CN105679788B - 一种柔性屏体邦定方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供的柔性屏体邦定方法，在柔性基板正面的像素区域和邦定区域分别形成若干像素单元和若干邦定引线，在柔性基板上形成覆盖所述像素单元和所述邦定引线的封装层；在柔性基板邦定区域各条邦定引线位置对应的背面形成连通绑定引线的通孔；在通孔内填充导电材料，将邦定引线通过通孔从柔性基板背面引出；将集成电路芯片和/或柔性线路板邦定在柔性基板背面所述通孔处，从而实现基于原子层沉积技术进行封装的柔性屏体邦定。这种技术可以在封装工艺过中不使用掩膜(mask)等遮挡邦定电路区域，通过在基板背面对应于引线位置打孔填充导电材料，进而引出邦定引线就可以实现邦定，工艺简单，生产成本低。

Description

一种柔性屏体邦定方法

技术领域

本发明涉及有机光电领域，具体涉及一种柔性屏体邦定方法。

背景技术

有机电致发光显示器件(英文全称为Organic Light-Emitting Display，简称为OLED)是一种全新的显示技术，因其发光亮度高、色彩丰富、低压直流驱动、制备工艺简单等优点，日益成为国际研究的热点。与现有主流显示器件——有源驱动液晶显示器件相比，寿命较短仍是制约OLED商业化的重要因素之一。

研究表明，空气中的水汽和氧气等成分对OLED的寿命影响很大，其原因主要为：OLED工作是主要从阴极注入电子，这就要求阴极材料具有极低的功函数，但是低功函数金属(如镁、钙等)化学性质活泼，易与渗透进来的水汽和氧气发生反应。另外，水、氧还会影响空穴传输材料、电子传输材料等有机功能层的性能，使得器件劣化，从而影响OLED的寿命。因此，对OLED进行有效封装，使得OLED中的各功能层远离水汽和氧气，就可以大大提升OLED的使用寿命。

现有技术中，OLED的封装方法主要有两种。一种是，如图1所示，在基板1的像素区域11形成各像素单元，并在邦定(bonding)区域12形成邦定引线(PIN)后，在像素区域上盖上一盖板2，并用环氧树脂将基板1和盖板2粘结在一起。

对于柔性OLED来说，图1中使用的基板1和盖板2均为柔性聚合物，如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚苯醚砜(PES)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)以及聚酰亚胺(PI)等。然而，与玻璃衬底相比，大部分聚合物薄膜的水、氧透过率比较高，不足以保证器件的长期可靠运行，所以通常采用双面封装的方式，即在柔性基板的正面和背面都进行封装，以保证水汽和氧气也不会从背面透过。常见聚合物衬底的水汽、氧气渗透速率如下表所示：

目前封装效果较好的是Barix封装结构，如图2所示，即在像素单元上通过气相沉积(CVD、PVD或PECVD)工艺形成交替设置有机平坦化层和无机水氧阻挡层，作为封装层3直接覆盖像素单元，以实现阻挡水汽和氧气的目的。通常，为了保证成膜的平整性，需要在相邻无机水氧阻挡层之间设置有机平坦化层；为了保证其成膜的致密性，控制膜内缺陷的生长，一般需要设置3～5层以上的无机水氧阻挡层才能达到合适生产OLED的水氧阻隔能力。

原子层沉积(ALD，Atomic Layer Deposition)技术对薄膜生长可精确控制，膜层厚度可达到原子层级，致密度高、平整性好，且沉积的薄膜抗弯曲能力强，可在较薄的封装膜层厚度内，达到良好的封装效果。ALD技术也可以实现低温沉积(小于100℃)，非常适用于对制备温度敏感的OLED器件的封装。因此，ALD工艺为进行OLED封装技术开辟了新路径。

然而，由于ALD的沉积过程需要在经过活性表面处理的基底上进行，为了保证镀膜的致密度，这就使得无法使用掩膜(mask)，从而导致封装膜3也会完全覆盖邦定区域12，使得邦定引线无法导出，导致屏体无法邦定。

发明内容

为此，本发明所要解决的是现有技术中基于原子层沉积工艺等无法使用掩膜的封装方法，屏体无法从正面邦定的问题，提供一种柔性屏体邦定方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：本发明所述的一种柔性屏体邦定方法，包括如下步骤：

S1、在所述柔性基板正面的像素区域和邦定区域分别形成若干像素单元和若干邦定引线，并通过原子层沉积工艺在所述柔性基板上形成覆盖所述像素单元和所述邦定引线的封装层；

S2、在所述柔性基板邦定区域各条邦定引线位置对应的背面形成连通绑定引线的通孔；

S3、在所述通孔内填充导电材料，将所述邦定引线通过所述通孔从柔性基板背面引出；

S4、将集成电路芯片和/或柔性线路板邦定在所述柔性基板背面所述通孔处。

步骤S2中，所述通孔的孔径小于或者等于所述邦定引线的宽度。

步骤S3中，所述导电材料选自但不限于铝、铜、钛、镍、银、金中的一种或多种的组合。

步骤S3中，所述导电材料通过化学或物理气相沉积，或注入填充在所述通孔中。

步骤S1中，各所述邦定引线对应一个或多个通孔。

步骤S1中，所述封装层的厚度为10nm～500nm。

步骤S1中，所述封装层为氧化铝层、氧化硅层、氮化硅层、氧化钛层、氧化锆层、氮氧化铝层、氮氧化硅层、氮化钛中的一层或者多层叠加。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

本发明提供的柔性屏体邦定方法，在所述柔性基板邦定区域各条邦定引线位置对应的背面形成连通至引线的通孔，再在所述通孔内填充导电材料，在所述通孔内填充导电材料，将所述邦定引线通过所述通孔从柔性基板背面引出，从而实现基于原子层沉积技术进行封装的柔性屏体邦定。对于常用的柔性基板来说，基板材料易于打孔，从而从基板的背面打孔连接引线解决了ALD技术不便使用掩膜而导致无法从背面邦定的技术难题。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

图1是现有技术中OLED盖板封装技术的结构示意图；

图2是现有技术中OLED Barix封装技术的结构示意图；

图3是本发明所述的柔性屏体邦定方法中所述通孔开设位置示意图；

图4是本发明所述的柔性屏体邦定方法中IC(集成电路)芯片和/或FPC(柔性线路板)邦定时与基板的相对位置关系图。

图中附图标记表示为：1-基板、11-像素区域、12-邦定区域、2-盖板、3-封装膜、4-通孔、5-集成电路芯片、6-柔性线路板。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

本实施例提供一种柔性屏体邦定方法，包括如下步骤：

S1、如图2所示，在所述柔性基板1正面的像素区域11和邦定区域12分别形成若干像素单元和若干邦定引线，并通过原子层沉积工艺在所述柔性基板1上形成覆盖所述像素单元和所述邦定引线121的封装层3。

S2、如图3所示，在柔性基板1邦定区域12各条邦定引线121对应的背面形成连通绑定引线121的通孔4。

S3、如图4所示，在所述通孔4内填充导电材料，将所述邦定引线121通过所述通孔4从柔性基板背面引出。

S4、如图4所示，将集成电路芯片5和/或柔性线路板6邦定在所述柔性基板1背面所述通孔处。

所述所述柔性基板1还可以选自但不限于聚乙烯(PE)基板、聚丙烯(PP)基板、聚苯乙烯(PS)基板、聚苯醚砜(PES)基板、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)基板等基板中的一种。聚酰亚胺基板作为本发明优选实施例。可实现本发明目的的可替换实施例，均属于本发明的保护范围。

所述封装层为氧化铝层、氧化硅层、氮化硅层、氧化钛层、氧化锆层、氮氧化铝层、氮氧化硅层、氮化钛中的一层或者多层叠加，所述封装层的厚度为10nm～500nm。所述封装层优选50nm的氮化硅层。可实现本发明目的的可替换实施例，均属于本发明的保护范围。

所述像素单元和所述邦定引线的制备方法与现有技术相同，本实施例中不再赘述。

步骤S2中所述通孔4的孔径小于或者等于所述邦定引线的宽度，各条邦定引线对应一个或多个通孔。

步骤S3中所述导电材料选自但不限于铝、铜、钛、镍、银、金中的一种或多种的组合；本实施例中所述导电材料优选为铜。所述导电材料还通过化学或物理气相沉积技术、注入等方式填充在所述通孔4中，将所述邦定引线121通过所述通孔4从柔性基板背面引出。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (7)

1.一种柔性屏体邦定方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在所述柔性基板正面的像素区域和邦定区域分别形成若干像素单元和若干邦定引线，在所述柔性基板上通过原子层沉积工艺形成覆盖所述像素单元和所述邦定引线的封装层；

S2、在所述柔性基板邦定区域各条邦定引线位置对应的背面形成连通绑定引线的通孔；

S3、在所述通孔内填充导电材料，将所述邦定引线通过所述通孔从柔性基板背面引出；

S4、将集成电路芯片和/或柔性线路板邦定在所述柔性基板背面所述通孔处。

2.根据权利要求1所述的柔性屏体邦定方法，其特征在于，步骤S2中，所述通孔的孔径小于或者等于所述邦定引线的宽度。

3.根据权利要求1所述的柔性屏体邦定方法，其特征在于，步骤S3中，所述导电材料选自但不限于铝、铜、钛、镍、银、金中的一种或多种的组合。

4.根据权利要求3所述的柔性屏体邦定方法，其特征在于，步骤S3中，所述导电材料通过化学或物理气相沉积，或注入填充在所述通孔中。

5.根据权利要求1-4任一项所述的柔性屏体邦定方法，其特征在于，步骤S1中，各所述邦定引线对应一个或多个通孔。

6.根据权利要求5所述的柔性屏体邦定方法，其特征在于，步骤S1中，所述封装层的厚度为10nm～500nm。

7.根据权利要求6所述的柔性屏体邦定方法，其特征在于，步骤S1中，所述封装层为氧化铝层、氧化硅层、氮化硅层、氧化钛层、氧化锆层、氮氧化铝层、氮氧化硅层、氮化钛中的一层或者多层叠加。