CN105607018A - 一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路和方法 - Google Patents

一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路和方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路和方法，整体电路包括应力检测电路、偏置电路以及应力补偿电路。应力检测电路包括应力传感器、差分-差分放大器(DDA)和模数转换器(ADC)三部分电路。偏置电路包括基准电流、镜像电流源、比例微电流源三部分。偏置电路和霍尔传感器集成在同一芯片上的应力传感器产生与封装应力成正比的微弱的电信号，与应力传感器的失调补偿电压Voff一起传输到DDA，经DDA放大后输入ADC进行信号的模数转换，转换后的数字信号接入应力补偿电路并控制应力补偿电流的大小与极性，产生的应力补偿电流与偏置电流I0一起输入霍尔器件，最终消除霍尔器件中应力产生的电流。

Description

一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路和方法
技术领域
本发明涉及一种对集成霍尔磁传感器封装应力进行补偿和消除的电路和方法，属于传感器技术领域。
背景技术
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁电转换元件,凭借其工艺简单、体积小、生产成本低、安装简便、工作电压范围宽、使用寿命长、测量精度高以及防尘、防油等优点,已经广泛地应用到工业变频控制、交通运输、医疗系统、电子消费品和各类智能仪表等领域。
但是由于很多原因，霍尔传感器会受到应力的影响并最终使传感器性能发生较明显的变化。例如：在晶圆制造工艺、封装过程、将封装片焊接到电路板的过程、塑料密封模块的注塑过程以及外部应力等等。在诸多原因中，封装应力最为常见，封装应力不仅会通过压阻效应使霍尔片产生与应力相关的失调，而且产生的压电效应会使霍尔传感器的灵敏度发生相应的变化，影响霍尔传感器的正常工作。
应力补偿电路可以采用数字电路技术，即：预先将机械应力引起的霍尔信号变化存入存储器中，将产生的霍尔信号与其相减以消除压电效应的影响。这种方法操作简便，无需引入复杂的电路，但是，其缺点是如果预先存储的数据不完善，最终补偿的效果将不太理想。而本发明采用基于模拟电路技术的应力补偿电路，能够很好地解决上面的问题。
发明内容
本发明目的在于解决了上述现有技术的不足，提出了一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路，该电路结构简单，容易实现，能够有效地消除集成霍尔传感器封装应力对磁场灵敏度的影响。
本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：针对集成霍尔传感器封装应力产生的压电效应对霍尔片磁场灵敏度的影响，本发明提出了一种基于模拟信号技术的封装应力补偿电路，整体电路包括应力检测电路、偏置电路以及应力补偿电路，整体电路结构示意图如图1所示。应力检测电路包括应力传感器、差分-差分放大器(DDA)和模数转换器(ADC)。偏置电路包括基准电流、镜像电流源、比例微电流源。应力传感器和霍尔传感器集成在同一芯片上，产生与封装应力成正比的微弱的电信号，与应力传感器的失调消除信号Voff一起传输到DDA，经DDA放大后输入ADC进行信号的模数转换，转换后的数字信号接入应力补偿电路并控制应力补偿电流的大小与极性，产生的应力补偿电流与偏置电流I0一起输入霍尔器件，最终抵消霍尔器件受封装应力的影响。
本发明所述的偏置电路如图2所示，偏置电路包括基准电流源I0、6个MOS管(NM1、NM2、NM3、NM4、PM1、PM2)和一个可变电阻R3。NM1的漏极与电流源I0相连，NM1的漏极电流为I0，NM2与NM1的栅极互相连接形成镜像电流源，NM2的漏极电流均为I0，NM3与NM1的栅极互相连接，NM3的源极与可变电阻R3连接，形成比例微电流源，NM3的漏极电流通过调节可变电阻R3后等于IM(IM＝I0λVstressM，IM为最大补偿电流，λ为应力补偿系数，VstressM是最大可测应力的大小)。NM2的漏极与霍尔片的一端相连，PM1的漏极电流等于IM，PM2与PM1的栅极互相连接形成电流镜，PM2的漏极电流为IM，NM4的漏极与PM2的漏极连接，NM4的漏极电流为IM。NM3的源极通过可变电阻R3与地GND连接，NM1、NM2、NM4的源极与地GND连接，PM1、PM2的源极与电源VDD连接。
本发明所述的应力检测电路如图3所示，应力检测电路包括4个应力检测电阻(两个Rn和两个Rp，其中Rn是n型掺杂电阻，Rp是P型掺杂电阻)、具有负反馈环路的差分-差分运算放大器(DDA)、模数转换器(ADC)、6个反相器(Inv1、Inv2、Inv3、Inv4、Inv5、Inv6)。4个应力检测电阻(两个Rn、两个Rp)分布在霍尔片的周围，能准确测量霍尔片受到的应力，4个应力检测电阻组成回路的四个连接点中两点接偏置电压与地GND，另外两点作为输出的应力电压Vstress接差分-差分运算放大器(DDA)的一对差分输入端，DDA另外一对输入接应力检测器的失调补偿电压Voff，DDA通过R1、R2组成的回路形成负反馈放大器，放大倍数由R1、R2的值确定。DDA的输出端接模数转换器(ADC)，将消除失调的应力信号放大一定倍数后送入ADC，模数转换器最终将放大的应力信号转换为数字信号。6比特ADC的输出信号为X、a、b、c、d、e、f，其中X表示输出信号的极性。信号a、b、c、d、e、f分别经反相器Inv1、Inv2、Inv3、Inv4、Inv5、Inv6输出反信号
本发明所述的应力补偿电路如图4所示，应力补偿电路包括12个MOS管(NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8)、12个开关管(6个NMOS开关管KN1、KN2、KN3、KN4、KN5、KN6和6个PMOS开关管KP1、KP2、KP3、KP4、KP5、KP6)和2个传输门(TG1和TG2，TG1是PMOS传输门，TG2是NMOS传输门)。PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的栅极与PM2的栅极连接，PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的漏极通过PMOS传输门TG1与霍尔片的一端连接，PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的源极分别通过PMOS开关管与电源VDD连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的栅极与NM4的栅极连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的漏极通过NMOS传输门TG2与霍尔片的一端连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的源极分别通过NMOS开关管与地GND连接。信号分别连接开关管KP1、KP2、KP3、KP4、KP5、KP6的栅极，信号a、b、c、d、e、f分别连接开关管KN1、KN2、KN3、KN4、KN5、KN6的栅极。
如图5所示，本发明还提供了一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路的设计方法，该方法实现原理与流程包括：其实现原理是，霍尔片受封装应力影响后会产生压电效应，压电效应使霍尔片的磁场灵敏度Sσ发生变化(理想情况下，磁场灵敏度是恒定不变的)，为了消除这种变化，引入应力电压Vstress，根据灵敏度补偿公式Scomp＝Sσ(1+λVstress)进行补偿(λ为补偿系数)，补偿后的灵敏度Scomp将不随应力发生变化。但是由于磁场灵敏度不能直接补偿，于是将磁场灵敏度补偿转化为霍尔片偏置电流的补偿，根据灵敏度补偿公式Scomp＝Sσ(1+λVstress)类推出电流补偿公式Iplate＝I0(1+λVstress)，Iplate为流经霍尔片的电流，I0为偏置电流。根据电流补偿公式得到新的霍尔片偏置电流为Iplate，因此需要引入的应力补偿电流为Iσ＝I0λVstress。电路设计上，只需将输出电流为Iσ＝I0λVstress的补偿电路连接到霍尔片的输入电流支路，就能消除磁场灵敏度的变化。根据该原理提出的设计方法流程是：首先由应力检测电路检测出霍尔片受到的封装应力Vstress，Vstress经过运算放大器放大后的信号输入模数转换器，转换后的数字信号接入应力补偿电路并控制应力补偿电流的大小与极性，产生的应力补偿电流Iσ与偏置电流I0一起输入霍尔器件，最终消除霍尔器件中封装应力产生的电流。
有益效果：
1、本发明的应力补偿方法简单，易于实现，能够有效地消除集成霍尔传感器封装应力对失调电压和磁场灵敏度的影响。
2、本发明提出的应力补偿电路能根据封装应力的大小产生精确的可调节的补偿电流，能够有效消除压电效应对霍尔器件磁场灵敏度的影响，提高集成霍尔传感器的可靠性。
3、本发明提出的应力补偿电路可广泛应用于各种CMOS集成霍尔磁传感器中，具有面积小，功耗低和移植性强等优点。
附图说明
图1是本发明提出的消除霍尔传感器封装应力对霍尔片磁场灵敏度影响的整体电路结构示意图。
图2是图1提出的整体电路结构中的偏置电路的具体实现电路图。
图3是图1提出的整体电路结构中的应力检测电路的具体实现电路图。
图4是图1提出的整体电路结构中的应力补偿电路的具体实现电路图。
图5是本发明提出的消除霍尔传感器封装应力对霍尔片磁场灵敏度影响的实现原理与方法流程图。
图6是图1提出的整体电路结构的具体实现电路图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明创造作进一步的详细说明。
如图1所示，本发明针对集成霍尔传感器封装应力产生的压电效应对霍尔片磁场灵敏度的影响提出了一种基于模拟信号技术的封装应力补偿电路，该电路包括应力检测电路、偏置电路以及应力补偿电路。应力检测电路包括应力传感器、差分-差分放大器(DDA)和模数转换器(ADC)三部分电路。偏置电路包括基准电流、镜像电流源、比例微电流源三部分。应力传感器和霍尔传感器集成在同一芯片上，产生与封装应力成正比的微弱的电信号，与应力传感器的失调补偿电压Voff一起传输到DDA，经DDA放大后输入ADC进行信号的模数转换，转换后的数字信号接入应力补偿电路并控制应力补偿电流的大小与极性，产生的应力补偿电流与偏置电流I0一起输入霍尔器件，最终抵消霍尔器件受封装应力的影响。
如图2所示，本发明提出的偏置电路部分包括基准电流源I0、6个MOS管(NM1、NM2、NM3、NM4、PM1、PM2)和一个可变电阻R3。NM1的漏极与电流源I0相连，NM1的漏极电流为I0，NM2与NM1的栅极互相连接形成镜像电流源，NM2的漏极电流均为I0，NM3与NM1的栅极互相连接，NM3的源极与可变电阻R3连接，形成比例微电流源，NM3的漏极电流通过调节可变电阻R3后等于IM(即：IM＝I0λVstressM，IM为最大补偿电流，λ为应力补偿系数，VstressM是最大可测应力的大小)。NM2的漏极与霍尔片的一端相连，PM1的漏极电流等于IM，PM2与PM1的栅极互相连接形成电流镜，PM2的漏极电流为IM，NM4的漏极与PM2的漏极连接，NM4的漏极电流为IM。NM3的源极通过可变电阻R3与地GND连接，NM1、NM2、NM4的源极与地GND连接，PM1、PM2的源极与电源VDD连接。
如图3所示，本发明提出的应力检测电路包括4个应力检测电阻(两个Rn和两个Rp，其中Rn是n型掺杂电阻，Rp是P型掺杂电阻)、具有负反馈环路的差分-差分运算放大器(DDA)、模数转换器(ADC)、以及6个反相器(Inv1、Inv2、Inv3、Inv4、Inv5、Inv6)。4个应力检测电阻(两个Rn、两个Rp)分布在霍尔片的周围，能准确测量霍尔片受到的应力，4个应力检测电阻组成回路的四个连接点中两点接偏置电压与地GND，另外两点作为输出的应力电压Vstress接差分-差分运算放大器(DDA)的一对差分输入端，DDA另外一对输入接应力检测器的失调补偿电压Voff，DDA通过R1、R2组成的回路形成负反馈放大器，放大倍数由R1、R2的值确定。DDA的输出端接模数转换器(ADC)，将消除失调的应力信号放大一定倍数后送入ADC，模数转换器最终将放大的应力信号转换为数字信号。6比特ADC的输出信号为X、a、b、c、d、e、f，其中X表示输出信号的极性。信号a、b、c、d、e、f分别经反相器Inv1、Inv2、Inv3、Inv4、Inv5、Inv6输出反信号
如图4所示，本发明提出的应力补偿电路部分包括12个MOS管(NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8)、12个开关管(6个NMOS开关管KN1、KN2、KN3、KN4、KN5、KN6和6个PMOS开关管KP1、KP2、KP3、KP4、KP5、KP6)以及2个传输门(TG1和TG2，TG1是PMOS传输门，TG2是NMOS传输门)。PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的栅极与PM2的栅极连接，PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的漏极通过PMOS传输门TG1与霍尔片的一端连接，PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的源极分别通过PMOS开关管与电源VDD连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的栅极与NM4的栅极连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的漏极通过NMOS传输门TG2与霍尔片的一端连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的源极分别通过NMOS开关管与地GND连接。应力电压Vstress放大后通过模数转换器转换成信号a、b、c、d、e、f，分别连接开关管KN1、KN2、KN3、KN4、KN5、KN6的栅极，控制它们导通或关闭。信号由信号a、b、c、d、e、f分别通过反相器Inv1、Inv2、Inv3、Inv4、Inv5、Inv6得到，分别连接开关管KP1、KP2、KP3、KP4、KP5、KP6的栅极，控制它们导通或关闭。各个导通支路的电流之和±Iσ最终通过传输门流入霍尔片。
如图5所示，本发明还提供了一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路的设计方法，该方法实现原理与流程包括：其实现原理是，霍尔片受封装应力影响后会产生压电效应，压电效应使霍尔片的磁场灵敏度Sσ发生变化(理想情况下，磁场灵敏度是恒定不变的)，为了消除这种变化，引入应力电压Vstress，根据灵敏度补偿公式Scomp＝Sσ(1+λVstress)进行补偿(λ为补偿系数)，补偿后的灵敏度Scomp将不随应力发生变化。但是由于磁场灵敏度不能直接补偿，于是将磁场灵敏度补偿转化为霍尔片偏置电流的补偿，根据灵敏度补偿公式Scomp＝Sσ(1+λVstress)类推出电流补偿公式Iplate＝I0(1+λVstress)，Iplate为流经霍尔片的电流，I0为偏置电流。根据电流补偿公式得到新的霍尔片偏置电流为Iplate，引入的应力补偿电流为Iσ＝I0λVstress，只需将输出电流为Iσ＝I0λVstress的补偿电路连接到霍尔片的输入电流支路，就能消除磁场灵敏度的变化。根据该原理提出的设计方法流程是：首先由应力检测电路检测出霍尔片受到的封装应力Vstress，Vstress经过运算放大器放大后的信号输入模数转换器，转换后的数字信号接入应力补偿电路并控制应力补偿电流的大小与极性，产生的应力补偿电流Iσ与偏置电流I0一起输入霍尔器件，最终消除霍尔器件中封装应力产生的电流。
如图6所示，本发明的提出的应力补偿电路总电路工作原理与设计流程为：应力补偿电路中的每条支路的电流设置为固定的值，即(下半部分的NMOS支路电流从左往右分别为上半部分的PMOS支路电流从左往右分别为)。应力补偿电路中开关管的导通与关闭由应力检测电路的输出信号控制，导通各支路的电流之和作为最终的补偿电流流入霍尔片。具体原理是：应力检测电路输出信号X、a、b、c、d、e、f(其中X表示极性)，信号分别由信号a、b、c、d、e、f通过反相器得到，应力补偿电路中的开关管KP1、KP2、KP3、KP4、KP5、KP6分别由信号 控制，PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的栅极与PM2的栅极连接，PM3的宽长比是PM2的一半，当开关管KP1导通(即为0)时，PM3的漏极电流等于PM4的宽长比是PM3的一半，当开光管KP2导通(即为0)时，PM4的漏极电流等于以此类推，PM8的宽长比是PM7的一半，当开关管KP6导通(即为0)时，PM8的漏极电流等于PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的漏极通过PMOS传输门TG1与霍尔片的一端连接，PMOS传输门TG1由信号X控制。开关管KN1、KN2、KN3、KN4、KN5、KN6分别由信号a、b、c、d、e、f控制，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的栅极与NM4的栅极连接，NM5的宽长比是NM4的一半，当开关管KN1导通(即a为1)时，NM5的漏极电流等于NM6的宽长比是NM5的一半，当开关管KN2导通(即b为1)时，NM6的漏极电流等于以此类推，NM10的宽长比是NM9的一半，当开关管KN6导通(即f为1)时，NM10的漏极电流等于NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的漏极通过NMOS传输门TG2与霍尔片的一端连接，NMOS传输门TG2由信号X控制。当应力电压Vstress是正信号时，通过ADC转换后，X为1，NMOS传输门导通，PMOS传输门断开，补偿电流由补偿电路下半部分支路产生，信号a、b、c、d、e、f表示应力电压Vstress的大小，分别控制6个NMOS开关管(当信号为1时，开关管导通)，补偿电流Iσ(等于各个导通支路电流的和)通过NMOS传输门流出霍尔片。当应力电压Vstress是负信号时，通过ADC转换后，X为0，NMOS传输门断开，PMOS传输门导通，补偿电流由补偿电路上半部分产生，信号a、b、c、d、e、f通过反相器后的信号分别控制6个PMOS开关管，即(当反相信号为0时，开关管导通)，补偿电流﹣Iσ(即：等于各个导通支路电流的和)通过PMOS传输门流入霍尔片。例如：当应力检测电路的输出信号X、a、b、c、d、e、f为1001010，则应力补偿电路中NMOS传输门TG2导通，补偿电流为

Claims (6)

1.一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路，其特征在于：所述电路是一种基于模拟信号技术的封装应力补偿电路，所述电路包括应力检测电路、偏置电路和应力补偿电路，应力检测电路包括应力传感器、差分-差分放大器(DDA)和模数转换器(ADC)，偏置电路包括基准电流、镜像电流源、比例微电流源；应力传感器和霍尔传感器集成在同一芯片上，产生与封装应力成正比的微弱的电信号，与应力传感器的失调消除信号Voff一起传输到DDA，经DDA放大后输入ADC进行信号的模数转换，转换后的数字信号接入应力补偿电路并控制应力补偿电流的大小与极性，产生的应力补偿电流与偏置电流I0一起输入霍尔器件，最终抵消霍尔器件受封装应力的影响。
2.根据权利要求1所述的一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路，其特征在于：所述偏置电路包括基准电流源I0、6个MOS管(NM1、NM2、NM3、NM4、PM1、PM2)和一个可变电阻R3，所述NM1的漏极与电流源I0相连，NM1的漏极电流为I0，NM2与NM1的栅极互相连接形成镜像电流源，NM2的漏极电流均为I0，NM3与NM1的栅极互相连接，NM3的源极与可变电阻R3连接，形成比例微电流源，NM3的漏极电流通过调节可变电阻R3后等于IM，IM＝I0λVstressM，IM为最大补偿电流，λ为应力补偿系数，VstressM是最大可测应力的大小，NM2的漏极与霍尔片的一端相连，PM1的漏极电流等于IM，PM2与PM1的栅极互相连接形成电流镜，PM2的漏极电流为IM，NM4的漏极与PM2的漏极连接，NM4的漏极电流为IM，NM3的源极通过可变电阻R3与地GND连接，NM1、NM2、NM4的源极与地GND连接，PM1、PM2的源极与电源VDD连接。
3.根据权利要求1所述的一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路，其特征在于：所述应力检测电路部分包括4个应力检测电阻，即(两个Rn和两个Rp，其中Rn是n型掺杂电阻，Rp是P型掺杂电阻)、具有负反馈环路的差分-差分运算放大器(DDA)、模数转换器(ADC)、6个反相器(Inv1、Inv2、Inv3、Inv4、Inv5、Inv6)；4个应力检测电阻(两个Rn、两个Rp)分布在霍尔片的周围，用于测量霍尔片受到的应力，4个应力检测电阻组成回路的四个连接点中两点接偏置电压与地GND，另外两点作为输出的应力电压Vstress接差分-差分运算放大器(DDA)的一对差分输入端，DDA另外一对输入接应力检测器的失调补偿电压Voff，DDA通过R1、R2组成的回路形成负反馈放大器，放大倍数由R1、R2的值确定；所述的DDA的输出端接模数转换器(ADC)，将消除失调的应力信号放大一定倍数后送入ADC，模数转换器最终将放大的应力信号转换为数字信号，6比特ADC的输出信号为X、a、b、c、d、e、f，其中X表示输出信号的极性，信号a、b、c、d、e、f分别经反相器Inv1、Inv2、Inv3、Inv4、Inv5、Inv6输出反信号
4.根据权利要求1所述的一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路，其特征在于：所述应力补偿电路部分包括12个MOS管(NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8)、12个开关管(6个NMOS开关管KN1、KN2、KN3、KN4、KN5、KN6和6个PMOS开关管KP1、KP2、KP3、KP4、KP5、KP6)和2个传输门(TG1和TG2，TG1是PMOS传输门，TG2是NMOS传输门)，所述的PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的栅极与PM2的栅极连接，PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的漏极通过PMOS传输门TG1与霍尔片的一端连接，PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8的源极分别通过PMOS开关管与电源VDD连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的栅极与NM4的栅极连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的漏极通过NMOS传输门TG2与霍尔片的一端连接，NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10的源极分别通过NMOS开关管与地GND连接，应力电压Vstress放大后通过模数转换器转换成信号a、b、c、d、e、f，分别连接开关管KN1、KN2、KN3、KN4、KN5、KN6的栅极，控制它们导通或关闭，信号 由信号a、b、c、d、e、f分别通过反相器Inv1、Inv2、Inv3、Inv4、Inv5、Inv6得到，分别连接开关管KP1、KP2、KP3、KP4、KP5、KP6的栅极，控制它们导通或关闭，各个导通支路的电流之和±Iσ最终通过传输门流入霍尔片。
5.一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路的设计方法，其特征在于：所述方法首先由应力检测电路检测出霍尔片受到的封装应力Vstress，Vstress经过运算放大器放大后的信号输入模数转换器，转换后的数字信号接入应力补偿电路并控制应力补偿电流的大小与极性，产生的应力补偿电流Iσ与偏置电流I0一起输入霍尔器件，最终消除霍尔器件中封装应力产生的电流。
6.根据权利要求5所述的一种集成霍尔磁传感器封装应力补偿电路的设计方法，其特征在于：所述方法的霍尔片受封装应力影响后会产生压电效应，压电效应使霍尔片的磁场灵敏度Sσ发生变化(理想情况下，磁场灵敏度是恒定不变的)，为了消除这种变化，引入应力电压Vstress，根据灵敏度补偿公式Scomp＝Sσ(1+λVstress)进行补偿(λ为补偿系数)，补偿后的灵敏度Scomp将不随应力发生变化；但是由于磁场灵敏度不能直接补偿，于是将磁场灵敏度补偿转化为霍尔片偏置电流的补偿，根据灵敏度补偿公式Scomp＝Sσ(1+λVstress)类推出电流补偿公式Iplate＝I0(1+λVstress)，Iplate为流经霍尔片的电流，I0为偏置电流，根据电流补偿公式得到新的霍尔片偏置电流为Iplate，引入的应力补偿电流为Iσ＝I0λVstress，只需将输出电流为Iσ＝I0λVstress的补偿电路连接到霍尔片的输入电流支路，就能消除磁场灵敏度的变化。
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