚加温;用诱杀、人工捕杀或用茶麸浸出液喷雾防治蜗牛;将生有菲盾蚧的老枝烧毁或用茶麸浸出液喷雾杀灭石斛菲盾蚧;清除周边环境的杂草或喷螨危用以防治红蜘蛛。
优选地,步骤(8.2)中喷施的液体肥为磷酸二氢钾溶液、沼液的一种。
本发明具有空间利用率高、降低种植成本、提高成活率、方便管理、灵活多变的优点。
具体实施方式
实施例1
本实施例公开一种霍山石斛立体式栽培方法,包括以下步骤:
(一)栽培设施的准备;
(二)苗床制作安置;包括以下步骤:
(1)钉制框架;
(2)钉制苗床板,带树皮的边板设置在框架上,并保证树皮朝外;
(三)石斛种苗栽培管理,包括以下步骤:
(1)定植种苗,将准备好的石斛种苗根部舒展开并覆盖上一层青苔,并设置在苗床边板上;种苗扎根于相邻的边板上,相邻的边板上不种,种苗头朝上方,浇定根水;
(2)正常管理。
实施例2
本实施例为实施例1的优化实施例,本实施例包括以下步骤:
(一)栽培设施的准备,栽培大棚的建立要满足以下条件:棚的大小要根据种植规模的大小合理设计,大棚一般长25m、宽8m,肩高2m,总高4m左右。种植苗床之间要预留道路,方便管理。棚顶覆盖塑料无滴薄膜和遮荫度为70%的遮荫网,大棚四周要有排水沟要求排水方便,不得有积水,在棚内要求安装喷雾灌溉系统。
具体做法如下:
1、选择基地,选择开阔通风、阳光充足、排水容易的地块作为石斛的栽培基地,大棚东西方向搭建。
2、整理基地,用挖机将选好的地块整理成平整的方形地块,然后用挖机在整个基地的外围挖出宽2米、深1.5~2米的深沟作为主排水沟,将基地外围和内部的雨水和灌溉用水集中排入基地附近的河道里。在基地的南北方向间隔27米挖出宽0.8米深0.5米的浅沟作为整排大棚雨水和灌溉用水汇聚的排水沟,并与主排水沟相连通;紧邻排水沟东边铺一条宽1米的水泥路;最后将各水沟的边缘和沟底用小方砖和水泥砌起抹平。
3、搭建大棚在基地东西方向上建造长25米、宽8米、高4米,肩高2米,总高4米的钢架大棚,大棚的一端与水沟相距20cm,另一端与基地内部道路相连,大棚之间间隔1米的距离;在建造好的钢架大棚顶上覆盖一层塑料无滴薄膜和遮荫度为70%的遮荫网,遮阳网覆盖在最上边;在两大棚之间挖一条引流的水沟,并与对应的排水沟相连接,水沟沟深不超过对应的排水沟沟深,保证积水顺利排出。在两排大棚之间的过道上方用70%的遮阳网遮阳,遮阳网扎到各个棚头上,扎牢,不能随风飘动。
(二)苗床制作安置,具体做法如下:
(1)准备材料用具,准备好制作苗床的材料5cm宽方木料、宽10cm厚2cm和宽5cm厚2cm的两种带树皮的松树边板;
(2)钉制框架,用铁钉将5cm宽的方木料钉好做成横竖间隔0.5m宽2m、长5m的网络状框架;
(3)钉制苗床板,将宽10cm厚2cm和宽5cm厚2cm的两种带树皮的长方形边板平行于框架长度方向,用铁钉沿着框架的宽度方向交替钉在网络状框架上作为苗床床面,要求排列整齐美观;
(4)转移组装苗床,将两块同样钉好的苗床板,移到预定好要摆放的位置,移动时要小心轻放,注意安全,将两块同样钉好的苗床板背靠背(树皮朝外),上部紧贴、下部分开呈60°角立于地面上,侧面和地面呈等边三角形,将上部用10#铁丝拧紧固定死,底部用方木料将两块苗床进一部固定,木料与端面的等边三角形平行,以防止两片苗床床面滑动,这样整组苗床就准备好了,将其挪移到预定好的位置摆放好。
(5)排列放置苗床,重复以上4个步骤,将做好的苗床按每组苗床横向间隔50cm,纵向间隔1米,一组组均匀整齐的纵向排放在大棚内,苗床与大棚边缘留有50cm的道路,保证大棚的透气通风和便于管理。
(6)安装喷灌将喷灌设施,喷头均匀合理的悬挂安装在苗床的上方。将直径2.5cm、长25米的3根塑料水管间隔2米均匀平行的用托木线整齐的悬挂在苗床上方25cm处;将喷头间隔2米均匀安装到水管上,喷头朝下;调试喷灌,保证苗床床面的每个角落都能浇上水。
(三)石斛种苗栽培管理
石斛生长需要的条件比较苛刻,合理控制石斛生长所需适宜的光照、温度、湿度等条件,才能生产出优质高产的石斛产品来。
(1)定植种苗,将准备好的石斛种苗根部舒展开并覆盖上一层青苔,用铁钉将根牢牢的钉到苗床的斜面10cm宽的边板上,5cm宽边板用于种苗扎根,不种,种苗头朝上方,间隔10cm,要求均匀整齐,浇足定根水。
石斛为丛生植物,多株种植比单株种植长势更好,以3~5株1丛种植更适宜;栽培时间以3~6月为宜,其间栽培的种苗成活率较高,且生长健壮。
(2)正常管理
(2.1)定植后1周内空气湿度宜保持在80~95%,1周后空气湿度保持在70%~80%。不同季节浇水量也不同,夏天气温高、蒸发量大,基本上需要天天浇水;冬天温度低、水分不易散失,因而需根据含水量而定,栽培床面若偏干,补充一些水分。大棚内温度白天保持在20~26℃,低温不要低于4℃,高温不要高于35℃。夏天高温低湿,采取遮荫及喷灌等措施进行降温加湿,但在保持温度的同时要注意通风,特别是夏天高温天气,更要注意空气流通,防止病虫害的发生;冬季气温低时,可通过加盖保温膜给大棚加温。
(2.2)石斛气生根的营养主要靠根系的兰菌固定空气中的游离氮,但是施加适当的肥料能促进茎部增大,叶片肥壮。在新根萌动后,开始喷施液体肥,如磷酸二氢钾溶液、沼液,浓度为0.1%,15天喷施1次,帮助其茁壮成长。
(2.3)石斛的主要病害有软腐病、白绢病、炭疽病等。软腐病发病快,严重时整株腐烂解体呈湿腐状;白绢病传染性强,致死率高,受害植株的根部前期遍布放射状白色菌丝,几天后出现茶色菌核;黑斑病危害叶片,使叶片枯萎;石斛炭疽病危害叶片及肉质茎,受害叶片出现黑色或褐色病斑。针对这些常见病害要加强棚内管理、注意通风透光、降低棚内湿度,施药并拔出病株带离。
(4)石斛的主要虫害有蜗牛、菲盾蚧、红蜘蛛等。其中,蜗牛是常见害虫,危害幼茎、嫩叶、花蕾和幼果,可用诱杀、人工捕杀或用茶麸浸出液等喷雾防治;石斛菲盾蚧寄生于植株叶片边缘或背面吸食汁液,可将集中有菲盾蚧的老枝烧毁或用茶麸浸出液等喷雾杀灭:红蜘蛛通过清除周边环境的杂草或喷螨危用以防治。
立体式斜面栽培模式与其他种植模式相比:
1、空间利用率明显提高。按长25米、宽8米、高4米的大棚来看,立体式斜面栽培方式在大棚宽度方向上摆放三组苗床(苗床宽2米,60°角人字形摆放,底边占地2米宽,三组共6米,剩下2米正好是大棚两边及中间便于管理的过道宽0.5米共4道),六扇床面共12米宽的种植宽度;大棚长度方向摆放四组苗床(一组5米,四组加两头共5个1米过道),共20米的种植长度,所以一个大棚的栽种面积为240m2。苗盘(42cm×42cm)种植,按一个大棚三畦为例,两边加中间4个0.4米过道共1.6米,剩下6.4米可摆放15个方盘共6.3米;两头除去0.5米的管理空间,共有24米的种植长度,所以一个大棚的栽种面积为151.2m2。所以一个大棚立体式斜面栽培比方盘栽培模式多出88.8m2的种植面积,是方盘栽培面积的1.59倍。
2、降低种植成本。立体式斜面栽培方式无需另外的基质,石斛根系直接扎根于苗床床面上,所以不需要专门的基质来栽培石斛,从而减少了基质的费用,降低了种植成本。
3、提高成活率。石斛种植中湿度最难控制,湿度过大,容易生病;湿度过低,石斛又生长不好。传统的栽培模式基质湿度不易控制均匀,同一块苗床,有的过湿,有的地方反而还很干。立体式斜面栽培方式通过调节控制空气湿度来满足种苗对水的需求,而且木板苗床本身有吸水性,可以确保透风而湿润的生长环境;这种模式没有颗粒状的基质,种苗直接扎根于苗床床面上,浇水后不会形成积水,不会因积水过多而造成烂根,同时减少了病菌的滋生场所,大大减少了疾病的发生和农药的使用,提高了石斛种苗的成活率和石斛产品的品质。
4、方便管理。立体式斜面栽培方式管理方便、易于观察、容易沥水,可以减少病虫害的发生,给工作技术人员带来了极大地方便。
5、灵活多变。立体式斜面栽培方式苗床按地点地形,可大可小,可双面也可单面,灵活多变,美观大方,适合各种地形和不同大小的场所种植,也适合家庭庭院和阳台的栽培,既美观又适用。
以上所述仅为本发明创造的较佳实施例而已,并不用以限制本发明创造,凡在本发明创造的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明创造的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种霍山石斛立体式栽培方法,所述方法包括:(一)栽培设施的准备;其特征在于,所述方法还包括以下步骤:
(二)苗床制作安置;包括以下步骤:
(1)钉制框架;
(2)钉制苗床板,带树皮的边板设置在框架上,并保证树皮朝外;
(三)石斛种苗栽培管理,包括以下步骤:
(1)定植种苗,将准备好的石斛种苗根部舒展开并覆盖上一层青苔,并设置在苗床边板上;种苗扎根于相邻的边板上,且所述相邻的边板上不种,种苗头朝上方,浇定根水;
(2)正常管理。
2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,所述栽培设施的准备包括以下步骤:
(1)选择基地;
(2)整理基地,用挖机将选好的地块整理成平整的方形地块,然后用挖机在整个基地的外围挖出主排水沟,将基地外围和内部的雨水和灌溉用水集中排入基地附近的河道里;在基地的南北方向间隔挖出作为整排大棚雨水和灌溉用水汇聚的排水沟,并与主排水沟相连通;
(3)搭建大棚,在基地上建造钢架大棚,在建造好的钢架大棚顶上覆盖一层塑料无滴薄膜和遮荫度为70%的遮荫网,遮阳网覆盖在最上方;在两大棚之间挖一条引流的水沟,水沟与对应的排水沟相连接,且沟深不超过排水沟的沟深;在两排大棚之间的过道上方用70%的遮阳网遮阳,遮阳网扎到各个棚头上。
3.根据权利要求2所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,所述主排水沟的宽度为2米、深度为1.5~2米;所述排水沟的宽度为0.8米、深度为0.5米,且南北方向隔间27米设置;紧邻排水沟东边铺一条宽1米的水泥路;各水沟的边缘和沟底用小方砖和水泥砌起抹平;所述大棚呈东西方向搭建;所述大棚的规格为长25米、宽8米、高4米,肩高2米,所述大棚的一端与排水沟相距20cm,另一端与基地内部道路相连;大棚之间间隔1米的距离。
4.根据权利要求1所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,所述步骤(二)中钉制框架,将5cm宽的方木料钉好做成横竖间隔0.5m宽2m、长5m的网络状框架;钉制苗床板,将宽10cm厚2cm、宽5cm厚2cm的两种带树皮的长方形边板的长度平行于框架长度方向、并沿着框架的宽度方向交替设置在框架上;苗床板呈倾斜状设置,将两块苗床板块背靠背,保证树皮朝外;两块苗床板块上部固定、下部分开呈夹角立于地面上,侧面和地面呈等腰三角形。
5.根据权利要求1所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,将做好的苗床按每组苗床横向间隔50cm,纵向间隔1米排放在大棚内,苗床与大棚边缘留有50cm的道路。
6.根据权利要求5所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,所述苗床制作安置还包括安装喷灌;喷头悬挂安装在苗床的上方;将直径2.5cm、长25米的3根塑料水管间隔2米均匀平行的用托木线整齐的悬挂在苗床上方25cm处;将喷头间隔2米均匀安装到水管上,喷头朝下。
7.根据权利要求4所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,将石斛种苗根牢牢的钉到苗床的斜面10cm宽的边板上,5cm宽边板用于种苗扎根,种苗头朝上方,间隔10cm。
8.根据权利要求1所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,所述正常管理包括以下步骤:
(8.1)定植后1周内空气湿度宜保持在80%~95%,1周后空气湿度保持在70%~80%。
(8.2)在新根萌动后,喷施液体肥,浓度为0.1%,15天喷施1次。
9.根据权利要求8所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,当栽培床面偏干时,补充水分;大棚内温度白天保持在20~26℃,最低温不低于4℃,最高温不高于35℃;夏天高温低湿,采取遮荫及喷灌进行降温加湿;冬季气温低,通过加盖保温膜给大棚加温;用诱杀、人工捕杀或用茶麸浸出液喷雾防治蜗牛;将生有菲盾蚧的老枝烧毁或用茶麸浸出液喷雾杀灭石斛菲盾蚧;清除周边环境的杂草或喷螨危用以防治红蜘蛛。
10.根据权利要求8所述的一种霍山石斛立体式栽培方法,其特征在于,步骤(8.2)中喷施的液体肥为磷酸二氢钾溶液、沼液的一种。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160622 |