CN105652994A - 电压切换装置 - Google Patents

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Abstract

一种电压切换装置,包括一供电单元、一平台控制器、一基本输入输出系统以及一调节单元。所述供电单元的输出引脚连接一内存装置以给所述内存装置供电。当改变所述内存装置的类型时,所述基本输入输出系统根据所述内存装置的类型控制所述平台控制器的输出,进而所述调节单元改变所述供电单元反馈引脚的下拉电阻,从而改变所述供电单元的输出电压,以匹配不同类型的内存装置。

Description

电压切换装置
技术领域
本发明涉及一种电压切换装置。
背景技术
DDR3和DDR3L工作时所需的电源电压不同,分别是1.5V和1.35V。为了配置不同的内存模块,必须在电脑中增加电压切换电路以匹配不同类型的内存装置。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种电压切换装置,以调整对应内存装置的工作电压。
一种电压切换装置,包括:
一供电单元,所述供电单元的输出引脚连接一内存装置以给所述内存装置供电;
一平台控制器;
一基本输入输出系统,连接所述平台控制器,所述基本输入输出系统用于根据所述内存装置的类型控制所述平台控制器的输出;以及
一调节单元,包括第一及第二电子开关以及第一至第四电阻,所述第一电子开关的控制端通过所述第一电阻连接所述平台控制器的第一基本输入输出引脚,所述平台控制器的第一基本输入输出引脚还通过所述第二电阻连接一第一电源,所述第一电子开关的第一端通过所述第三电阻连接一第二电源,所述第一电子开关的第二端接地,所述第一电子开关的第一端还连接所述第二电子开关的控制端,所述第二电子开关的第一端通过所述第四电阻连接所述供电单元的反馈引脚,所述第二电子开关的第二端接地;当所述第一及第二电子开关的控制端接收一高电平信号时,所述第一及第二电子开关的第一端与第二端导通,当所述第一及第二电子开关的控制端接收一低电平信号时,所述第一及第二电子开关的第一端与第二端断开。
上述电压切换装置可实现当改变所述内存装置的类型时,所述基本输入输出系统根据所述内存装置的类型控制所述平台控制器的输出,进而所述调节单元改变所述供电单元反馈引脚的下拉电阻,从而改变所述供电单元的输出电压,以匹配不同类型的内存装置。
附图说明
图1是本发明电压切换装置的较佳实施方式的电路图。
主要元件符号说明
电压切换装置 100
内存装置 200
供电单元 10
调节单元 20
PCH 30
BIOS 40
三极管 Q1、Q3、Q5
场效应管 Q2、Q4、Q6
电阻 R1-R12
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述:
请参考图1,本发明电压切换装置100连接一内存装置200,所述电压切换装置100的较佳实施方式包括一供电单元10,一调节单元20,一平台控制器(PlatformControllerHub,PCH)30及一基本输入输出系统(BasicInput-OutputSystem,BIOS)40。
所述供电单元10的输出引脚Vout连接所述内存装置200以给所述内存装置200供电。所述BIOS40连接所述PCH30。所述PCH30通过所述调节单元20连接所述供电单元10的反馈引脚FB。
所述调节单元20包括三极管Q1、Q3、Q5,场效应管Q2、Q4、Q6以及电阻R1-R12。所述三极管Q1的基极通过所述电阻R1连接所述PCH30的第一基本输入输出引脚GPIO1,所述PCH30的第一基本输入输出引脚GPIO1还通过所述电阻R2连接一第一电源P5V。所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R3连接一第二电源P3V,所述三极管Q1的发射极接地。所述三极管Q1的集电极还连接所述场效应管Q2的栅极,所述场效应管Q2的漏极通过所述电阻R4连接所述供电单元10的反馈引脚FB,所述场效应管Q2的源极接地。所述三极管Q3的基极通过所述电阻R5连接所述PCH30的第二基本输入输出引脚GPIO2,所述PCH30的第二基本输入输出引脚GPIO2还通过所述电阻R6连接所述第一电源P5V。所述三极管Q3的集电极通过所述电阻R7连接所述第二电源P3V,所述三极管Q3的发射极接地。所述三极管Q3的集电极还连接所述场效应管Q4的栅极,所述场效应管Q4的漏极通过所述电阻R8连接所述供电单元10的反馈引脚FB,所述场效应管Q4的源极接地。所述三极管Q5的基极通过所述电阻R9连接所述PCH30的第三基本输入输出引脚GPIO3,所述PCH30的第三基本输入输出引脚GPIO3还通过所述电阻R10连接所述第一电源P5V。所述三极管Q5的集电极通过所述电阻R11连接所述第二电源P3V,所述三极管Q5的发射极接地。所述三极管Q5的集电极还连接所述场效应管Q6的栅极,所述场效应管Q6的漏极通过所述电阻R12连接所述供电单元10的反馈引脚FB,所述场效应管Q6的源极接地。
所述电压切换装置10在使用过程中,当所述BIOS40从所述内存装置200中的串行存在检测(SerialPresenceDetect,SPD)芯片内得到所述内存装置200的配置信息为DDR3时,所述BIOS40控制所述PCH30使得所述PCH30的第一至第三基本输入输出引脚GPIO1、GPIO2、GPIO3均输出一高电平信号,所述三极管Q1导通,进而所述场效应管Q2截止。同样的,所述三极管Q3、Q5导通,所述场效应管Q4、Q6截止。所述供电单元10的反馈引脚FB的下拉电阻的阻值为零,进而所述供电单元10的输出引脚Vout持续输出一1.5V的电压信号给所述内存装置200。
当所述BIOS40从所述内存装置200中的SPD芯片内得到所述内存装置200的配置信息为DDR3L时,所述BIOS40控制所述PCH30使得所述PCH30的第一基本输入输出引脚GPIO1输出一低电平信号,所述PCH30的第二及第三基本输入输出引脚GPIO2、GPIO3均输出一高电平信号。所述三极管Q1截止,所述场效应管Q2导通。同时,所述三极管Q3、Q5均导通,所述场效应管Q4、Q6均截止。进而所述供电单元10的反馈引脚FB通过所述电阻R4接地,进而所述供电单元10的输出引脚Vout根据所述供电单元10反馈引脚FB的反馈信号输出一1.35V的电压信号给所述内存装置200。
当所述供电单元10的反馈引脚FB通过不同的电阻接地时,所述供电单元10的输出引脚Vout输出不同的电压信号。本实施方式中,所述供电单元10的反馈引脚FB可分别通过所述电阻R4、R8、R12接地,也可通过所述电阻R4、R8、R12之间任意两个电阻并联接地,也可以通过所述电阻R4、R8、R12并联接地,以改变所述供电单元10的输出引脚Vout输出的电压值。
本实施方式中,所述BIOS40用于识别所述内存装置200的配置信息来控制所述PCH30的输出。其他实施方式中,使用者可以根据所述内存装置200的类型,利用所述BIOS40的设置菜单选定所述供电单元10需要输出的工作电压,进而所述BIOS40根据所选定的工作电压控制所述PCH的输出。
从上面的描述可以看出,所述三极管Q1、Q3、Q5以及场效应管Q2、Q4、Q6均起到电子开关的作用,其他实施方式中,所述三极管Q1、Q3、Q5以及场效应管Q2、Q4、Q6亦可用其他电子开关来代替,其中,三极管的基极、集电极及发射极分别对应电子开关的控制端、第一端及第二端,场效应管的栅极,漏极及源极分别对应电子开关的控制端、第一端及第二端。
上述电压切换装置100可实现当改变所述内存装置200的类型时,所述BIOS40根据所述内存装置的类型控制所述PCH30的输出,进而所述调节单元20改变所述供电单元10反馈引脚FB的下拉电阻,从而改变所述供电单元10的输出电压,以匹配不同类型的内存装置。

Claims (9)

1.一种电压切换装置,包括:
一供电单元,所述供电单元的输出引脚连接一内存装置以给所述内存装置供电;
一平台控制器;
一基本输入输出系统,连接所述平台控制器,所述基本输入输出系统用于根据所述内存装置的类型控制所述平台控制器的输出;以及
一调节单元,包括第一及第二电子开关以及第一至第四电阻,所述第一电子开关的控制端通过所述第一电阻连接所述平台控制器的第一基本输入输出引脚,所述平台控制器的第一基本输入输出引脚还通过所述第二电阻连接一第一电源,所述第一电子开关的第一端通过所述第三电阻连接一第二电源,所述第一电子开关的第二端接地,所述第一电子开关的第一端还连接所述第二电子开关的控制端,所述第二电子开关的第一端通过所述第四电阻连接所述供电单元的反馈引脚,所述第二电子开关的第二端接地;当所述第一及第二电子开关的控制端接收一高电平信号时,所述第一及第二电子开关的第一端与第二端导通,当所述第一及第二电子开关的控制端接收一低电平信号时,所述第一及第二电子开关的第一端与第二端断开。
2.如权利要求1所述的电压切换装置,其特征在于:所述调节单元还包括第三至第六电子开关以及第五至第十二电阻,所述第三电子开关的控制端通过所述第五电阻连接所述平台控制器的第二基本输入输出引脚,所述平台控制器的第二基本输入输出引脚还通过所述第六电阻连接所述第一电源,所述第三电子开关的第一端通过所述第七电阻连接所述第二电源,所述第三电子开关的第二端接地,所述第三电子开关的第一端还连接所述第四电子开关的控制端,所述第四电子开关的第一端通过所述第八电阻连接所述供电单元的反馈引脚,所述第四电子开关的第二端接地,所述第五电子开关的控制端通过所述第九电阻连接所述平台控制器的第三基本输入输出引脚,所述平台控制器的第三基本输入输出引脚还通过所述第十电阻连接所述第一电源,所述第五电子开关的第一端通过所述第十一电阻连接所述第二电源,所述第五电子开关的第二端接地,所述第五电子开关的第一端还连接所述第六电子开关的控制端,所述第六电子开关的第一端通过所述第十二电阻连接所述供电单元的反馈引脚,所述第六电子开关的第二端接地;当所述第三至第六电子开关的控制端接收一高电平信号时,所述第三至第六电子开关的第一端与第二端导通,当所述第三至第六电子开关的控制端接收一低电平信号时,所述第三至第六电子开关的第一端与第二端断开。
3.如权利要求1所述的电压切换装置,其特征在于:所述基本输入输出系统根据从所述内存装置中的串行存在检测芯片得到的所述内存装置的类型控制所述平台控制器的输出。
4.如权利要求1所述的电压切换装置,其特征在于:通过所述基本输入输出系统的设置菜单选定所述供电单元需要输出的工作电压,进而所述基本输入输出系统根据所选定的工作电压控制所述平台控制器的输出。
5.如权利要求1所述的电压切换装置,其特征在于:所述第一电子开关为NPN型三极管,所述NPN型三极管的基极、集电极及发射极分别对应电子开关的控制端、第一端及第二端。
6.如权利要求1或5所述的电压切换装置,其特征在于:所述第二电子开关为N沟道场效应管,所述N沟道场效应管的栅极、漏极及源极分别对应电子开关的控制端、第一端及第二端。
7.如权利要求2所述的电压切换装置,其特征在于:所述第三及第五电子开关为NPN型三极管,所述NPN型三极管的基极、集电极及发射极分别对应电子开关的控制端、第一端及第二端。
8.如权利要求2或7所述的电压切换装置,其特征在于:所述第四及第六电子开关为N沟道场效应管,所述N沟道场效应管的栅极、漏极及源极分别对应电子开关的控制端、第一端及第二端。
9.一种电压切换装置,包括:
一供电单元,用于根据所述供电单元的反馈引脚接入的电阻值输出与电阻值对应的电压给内存装置供电;
一平台控制器;
一基本输入输出系统,连接所述平台控制器,所述基本输入输出系统用于根据所述内存装置的类型控制所述平台控制器的输出引脚输出的逻辑电平;以及
一调节单元,包括与所述平台控制器的输出引脚相同数量的电阻,所述电阻的第一端连接所述供电单元的反馈引脚,所述调节单元根据对应平台控制器输出引脚输出的逻辑电平分别控制连接于所述供电单元反馈引脚的电阻的第二端是否接地。
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