CN105629564B - 一种光伏型反射式液晶空间光调制器 - Google Patents

一种光伏型反射式液晶空间光调制器 Download PDF

Info

Publication number
CN105629564B
CN105629564B CN201610188532.1A CN201610188532A CN105629564B CN 105629564 B CN105629564 B CN 105629564B CN 201610188532 A CN201610188532 A CN 201610188532A CN 105629564 B CN105629564 B CN 105629564B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
liquid crystal
light modulator
spatial light
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610188532.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105629564A (zh
Inventor
蒋向东
伍海峰
王继岷
张悦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201610188532.1A priority Critical patent/CN105629564B/zh
Publication of CN105629564A publication Critical patent/CN105629564A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105629564B publication Critical patent/CN105629564B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开一种光伏型反射式液晶空间光调器，属于液晶器件领域。本发明包括：平行相对设置的第一玻璃基片1和第二玻璃基片10，第一玻璃基片1和第二玻璃基片10相向侧分别沉积有第一透明导电薄膜层2和第二透明导电薄膜层9从而形成第一导电玻璃和第二导电玻璃，第一导电玻璃与第二导电玻璃之间依次设有光敏层3、阻光层4、介质反射镜5、第一取向层6、位于两个间隔子之间的液晶层7及第二取向层8；所述光敏层3结构为p型掺杂的硅纳米线31和沉积于硅纳米线31阵列上的n型掺杂的氢化非晶硅薄膜32形成的复合纳米结构，所述硅纳米线31垂直于第一透明导电薄膜层2排列。本发明提高了液晶空间光调制器的图像分辨率，拓宽了液晶空间光调制器的光谱响应范围，提高了光响应度及灵敏度；此外其制备方法简单，容易操作，并且工艺参数容易控制。

Description

一种光伏型反射式液晶空间光调制器
技术领域
本发明属于液晶器件领域，具体涉及一种光伏型反射式液晶空间光调制器。
背景技术
空间光调制器是利用电或光信号在时间空间上控制另外光源的振幅、相位或行进方向等传播状态的装置。空间光调制器是构成实时光学信息处理、光计算和光学神经网络等系统的基本构造单元，在信息光学研究中发挥重要作用并有着广泛应用。空间光调制器的研究和性能对其应用领域研究的进展具有重要影响。对空间光调制器的要求包括：高的空间分辨率、高的响应速度、高的对比度、低的开关功耗和丰富的灰度等级。
按照编址方式，空间光调制器分为光寻址的空间光调制器和电寻址的空间光调制器。寻址是指，把写入光或写入信号含有控制调制器各个像素的信息分别传送到相应像素位置的过程。如果采用写入光实现，称为光寻址，采用写入电信号，称为电寻址。相比于电寻址，光寻址在时间上所有像素的寻址是同时完成的，所以光寻址是一种并行寻址方式，其特点是寻址速度最快，而且像素大小原则上只受寻址光学成像系统的分辨率的限制。此外，电寻址是通过条状电极传递信息，由于电极本身不透明，所以像素的有效通光面积和像素总面积之比——开口率较低，光能利用率不高。
光寻址空间光调制器(OASLM)是一种可以根据输入的写入图像调制读出光束特性的光电转换器件,作为光信息处理等应用中的关键器件,可以完成二维图像的波长转换、非相干-相干图像转换和图像增强等多种功能。光寻址空间光调制器(OASLM)通常以液晶层作为光调制材料,光敏层吸收写入光图像并产生相应空间变化的电场分布,调制层则可根据电场分布实现对读出光的调制。
液晶空间光调制器(SLM，Spatial light modulator)中液晶分子具有液体的流动性且具有介电各向异性和电导各向异性的电学特性，故而在外电场的作用下液晶分子排列状态也随之发生变化。又因为液晶分子的光学特性也是各向异性的从而使得整个液晶盒的光学效应随之改变。此外由于液晶分子的双折射特性，使得液晶盒呈现出光散射、光干涉和旋光等特殊的光学特性。因为液晶空间光调制器具有高双折射、宽带宽及工作电压较低的特性，液晶空间光调制器已被广泛用于显示和光子学领域，如可用于进行时间复用动态扫描3D电影显示、自适应光波前校正或是作为频谱滤波的衍射光学元件等。
基于光寻址的液晶空间光调制器的一个重要性能指标是分辨率，而决定其分辨率的关键结构取决于光敏层。现有技术中液晶光阀的光敏层材料为单一的半导体材料，例如：CdS、c-Si、BSO、GaAs和a-Si:H。但上述光敏层材料存在光响应时间长、载流子迁移率低等缺点，这影响了液晶空间光调制器的分辨率，难以满足液晶空间光调制器高分辨的要求。因此大幅度提高液晶空间光调制器的分辨率便显得非常重要，也需要亟待解决。
文献：“朱振才秦伟芳陈杰等.铁电液晶空间光调制器氢化非晶硅薄膜p-i-n光敏层的研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):18-22”中提出n型掺杂的氢化非晶硅薄膜p-i-n光电二极管作为光敏层用以提高光敏层的响应速度。上述p-i-n光电二极管是在透明电极上依次淀积硼掺杂的p层、本征层i和磷掺杂的n层,形成p-i-n结构。该文献中所提到的结构中光生载流子的方向受到的限制比较少，方向比较分散，这会降低光生载流子的传输效率，从而影响液晶空间光调制器的分辨率；再者，该结构对于非晶硅的禁带宽度可调范围较小从而使得光谱响应变化范围窄；此外，该结构的制备工艺复杂、成本高。
发明内容
鉴于现有技术的不足，本发明的目的在于，提供一种采用p型掺杂的硅纳米线与n型掺杂的氢化非晶硅薄膜形成的复合纳米结构作为光敏层的光伏型反射式液晶空间光调制器，本发明具有提高分辨率、光谱响应范围可调控、光响应度及灵敏度更高等优点。
本发明的技术方案如下：
一种光伏型反射式液晶空间光调制器，包括平行相对设置的第一玻璃基片和第二玻璃基片，第一玻璃基片和第二玻璃基片相向侧分别沉积有第一透明导电薄膜层和第二透明导电薄膜层从而形成第一导电玻璃和第二导电玻璃，第一导电玻璃与第二导电玻璃之间依次设有光敏层、阻光层、介质反射镜、第一取向层、液晶层及第二取向层；所述光敏层结构为p型掺杂的硅纳米线和沉积于硅纳米线阵列上的n型掺杂的氢化非晶硅薄膜形成的复合纳米结构，所述硅纳米线垂直于第一透明导电薄膜层排列。
所述光敏层的厚度为2μm-6μm；其中，所述p型掺杂的硅纳米线长度为1μm～4μm,直径约为80nm～150nm，所述n型掺杂的氢化非晶硅薄膜厚度为1μm～2μm。
所述阻光层材料可以为碲化镉、非晶碳、氢化非晶锗硅、氢化微晶硅或氢化纳米晶硅，其厚度为300nm～800nm；优选为碲化镉。
所述介质反射镜的透射率小于1％，介质反射镜可以将读出光返回，减少对写入光的干扰。
所述第一取向层及第二取向层均为聚酰亚胺取向层；取向层的作用是使液晶分子定向排列以获得最优的光电特性。聚酰亚胺是指主链上含有酰亚胺环的一类聚合物，聚酰亚胺具有优良的热稳定性和化学稳定性，可耐350～450℃的高温，优良的绝缘性，优良的介电性质，良好的力学性质。
所述第一透明导电薄膜层与光敏层之间设有增透膜层；增透膜的作用是减少反射光的强度，从而增加透射光的强度，使光学系统成像更清晰，此外，增透膜也有限制一定波长的光进入系统的作用。
非晶硅半导体材料(a-Si)最基本的特征是组成原子的排列为长程无序、短程有序，原子之间的键合类似晶体硅，都是形成一种共价无规则的网络结构，拥有一定数量的悬挂键、结构缺陷、断键等，因此载流子扩散长度小、迁移率低、寿命短，所以这种材料是不适合直接做成半导体器件的。所以在实际应用中选择进行掺杂可以提高其电导率，大大增加其应用范围。此外，非晶硅薄膜材料本身存在大量的结构缺陷，这些缺陷主要是悬挂键，氢的引入可以大大解决这一问题。进行掺杂后的氢化非晶硅薄膜材料制备成本低廉，能够大面积推广，并且其光电转换效率高。
本发明中p型掺杂的硅纳米线不仅是一种直接带隙半导体材料，而且是一种宽禁带半导体。硅纳米线不同于体硅材料，因硅纳米线有量子限制效应使得价带能量减小，导带能量增大，从而带隙增加变为直接带隙半导体。此外硅纳米线的禁带宽度与其直径和长度相关，通过合理地控制硅纳米线的直径和长度，可以使硅纳米线成为一种宽禁带直接带隙半导体。
本发明的创新点在于：
本发明中p型掺杂的硅纳米线垂直于第一透明导电薄膜层排列，因此当光照射液晶空间光调制的光敏层且外加反向偏压时，单根硅纳米线内部产生的光生载流子基本上在其径向进行迁移，大大减少了载流子在其它方向上的扩散，尤其是其横向的载流子扩散大大受到限制，而且其横向载流子扩散的速度随着硅纳米线的直径的减小而减少，从而有效地提高了硅纳米线的电导率，使得成像的质量大大提高，图像的分辨率也进一步提高。
再者，硅纳米线是一种直接带隙宽禁带半导体材料。硅纳米线拥有与体硅材料不一样的特性，比如更好的陷光效应、量子限域效应等。根据公式：
其中，Eg为禁带宽度，λ为响应波长；本发明中硅纳米线的禁带宽度与其直径和长度相关，通过合理地控制硅纳米线的直径和长度可以调节禁带宽度，从而使得光谱响应宽度范围从紫外扩大到红外波段。
本发明的原理是：将进行p型掺杂的硅纳米线与掺杂n型的氢化非晶硅薄膜材料形成复合纳米结构作为反射式液晶空间光调制器的光敏层,该光敏层作用类似于光电二极管。p型半导体和n型半导体接触界面形成pn结，pn结是内建电场，具有单向导电性。当加正向偏压时，光电二极管导通，压降主要落在液晶层上；当加反偏电压无光照时，光敏层内部的内建电场的被进一步拉大，结区面积增加，此时只有微弱的电流通过内建电场，光电二极管不导通，液晶层上没有压降；当外加反偏电压且有光照时，外光照射pn结区，携带能量的光子进入pn结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子-空穴对，产生光生载流子，使得反向电流迅速增加，有助于将光信号进一步放大。此时光电二极管的电阻发生变化并使得光电二极管导通，此时反向偏压分别落在了光电二极管和液晶层上，分压的大小取决于二者的电阻大小。并且通过控制写入光束的强度和电压的极性来起到调制的作用。
相比于现有技术，本发明的有益效果如下：
(1)本发明的光伏型反射式液晶空间光调制器提高了液晶空间光调制器的图像分辨率。
(2)本发明的光伏型反射式液晶空间光调制器拓宽了液晶空间光调制器的光谱响应范围，提高了光响应度及灵敏度。
(3)本发明的光伏型反射式液晶空间光调制器中光敏层的PN结的结区面积可制备的范围大，可以用于大规模商用。
(4)本发明的光伏型反射式液晶空间光调制器的制备方法简单，容易操作，并且工艺参数容易控制。
附图说明
图1为本发明光伏型反射式液晶空间光调制器原理图；其中1为第一玻璃基片，2为第一透明导电薄膜层，3为n型掺杂的氢化非晶硅薄膜与p型掺杂的硅纳米线形成的复合结构形成的光敏层，4为碲化镉(CdTe)阻光层，5为介质反射镜，6为第一取向层，7为液晶层，8为第二取向层，9为第二透明导电薄膜层，10为第二玻璃基片。
图2为光伏型反射式液晶空间光调制器光敏层的结构原理图；其中，1为第一玻璃基片，2为第一透明导电薄膜层(ITO薄膜)，31为p型掺杂的硅纳米线，32为n型掺杂的氢化非晶硅薄膜。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行了阐述：
图1为液晶空间光调制器的原理图，主要功能是实现图像的非相干到相干的转换。如图左侧为写入光，也即控制液晶空间光调制器的上像素的光电信号，右侧为读出光，即照明整个空间光调制器后并被调制的光波。其工作过程是将待转换的非相干图像作为写入光从器件左侧成像到光敏层，同时有一束线偏振相干光作为读出光从器件右侧射向液晶层，其偏振方向与液晶层右端的分子长轴方向一致，由于介质反射镜起到了高反射膜的作用，这束光将两次通过液晶层最后从右侧射出。
实施例：
一种光伏型反射式液晶空间光调制器，包括平行相对设置的第一玻璃基片1和第二玻璃基片10，第一玻璃基片1和第二玻璃基片10相向侧分别沉积有第一透明导电薄膜层2和第二透明导电薄膜层9从而形成第一导电玻璃和第二导电玻璃，第一导电玻璃与第二导电玻璃之间依次设有光敏层3、阻光层4、介质反射镜5、第一取向层6、液晶层7及第二取向层8；所述光敏层3结构为p型掺杂的硅纳米线31和沉积于硅纳米线31阵列上n型掺杂的氢化非晶硅薄膜32形成的复合纳米结构，所述硅纳米线31垂直于第一透明导电薄膜层2排列。
本发明光伏型反射式液晶空间光调制器通过以下步骤制备：
步骤1：分别在第一玻璃基片1和第二玻璃基片10的一侧分别镀一层透明导电薄膜，形成第一导电玻璃和第二导电玻璃，所述透明导电薄膜层材质为ITO。对第一导电玻璃进行清洁处理，依次用丙酮、酒精和去离子水分别超声清洗10分钟后，用氮气吹干备用；
步骤2：在第一导电玻璃上使用PECVD法制备p型掺杂的硅纳米线31，然后在制备的p型掺杂的硅纳米线31上，沉积一层n型掺杂的氢化非晶硅薄膜32，得到p型掺杂的硅纳米线31与n型掺杂的氢化非晶硅薄膜32形成复合纳米结构的光敏层3，具体步骤如下：
(1)将第一导电玻璃放入PECVD真空腔室中，并将真空室抽至5×10-4Pa，并将第一导电玻璃加热到300℃；
(2)在真空室中通入200sccm的氢气，处理第一导电玻璃5分钟，然后通入流量为40sccm的氩气与流量为25sccm的B2H6，射频功率为15W，沉积时间为1小时后，形成长度为3μm、平均直径为100nm的p型硅纳米线31；
(3)在步骤(2)的基础上，再沉积一层氢化非晶硅薄膜32；将第一导电玻璃加热到250℃，通入H2流量为15sccm、SiH4流量为15sccm、PH3流量为20sccm的混合气体，射频功率为15W，沉积时真空室的压强保持在50Pa，沉积时间为30分钟，从而形成厚度为2μm的n型掺杂的氢化非晶硅薄膜32。
步骤3：将步骤2中形成的光敏层3上依次蒸镀形成厚度为400nm的碲化镉阻光层4和介质反射镜5；
步骤4：分别在步骤3中的介质反射镜5及步骤1中的第二导电玻璃的ITO薄膜上旋涂聚酰亚胺溶液，烘烤后利用滚筒摩擦，使其表面形成微细沟槽，从而形成取向层；
步骤5：在取向层之间均匀放入少量直径为3μm的间隔子后灌入液晶，并用环氧树脂胶封住液晶形成液晶层7，从而制得液晶空间光调制器。
图2为本发明光伏型反射式液晶空间光调制器光敏层的结构原理图：第一玻璃基片1和第一透明导电薄膜层2形成第一导电玻璃，写入光从底部入射至第一导电玻璃(ITO玻璃)后，入射的光照射光敏层3后，会在光敏层3材料内部产生光生载流子，在液晶空间光调制器外加交变电场下，有光照射的地方材料阻抗变小，使得液晶层7的分压升高并超过其阈值电压，而没有光照的地方保持高阻状态，液晶层7上的分压小于或等于液晶层7的阈值电压，光吸收层可以将穿过光敏层3的写入光及透过介质反射镜5的读出光吸收掉。介质反射镜5可以将读出光返回，减少对写入光的干扰。读出光入射液晶层7并携带液晶层7上的调制信息返回。
硅纳米线31垂直于第一透明导电薄膜层2排列，因此当光照射液晶空间光调制的光敏层3且外加反向偏压时，单根硅纳米线31内部产生的光生载流子基本上在其径向进行迁移，大大减少了载流子在其它方向上的扩散，尤其是其横向的载流子扩散大大受到限制，而且其横向载流子扩散的速度随着硅纳米线31的直径的减小而减少，从而有效地提高了硅纳米线31的电导率，使得成像的质量大大提高，图像的分辨率也进一步提高。
再者，硅纳米线31是一种直接带隙宽禁带半导体材料。硅纳米线31拥有与体硅材料不一样的特性，比如更好的陷光效应、量子限域效应等。并且硅纳米线31的禁带宽度与其直径和长度相关，通过合理地控制硅纳米线31的直径和长度可以调节器带隙宽度，从而实现硅纳米线31的光谱响应宽度范围为紫外到红外波段。
以上结合附图对本发明的实施例进行了阐述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (8)

1.一种光伏型反射式液晶空间光调制器，包括平行相对设置的第一玻璃基片(1)和第二玻璃基片(10)，第一玻璃基片(1)和第二玻璃基片(10)相向侧分别沉积有第一透明导电薄膜层(2)和第二透明导电薄膜层(9)从而形成第一导电玻璃和第二导电玻璃，第一导电玻璃与第二导电玻璃之间依次设有光敏层(3)、阻光层(4)、介质反射镜(5)、第一取向层(6)、液晶层(7)及第二取向层(8)；其特征在于，所述光敏层(3)结构为p型掺杂的硅纳米线(31)和沉积于硅纳米线(31)阵列上n型掺杂的氢化非晶硅薄膜(32)形成的复合纳米结构，所述硅纳米线(31)垂直于第一透明导电薄膜层(2)排列。
2.根据权利要求1所述的光伏型反射式液晶空间光调制器，其特征在于，所述光敏层(3)的厚度为2μm-6μm。
3.根据权利要求2所述的光伏型反射式液晶空间光调制器，其特征在于，所述光敏层(3)中p型掺杂的硅纳米线(31)长度为1μm～4μm，直径为80nm～150nm。
4.根据权利要求3所述的光伏型反射式液晶空间光调制器，其特征在于，所述光敏层(3)中n型掺杂的氢化非晶硅薄膜(32)厚度为1μm～2μm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光伏型反射式液晶空间光调制器，其特征在于，所述阻光层(4)材料为碲化镉、非晶碳、氢化非晶锗硅、氢化微晶硅或氢化纳米晶硅，所述阻光层(4)厚度为300nm～800nm。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的光伏型反射式液晶空间光调制器，其特征在于，所述介质反射镜(5)的透射率小于1％。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的光伏型反射式液晶空间光调制器，其特征在于，所述第一取向层(6)及第二取向层(8)均为聚酰亚胺取向层。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的光伏型反射式液晶空间光调制器，其特征在于，所述第一透明导电薄膜层(2)与光敏层(3)之间设有增透膜层。
CN201610188532.1A 2016-03-29 2016-03-29 一种光伏型反射式液晶空间光调制器 Active CN105629564B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610188532.1A CN105629564B (zh) 2016-03-29 2016-03-29 一种光伏型反射式液晶空间光调制器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610188532.1A CN105629564B (zh) 2016-03-29 2016-03-29 一种光伏型反射式液晶空间光调制器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105629564A CN105629564A (zh) 2016-06-01
CN105629564B true CN105629564B (zh) 2019-01-22

Family

ID=56044658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610188532.1A Active CN105629564B (zh) 2016-03-29 2016-03-29 一种光伏型反射式液晶空间光调制器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105629564B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0288910A2 (en) * 1987-05-01 1988-11-02 Electrohome Limited Liquid crystal light valve utilizing hydrogenated amorphous silicon photodiode
CN1082720A (zh) * 1993-07-08 1994-02-23 浙江大学 采用过渡改性结构非晶硅光敏层的液晶光阀
CN1083935A (zh) * 1993-08-23 1994-03-16 浙江大学 采用晶态硅薄膜阻光层的液晶光阀及其制造方法
CN2189321Y (zh) * 1994-04-22 1995-02-08 浙江大学 缺陷控制近红外敏感非晶硅光敏层的液晶光阀
CN1493899A (zh) * 2003-08-18 2004-05-05 浙江大学 柱状结构纳米硅/非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法
CN201319100Y (zh) * 2008-07-24 2009-09-30 硅谷光学科技公司 用于实现无像素、超高解晰度影像显示的影像控制光阀
CN104656302A (zh) * 2015-02-03 2015-05-27 电子科技大学 一种液晶光阀及其制备方法
CN104900746A (zh) * 2015-05-14 2015-09-09 南京大学 一种基于径向结叠层结构的三原色光电探测方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0643482A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 空間光変調素子およびその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0288910A2 (en) * 1987-05-01 1988-11-02 Electrohome Limited Liquid crystal light valve utilizing hydrogenated amorphous silicon photodiode
CN1082720A (zh) * 1993-07-08 1994-02-23 浙江大学 采用过渡改性结构非晶硅光敏层的液晶光阀
CN1083935A (zh) * 1993-08-23 1994-03-16 浙江大学 采用晶态硅薄膜阻光层的液晶光阀及其制造方法
CN2189321Y (zh) * 1994-04-22 1995-02-08 浙江大学 缺陷控制近红外敏感非晶硅光敏层的液晶光阀
CN1493899A (zh) * 2003-08-18 2004-05-05 浙江大学 柱状结构纳米硅/非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法
CN201319100Y (zh) * 2008-07-24 2009-09-30 硅谷光学科技公司 用于实现无像素、超高解晰度影像显示的影像控制光阀
CN104656302A (zh) * 2015-02-03 2015-05-27 电子科技大学 一种液晶光阀及其制备方法
CN104900746A (zh) * 2015-05-14 2015-09-09 南京大学 一种基于径向结叠层结构的三原色光电探测方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105629564A (zh) 2016-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jia et al. High-performance deep ultraviolet photodetector based on NiO/β-Ga2O3 heterojunction
CN107316915B (zh) 可见光波段的集成石墨烯二硫化钼的光电探测器及其制备方法
Liu et al. All-inorganic lead-free NiO x/Cs3Bi2Br9 perovskite heterojunction photodetectors for ultraviolet multispectral imaging
de Melo et al. Semi-transparent p-Cu2O/n-ZnO nanoscale-film heterojunctions for photodetection and photovoltaic applications
Kumar et al. Modulation of structural properties of Sn doped ZnO for UV photoconductors
Wen et al. High-crystallinity epitaxial Sb2Se3 thin films on mica for flexible near-infrared photodetectors
CN111554757A (zh) 一种基于等离激元增强的石墨烯中红外光探测器及制备方法
CN106990598B (zh) 一种液晶空间光调制器
Yadav et al. Sol-gel-based highly sensitive Pd/n-ZnO thin film/n-Si Schottky ultraviolet photodiodes
CN110085688A (zh) 基于石墨烯-氧化镓相结的自供电型光电探测结构、器件及制备方法
CN108281554A (zh) 一种量子点结构光电探测器及其制备方法
JPH0519289A (ja) 空間光変調素子
JPH0370183A (ja) 光起電力素子
Hadi et al. Rapid laser fabrication of Nickel oxide nanoparticles for UV detector
CN104656302B (zh) 一种液晶光阀及其制备方法
CN102244111B (zh) 一种薄膜太阳能电池
CN114373825A (zh) 基于二维材料的异质结器件及包含其的光电探测器和方法
CN103236446A (zh) 一种广谱吸收的黑硅中间带太阳能电池结构及制作方法
Wang et al. Self-powered CsPbBr3 perovskite nanonet photodetector with a hollow vertical structure
CN108389874B (zh) 一种局域场增强型宽光谱高响应的光电探测器
Yang et al. Ferro-pyro-phototronic effect enhanced self-powered, flexible and ultra-stable photodetectors based on highly crystalized 1D/3D ferroelectric perovskite film
Yu et al. Recent advances in wide-spectrum photodetectors based on low-dimensional semiconductors
Chen et al. High performance near-infrared photodetector based on PbS quantum dots and graphene
Tong et al. Boosting the sensitivity of WSe2 phototransistor via Janus interfaces with 2D perovskite and ferroelectric layers
Zheng et al. Hybrid graphene-perovskite quantum dot photodetectors with solar-blind UV and visible light response

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Jiang Xiangdong

Inventor after: Wu Haifeng

Inventor after: Wang Jimin

Inventor after: Zhang Yue

Inventor before: Jiang Xiangdong

Inventor before: Wu Haifeng

Inventor before: Wang Jimin

Inventor before: Sun Yue

COR Change of bibliographic data
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant