CN105680320A - 一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器 - Google Patents
一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105680320A CN105680320A CN201610149835.2A CN201610149835A CN105680320A CN 105680320 A CN105680320 A CN 105680320A CN 201610149835 A CN201610149835 A CN 201610149835A CN 105680320 A CN105680320 A CN 105680320A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tunable
- semiconductor laser
- external cavity
- waveguide
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
Abstract
一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器属于半导体激光器技术领域，目的在于解决单一激光器难以满足在模式特性、光束质量、线宽、相干性、可调谐的综合要求。其由增益芯片、可调谐外腔、带有弯曲波导的倾斜功率放大器通过端面直接耦合构成。增益芯片实现单模宽光谱的激光输出。可调谐外腔采用SOI材料，通过增加腔长和激光谐振腔品质因数Q方式窄化线宽，采用热调制材料折射率实现可调谐。带有弯曲波导的倾斜功率放大器，在保证增益芯片和可调谐外腔稳定性下，实现高功率、高光束质量的激光输出。本发明实现单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐等集于一体的新型半导体激光器，在空间激光通信、激光雷达等领域有重要应用前景。
Description
技术领域
本发明属于半导体激光器技术领域，具体涉及一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器。
背景技术
在光通信、光信息存储、3D激光打印、光学测量、固体激光器泵浦源、激光分子光谱学等领域，传统半导体激光器被广泛应用。但是，由于单一激光器在线宽、光束质量、亮度、调谐能力等特征，不能同时满足在高速、高精度远距离的空间激光通信、碱性原子钟、激光雷达、量子信息科学、精密光谱测量等领域应用。因此，为了满足上述应用，需要制备单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐集为一体的新型半导体激光器。
目前，常用窄线宽半导体激光器有光纤激光器、分布反馈布拉格半导体激光器(DFB激光器)、分布布拉格反射激光器(DBR激光器)、外腔半导体激光器。DFB和DBR激光器的线宽为MHz级别，温度稳定性差、相位噪声高；光纤激光器，制作成本高、可靠性差、抗空间干扰能力差；然而，外腔半导体激光器的优势：线宽为百KHz量级、稳定性高、相位噪声小、成本低廉、抗空间干扰能力强等。
外腔激光器可分为两种类型：增益芯片与外腔集成型、增益芯片与外腔分离独立型。增益芯片和外腔分离独立型优势：提供更窄线宽、激光器模式稳定等。然而，由于增益芯片和外腔部分独立设计，在端面耦合部分将会引入较大的耦合损耗，导致输出功率下降；可通过增加增益芯片的长度从而增加输出功率，但劣化阈值电流等指标。更重要的是，在外腔中光子能量过高，导致外腔模式不稳定，引起模式的跳跃和额外的模式。增益芯片的腔面的能量过大将会导致自聚焦效应、灯丝效应、空间烧孔等影响光束质量现象。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，该激光器解决现有激光器难以满足单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的问题。
本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：
一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，该激光器包括：增益芯片、可调谐外腔和带有弯曲波导的倾斜功率放大器；可调谐外腔的两端分别于增益芯片和带有弯曲波导的倾斜功率放大器相连。
本发明的有益效果是：
1、线宽更窄：相比较普通外腔半导体激光器结构，本发明在可调谐外腔采用三条脊形平面波导通过两个圆环耦合连接结构，此结构增加外腔长度。进一步，两个圆环结构提高激光谐振腔的品质因数Q值(>2000)。
根据肖洛-汤斯线宽公式:
ΔνST＝(hν/P0)(πnspη0)(ΔνC)2
其中ΔνC是除去增益介质及损耗之后谐振腔本身的固有激光线宽，hν是光子能量，P0是输出功率，nsp是粒子数反转因子，η0是输出功率耦合效率。
增加腔长可有效减少激光器固有线宽，实现激光线宽变窄；进一步，外腔具有高激光谐振腔品质因数Q值，激光介质增益将会在极短时间内远超过阈值，极其快速产生振荡，光子以极高速率增长，实现窄线宽激光输出。通过增加谐振腔腔长和激光谐振腔品质因数Q值的方式，使输出激光线宽变得更窄。
2、波长可调谐：可调谐外腔部分，采用高热光系数材料(～10-4)，在圆环部分采用热方式改变材料折射率，改变外腔的模式分布，从而改变激光器的模式分布，实现对输出波长的调谐。
3、功率高、光束质量高、稳定性好：经过带有弯曲波导的倾斜功率放大器，在不产生其他光学模式的情况下，实现高功率输出(>1W)。采用锥形放大器，避免了由于端面的能量密度过大，引发的自聚焦、灯丝效应等影响，改善快慢轴发散角，实现高光束质量(M2<3)激光输出。弯曲波导倾斜放大器设计，避免放大器输出腔面高能量的反馈对增益芯片和可调谐区域的扰动，减少负反馈，保证窄线宽、可调谐部分的稳定性。进一步，弯曲波导可过滤高阶模式，保证在功率放大器仅对单模放大。
4、可调谐外腔不容易出现非线性效应：可调谐外腔采用SOI(silicon-on-insulator)材料，在光子能量较大的情况下，SOI波导易发生非线性效应，将会对可调谐外腔稳定性产生影响。本发明带有弯曲波导的倾斜功率放大器在可调谐外腔后，在增大输出功率的同时避免了非线性效应的出现，从而实现了在窄线宽，可调谐的情况下的高功率激光输出。
5、耦合效率高(>50％)，易于单片集成：SOI材料体系折射率与增益芯片及放大器的折射率较为接近，将会引起较小的耦合损耗，实现高耦合效率。进一步，SOI材料体系与增益芯片和放大器易于实现单片集成。
6、抗空间辐射能力强：SOI体系材料抗空间辐射能力较强，保证本发明在外太空及特殊环境下的工作稳定性。
附图说明
图1本发明一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器的立体图
图2本发明一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器可调谐外腔俯视图。
图3本发明一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器带有弯曲波导的倾斜功率放大器。
图中：1、增益芯片，2、可调谐外腔，3、带有弯曲波导的倾斜功率放大器，4、脊形波导，5、圆环，6、热调制器，7、弯曲波导和8、倾斜功率放大器。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步详细说明。
如图1所示，一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器包括：增益芯片1、可调谐外腔2、带有弯曲波导的倾斜功率放大器3；通过直接耦合对准使增益芯片1、可调谐外腔2和带有弯曲波导的倾斜功率放大器3构成完整光路系统。
所述的增益芯片1，作用是产生单模宽光谱的光源。为实现窄线宽激光输出，增益芯片的脊形波导4必须采用单模波导或近似单模波导。因此，本发明中增益芯片的脊形波导4采用窄脊型半导体折射率波导。
如图2所示，所述的可调谐外腔2，作用是压缩激光器固有线宽和波长可调谐。材料是SOI，结构是三条可调谐外腔的脊形波导通过两个圆环5耦合连接，通过在圆环5上制备热调制器6实现波长可调谐。增益芯片1和三条脊形波导和2个圆环5构成的可调谐外腔2形成新的激光谐振腔。可调谐外腔的脊形波导的结构是与增益芯片的脊形波导4的尺寸相同的单模脊形波导。可调谐外腔的脊形波导和圆环5通过耦合实现光传输。热调制器6通过加热方式改变半导体材料的折射率，根据游标效应实现波长调制。
如图3所示，所述的带有弯曲波导的倾斜功率放大器3，作用是在不产生其他光学模式的情况下放大输出功率。带有弯曲波导的倾斜功率放大器3的脊形波导和弯曲波导7，采用与增益芯片1相同材料。带有弯曲波导的倾斜功率放大器3的脊形波导的结构尺寸与可调谐外腔的脊形波导相同。弯曲波导7，结构采用半径在1-4mm的角度为3-10°圆弧形状的脊形波导，避免放大器输出腔面高能量的反馈对增益芯片1和可调谐区域2的扰动。倾斜的功率放大器8，结构是锥形波导，与弯曲波导7相连，实现功率放大功能。
所述的增益芯片1，可调谐外腔2、带有弯曲波导的倾斜功率放大器3通过物理直接耦合方式，集成于同一热沉上。增益芯片1和可调谐外腔2参与激光谐振，影响激光器的线宽和可调谐特征。带有弯曲波导的倾斜功率放大器3对输出功率放大，影响激光器的光束质量和功率特征。增益芯片1和带有弯曲波导的倾斜功率放大器3，采用不同的电流注入；可调谐外腔2，采用热调制器控制方式调节波长的变化。
因此，三个部分构成整体实现单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的激光输出。
以下结合参考附图对本发明的制备方法进行详细的描述：
如图1、图2和图3所示，本发明中，分为增益芯片1制备、可调谐外腔2制备、带有弯曲波导的倾斜功率放大器3制备。
增益芯片1制备方法：
步骤101：采用已经设计并制备好的1550nm的半导体激光器芯片，清洗外延芯片；
步骤102：在清洗好的外延芯片P面，对增益芯片1的脊形波导4的图形转移，利用i-line光刻、干法刻蚀制备增益芯片的脊形波导4；
步骤103：在P面生长绝缘层，并采用i-line光刻、湿法腐蚀方式制备电极窗口；
步骤104：进行P面和N面电极制备；
步骤105：通过解理划片得到单管增益芯片1，通过测试筛选目标增益芯片1；
步骤106：在增益芯片1的一端镀增透膜，另一端镀高反膜。
可调谐外腔2制备方法：
步骤201：采用4寸SOI材料，清洗外延芯片；
步骤202：对脊形波导和圆环5进行图形转移，采用stepper光刻、干法刻蚀制备可调谐外腔的脊形波导和圆环5；
步骤203：在圆环5的部分区域，采用剥离技术(lift-off)制备金属覆盖层，实现热调制器6制备；
步骤204：采用划片方式得到单个可调谐外腔2；
步骤205：对单个器件的端面进行端面磨抛处理；进一步，对端面一段镀增透膜。
带有弯曲波导的倾斜功率放大器3制备方法：
步骤301：采用与增益芯片1相同的芯片外延结构的芯片，清洗外延芯片；
步骤302：在清洗好的外延芯片P面，对弯曲波导7和倾斜功率放大器8的图形转移，利用i-line光刻、干法刻蚀制备弯曲波导7和倾斜功率放大器8；
步骤303：在P面生长绝缘层，采用i-line光刻、湿法腐蚀方式制备电极窗口；
步骤304：进行P面和N面电极制备；
步骤305：通过解理划片得到单个芯片，通过测试筛选目标芯片。
Claims (8)
1.一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于，该激光器包括：增益芯片、可调谐外腔和带有弯曲波导的倾斜功率放大器；可调谐外腔的两端分别于增益芯片和带有弯曲波导的倾斜功率放大器相连。
2.根据权利要求1所述的一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于，该激光器还包括集成在所述增益芯片、可调谐外腔和带有弯曲波导的倾斜功率放大器下面的热沉。
3.根据权利要求1所述的一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于，所述增益芯片为在半导体芯片上制作采用窄脊形半导体折射率波导的脊形波导。
4.根据权利要求1所述的一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于，所述可调谐外腔为在SOI上制作三条或五条可调谐外腔的脊形波导；每两条脊形波导通过一个圆环耦合连接。
5.根据权利要求4所述的一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于，在所述圆环的一半上制备热调制器。
6.根据权利要求3或4所述的一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于，所述增益芯片上的脊形波导与可调谐外腔上的脊形波导为尺寸相同的单模脊形波导。
7.根据权利要求1所述的一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于，所述带有弯曲波导的倾斜功率放大器为在半导体芯片上制作脊形波导、弯曲波导和倾斜功率放大器，所述弯曲波导的两端分别与脊形波导和倾斜功率放大器连接。
8.根据权利要求7所述的一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于，所述弯曲波导的角度为3-10度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610149835.2A CN105680320A (zh) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610149835.2A CN105680320A (zh) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105680320A true CN105680320A (zh) | 2016-06-15 |
Family
ID=56310527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610149835.2A Pending CN105680320A (zh) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105680320A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018086618A1 (zh) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 窄线宽激光器 |
| WO2018121381A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Folded waveguide structure semiconductor laser |
| CN108376251A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-08-07 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 控制方法、控制装置、终端、计算机设备和存储介质 |
| WO2019075631A1 (zh) * | 2017-10-17 | 2019-04-25 | 中国科学院半导体研究所 | 弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组 |
| CN110401105A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-11-01 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 单片集成的窄线宽激光器及制作方法 |
| WO2020251633A2 (en) | 2019-03-06 | 2020-12-17 | Silc Technologies, Inc. | Amplification of lidar output signals |
| CN113285348A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 单芯片窄线宽半导体激光器及其制备方法 |
| US11335028B2 (en) | 2018-02-27 | 2022-05-17 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Control method based on facial image, related control device, terminal and computer device |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023242A2 (en) * | 2000-09-12 | 2002-03-21 | Lambda Crossing Ltd. | Ring waveguide based optical device |
| US20030089915A1 (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-15 | Hrl Laboratories, Llc | Waveguide-bonded optoelectronic devices |
| US20080056311A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Nec Corporation | Light-emitting element |
| CN101222121A (zh) * | 2007-12-13 | 2008-07-16 | 清华大学 | 利用soa四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件 |
| US20090285251A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Hiroyuki Yamazaki | Planar lightwave circuit and tunable laser device having the same |
| CN104253655A (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 上海贝尔股份有限公司 | 用于twdm-pon的波长可调的发射器和光网路单元 |
| CN104901159A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 多波导集成谐振半导体激光器 |
-
2016
- 2016-03-16 CN CN201610149835.2A patent/CN105680320A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023242A2 (en) * | 2000-09-12 | 2002-03-21 | Lambda Crossing Ltd. | Ring waveguide based optical device |
| US20030089915A1 (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-15 | Hrl Laboratories, Llc | Waveguide-bonded optoelectronic devices |
| US20080056311A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Nec Corporation | Light-emitting element |
| CN101222121A (zh) * | 2007-12-13 | 2008-07-16 | 清华大学 | 利用soa四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件 |
| US20090285251A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Hiroyuki Yamazaki | Planar lightwave circuit and tunable laser device having the same |
| CN104253655A (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 上海贝尔股份有限公司 | 用于twdm-pon的波长可调的发射器和光网路单元 |
| CN104901159A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 多波导集成谐振半导体激光器 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| D.G.RABUS等: ""A GaInAsP-InP double-ring resonator coupled laser"", 《IEEE》 * |
| 张彤: "《光电子物理及应用》", 30 June 2015 * |
| 路甬祥: "《现代科学技术大众百科 技术卷》", 30 June 2001 * |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019533911A (ja) * | 2016-11-14 | 2019-11-21 | 中国科学院蘇州納米技術与納米▲ファン▼生研究所 | 狭線幅のレーザ装置 |
| US10992107B2 (en) | 2016-11-14 | 2021-04-27 | Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences | Narrow-linewidth laser |
| WO2018086618A1 (zh) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 窄线宽激光器 |
| WO2018121381A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Folded waveguide structure semiconductor laser |
| US10348055B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-07-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Folded waveguide structure semiconductor laser |
| WO2019075631A1 (zh) * | 2017-10-17 | 2019-04-25 | 中国科学院半导体研究所 | 弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组 |
| CN108376251A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-08-07 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 控制方法、控制装置、终端、计算机设备和存储介质 |
| US11335028B2 (en) | 2018-02-27 | 2022-05-17 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Control method based on facial image, related control device, terminal and computer device |
| WO2020251633A2 (en) | 2019-03-06 | 2020-12-17 | Silc Technologies, Inc. | Amplification of lidar output signals |
| JP2022522711A (ja) * | 2019-03-06 | 2022-04-20 | シルク テクノロジーズ インコーポレイティッド | Ｌｉｄａｒ出力信号の増幅 |
| EP3935404A4 (en) * | 2019-03-06 | 2023-03-15 | SiLC Technologies, Inc. | AMPLIFICATION OF LIDAR OUTPUT SIGNALS |
| US11635491B2 (en) * | 2019-03-06 | 2023-04-25 | Silc Technologies, Inc. | Amplification of LIDAR output signals |
| JP7465885B2 (ja) | 2019-03-06 | 2024-04-11 | シルク テクノロジーズ インコーポレイティッド | Ｌｉｄａｒ出力信号の増幅 |
| CN110401105A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-11-01 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 单片集成的窄线宽激光器及制作方法 |
| CN113285348A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 单芯片窄线宽半导体激光器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105680320A (zh) | 一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器 | |
| Babin et al. | Tunable random fiber laser | |
| Xu et al. | Metasurface external cavity laser | |
| US7778291B2 (en) | Wavelength converting laser device | |
| CN105071206B (zh) | 一种基于激光介质中心零增益结构的涡旋激光器 | |
| CN103915758B (zh) | 一种多模干涉结构太赫兹量子级联激光器及制作方法 | |
| AU2675501A (en) | Semiconductor laser element having a diverging region | |
| CN105406331A (zh) | 一种基于碲酸盐光纤的超过中红外5μm波段的拉曼光纤激光器 | |
| CN103872575A (zh) | 一种yag泵浦的共焦非稳腔气体拉曼激光器 | |
| CN107872002A (zh) | 一种高效率全光纤柱矢量光束激光器 | |
| JP2005322864A (ja) | 短パルス光源 | |
| CN104868359B (zh) | 基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器 | |
| CN104051938A (zh) | 一种光纤激光器装置 | |
| CN105375255A (zh) | 基于变透过率腔镜的激光器输出功率优化方法 | |
| CN103188019B (zh) | 基于双波长单频光纤激光器的微波信号源 | |
| TWI423545B (zh) | 腔內上轉換雷射 | |
| CN102332676A (zh) | 一种中红外光纤激光器 | |
| CN201332218Y (zh) | 双波长半导体激光器 | |
| Suzuki et al. | Wavelength tunable laser diodes with Si-wire waveguide ring resonator wavelength filters | |
| US7079310B2 (en) | Gain-clamped optical amplifier | |
| CN105098591A (zh) | 波长锁定ld共振泵浦连续波自拉曼激光器 | |
| CN112213813A (zh) | 一种超宽带高增益的多芯光纤光源 | |
| CN216085690U (zh) | 一种简易超连续谱光纤谐振腔 | |
| CN203288929U (zh) | 频率调制单频光纤激光器 | |
| JP5540360B2 (ja) | 光パワーモニタ集積ｄｆｂレーザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160615 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |