CN105648440B

CN105648440B - 液体组合物及使用其的蚀刻方法

Info

Publication number: CN105648440B
Application number: CN201510845559.9A
Authority: CN
Inventors: 竹内秀范; 夕部邦夫
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 2014-11-27
Filing date: 2015-11-26
Publication date: 2019-10-25
Anticipated expiration: 2035-11-26
Also published as: KR102313239B1; CN105648440A; TWI734676B; JP6531612B2; TW201625815A; KR20160064015A; JP2016111342A

Abstract

本发明涉及液体组合物及使用其的蚀刻方法，所述液体组合物用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述蚀刻方法的特征在于使该液体组合物与具有铜或以铜作为主要成分的金属化合物的基板接触。本发明的液体组合物的特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)酸、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’‑乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，并且所述液体组合物的pH值为5以下。

Description

液体组合物及使用其的蚀刻方法

技术领域

本发明涉及液体组合物、和使用其的蚀刻方法、以及利用该方法制造的基板，所述液体组合物用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物(IGZO)上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，其抑制对IGZO的损伤，并且对铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

背景技术

近年来，在电子设备的小型化、轻量化及低消耗功率化发展的过程中，尤其在液晶显示器、电致发光显示器等显示装置的领域中，作为半导体层的材料，正在进行各种氧化物半导体材料的开发。

氧化物半导体材料主要由铟、镓、锌及锡等构成，研究了铟·镓·锌氧化物(IGZO)、铟·镓氧化物(IGO)、铟·锡·锌氧化物(ITZO)、铟·镓·锌·锡氧化物(IGZTO)、镓·锌氧化物(GZO)、锌·锡氧化物(ZTO)等各种组成。其中，特别是关于IGZO的研究正在积极地进行。

使用前述IGZO作为例如薄膜晶体管(TFT；Thin Film Transistor)等电子元件时，IGZO使用溅射法等成膜工艺形成在玻璃等基板上。接着，以抗蚀剂等作为掩模进行蚀刻，从而形成电极图案。进而在其上，使用溅射法等成膜工艺形成铜(Cu)、钼(Mo)等，接着，以抗蚀剂等作为掩模进行蚀刻，由此形成源极/漏极布线。该进行蚀刻的方法有湿(wet)法和干(dry)法，湿法中使用蚀刻液。

通常已知IGZO容易被酸、碱蚀刻，使用这些蚀刻液形成源极/漏极布线时存在作为基底的IGZO容易腐蚀的倾向。由于该IGZO的腐蚀，存在TFT的电特性劣化的情况。因此，通常采用在IGZO上形成保护层后形成源极/漏极布线的蚀刻阻挡型(etch stop type)结构(参照图1)，制造变得繁杂，其结果导致成本增加。因此，为了采用不需要保护层的背沟道蚀刻型(back channel etch type)结构(参照图2)，期望抑制对IGZO的损伤且能够对各种布线材料进行蚀刻的蚀刻液。

专利文献1(国际公开第2011/021860号)公开了使用蚀刻液对以铜作为主要成分的金属膜进行蚀刻的方法，所述蚀刻液包含：(A)过氧化氢5.0～25.0重量％、(B)氟化合物0.01～1.0重量％、(C)吡咯化合物0.1～5.0重量％、(D)选自由膦酸衍生物或其盐组成的组中的1种以上化合物0.1～10.0重量％、(E)水。

但是，专利文献1公开的蚀刻液包含过氧化氢、氟化合物、吡咯化合物及膦酸衍生物或其盐，但作为膦酸衍生物或其盐，仅公开了1-羟基乙叉-1,1-二膦酸或其盐，没有记载配混氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)、五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)。另外，膦酸衍生物或其盐是为了过氧化氢的稳定化而添加的，没有提到关于对IGZO的损伤。关于配混有过氧化氢、氟化合物、吡咯化合物及1-羟基乙叉-1,1-二膦酸的液体组合物，确认到对IGZO的损伤(参照比较例2)，作为抑制对IGZO的损伤且对金属化合物进行蚀刻的液体组合物不充分。

专利文献2(国际公开第2009/066750号)中记载了：通过使用由含有碱的水溶液形成的碱性的蚀刻液组合物，在包含无定形氧化物膜和由选自铝(Al)、Al合金、铜(Cu)、Cu合金、银(Ag)及Ag合金组成的组中的至少1种形成的金属膜的层叠膜的蚀刻中，可以选择性地对该金属膜进行蚀刻。

但是，专利文献2公开的蚀刻液组合物为由含有碱的水溶液形成的碱性的蚀刻液组合物，但关于配混有过氧化氢及氨的液体组合物确认到对IGZO的损伤(参照比较例3)、作为抑制对IGZO的损伤且对金属化合物进行蚀刻的液体组合物不充分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/021860号

专利文献2：国际公开第2009/066750号

发明内容

发明要解决的问题

本发明的课题在于提供抑制对IGZO的损伤且对形成在IGZO上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻的液体组合物、和特征在于使用该液体组合物与形成在IGZO上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物接触的蚀刻方法、以及应用该蚀刻方法而制造的基板。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述问题进行了研究，结果发现如下液体组合物可以解决上述问题，所述液体组合物的特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)酸、(C)氟离子供给源、(D)氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)、五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，并且所述液体组合物的pH值为5以下。

本发明是基于上述发现而完成的。即，本发明如下所述。

[1]一种液体组合物，其特征在于，其用于抑制对含有铟、镓、锌及氧的氧化物的损伤且对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述液体组合物包含：(A)过氧化氢、(B)酸、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)、五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，并且所述液体组合物的pH值为5以下。

[2]根据第1项所述的液体组合物，其特征在于，对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钛或以钛作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

[3]根据第1项所述的液体组合物，其中，(B)酸为选自由硝酸、硫酸、磷酸、盐酸、氢氟酸、甲磺酸、氨基磺酸、乙酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸及柠檬酸组成的组中的1种以上化合物。

[4]根据第1项所述的液体组合物，其中，(C)氟离子供给源为选自由氢氟酸、氟化铵及酸式氟化铵组成的组中的1种以上化合物。

[5]根据第1项所述的液体组合物，其中，(E)过氧化氢稳定剂为选自由苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇、苯酚磺酸、乙酰苯胺、非那西汀、乙酰氨基苯酚、羟基苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯酚、3,5-二氨基苯甲酸、对氨基苯磺酸、苯胺、N-甲基苯胺、8-羟基喹啉、N-乙酰邻甲苯胺、N-乙酰间甲苯胺、二苯胺、苯酚、苯甲醚组成的组中的1种以上具有苯基的过氧化氢稳定剂。

[6]根据第5项所述的液体组合物，其中，具有苯基的过氧化氢稳定剂为选自由苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇及苯酚磺酸组成的组中的1种以上化合物。

[7]一种蚀刻方法，其使第1项～第6项中任一项所述的液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

[8]一种蚀刻方法，其使第1项～第6项中任一项所述的液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的钛或以钛作为主要成分的金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及钛或以钛作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

[9]一种蚀刻方法，其使第1项～第6项中任一项所述的液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

[10]一种基板，其通过应用第7项所述的蚀刻方法对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻而制造。

[11]一种基板，其通过应用第8项所述的蚀刻方法对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的钛或以钛作为主要成分的金属化合物进行蚀刻而制造。

[12]一种基板，其通过应用第9项所述的蚀刻方法对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

本发明的优选方案如下所述。

[1]一种液体组合物，其特征在于，其用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述液体组合物包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，所述(B)不含氟原子的酸不包括(D)成分，并且所述液体组合物的pH值为5以下。

[2]根据[1]所述的液体组合物，其中，(B)不含氟原子的酸为(B1)选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸组成的组中的1种以上化合物。

[3]根据[1]所述的液体组合物，其中，(B)不含氟原子的酸为(B1)选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸组成的组中的1种以上化合物与(B2)选自由甲磺酸、氨基磺酸、乙酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸及柠檬酸组成的组中的1种以上化合物的组合。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的液体组合物，其中，(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物的含量在0.001质量％～0.1质量％的范围内。

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的液体组合物，其中，(C)氟离子供给源为选自由氢氟酸、氟化铵及酸式氟化铵组成的组中的1种以上化合物。

[6]根据[1]～[5]中任一项所述的液体组合物，其中，(E)过氧化氢稳定剂为选自由苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇、苯酚磺酸、乙酰苯胺、非那西汀、乙酰氨基苯酚、羟基苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯酚、3,5-二氨基苯甲酸、对氨基苯磺酸、苯胺、N-甲基苯胺、8-羟基喹啉、N-乙酰邻甲苯胺、N-乙酰间甲苯胺、二苯胺、苯酚及苯甲醚组成的组中的1种以上具有苯基的过氧化氢稳定剂。

[7]根据[6]所述的液体组合物，其中，具有苯基的过氧化氢稳定剂为选自由苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇及苯酚磺酸组成的组中的1种以上化合物。

[8]根据[1]～[7]中任一项所述的液体组合物，其用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钛或以钛作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

[9]一种蚀刻方法，其是对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻的方法，

所述方法使如下液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述液体组合物包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，所述(B)不含氟原子的酸不包括(D)成分，并且所述液体组合物的pH值为5以下。

[10]根据[9]所述的方法，其对以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

[11]一种蚀刻方法，其是对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的钛或以钛作为主要成分的金属化合物进行蚀刻的方法，

所述方法使如下液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的钛或以钛作为主要成分的金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及钛或以钛作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述液体组合物包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，所述(B)不含氟原子的酸不包括(D)成分，并且所述液体组合物的pH值为5以下。

[12]根据[11]所述的方法，其以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的钛或以钛作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

[13]一种蚀刻方法，其是对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻的方法，

所述方法使如下液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻的方法，所述液体组合物包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，所述(B)不含氟原子的酸不包括(D)成分，并且所述液体组合物的pH值为5以下。

[14]根据[13]所述的方法，其对以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

[15]根据[9]～[14]中任一项所述的液体组合物，其中，(B)不含氟原子的酸为(B1)选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸组成的组中的1种以上化合物。

[16]根据[9]～[14]中任一项所述的液体组合物，其中，(B)不含氟原子的酸为(B1)选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸组成的组中的1种以上化合物与(B2)选自由甲磺酸、氨基磺酸、乙酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸及柠檬酸组成的组中的1种以上化合物的组合。

[17]根据[9]～[16]中任一项所述的液体组合物，其中，(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物的含量在0.001质量％～0.1质量％的范围内。

[18]根据[9]～[17]中任一项所述的液体组合物，其中，(C)氟离子供给源为选自由氢氟酸、氟化铵及酸式氟化铵组成的组中的1种以上化合物。

[19]根据[9]～[18]中任一项所述的液体组合物，其中，(E)过氧化氢稳定剂为选自由苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇、苯酚磺酸、乙酰苯胺、非那西汀、乙酰氨基苯酚、羟基苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯酚、3,5-二氨基苯甲酸、对氨基苯磺酸、苯胺、N-甲基苯胺、8-羟基喹啉、N-乙酰邻甲苯胺、N-乙酰间甲苯胺、二苯胺、苯酚及苯甲醚组成的组中的1种以上具有苯基的过氧化氢稳定剂。

[20]根据[19]所述的液体组合物，其中，具有苯基的过氧化氢稳定剂为选自由苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇及苯酚磺酸组成的组中的1种以上化合物。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种抑制对IGZO的损伤、且对形成在IGZO上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻的液体组合物、特征在于使该液体组合物与形成在IGZO上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物接触的蚀刻方法、以及应用本蚀刻方法而制造的基板。另外，由于该蚀刻方法能够抑制对IGZO的损伤，所以不需要在IGZO上形成保护层，因此可以显著减少制造成本，可以实现高生产率。

附图说明

图1为蚀刻阻挡型TFT截面结构的示意图。图1中，在玻璃基板1上形成有栅电极2及栅极绝缘膜3，在其上形成有IGZO半导体层9、蚀刻阻挡层10、源电极6a及漏电极6b，进一步在其上形成有保护层7及透明电极8。

图2为背沟道蚀刻型TFT截面结构的示意图。图2中，在玻璃基板1上形成有栅电极2及栅极绝缘膜3，在其上形成有IGZO半导体层9、源电极6a及漏电极6b，进而在其上形成有保护层7及透明电极8。此处，以未夹设蚀刻阻挡层等保护层的方式在IGZO半导体层9上形成布线材料，通过蚀刻处理形成源电极6a及漏电极6b。

附图标记说明

1：玻璃

2：栅电极

3：栅极绝缘膜

6a：源电极

6b：漏电极

7：保护层

8：透明电极

9：IGZO半导体层

10：蚀刻阻挡层

具体实施方式

<液体组合物>

本发明的液体组合物的特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸(不包括D成分)、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)、五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，并且所述液体组合物的pH值为5以下，所述液体组合物抑制对IGZO的损伤，并且对形成在IGZO上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

(A)过氧化氢

本发明的液体组合物中，过氧化氢(以下有时称为A成分)作为氧化剂具有将铜氧化的功能，另外，对于钼具有氧化溶解的功能。该液体组合物中的过氧化氢的含量优选为1质量％以上、更优选为2质量％以上、进一步优选为3质量％以上，优选为30质量％以下、更优选为20质量％以下、进一步优选为10质量％以下、特别优选为8质量％以下。例如，该液体组合物中的A成分的含量优选为1～30质量％、更优选为2～20质量％、进一步优选为2～10质量％、特别优选为3～8质量％。如果过氧化氢的含量在上述范围内，则能够确保对于含有铜和钼等的金属化合物的良好的蚀刻速率，金属化合物的蚀刻量的控制变得容易，因此优选。

(B)不含氟原子的酸

本发明的液体组合物中，不含氟原子的酸(以下有时称为B成分)使被(A)过氧化氢氧化了的铜溶解。

作为B成分，可以为无机酸，也可以为有机酸，例如可以优选举出硝酸、硫酸、磷酸、盐酸、甲磺酸、氨基磺酸、乙酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸等，进一步优选为硝酸、硫酸、甲磺酸、氨基磺酸、乙酸，其中特别优选硝酸、硫酸。

上述酸可以单独使用或混合多种使用。

其中，本发明中，(B)不含氟原子的酸优选包含(B1)选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸组成的组中的1种以上化合物。另外，(B)不含氟原子的酸优选为(B1)选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸组成的组中的1种以上化合物与(B2)选自由甲磺酸、氨基磺酸、乙酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸及柠檬酸组成的组中的1种以上化合物的组合。

该液体组合物中的B成分的含量优选为0.01质量％以上、更优选为0.1质量％以上、进一步优选为0.5质量％以上、特别优选为1质量％以上，优选为30质量％以下、更优选为20质量％以下、进一步优选为15质量％以下、特别优选为10质量％以下。例如，该液体组合物中的B成分的含量优选为0.01～30质量％、更优选为0.1～20质量％、进一步优选为0.5～15质量％、特别优选为1～10质量％。B成分的含量在上述范围内时，能够得到对于金属化合物的良好的蚀刻速率以及良好的铜的溶解性。

(C)氟离子供给源

本发明的液体组合物中，氟离子供给源(以下有时称为C成分)对钛进行蚀刻。

作为C成分，只要在液体组合物中产生氟离子，就没有特别限制，可以优选举出氢氟酸、氟化铵、酸式氟化铵等，它们可以单独使用或混合多种使用。其中，从低毒性的观点出发，更优选氟化铵、酸式氟化铵。

该液体组合物中的C成分的含量优选为0.01质量％以上、更优选为0.05质量％以上、进一步优选为0.1质量％以上、特别优选为0.2质量％以上，优选为10质量％以下、更优选为1质量％以下、进一步优选为0.5质量％以下。例如，该液体组合物中的C成分的含量优选为0.01～10质量％、更优选为0.05～1质量％、进一步优选为0.1～0.5质量％、特别优选为0.2～0.5质量％。C成分的含量在上述范围内时，可以得到对于金属的良好的蚀刻速率。另外，C成分的含量为10质量％以上时，装置材质、玻璃等基板的腐蚀变得显著，因此不优选。

(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的化合物

本发明的液体组合物中使用的选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的化合物(以下有时称为D成分)具有抑制IGZO的蚀刻速率的效果。因此，使用该液体组合物对形成在IGZO上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻时，可以抑制对IGZO的损伤。

D成分可以分别单独使用或者混合多种使用，其中，更优选氨基三(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)、特别优选氨基三(亚甲基膦酸)。

该液体组合物中的D成分的含量优选为0.001质量％以上、更优选为0.01质量％以上、进一步优选为0.02质量％以上、特别优选为0.05质量％以上。D成分的含量为上述时，可以抑制对含有铟、镓、锌及氧的氧化物的损伤。而另一方面，从经济性的观点出发，D成分的含量优选为5质量％以下、更优选为1质量％以下、进一步优选为0.5质量％以下、特别优选为0.1质量％以下。

(E)过氧化氢稳定剂

本发明的液体组合物中，过氧化氢稳定剂(以下有时称为E成分)具有抑制过氧化氢分解的效果。因此，该液体组合物中溶解有铜或以铜作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钛或以钛作为主要成分的金属化合物时，可以抑制过氧化氢的分解。

作为E成分，通常，只要是能够作为过氧化氢的稳定剂使用的物质，就可以没有限制地使用，优选具有苯基的过氧化氢稳定剂。

作为具有苯基的过氧化氢稳定剂，可以优选举出苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇、苯酚磺酸、乙酰苯胺、非那西汀、乙酰氨基苯酚、羟基苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯酚、3,5-二氨基苯甲酸、对氨基苯磺酸、苯胺、N-甲基苯胺、8-羟基喹啉、N-乙酰邻甲苯胺、N-乙酰间甲苯胺、二苯胺、苯酚及苯甲醚，进一步优选为苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇及苯酚磺酸，其中特别优选苯脲及乙二醇单苯醚。它们可以单独使用或混合多种使用。本发明的液体组合物中，如果过氧化氢稳定剂为具有苯基的过氧化氢稳定剂，则可以特别提高过氧化氢的稳定性。

关于该液体组合物中的E成分的含量，只要能充分获得其添加效果即可，没有特别限制，优选为0.01质量％以上、更优选为0.02质量％以上、进一步优选为0.03质量％以上，优选为0.5质量％以下、更优选为0.3质量％以下、进一步优选为0.1质量％以下。例如，该液体组合物中的E成分的含量优选为0.01～0.5质量％、更优选为0.02～0.3质量％、进一步优选为0.03～0.1质量％。

(F)水

作为本发明的液体组合物中使用的水，没有特别限制，优选为通过蒸馏、离子交换处理、过滤器处理、各种吸附处理等去除金属离子、有机杂质、微粒颗粒等而得到的水，特别优选纯水或超纯水。

对于本发明的液体组合物，为了得到期望的pH值，根据需要可以含有pH调节剂。作为pH调节剂，可以优选举出氨水、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化四甲基铵等，它们可以单独使用、或混合多种使用。

本发明的液体组合物的pH值的上限为5以下。pH值超过5时，过氧化氢的稳定性下降，并且铜或以铜作为主要成分的金属化合物、钛或以钛作为主要成分的金属化合物的蚀刻速率下降，因此不优选。另外，对本发明的液体组合物的pH值的下限没有限制，从抑制对装置材质、周边构件的损伤的观点出发，优选pH值为0以上、更优选为1以上。pH值为上述情况时，可以获得对于铜或以铜作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钛或以钛作为主要成分的金属化合物的良好的蚀刻速率。

对于本发明的蚀刻液，除上述成分以外，还可以以不损害蚀刻液的效果的范围含有蚀刻液中通常使用的各种添加剂。例如，可以使用吡咯化合物、pH缓冲剂等。

<蚀刻方法>

本发明的蚀刻方法中的蚀刻对象物是形成在IGZO上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物。根据本发明的蚀刻方法，可以抑制对IGZO的损伤，且以良好的蚀刻速率对铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

另外，本发明的蚀刻方法中的蚀刻对象物是形成在IGZO上的选自由钛或以钛作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物。根据本发明的蚀刻方法，可以抑制对IGZO的损伤，以良好的蚀刻速率对选自由钛或以钛作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

需要说明的是，本说明书中，“以铜作为主要成分的金属化合物”是指金属化合物中含有50质量％以上、优选60质量％以上、更优选70质量％以上的铜的金属化合物。另外，“以钛作为主要成分的金属化合物”是指金属化合物中含有50质量％以上、优选60质量％以上、更优选70质量％以上的钛的金属化合物。“以钼作为主要成分的金属化合物”是指金属化合物中含有50质量％以上、优选60质量％以上、更优选70质量％以上的钼的金属化合物。另外，“以钼和钛作为主要成分的金属化合物”是指金属化合物中含有总计50质量％以上、优选60质量％以上、更优选70质量％以上的钼和钛的金属化合物。

本发明的蚀刻方法具有使本发明的液体组合物与蚀刻对象物接触的工序，所述液体组合物的特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸(不包括D成分)、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上金属化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，并且所述液体组合物的pH值为5以下。关于本发明的液体组合物，如在<液体组合物>中所叙述。需要说明的是，将钛或以钛作为主要成分的金属化合物作为蚀刻对象物时，本发明的液体组合物中的(C)氟离子供给源的含量优选为0.2质量％～0.5质量％。

作为铜或以铜作为主要成分的金属化合物，可以举出铜(金属)、铜合金、或氧化铜、氮化铜等。作为钼或以钼作为主要成分的金属化合物，可以举出钼(金属)、钼合金、或者氧化钼、氮化钼等。作为钛或以钛作为主要成分的金属化合物，可以举出钛(金属)、钛合金、或者氧化钛、氮化钛等。

本发明的蚀刻方法中，作为蚀刻对象物，可以单独对铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，也可以单独对选自由钛、以钛作为主要成分的化合物、钼、以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上化合物进行蚀刻。

另外，也可以一并同时对(i)铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及(ii)选自由钛或以钛作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

根据本发明的蚀刻方法，可以抑制对IGZO的损伤，以良好的蚀刻速率一并对(i)铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及(ii)选自由钛或以钛作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

本发明的蚀刻方法中，关于作为蚀刻对象物的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、选自由钛、以钛作为主要成分的金属化合物、钼、以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物，对其形状没有特别限制，使用选自由该金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物作为平板显示器的TFT阵列面板上的布线材料时，优选为薄膜形状。例如在氧化硅等绝缘膜上将IGZO图案化后，形成铜或以铜作为主要成分的金属化合物的薄膜，在其上涂布抗蚀剂，将期望的图案掩模曝光转印，进行显影，将由此形成有期望的抗蚀剂图案的金属化合物作为蚀刻对象物。另外，蚀刻对象物可以为由(i)铜或以铜作为主要成分的金属化合物的薄膜和(ii)选自由钛、以钛作为主要成分的金属化合物、钼、以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物的薄膜形成的层叠结构。该情况下，可以一并对由(i)铜或以铜作为主要成分的金属化合物的薄膜和(ii)选自由钛、以钛作为主要成分的金属化合物、钼、以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金、以及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物的薄膜形成的层叠结构进行蚀刻。

关于本发明中的IGZO，只要本质上为含有铟、镓、锌及氧的氧化物，就没有特别限制。对铟、镓、锌的原子比也没有特别限制，通常为In/(In+Ga+Zn)＝0.2～0.8、Ga/(In+Ga+Zn)＝0.05～0.6、Zn/(In+Ga+Zn)＝0.05～0.6的范围。另外，可以含有除了铟、镓、锌及氧以外的微量元素(表示为M)，优选微量元素的原子比为M/(In+Ga+Zn+M)<0.05。另外，氧化物可以为无定形结构，也可以具有结晶性。

蚀刻对象物与液体组合物的接触温度优选为10～70℃的温度、更优选为20～60℃、特别优选为20～50℃。10～70℃的温度范围时，能够获得良好的蚀刻速率。进而，在上述温度范围内的蚀刻操作可以抑制装置的腐蚀。通过提高液体组合物的温度，蚀刻速率上升，但由水蒸发等导致的液体组合物的组成变化变大，在也考虑到这些的基础上，适当确定最适合的处理温度即可。

对于使液体组合物与蚀刻对象物接触的方法没有特别限制，例如可以采用通过滴加(单片旋转处理)、喷雾等形式使液体组合物与对象物接触的方法、使对象物浸渍于液体组合物的方法等通常的湿蚀刻方法。

实施例

以下，通过本发明的实施例和比较例对其实施方式和效果进行具体说明，但本发明并不限定于这些实施例。

1.各种金属(布线材料)的蚀刻速率的测定

使用在玻璃基板上利用溅射法成膜的铜(Cu)/钼(Mo)层叠膜、Mo单层整面膜及钛(Ti)单层整面膜，测定利用表1及表2示出的液体组合物的Cu、Mo及Ti的蚀刻速率。采用将上述基板静置浸渍在保持为35℃的液体组合物中的方法进行蚀刻。蚀刻前后的膜厚使用荧光X射线分析装置SEA1200VX(Seiko Instruments Inc.制造)测定，通过用其膜厚差除以蚀刻时间而算出蚀刻速率。根据以下基准表述评价结果。

E：蚀刻速率为100nm/分钟～小于1000nm/分钟

G：蚀刻速率为30nm/分钟～小于100nm/分钟或为1000nm/分钟～小于5000nm/分钟

F：蚀刻速率为5nm/分钟～小于30nm/分钟或为5000nm/分钟～小于10000nm/分钟

P：蚀刻速率小于5nm/分钟或为10000nm/分钟以上

需要说明的是，此处的合格为E、G及F。

2.IGZO的蚀刻速率的测定

在玻璃基板上利用溅射法以膜厚(50nm)形成铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)的元素比为1：1：1：4的IGZO膜，然后，使用表1及表2所示的液体组合物测定蚀刻速率。采用将上述基板静置浸渍于保持为35℃的液体组合物中的方法来进行蚀刻。利用光学式薄膜特性测定装置n&k Analyzer 1280(n&k Technology Inc.制造)测定蚀刻前后的膜厚，通过用其膜厚差除以蚀刻时间而算出蚀刻速率。进而，算出添加选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物作为D成分时的蚀刻速率、与不添加D成分时的蚀刻速率之比。根据以下基准表述评价结果。

E：蚀刻速率比(有D成分/无D成分)＝小于0.1

G：蚀刻速率比(有D成分/无D成分)＝0.1～小于0.2

F：蚀刻速率比(有D成分/无D成分)＝0.2～小于0.5

P：蚀刻速率比(有D成分/无D成分)＝0.5以上

需要说明的是，此处的合格为E、G及F。

3.铜(Cu)溶解时的过氧化氢稳定性评价

在表3所示的液体组合物中溶解1000ppm Cu粉末，然后在35℃下保存，算出过氧化氢的分解速度。根据以下基准表述评价结果。

E：过氧化氢分解速度小于0.1％/天

G：过氧化氢分解速度0.1％/天～小于0.2％/天

F：过氧化氢分解速度0.2％/天～小于0.3％/天

P：过氧化氢分解速度为0.3％/天以上

需要说明的是，此处的合格为E、G及F。

实施例1

在容量100ml的聚丙烯容器中投入81.75g纯水及2.86g 70％硝酸(和光纯药工业株式会社制造)。进而，加入0.81g 31％酸式氟化铵(Stella Chemifa Corporation制造)及0.20g 50％氨基三(亚甲基膦酸)水溶液(东京化成工业株式会社制造)，然后溶解0.10g苯脲(和光纯药工业株式会社制造)。最后，加入14.29g 35％过氧化氢(三菱瓦斯化学株式会社制造)，对其进行搅拌，使各成分均匀混合，制备液体组合物。所得液体组合物的过氧化氢的配混量为5质量％，硝酸的配混量为2质量％，酸式氟化铵的配混量为0.25质量％，氨基三(亚甲基膦酸)的配混量为0.10质量％，苯脲的配混量为0.10质量％。另外，pH值为1.4。

使用得到的液体组合物实施上述评价1及2，将所得结果示于表1。

实施例2～4

实施例1中，除了使E成分如表1所示之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价1及2。将得到的结果示于表1。

实施例5、6

实施例1中，除了使C成分的浓度、E成分及pH值如表1所示之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价1及2。将所得结果示于表1。

实施例7～9

实施例1中，除了使D成分的种类和浓度及E成分如表1所示之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价1及2。将所得结果示于表1。

实施例10、11

实施例1中，进一步添加乳酸作为B成分，使E成分及pH值如表1所示，除此之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价1及2。将所得结果示于表1。

实施例12

实施例1中，使B成分为硫酸、E成分如表1所示，除此之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价1及2。将所得结果示于表1。

实施例13～17

实施例1中，使液体组合物的组成及pH值如表3所示，除此之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价3。将所得结果示于表3。

比较例1

实施例1中，不含D成分，使E成分如表2所示，除此之外，与实施例1同样地制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价1及2。将所得结果示于表2。

比较例2

实施例1中，使过氧化氢浓度、C成分及pH值如表2所示，不含B成分、D成分及E成分，添加1-羟基乙叉-1,1-二膦酸及5-氨基-1H-四唑，除此之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价1及2。将所得结果示于表2。

比较例3

实施例1中，使过氧化氢浓度及pH值如表2所示，不含B成分、C成分、D成分及E成分，添加氨水，除此之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价1及2。将所得结果示于表2。

比较例4～6

实施例1中，除了使液体组合物的组成及pH值如表3所示之外，与实施例1同样地操作，制备液体组合物，使用该液体组合物实施上述评价3。将所得结果示于表3。

由上述实施例1～17可知，本发明的液体组合物能够抑制对IGZO的损伤，能够以良好的蚀刻速率对形成在IGZO上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，进而，即使铜或以铜作为主要成分的金属化合物溶解也能够抑制过氧化氢的分解。

另一方面，由上述比较例1可知，液体组合物不含D成分时，无法充分抑制对IGZO的损伤。另外，由上述比较例2及5可知，液体组合物不含D成分，即使含有1-羟基乙叉-1,1-二膦酸也无法充分抑制对IGZO的损伤，进而，液体组合物中溶解有铜或以铜作为主要成分的金属化合物时，过氧化氢的分解速度变快。另外，由上述比较例3及6可知，液体组合物不含D成分、含有氨、pH值高时，无法充分抑制对IGZO的损伤，进而，铜或以铜作为主要成分的金属化合物的溶解能力低，过氧化氢稳定性也变低。另外，由上述比较例4可知，液体组合物不含E成分时，铜或以铜作为主要成分的金属化合物溶解时，过氧化氢的分解速度变快。

产业上的可利用性

本发明的液体组合物能够抑制对IGZO的损伤，并且能够以良好的蚀刻速率对铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，因此，在TFT制造工序中，可以从在IGZO上设置保护膜的现有的蚀刻阻挡型结构向不需要保护层的背沟道蚀刻型结构转变，因此能够使制造工序简化且大幅减少制造成本。进而，对于本发明的液体组合物，即使铜或以铜作为主要成分的金属化合物溶解，过氧化氢的稳定性也高，因此可以安全且稳定地实施蚀刻操作。

Claims

1.一种液体组合物，其特征在于，其用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述液体组合物包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，所述(B)不含氟原子的酸不包括(D)成分，并且所述液体组合物的pH值为5以下。

2.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，(B)不含氟原子的酸为(B1)选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸组成的组中的1种以上化合物。

3.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，(B)不含氟原子的酸为(B1)选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸组成的组中的1种以上化合物与(B2)选自甲磺酸、氨基磺酸、乙酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸及柠檬酸组成的组中的1种以上化合物的组合。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的液体组合物，其中，(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物的含量在0.001质量％～0.1质量％的范围内。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的液体组合物，其中，(C)氟离子供给源为选自由氢氟酸、氟化铵及酸式氟化铵组成的组中的1种以上化合物。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的液体组合物，其中，(E)过氧化氢稳定剂为选自由苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇、苯酚磺酸、乙酰苯胺、非那西汀、乙酰氨基苯酚、羟基苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯酚、3,5-二氨基苯甲酸、对氨基苯磺酸、苯胺、N-甲基苯胺、8-羟基喹啉、N-乙酰邻甲苯胺、N-乙酰间甲苯胺、二苯胺、苯酚及苯甲醚组成的组中的1种以上具有苯基的过氧化氢稳定剂。

7.根据权利要求6所述的液体组合物，其中，具有苯基的过氧化氢稳定剂为选自由苯脲、乙二醇单苯醚、苯基乙二醇及苯酚磺酸组成的组中的1种以上化合物。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的液体组合物，其用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钛或以钛作为主要成分的金属化合物、钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

9.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述液体组合物在温度35℃下的含有铟、镓、锌及氧的氧化物，即IGZO的蚀刻速率为小于1nm/分钟。

10.一种蚀刻方法，其使权利要求1～9中任一项所述的液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

11.根据权利要求10所述的方法，其对以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

12.一种蚀刻方法，其使权利要求1～9中任一项所述的液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的钛或以钛作为主要成分的金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及钛或以钛作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

13.根据权利要求12所述的方法，其对以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的钛或以钛作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。

14.一种蚀刻方法，其使权利要求1～9中任一项所述的液体组合物与形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物接触，对铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。

15.根据权利要求14所述的方法，其对以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物、以及以未夹设保护层的方式形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的选自由钼或以钼作为主要成分的金属化合物、钼钛合金及以钼和钛作为主要成分的金属化合物组成的组中的1种以上金属化合物进行蚀刻。