CN105609494A - 白光发光装置 - Google Patents

白光发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105609494A
CN105609494A CN201410583957.3A CN201410583957A CN105609494A CN 105609494 A CN105609494 A CN 105609494A CN 201410583957 A CN201410583957 A CN 201410583957A CN 105609494 A CN105609494 A CN 105609494A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluorescent material
light emitting
emitting device
white light
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410583957.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105609494B (zh
Inventor
陈奕璇
徐世昌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lite On Technology Changzhou Co Ltd
Lite On Technology Corp
Original Assignee
Lite On Technology Changzhou Co Ltd
Lite On Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lite On Technology Changzhou Co Ltd, Lite On Technology Corp filed Critical Lite On Technology Changzhou Co Ltd
Priority to CN201410583957.3A priority Critical patent/CN105609494B/zh
Priority to US14/697,939 priority patent/US9491831B2/en
Publication of CN105609494A publication Critical patent/CN105609494A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105609494B publication Critical patent/CN105609494B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/06—Electrode terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

一种白光发光装置，包含一发光芯片及一荧光体层。发光芯片可发出波峰波长介于390至430nm的光。荧光体层包括第一、第二、第三荧光材料。第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光。第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光。第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光。该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。

Description

白光发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有高演色性的白光发光装置。
背景技术
现有照明用的光源演色性越高，可使被照物体所呈现的颜色越真实，反之，若演色性越低，会使被照物体所呈现的颜色越失真。
现有利用半导体芯片发光的光源，例如LED光源，在色温5000K以下的，通常演色性无法达到平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90，尤其是R9及R12通常其中之一的值无法大于90。
由于LED光源具有节能省电、环保、使用寿命长等优点，如何达到更高的演色性以扩展LED光源的应用领域，是需要解决的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有高演色性的白光发光装置。
本发明白光发光装置在一些实施态样中，包含一发光芯片及一荧光体层；该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，且在490nm波长的发光强度IG(490nm)与峰值波长的发光强度IG(Wp)的比值不小于0.3，即IG(490nm)/IG(Wp)≧0.3，该第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光，且在580nm波长的发光强度IR(580nm)与峰值波长的发光强度IR(Wp)的比值不小于0.3，即IR(580nm)/IR(Wp)≧0.3；该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。
在一些实施态样中，该发光芯片的峰值波长发光强度IC(Wp)、该第一荧光材料的峰值波长发光强度IB(Wp)、该第二荧光材料的峰值波长发光强度IG(Wp)及该第三荧光材料的峰值波长发光强度IR(Wp)的比值为：IC(Wp):IB(Wp):IG(Wp):IR(Wp)＝(3.4～5.2)：1：(1～1.6)：(1～1.5)。
在一些实施态样中，该第三荧光材料发出的光的半高宽(FWHM)大于100nm。
在一些实施态样中，该第一荧光材料为钡铝酸盐荧光粉、该第二荧光材料为硅酸盐荧光粉及该第三荧光材料为含有铕赋活的氮化物荧光粉或氮氧化物荧光粉。
在一些实施态样中，还包含一基座，且该基座具有一导线架及一与该导线架结合的外框，该外框与该导线架共同界定一容置空间，该发光芯片设于该导线架且位于该容置空间内，该荧光体层还包括一胶体且填充于该容置空间并覆盖该发光芯片，且该荧光体层的所述荧光材料总和与该胶体的比例可用以下数学式表示：y＝-20.11·ln(x)+43.067，其中x代表该荧光体层的总体积，y代表所述荧光材料总和的重量百分比。
本发明白光发光装置在一些实施态样中，包含一发光芯片及一荧光体层；该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，该第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光；以波长450-470nm为第I区、470-520nm为第II区、520-530nm为第III区、530-580nm为第IV区、580-630nm为第V区，该白光发光装置形成的整体混光的光谱在前述波长区间中至少有两区的波形分布趋势与其对应色温的参考光源的光谱在对应的区间的波形分布趋势相同，使得色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。
在一些实施态样中，将前述第I、II区定义为第一群组，将前述第III、IV、V区定义为第二群组，该白光发光装置形成的整体混光光谱在该第一、第二群组中分别至少有一区的波形分布趋势与该参考光源光谱在对应的区间的波形分布趋势相同。
在一些实施态样中，该白光发光装置形成的整体混光的光谱于前述第III、IV、V区为连续且近乎平坦的波形分布。
本发明白光发光装置在一些实施态样中，包含一发光芯片及一荧光体层；该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一蓝色荧光粉及一红色荧光粉；该蓝色荧光粉化学式为BaMgAl10O17:Eu；该红色荧光粉化学式为CaAlSi(ON)3:Eu；该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。
在一些实施态样中，该蓝色荧光粉、该绿色荧光粉与该红色荧光粉的混合比例为8:1:2。
在一些实施态样中，还包含一基座，且该基座具有一导线架及一与该导线架结合的外框，该外框与该导线架共同界定一容置空间，该发光芯片设于该导线架且位于该容置空间内，该荧光体层还包括一胶体且填充于该容置空间并覆盖该发光芯片，且该荧光体层的所述荧光粉总和与该胶体的比例可用以下数学式表示：y＝-20.11·ln(x)+43.067，其中x代表该荧光体层的总体积，y代表所述荧光材料总和的重量百分比。
本发明的有益效果在于：本发明借由近紫外光(near-UV)芯片搭配具有特定发光波长及光谱的荧光材料，可使整体混光的色温在5000K以下且演色性达到平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90的高演色性。
附图说明
图1是一立体图，说明本发明白光发光装置的第一实施例；
图2是一俯视图，说明该第一实施例；
图3是一光谱图，说明该第一实施例中第一、第二、第三荧光材料的发光光谱；
图4是一光谱图，说明该第一实施例的整体混光光谱；
图5为色温5000K的参考光源的光谱图；
图6为本发明白光发光装置的第二实施例整体混光的光谱图；
图7为色温2700K的参考光源的光谱图；及
图8是一立体图，说明本发明白光发光装置的第三实施例。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
在本发明被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。
参阅图1与图2，本发明白光发光装置的第一实施例包含一基座1、一发光芯片2及一荧光体层3。
该基座1具有一导线架11及一与该导线架11结合的外框12，其中上述二者界定一容置空间121用于容纳设于该导线架11的该发光芯片2。并以金属线4与该导线架11形成电连接。在本实施例中，该发光芯片2为近紫外光(near-UV)芯片，可发出波峰波长介于390至430nm的第一光线，具体的峰值波长(Wp)为407nm。
该荧光体层3填充于该容置空间121并覆盖该发光芯片2，包括一胶体、一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，且该胶体填充于该容置空间121并覆盖该发光芯片2，该第一、第二、第三荧光材料位于该胶体内。其中，该第一荧光材料受一第一激发光源如该发光芯片2产生的第一光线激发而发出波峰波长介于450至470nm的第二光线；第二荧光材料受一第二激发光源，例如部分该第一光线与第二光线，产生的光激发而发出波峰波长介于520至530nm的第三光线；第三荧光材料受一第三激发光源，例如部分该第一光线、第二光线与第三光线，产生的光激发而发出波峰波长介于630至650nm的光。具体而言，该第一荧光材料可被激发产生蓝光、该第二荧光材料可被激发产生绿光、该第三荧光材料可被激发产生红光。
此外，该导线架11上更可具有一安装槽111，该发光芯片2位于该安装槽111内且与该容置空间121连通。或者说，该容置空间121亦包含该安装槽111。故该荧光体层3亦填充于该安装槽111及该容置空间121或填充于包含该安装槽111的该容置空间121。
本实施例所采用的荧光材料的放射光谱(Emission)如图3所示。由于特殊演色评价数R12具体代表的颜色是饱和蓝色(strongblue)，为了有效提升R12，加入该第一荧光材料，即蓝光荧光粉，其光谱的半高宽(FWHM)亦远比一般蓝光芯片宽。而且，由于该第一荧光材料的放射光波长主要分布于432-492nm的区间内，向下延伸至410nm，向上延伸至550nm，更进一步至600nm，应使用430nm以下的激发光较佳，所以前述发光芯片2采用近紫外光(near-UV)芯片。值得注意的是，本实施例所采用的第二荧光材料在490nm波长的发光强度IG(490nm)与峰值波长的发光强度IG(Wp)的比值不小于0.3，即IG(490nm)/IG(Wp)≧0.3，借此补强该第一荧光材料在490nm波段附近发光强度较弱的部分，以使R12可以达到90以上。此外，该第二荧光材料的放射光波长主要分布于503-563nm的区间内，向下延伸至460nm，向上延伸至640nm，更进一步至700nm。再者，本实施例所采用的第三荧光材料的放射光波长主要分布于600-700nm的区间内，向下延伸至500nm，向上延伸至750nm，更进一步至800nm，半高宽(FWHM)大于100nm，且在580nm波长的发光强度IR(580nm)与峰值波长的发光强度IR(Wp)的比值不小于0.3，即IR(580nm)/IR(Wp)≧0.3，以增加第二荧光材料的放射光谱与第三荧光材料的放射光谱之间的重叠面积，减少两个光谱的波峰之间的落差，借此形成较连续且平坦的光谱，能使平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90，提升整体的演色性。
该发光芯片2与所述荧光材料受激发光整体的混光光谱如图4所示。在本实施例中，以多个样品的光谱发光强度数值如表1所示，其中，IC(Wp)代表该发光芯片2的峰值波长发光强度、IB(Wp)代表该第一荧光材料的峰值波长发光强度、IG(Wp)代表该第二荧光材料的峰值波长发光强度及IR(Wp)代表该第三荧光材料的峰值波长发光强度，并以IB(Wp)的值为基准计算IC(Wp):IB(Wp):IG(Wp):IR(Wp)的比值，表中所列的比值A、B、C、D、E分别为不同样品的测量值，估算比值范围即IC(Wp):IB(Wp):IG(Wp):IR(Wp)约为(3.4～5.2)：1：(1～1.6)：(1～1.5)。
表1
以整体混光的色温4875K为例，其平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90，详细数值如表2所示。
表2
色温 4875 R5 98 R11 96
Ra 97.4 R6 98 R12 96
R1 98 R7 98 R13 98
R2 99 R8 97 R14 97
R3 95 R9 96 R15 97
R4 96 R10 97
参阅图5，图5为接近色温5000K的参考光源的光谱图，比较图4与图5可知，以波长450-470nm为第I区、470-520nm为第II区、520-530nm为第III区、530-580nm为第IV区、580-630nm为第V区，本实施例整体混光的光谱在各区间的波形分布趋势与该参考光源的光谱在对应的区间的波形分布趋势大致相同。此外，本实施态样中，该白光发光装置形成的整体混光的光谱于前述第III、IV、V区以连续且近乎平坦的波形分布为较佳。
也就是说，在选择本实施例中所欲使用的三种荧光材料时，可搭配参考光源的光谱的波形分布，三种荧光材料所建构的整体混光光谱要与该参考光源的光谱的波形分布趋势大致相同。但值得注意的是，荧光材料整体混光光谱要与参考光源的光谱完全一致是有其难度的，故要达到较好演色评价数(Ra,R9-R15)，两者在前述五个区间中至少两个区间的波形分布趋势要大致相符；更进一步地说，若将前述第I、II区定义为第一群组，将前述第III、IV、V区定义为第二群组，该白光发光装置形成的整体混光光谱在第一、第二群组中分别至少有一区的波形分布趋势要与参考光源光谱在对应的区间的波形分布趋势大致相同。
在本实施例中，该第一荧光材料为蓝色荧光粉，以铝酸盐荧光粉较佳，如钡铝酸盐(BAM)荧光粉，具体采用化学式为BaMgAl10O17:Eu的荧光粉。该第二荧光材料为绿色荧光粉，以硅酸盐(Silicate)荧光粉较佳，具体采用化学式为(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu的荧光粉。该第三荧光材料为红色荧光粉，以含有铕(Eu)赋活的氮化物(Nitride)荧光粉以及氮氧化物(Oxynitride)荧光粉较佳，如CASN、SCASN或CASON荧光粉，具体采用化学式为CaAlSi(ON)3:Eu的荧光粉。
其中，以图1为例的白光发光装置，该第一荧光材料、该第二荧光材料与该第三荧光材料的混合比例为8:1:2，而且所述荧光材料总和与该胶体的比例，以重量百分比计为20.5wt％。
参阅图6与图7，本发明白光发光装置的第二实施例，与第一实施例结构大致相同，惟，在本实施例中，该第一荧光材料、该第二荧光材料与该第三荧光材料混合形成整体混光的色温2733K。如图6所示为第二实施例整体混光的光谱图，图7为色温2700K的参考光源的光谱图，比较图6与图7可知，以波长450-470nm为第I区、470-520nm为第II区、520-530nm为第III区、530-580nm为第IV区、580-630nm为第V区，本实施例整体混光的光谱在各局部区间波形分布与该参考光源的光谱在对应的局部区间波形分布趋势大致相同。同样地，本实施例的平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90，详细数值如表3所示。
表3
色温 2733 R5 98 R11 95
Ra 97.2 R6 99 R12 92
R1 99 R7 97 R13 99
R2 98 R8 97 R14 96
R3 94 R9 91 R15 98
R4 95 R10 95
参阅图8，本发明白光发光装置的第三实施例的基座1包含一导线架11与一环绕该导线架11结合的外框12，该外框12与该导线架11共同界定一容置空间13，一发光芯片2设于该导线架11且位于该容置空间13内，一荧光体层3填充于该容置空间13并覆盖该发光芯片2上。惟，在本实施例中，该基座1大致呈方形，该容置空间13大致呈圆形。再者，该荧光体层3的所述荧光材料总和与该胶体的比例，以重量百分比计为50至70wt％。亦能达到与第一实施例相同的演色性。由不同的封装态样大致可以归纳该荧光体层3的所述荧光材料总和与该胶体的比例可用以下数学式表示：y＝-20.11·ln(x)+43.067，其中x代表该荧光体层3的总体积，y代表所述荧光材料总和的重量百分比。
除前述实施例之外，荧光体层3也可以只含有所述荧光材料且直接形成于芯片表面，或者形成于封装胶体外表层或外置的光学结构内外表层而形成远距荧光体层(Remotephosphor)的型态。
综上所述，本发明白光发光装置借由近紫外光(near-UV)芯片搭配三种分别具有特定发光波长及光谱的荧光材料，可使整体混光的色温在5000K以下且演色性达到平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90的高演色性，故确实能达成本发明的目的。
以上所述者，仅为本发明的实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明涵盖的范围。

Claims (12)

1.一种白光发光装置，包含一发光芯片及一荧光体层；其特征在于：
该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，且在490nm波长的发光强度与峰值波长的发光强度的比值不小于0.3，该第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光，且在580nm波长的发光强度与峰值波长的发光强度的比值不小于0.3；该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。
2.如权利要求1所述的白光发光装置，其特征在于：该发光芯片的峰值波长发光强度、该第一荧光材料的峰值波长发光强度、该第二荧光材料的峰值波长发光强度及该第三荧光材料的峰值波长发光强度的比值为：(3.4～5.2)：1：(1～1.6)：(1～1.5)。
3.如权利要求1所述的白光发光装置，其特征在于：该第三荧光材料发出的光的半高宽大于100nm。
4.如权利要求1所述的白光发光装置，其特征在于：该第一荧光材料为钡铝酸盐荧光粉、该第二荧光材料为硅酸盐荧光粉及该第三荧光材料为含有铕赋活的氮化物荧光粉或氮氧化物荧光粉。
5.如权利要求1至4其中任一项所述的白光发光装置，其特征在于：该白光发光装置还包含一基座，且该基座具有一导线架及一与该导线架结合的外框，该外框与该导线架共同界定一容置空间，该发光芯片设于该导线架且位于该容置空间内，该荧光体层还包括一胶体且填充于该容置空间并覆盖该发光芯片，且该荧光体层的所述荧光材料总和与该胶体的比例可用以下数学式表示：y＝-20.11·ln(x)+43.067，其中x代表该荧光体层的总体积，y代表所述荧光材料总和的重量百分比。
6.一种白光发光装置，包含一发光芯片及一荧光体层；其特征在于：该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一第一荧光材料、一第二荧光材料及一第三荧光材料，该第一荧光材料可被激发出波峰波长介于450至470nm的光，该第二荧光材料可被激发出波峰波长介于520至530nm的光，该第三荧光材料可被激发出波峰波长介于630至650nm的光；以波长450-470nm为第I区、470-520nm为第II区、520-530nm为第III区、530-580nm为第IV区、580-630nm为第V区，该白光发光装置形成的整体混光的光谱在前述波长区间中至少有两区的波形分布趋势与其对应色温的参考光源的光谱在对应的区间的波形分布趋势相同，使得色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。
7.如权利要求6所述的白光发光装置，其特征在于：将前述第I、II区定义为第一群组，将前述第III、IV、V区定义为第二群组，该白光发光装置形成的整体混光光谱在该第一、第二群组中分别至少有一区的波形分布趋势与该参考光源光谱在对应的区间的波形分布趋势相同。
8.如权利要求6所述的白光发光装置，其特征在于：该白光发光装置形成的整体混光的光谱于前述第III、IV、V区为连续且近乎平坦的波形分布。
9.一种白光发光装置，包含一发光芯片及一荧光体层；其特征在于：
该发光芯片可发出波长介于390至430nm的光；该荧光体层包括一蓝色荧光粉及一红色荧光粉；该蓝色荧光粉化学式为BaMgAl10O17:Eu；该红色荧光粉化学式为CaAlSi(ON)3:Eu；该白光发光装置形成的整体混光的色温在5000K以下且平均演色评价数Ra及特殊演色评价数R9至R15的值都大于90。
10.如权利要求9所述的白光发光装置，其特征在于：该荧光体层还包括一绿色荧光粉，化学式为(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu。
11.如权利要求10所述的白光发光装置，其特征在于：该蓝色荧光粉、该绿色荧光粉与该红色荧光粉的混合比例为8:1:2。
12.如权利要求9至11其中任一项所述的白光发光装置，其特征在于：该白光发光装置还包含一基座，且该基座具有一导线架及一与该导线架结合的外框，该外框与该导线架共同界定一容置空间，该发光芯片设于该导线架且位于该容置空间内，该荧光体层还包括一胶体且填充于该容置空间并覆盖该发光芯片，且该荧光体层的所述荧光粉总和与该胶体的比例可用以下数学式表示：y＝-20.11·ln(x)+43.067，其中x代表该荧光体层的总体积，y代表所述荧光材料总和的重量百分比。
CN201410583957.3A 2014-10-27 2014-10-27 白光发光装置 Active CN105609494B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410583957.3A CN105609494B (zh) 2014-10-27 2014-10-27 白光发光装置
US14/697,939 US9491831B2 (en) 2014-10-27 2015-04-28 White light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410583957.3A CN105609494B (zh) 2014-10-27 2014-10-27 白光发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105609494A true CN105609494A (zh) 2016-05-25
CN105609494B CN105609494B (zh) 2019-03-01

Family

ID=55793128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410583957.3A Active CN105609494B (zh) 2014-10-27 2014-10-27 白光发光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9491831B2 (zh)
CN (1) CN105609494B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108091751A (zh) * 2017-12-06 2018-05-29 佛山市国星光电股份有限公司 一种白光led器件及其制备方法、led灯
CN108598244A (zh) * 2018-06-25 2018-09-28 欧普照明股份有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
CN108732818A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 武汉华星光电技术有限公司 背光模组、显示装置及背光模组的制作方法
WO2020001333A1 (zh) * 2018-06-25 2020-01-02 欧普照明股份有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
CN110966531A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 光宝电子(广州)有限公司 路灯装置、路灯系统及其操作方法
CN111133594A (zh) * 2017-09-26 2020-05-08 京瓷株式会社 发光装置以及照明装置
WO2020244512A1 (zh) * 2019-06-05 2020-12-10 苏州欧普照明有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
US11698182B2 (en) 2019-06-05 2023-07-11 Suzhou Opple Lighting Co., Ltd. Light source module and lighting device comprising same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10590342B2 (en) * 2016-08-25 2020-03-17 Nichia Corporation Nitride fluorescent material, method of producing nitride fluorescent material and light emitting device
JP7004892B2 (ja) * 2017-04-11 2022-01-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI713237B (zh) * 2018-08-01 2020-12-11 大陸商光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102405538A (zh) * 2009-08-26 2012-04-04 三菱化学株式会社 白色半导体发光装置
US20130277694A1 (en) * 2011-06-03 2013-10-24 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light-emitting device, exhibit-irradiating illumination device, meat-irradiating illumination device, vegetable-irradiating illumination device, fresh fish-irradiating illumination device, general-purpose illumination device, and semiconductor light-emitting system
CN103779346A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 北京宇极科技发展有限公司 一种近紫外或紫光激发的led发光装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050127833A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Tieszen Dwayne A. White light LED and method to adjust the color output of same
US8933644B2 (en) * 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
WO2012026718A2 (ko) * 2010-08-23 2012-03-01 국민대학교 산학협력단 멀티칩 백색 led 소자
WO2013147195A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 三菱化学株式会社 半導体発光装置、及び照明装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102405538A (zh) * 2009-08-26 2012-04-04 三菱化学株式会社 白色半导体发光装置
US20130277694A1 (en) * 2011-06-03 2013-10-24 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light-emitting device, exhibit-irradiating illumination device, meat-irradiating illumination device, vegetable-irradiating illumination device, fresh fish-irradiating illumination device, general-purpose illumination device, and semiconductor light-emitting system
CN103779346A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 北京宇极科技发展有限公司 一种近紫外或紫光激发的led发光装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111133594A (zh) * 2017-09-26 2020-05-08 京瓷株式会社 发光装置以及照明装置
CN111133594B (zh) * 2017-09-26 2023-10-10 京瓷株式会社 发光装置以及照明装置
CN108091751A (zh) * 2017-12-06 2018-05-29 佛山市国星光电股份有限公司 一种白光led器件及其制备方法、led灯
CN108732818A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 武汉华星光电技术有限公司 背光模组、显示装置及背光模组的制作方法
CN108598244A (zh) * 2018-06-25 2018-09-28 欧普照明股份有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
WO2020001333A1 (zh) * 2018-06-25 2020-01-02 欧普照明股份有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
CN108598244B (zh) * 2018-06-25 2020-11-03 欧普照明股份有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
CN110966531A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 光宝电子(广州)有限公司 路灯装置、路灯系统及其操作方法
CN110966531B (zh) * 2018-09-28 2022-06-21 光宝电子(广州)有限公司 路灯装置、路灯系统及其操作方法
WO2020244512A1 (zh) * 2019-06-05 2020-12-10 苏州欧普照明有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
US11698182B2 (en) 2019-06-05 2023-07-11 Suzhou Opple Lighting Co., Ltd. Light source module and lighting device comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
US9491831B2 (en) 2016-11-08
US20160120003A1 (en) 2016-04-28
CN105609494B (zh) 2019-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105609494A (zh) 白光发光装置
TWI616515B (zh) 用於一般照明與顯示器背光源之磷光體轉換白光發光裝置及光致發光化合物
CN107437576B (zh) 发光装置
JP5419315B2 (ja) 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット
JP4559496B2 (ja) 発光装置
EP3557635B1 (en) White light emitting device having high color rendering
JP2023058559A (ja) フルスペクトル白色発光デバイス
CN105255494B (zh) 黄色发光荧光体及使用其的发光装置封装
CN103608938A (zh) 半导体发光装置、展示物照射用照明装置、肉照射用照明装置、蔬菜照射用照明装置、鲜鱼照射用照明装置、一般用照明装置和半导体发光系统
JP6165248B2 (ja) 発光装置
US9923126B2 (en) Light emitting device having high color rendering using three phosphor types
CN102473815B (zh) 发光装置
JP2019114794A (ja) 発光装置
CN109216526A (zh) 发光装置
WO2016159141A1 (ja) 発光装置
CN102792473A (zh) 白色照明装置
CN104576893A (zh) 发光装置
CN111477615A (zh) 一种白光led光源
CN105247011A (zh) 氮氧化物荧光体粉末
TWI545807B (zh) 白光發光裝置
CN103855287A (zh) 一种发光装置及具有该发光装置的发光器件
TW201608006A (zh) 螢光粉、其製造方法、及發光裝置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant