CN105590665A - 纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元 - Google Patents

Abstract

实例实施方式涉及纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元，所述纳米结构体包括导电区和非导电区，其中所述导电区包括至少一根第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根至少部分地截断的第二纳米线。

Description

纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元

相关申请

本申请要求在韩国知识产权局于2014年11月12日提交的韩国专利申请No.10-2014-0157330和2015年7月22日提交的韩国专利申请No.10-2015-0103875的优先权权益，将其公开内容全部引入本文作为参考。

技术领域

实例实施方式涉及纳米结构体、其制备方法、和包括所述纳米结构体的面板单元(面板装置，panelunit)。

背景技术

氧化铟锡(ITO)已被广泛用来形成各种电子产品例如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)、和触摸屏的透明电极。

然而，由于ITO典型地是脆的，可难以将ITO用在柔性显示器和太阳能电池中并且其制造成本也在增加。因此，开发替代ITO的材料可为有利的。

发明内容

实例实施方式涉及纳米结构体和其制备方法。

实例实施方式涉及面板单元，其中通过包括所述纳米结构体，在图案化之后未发生可视性减损(visibilityimpairment)。

另外的实例实施方式将在以下描述中部分地得以阐明，并且部分地将从所述描述明晰，或者可通过实例实施方式的实践获知。

根据至少一种实例实施方式，纳米结构体包括导电区(region)和非导电区，其中所述导电区包括至少一根(种)第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根(种)部分地断开或者截断(分段，section)的第二纳米线。

所述第二纳米线的平均直径可小于所述第一纳米线的平均直径，并且所述第一纳米线和所述第二纳米线之间的平均直径的差异可为所述第一纳米线的平均直径的5％或更小。

根据至少一种实例实施方式，纳米结构体具有至少一根(种)第一纳米线和至少一根(种)第二纳米线，其包括：包括嵌入基质中的所述至少一根第一纳米线的导电区；和包括嵌入所述基质中的所述至少一根第二纳米线的非导电区，所述至少一根第二纳米线是至少部分地截断的；且所述导电区和所述非导电区在基础材料上。所述导电区可具有第一图案和所述非导电区可具有第二图案。基于所述至少一根至少部分地截断的第二纳米线，所述第一和第二图案之间的可视性减损可减少。所述至少一根第二纳米线的电阻可低于所述至少一根第一纳米线的电阻。所述至少一根第二纳米线的薄层电阻与所述至少一根第一纳米线的薄层电阻之间的差异可为10⁹Ω/□或更大。

根据至少一种实例实施方式，制备所述纳米结构体的方法包括：形成包括至少一根(种)第一纳米线的第一纳米线层；通过将形成基质(基体)的组合物涂覆在所述第一纳米线层上而制备包括所述第一纳米线和基质的导电膜；和通过如下蚀刻所述导电膜的一个区：在弱酸性条件下或者在碱性条件下使包括碱金属次氯酸盐和碱土金属次氯酸盐的至少一种的蚀刻溶液与所述一个区接触。

根据至少一种实例实施方式，提供包括所述纳米结构体的面板单元。

所述面板单元可为平板显示器(FPD)、触摸屏面板(TSP)、柔性显示器、或者可折叠显示器。

附图说明

从结合附图考虑的以下描述，这些和/或其它实例实施方式将变得明晰和更容易领会，其中：

图1为说明包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的导电膜的结构的示意图；

图2A-2D为描述制备包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的导电膜的方法的图；

图3为描述通过使用包括次氯酸钠(NaOCl)的蚀刻溶液的纳米线的部分蚀刻机理的图；

图4A为说明在根据至少一种实例实施方式的纳米结构体中的第二纳米线的结构的示意图；

图4B为说明根据至少一种实例实施方式的第二纳米线的结构的示意图；

图4C为说明根据通过蚀刻所致的在银纳米线的形状方面的变化，在银纳米线中的总散射截面的变化的图；

图5A和5B为根据实施例3制备的纳米线的透射电子显微镜(TEM)图像；

图5C为根据实施例3制备的纳米线的光学显微镜图像；

图5D-5E为根据实施例3制备的纳米结构体的扫描电子显微镜(SEM)图像；

图6为根据对比例1制备的纳米线的SEM图像；

图7A为根据对比例2制备的纳米线的光学显微镜图像；

图7B和7C为根据对比例2制备的纳米线的SEM图像；

图8A-8F说明根据实施例1制备的纳米结构体的蚀刻区(非导电区)的X-光电子能谱法的结果；

图9A-9C说明根据实施例3制备的纳米结构体的蚀刻区(非导电区)的高角度环形暗场扫描透射电子显微镜法(HAADF-STEM)的结果；

图10A-10D为实施例4-6制备的纳米线的SEM图像；

图11A为蚀刻之前的纳米线的透射电子显微镜(TEM)图像；

图11B为根据实施例8制备的纳米线的TEM图像；

图11C为根据实施例6制备的纳米线的TEM图像；

图12为说明包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的触摸屏面板的结构的示意性横截面图；

图13为说明包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的液晶显示器(LCD)的结构的示意性横截面图；

图14为说明包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的等离子体显示面板(PDP)的结构的示意性横截面图；

图15A-15E为根据实施例1、2和13以及对比例3和4制备的纳米结构体的蚀刻区的SEM图像；

图16A-16E为根据实施例2制备的纳米结构体的SEM图像，其说明光学显微结构相对于蚀刻时间的变化；

图17为说明根据实施例2制备的纳米结构体的蚀刻区和未蚀刻区之间的透射率以及雾度的差异的图；

图18A为评价实施例8中用于可靠性评价的器件的示意性横截面图；

图18B为说明根据实施例1制备的纳米结构体的可靠性评价的结果的图；和

图18C为说明根据实施例1和对比例4制备的纳米结构体的可靠性评价的结果的图。

具体实施方式

现在将详细地介绍附图中说明的实例实施方式，其中相同的附图标记始终是指相同的元件。在这点上，实例实施方式可具有许多不同形式并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，以下仅通过参照附图描述实例实施方式。表述例如“...的至少一个(种)”当在要素列表之前或之后时修饰整个要素列表，而不修饰该列表的单独要素。

将理解，当一个元件被称为“在”另外的元件“上”、“连接”或“结合”至另外的元件时，其可以直接在所述另外的元件上、连接或结合至所述另外的元件，或者可存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另外的元件“上”、“直接连接”或“直接结合”至另外的元件时，则不存在中间元件。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任意和全部组合。进一步地，将理解，当一个层被称为“在”另外的层“下面”时，其可直接在下面或者还可存在一个或多个中间层。此外，还将理解，当一个层被称为“在”两个层“之间”时，其可为所述两个层之间的唯一的层，或者还可存在一个或多个中间层。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可用在本文中描述各种元件、部件(组分)、区、层和/或部分(截面)，但是这些元件、部件(组分)、区、层和/或部分(截面)不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件(组分)、区、层或部分(截面)与另外的元件、部件(组分)、区、层或部分(截面)区分开。因此，在不脱离实例实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件(组分)、区、层或部分(截面)可称为第二元件、部件(组分)、区、层或部分(截面)。

在附图中，为了说明的清楚起见，可放大层和区的尺寸。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件(组分)。

为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语例如“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解，除图中所示的方位以外，空间相对术语还意图包含在使用或操作中的器件的不同方位。例如，如果将图中的器件翻转，描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将定向“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，实例术语“在……下方”可涵盖在……上方和在……下方两种方位。器件可以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，并且在本文中使用的空间相对描述词相应地进行解释。

本文中所使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，而不意图为对实例实施方式的限制。如本文中使用的，单数形式“一个(种)(a，an)”和“该(所述)”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另外指明。将进一步理解，当用在本说明书中时，术语“包含”和/或“包括”表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件(组分)，但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件(组分)、和/或其集合。

在本文中参照作为实例实施方式的理想化实施方式(和中间结构)的示意图的横截面图描述实例实施方式。这样，将预计到作为例如制造技术和/或公差的结果的与图示的形状的偏差。因此，实例实施方式不应解释为限于本文中图示的区的特定形状，而是包含由例如制造导致的形状上的偏差。例如，图示为矩形的植入区将典型地具有圆形或曲线特征和/或在其边缘处的植入浓度梯度而不是从植入区到非植入区的二元变化。同样，由植入形成的掩埋区可导致在介于掩埋区和穿过其发生植入的表面之间的区中的一些植入。因而，图中所示的区在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图图示器件的区的实际形状，并且不意图限制实例实施方式的范围。

除非另外定义，在本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与实例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。将进一步理解，术语例如在常用词典中定义的那些应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度形式的意义进行解释，除非在本文中清楚地如此定义。

根据至少一种实例实施方式的纳米结构体包括导电区和非导电区。所述导电区包括至少一根第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根部分地断开或者截断的第二纳米线。

由于所述非导电区的薄层电阻为10⁹Ω/□或更大例如从10¹⁰Ω/□到无穷大，所述非导电区不具有导电性。因此，由于即使时间流逝所述非导电区也保持非导电性，绝缘部分具有改善的可靠性。

为了减少或者基本上(实质上，substantially)防止在将所述纳米结构体中的纳米线图案化之后发生的可视性减损，可控制所述第二纳米线的平均直径，使得所述第二纳米线的平均直径小于所述第一纳米线的平均直径，并且所述第一纳米线和所述第二纳米线之间的平均直径的差异等于或者小于所述第一纳米线的平均直径的基本上5％。

可使用包括银纳米线(AgNW)的透明导电膜代替氧化铟锡(ITO)电极。通常，为了形成所述包括银纳米线的透明导电膜，使用磷酸与硝酸的混合物或者磷酸、硝酸与乙酸的混合物作为蚀刻溶液。当使用这些蚀刻溶液形成包括银纳米线的透明导电膜时，由于在蚀刻之后图案之间的透射率以及雾度的差异，可视性减损可发生。或者，即使当通过部分蚀刻而减少或者基本上防止在图案化之后发生的可视性减损时，额外的蚀刻也可随着时间推移进一步进行以使可视性减损恶化。相反，由于通过外部电力在其中纳米线被蚀刻的区中随着时间推移可重建导电路径，因此可降低布线(wiring)的可靠性。

在根据至少一个实例实施方式的纳米结构体中，可在设置于非导电区中的第二纳米线的表面上形成绝缘膜。当形成所述绝缘膜时，可减少或基本上防止当蚀刻随着时间推移进一步进行时常规地发生的可视性减损以及由外部电力导致的导电路径的重建。因此，非导电区(绝缘部分)的绝缘性质可随着时间推移得以保持。

因此，考虑到所述纳米结构体的总的光散射更多地取决于纳米线的直径变化而不是纳米线的长度变化(图4C)，引起所述第二纳米线的部分蚀刻，使得在设置于所述非导电区中的所述第二纳米线的平均直径小于设置于所述导电区中的所述第一纳米线的平均直径。并且所述第一纳米线和所述第二纳米线之间的平均直径的差异等于或小于所述第一纳米线的平均直径的基本上5％。如上所述，可控制设置于所述非导电区中的所述第二纳米线的蚀刻过程以调节所述第二纳米线的形状。因此，在根据至少一种实例实施方式的纳米结构体中，利用纳米线的形状、和光学性质例如透射率、雾度以及折射率的关系，可减少或者基本上防止由透射率、折射率以及雾度的差异导致的在图案化之后发生的可视性减损。当使用根据至少一种实例实施方式的纳米结构体时，可不需要另外的光漫射(扩散，diffusion)层。

参照图4C，与当减小纳米线的平均长度时(b)相比，当减小纳米线的平均直径时(c)，总散射截面减小。在图4C中，(a)表示在减小平均长度或平均直径之前的原始状态。

所述第二纳米线的平均直径可小于所述第一纳米线的平均直径。所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的平均直径的差异可等于或小于所述第一纳米线的平均直径的基本上5％，例如，在所述第一纳米线的平均直径的约0.01-5％或约0.02-约3％范围内。由于所述第二纳米线与所述第一纳米线之间的平均直径的差异如上所述是小的，因此在非导电区中透射率的增加和雾度的降低是可忽略的，由此降低或基本上防止在纳米结构体中的区之间的可视性减损。

所述第一纳米线的平均直径可在约10nm-约100nm例如约15nm-约50nm的范围内，和所述第二纳米线的平均直径可在约9.5nm-约95nm例如约14nm-约47.5nm的范围内。

所述第一纳米线和所述第二纳米线之间的平均直径的差异可在约0.5nm-约5nm的范围内。

设置于所述非导电区中的所述第二纳米线与所述第一纳米线之间的平均长度的差异可为小的。所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的平均长度的差异可等于或小于所述第一纳米线的平均长度的20％，例如，10％或更小，特别地，在所述第一纳米线的平均长度的约0.01-约10％的范围内。

所述第一纳米线的平均长度可在约3-约200μm例如约50-约100μm的范围内，和所述第二纳米线的平均长度可在约2.4-约80μm例如约10-约50μm或者约8-约40μm的范围内。

所述第一纳米线与所述第二纳米线之间的平均长度的差异可在约0.6-约20μm的范围内。

所述导电区与所述非导电区之间的薄层电阻的差异可为10⁹Ω/□或更大。

在所述非导电区中，所述至少一根第二纳米线的平均直径的偏差在约5-约10nm的范围内，和其平均长度的偏差在约2-约10μm的范围内。另一方面，在所述导电区中，所述至少一根第一纳米线的平均直径的偏差在约1-约5nm的范围内，并且其平均长度的偏差在约2-约5μm的范围内。如上所述，所述第二纳米线具有比所述第一纳米线均匀的直径和长度。

所述第二纳米线可具有约1-约500的长径比(aspectratio)，和所述第一纳米线可具有约20-约10000的长径比。另外，所述第二纳米线具有90％或更大例如在约90％-约95％的范围内的长径比均匀性。在这点上，所述长径比均匀性是通过计算所述第二纳米线的约10个长径比之间的偏差而获得的。相反，所述第一纳米线可具有小于90％的长径比均匀性，其小于所述第二纳米线的长径比均匀性。

当使用包括分别具有上述平均直径、平均长度和长径比的所述第一纳米线和所述第二纳米线的纳米结构体时，可减少或者基本上防止由雾度以及透射率的差异导致的在图案化之后发生的可视性减损。

所述非导电区可进一步包括在多个第二纳米线片段之间的绝缘部分。

所述第一纳米线和第二纳米线可分别包括如下的至少一种：金属、金属合金、金属硫化物、金属硫属化物、金属卤化物、或者半导体。例如，所述第一纳米线和第二纳米线可分别包括如下的至少一种：铁(Fe)、铂(Pt)、镍(Ni)、钴(Co)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、硅(Si)、锗(Ge)、硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)、氮化铝(AlN)、磷化铝(AlP)、砷化铝(AlAs)、锑化铝(AlSb)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、锑化铟(InSb)、碳化硅(SiC)、铁-铂(FePt)、三氧化二铁(Fe₂O₃)、和四氧化三铁(Fe₃O₄)。

根据至少一种实例实施方式，所述第一纳米线和第二纳米线可包括银(Ag)。

根据至少一种实例实施方式，所述纳米结构体的非导电区可进一步包括具有这样的区域(area)的第二纳米线：所述区域具有比其它区域显著小的平均直径，如图4A中所示。所述具有比其它区域显著小的平均直径的区域可称作“非电连接桥”。可将所述电非连接桥的平均直径控制为小于所述其它区域的平均直径。

所述第二纳米线的电非连接桥具有例如10⁹Ω/□或更大的电阻，从而实质上具有非导电性。

根据至少一种实例实施方式的纳米结构体可包括：平均直径与所述导电区的所述第一纳米线的平均直径相差所述第一纳米线的平均直径的5％或更小的第二纳米线(下文中称作“第二纳米线A”)；和具有上述电非连接桥的第二纳米线(下文中称作“第二纳米线B”)。

根据至少一种实例实施方式的纳米结构体可具有其中在多个第二纳米线片段之间形成绝缘膜的非导电区，如图4B中所示。

根据至少一种实例实施方式的纳米结构体可包括所述第二纳米线A和具有如下结构的第二纳米线(下文中称作“第二纳米线C”)：其中在多个第二纳米线片段之间形成绝缘膜。

根据至少一种实例实施方式的纳米结构体可包括所述第二纳米线A、所述第二纳米线B、和所述第二纳米线C。

所述第二纳米线A、所述第二纳米线B、和所述第二纳米线C的混合比可变化。所述第二纳米线B和所述第二纳米线C的量可分别在0.1-约50重量份的范围内，基于100重量份的所述第二纳米线A。

所述第一纳米线构成导电网络结构。在这点上，所述导电网络可具有10⁶Ω/□或更小、例如10⁵Ω/□或更小、例如在约10-约1000Ω/□的范围内的薄层电阻。

可在所述第一纳米线的表面的至少一部分上形成聚合物膜。所述聚合物膜可包括例如如下的至少一种聚合物：聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚芴、聚(3-烷基噻吩)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、聚萘、聚(对-亚苯基)、聚(对-亚苯基亚乙烯基)、聚苯乙烯、聚乙烯亚胺、聚磷腈、聚丙交酯、聚(丙交酯-共-乙交酯)、聚己内酯、聚酐、聚马来酸及其衍生物、聚氰基丙烯酸烷基酯、聚羟基丁酸酯、聚碳酸酯、聚原酸酯、聚乙二醇、聚-L-甜菜碱、聚乙交酯、和聚甲基丙烯酸甲酯。

通常，纳米线是具有小直径的线并且由于纳米线高的表面张力而倾向于聚集。因此，通过在纳米线的表面上形成所述聚合物膜，可改善纳米线的分散性并且可保护纳米线。

以与所述第一纳米线相同的方式，可在所述第二纳米线的表面的至少一部分上形成聚合物膜。

可在所述第二纳米线的表面的至少一部分上形成绝缘膜。所述绝缘膜可减少或基本上防止常规地由外部电力导致的导电路径的重建，即使随着时间流逝也是如此。

所述绝缘膜可包括如下的至少一种：氯化银(AgCl)和氧化银。在此情况下，所述绝缘膜的厚度没有特别限制并且可例如在约0.0001nm-约10nm的范围内。

所述非导电区的透射率大于所述导电区的透射率，并且所述非导电区与所述导电区之间的透射率的差异可等于或小于所述非导电区的透射率的0.1％，例如在所述非导电区的透射率的约0.01％-约0.1％的范围内。

所述非导电区的雾度小于所述导电区的雾度，并且所述非导电区与所述导电区之间的雾度的差异可等于或小于所述非导电区的雾度的0.2％，例如，在所述非导电区的雾度的约0.01％-约0.15％的范围内。

所述非导电区的薄层电阻大于所述导电区的薄层电阻，并且所述非导电区与所述导电区之间的薄层电阻的差异可为10⁹Ω/□或更大例如10¹⁰Ω/□或更大。

所述非导电区可具有大于90％的透射率、1％或更小的雾度、以及10⁹Ω/□或更大的薄层电阻。所述透射率可例如在约90.2-约95％的范围内，并且所述雾度可例如在约0.7-约0.9％的范围内。

本文中使用的术语透射率指的是穿透介质的入射光的百分数。所述纳米结构体具有约80％-约98％的透射率。

作为光散射的指标的雾度指的是在穿过试样时偏离入射光束并且被散射的透射光的百分数。所述纳米结构体具有约10％或更小例如5％或更小的雾度。根据至少一种实例实施方式，所述纳米结构体可具有2％或者更小、例如1％或者更小、特别是0.25％或更小的雾度。

在所述纳米结构体中，所述导电区和非导电区进一步包括基质。所述基质是将纳米线分散或者包埋在其中用于保护所述纳米线以减少或基本上防止所述纳米线被磨损或者腐蚀的固体材料。在所述导电和非导电区中，所述纳米线可部分地从聚合物基质暴露或者突出以使导电网络是易接近的。

所述基质可包括至少一种聚合物例如基于聚氨酯的树脂、基于聚酯的树脂、聚丙烯酸类树脂、聚甲基丙烯酸类树脂、基于聚醚的树脂、基于纤维素的树脂、聚乙烯醇、基于环氧的树脂、聚乙烯基吡咯烷酮、基于聚苯乙烯的树脂、聚乙二醇、聚苯胺、聚噻吩、和聚丁二炔。所述基质可具有约10nm-约5μm例如约50-约200nm的厚度。

所述基质可具有导电性。

所述基质可进一步包括无机材料。所述无机材料的实例包括二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、和氧化铝-二氧化硅(Al₂O₃-SiO₂)复合物。当向所述基质进一步添加所述无机材料时，可控制光的漫射，并且因此可制备具有减少的眩光的纳米结构体。

根据至少一种实例实施方式的纳米结构体可进一步包括罩面(overcoat)层。可形成所述罩面层以稳定和保护所述纳米结构体的导电网络和改善光学性质例如防眩效果和抗反射效果。

所述罩面层可为例如抗反射层、保护层、阻隔层、或者硬涂层。例如，所述抗反射层可包括光散射材料例如胶态二氧化硅和热解二氧化硅，和防眩材料例如聚硅氧烷、聚噻吩、聚吡咯、和聚氨酯。所述保护层可包括聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、和聚乙烯。

根据至少一种实例实施方式，提供包括形成于基础材料上的纳米结构体的导电膜。所述导电膜可作为光学膜使用。

图1为说明包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的导电膜的结构的示意图。

参照图1，所述导电膜具有其中纳米结构体11形成于基础材料10上的结构。纳米结构体11包括导电区12a和非导电区12b。纳米结构体11可进一步包括基质15。

根据至少一种实例实施方式，导电区12a包括至少一根第一纳米线13，和非导电区12b包括至少一根部分地断开或者截断的第二纳米线14。非导电区12b即使随着时间推移也保持其绝缘性质。另外，由于导电区12a与非导电区12b之间的雾度、透射率以及折射率的差异小，因此可减少或者基本上防止可视性减损。

将参照图2A-2D描述制备包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的导电膜的方法。

首先，在基础材料20上形成包括第一纳米线23和基质25的导电膜(图2A)。此处，所述导电膜的厚度可在约0.1-约10μm例如约1-约150nm的范围内、或者为约100nm。

基础材料20可没有限制地为任何透明的、不抑制光透射、并且具有与其期望的用途对应的弹性和耐久性的材料。

例如，基础材料20可包括如下的至少一种：Si、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、环状烯烃共聚物(COC)、三乙酰基纤维素(TAC)、聚乙烯醇(PVA)、聚酰亚胺(PI)、和聚苯乙烯(PS)。

基础材料20的厚度可在约10-约200μm的范围内并且可在能够形成用于器件用途的膜的范围内调节。

所述包括第一纳米线23和基质25的导电膜通过如下制备：在基础材料20上形成所述第一纳米线，在其上涂覆形成基质的组合物，和将所述组合物干燥。第一纳米线层包括多个纳米线并且在所述基础材料上形成至期望的、或者预定的厚度。

所述第一纳米线可为银纳米线。

所述银纳米线可通过如下合成：使用模板例如碳纳米管和聚碳酸酯膜的方法，使用纳米晶体溴化银(AgBr)和硝酸银(AgNO₃)的方法，在硝酸钠(NaNO₃)水溶液中进行两个银电极的电弧放电的方法，和通过使用聚合物例如聚乙烯醇(PVA)和聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)的还原方法。然而，所述银纳米线的合成方法不限于以上描述的那些并且可包括各种各样的其它方法。所述银纳米线可用期望的、或者预定的溶剂形成银纳米线层。

基质25可由在可见光区中具有85％或更大的透射率的聚合物形成或者包括所述聚合物。所述聚合物的实例可包括基于聚氨酯的树脂、基于聚酯的树脂、丙烯酸类树脂、基于聚醚的树脂、基于纤维素的树脂、基于聚乙烯醇的树脂、基于环氧的树脂、聚乙烯基吡咯烷酮、基于聚苯乙烯的树脂、聚乙二醇、和聚吡咯，其单独使用或者以其至少两种的组合使用。

所述形成基质的组合物包括形成基质的聚合物、分散稳定剂、和溶剂。所述溶剂可包括如下的至少一种：去离子水、醇、酮、醚、烃、和芳族化合物。在这点上，所述醇的实例包括乙醇和异丙醇。

所述形成基质的组合物可通过如下涂覆：旋涂、狭缝涂布、珠涂、喷涂、印刷、浸涂等。

代替所述形成基质的聚合物，可向其添加在所述形成基质的聚合物的制备中可利用的预聚物或者单体。当使用所述预聚物或单体时，在将包括所述预聚物或单体的形成基质的组合物涂覆在所述第一纳米线层上之后，进行施加光或热的过程。通过该施加光或热的过程，所述预聚物或单体形成相应的形成基质的聚合物。

可使用本领域中常用的任何预聚物或单体。所述预聚物或单体的实例包括丙烯酸或者甲基丙烯酸烷基或者羟烷基酯例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸甲酯、和甲基丙烯酸乙酯，有机硅丙烯酸酯，丙烯腈，丙烯酰胺，甲基丙烯酰胺，N-取代的(甲基)丙烯酰胺，以及乙烯基酯例如乙酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯和琥珀酸二乙烯基酯，乙烯基醚例如异丁基乙烯基醚，苯乙烯，N-乙烯基吡咯烷酮，氯乙烯，偏氯乙烯，如下的二丙烯酸酯：乙二醇、丙二醇、新戊二醇、六亚甲基二醇、和双酚A，4,4'-二(2-丙烯酰氧基乙氧基)二苯基丙烷，二乙烯基苯，邻苯二甲酸二烯丙酯，磷酸三烯丙酯，三烯丙基异氰脲酸酯，三(2-丙烯酰基乙基)异氰脲酸酯，环氧树脂，丙烯酸类改性的(acrylicized)环氧树脂，丙烯酸类改性的聚酯，具有环氧基团的乙烯基醚，聚氨酯和聚醚，和包括环氧基团的不饱和聚酯树脂，而不限于此。

当进行施加光或热的过程时，向所述形成基质的组合物添加聚合引发剂。

可使用光聚合引发剂或热聚合引发剂。所述光聚合引发剂可为通过光例如UV光产生自由基的任何化合物。例如，所述光聚合引发剂可包括如下的至少一种：2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(HMPP)、安息香醚、二烷基苯乙酮、羟基烷基酮、苯偶酰二甲基缩酮、酰基膦、和α-氨基酮。

所述热聚合引发剂可包括如下的至少一种：基于过硫酸盐的引发剂、基于偶氮的引发剂、过氧化氢、和抗坏血酸。特别地，所述基于过硫酸盐的引发剂的实例包括过硫酸钠(Na₂S₂O₈)、过硫酸钾(K₂S₂O₈)、和过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)。所述基于偶氮的引发剂的实例包括2,2’-偶氮二-(2-脒基丙烷)二盐酸盐、2,2’-偶氮二-(N,N-二亚甲基)异丁脒二盐酸盐、2-(氨基甲酰基偶氮)异丁腈、2,2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、和4,4’-偶氮二-(4-氰基戊酸)。所述聚合引发剂可以本领域中常用的量使用。

所述分散稳定剂为能够稳定地分散所述形成基质的组合物的成分的物质。所述分散稳定剂的实例包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、纤维素衍生物例如甲基纤维素、乙基纤维素、和羟丙基纤维素、聚乙烯醇、聚(乙烯基甲基醚)、聚(丙烯酸)、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯基吡咯烷酮、以及乙烯基吡咯烷酮与乙酸乙烯酯的共聚物。所述分散稳定剂可以本领域中常用的量使用。

如图2B中所示，在所述导电膜的一部分(第一区)上形成掩模图案26，和使所述导电膜的其上未形成掩模图案26的第二区与蚀刻溶液接触(图2B)。在这点上，所述第二区对应于非导电区12b。

掩模图案26可通过常规的光刻法工艺形成。在所述导电膜上形成光刻胶膜并且将所述光刻胶膜图案化以仅在所述导电区的第一区中形成掩模图案26。在这点上，所述第一区对应于导电区12a。

为了如上所述将所述蚀刻溶液施加至所述导电膜的仅第二区，可如图2B中所示那样使用掩模图案26。然而，也可使用各种各样的其它方法而不使用掩模图案26。可通过喷涂、印刷、刮刀涂布等将所述蚀刻溶液施加至所述导电膜的仅第二区。

在所述蚀刻溶液仅与所述导电膜的第二区12b接触时，第二纳米线14被部分地蚀刻。部分蚀刻机理如下。

首先，蚀刻剂穿过基质以氧化银纳米线的表面。然后，银离子与所述蚀刻剂的阴离子结合。通过适当地调节蚀刻时间，可将所述银纳米线的表面部分地蚀刻。

如图2B中所示，当使所述蚀刻溶液与所述导电膜的第二区接触时，所述形成基质的聚合物(聚合物基质)溶胀以使自由空间膨胀。随着所述蚀刻溶液的离子扩散和迁移通过该膨胀的自由空间，所述第二纳米线的表面在未被掩蔽的区中被氧化并且经由银离子和所述蚀刻溶液之间的反应被部分地蚀刻。所述蚀刻溶液的离子的实例包括所述蚀刻剂的PO₄ ^3-和氧化剂的NO₃ ^-。

如图2C中所示，所述银纳米线不是被除去，而是通过调节蚀刻时间而被部分地蚀刻以适合用于电绝缘。因此，在基础材料20上的未被掩蔽的区(非导电区12b)中，形成包括在基质25中的至少一根部分地断开的第二纳米线24的导电膜。通过除去掩模26，制备其中纳米结构体21形成于基础材料20上的结构，如图2D中所示。纳米结构体21具有包括如下的结构：包括至少一根第一纳米线23的导电区、包括至少一根部分地断开或者截断的第二纳米线24的非导电区、和基质25。

可通过将所述导电膜的第二区浸在所述蚀刻溶液中或者将所述蚀刻溶液喷涂到所述导电膜的第二区上而使所述蚀刻溶液与所述导电膜的第二区接触。通过喷涂，可大规模地制造所述纳米结构体。

蚀刻时间可根据所述蚀刻溶液的类型以及使所述导电膜与所述蚀刻溶液接触的方法而变化。蚀刻时间可在约10秒-约10分钟的范围内。当蚀刻时间在上述范围内时，所述蚀刻溶液不蚀刻与所述导电区对应的所述第一区的纳米线，在具有所述纳米结构体的导电膜中典型地不发生由所述导电膜的雾度以及透射率的差异导致的可视性减损，并且可大规模制造所述纳米结构体。

所述蚀刻溶液包括至少一种金属次氯酸盐例如碱金属次氯酸盐和碱土金属次氯酸盐。金属次氯酸盐的量可在基于所述蚀刻溶液的重量的约1-约30重量％的范围内。

所述蚀刻溶液中包含的金属次氯酸盐的量可根据待蚀刻的对象(所述纳米结构体的结构)略微地改变。例如，当所述纳米结构体包括包含所述第一纳米线的导电区和包含所述第二纳米线的非导电区并且进一步包括所述基质时，所述蚀刻溶液中包含的金属次氯酸盐的量可根据所述基质的硬度程度进行调节。例如，在所述蚀刻溶液中，所述金属次氯酸盐的量可在约1-约30重量％例如约5-约20重量％的范围内。当所述纳米结构体不包括所述基质时，在所述蚀刻溶液中，所述金属次氯酸盐的量可在约1-约5重量％例如约2-约5重量％的范围内。如上所述，当纳米结构体不包括基质时，与包括基质的纳米结构体相比，蚀刻溶液中可包含较少量的金属次氯酸盐。

所述金属次氯酸盐可以溶解在溶剂例如去离子水中的状态使用。所述金属次氯酸盐的浓度可在约5-约20重量％的范围内。通过使用具有上述浓度的金属次氯酸盐，可通过调节蚀刻速率和蚀刻时间获得具有期望的光学特性的纳米结构体。

除了所述金属次氯酸盐外，所述蚀刻溶液还可包括氧化剂和溶剂。所述蚀刻溶液可进一步包括本领域中常用的蚀刻剂。

所述氧化剂可为本领域中常用的任何氧化剂。所述氧化剂可包括如下的至少一种：过氧化物、过硫化物、金属氧化物盐、有机氧化剂、和气体氧化剂。

所述过硫化物的实例包括过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾，且所述过氧化合物的实例包括过氧化氢、过氧化钠和过氧化钾。所述金属氧化物盐的实例包括含钯、镁、钴、铜、银、或锰的氧化的盐例如高锰酸钾(KM_nO₄)。

所述气体氧化剂可为空气、氧气、或臭氧。所述氧化剂可为氯化铁、氯化铜、或者7,7,8,8-四氰基醌二甲烷。

当使用银纳米线时，所述氧化剂牵涉进与所述银纳米线的反应中以将银转化成氧化银。

所述氧化剂可以本领域中常用的量使用。例如，所述氧化剂的量可在基于所述蚀刻溶液的总重量的约0.1-约10重量％的范围内。当所述氧化剂的量在上述范围内时，可减少或者基本上防止由雾度和光透射率的差异导致的在图案化之后发生的可视性减损。

所述蚀刻剂可为本领域中常用的任何蚀刻剂。所述蚀刻剂可包括如下的至少一种：硝酸、磷酸、乙酸、硝酸钠(NaNO₃)、过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)、和卤化物。

所述卤化物的实例包括碘化物、氯化物、和溴化物。在这点上，所述蚀刻剂可以本领域中常用的量，例如，在基于100重量份所述金属次氯酸盐的约1-约100重量份的范围内的量使用。

所述溶剂可为水、醇等。所述溶剂可以本领域中常用的量使用。所述溶剂的量可在基于所述蚀刻溶液的总重量的约5-约30重量％的范围内。

可调节所述蚀刻溶液的pH，使得设置于所述纳米线的表面上的所述聚合物膜的聚合物在蚀刻期间被容易地除去并且将在蚀刻区与未蚀刻区的纳米线之间的平均直径的差异保持在5％以内。将所述蚀刻溶液的pH调节至弱酸性条件或者碱性条件。

在弱酸性条件下，所述蚀刻溶液的pH在约3-约6例如约3-约4的范围内。在所述碱性条件下，所述蚀刻溶液的pH为10或更大，例如11.5或更大，特别是在约12-约13的范围内。当所述pH在上述范围内时，在所述纳米结构体中一般不发生可视性减损且所述纳米结构体的绝缘部分可具有优异的可靠性。当所述蚀刻溶液的pH大于上述范围时，所述纳米线的过蚀刻可增加区之间的雾度、透射率以及折射率的差异，从而导致图案之间的可视性减损。另一方面，当所述蚀刻溶液的pH小于上述范围时，聚合物膜例如聚乙烯基吡咯烷酮膜保持在所述纳米线的表面上，使得由于所述纳米线低的蚀刻速率，可未有效地降低区之间的雾度、透射率以及折射率的差异。

所述蚀刻溶液可进一步包括反应阻滞剂和pH调节剂。

所述反应阻滞剂调节蚀刻速率或者反应性，并且所述反应阻滞剂的实例可包括碳酸钠(Na₂CO₃)、磷酸钠(Na₃PO₄)、十二水合磷酸钠(Na₃PO₄·12H₂O)、三聚磷酸钠(Na₅P₃O₁₀)、焦磷酸钠(Na₄P₂O₇)、十水合焦磷酸钠(Na₄P₂O₇·10H₂O)、和亚乙基二胺四乙酸四钠盐水合物(Na₄EDTA·10H₂O)。所述反应阻滞剂可以本领域中常用的量使用。

所述pH调节剂可将所述蚀刻溶液的pH调节至例如10或更大、特别是11.5或更大。可使用氨水、氢氧化钠溶液等作为所述pH调节剂来将所述蚀刻溶液的pH调节至碱性条件。

如上所述制备的纳米结构体可经历后处理。所述后处理可为等离子体处理、电晕放电、UV-臭氧、压制等。

所述方法可进一步包括可在第一纳米线的表面的至少一部分上形成导电聚合物膜。

图3为描述经由涂覆(包覆)在纳米线的表面上的聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)与碱性溶液中的金属次氯酸盐之间的反应使PVP环打开的机理的图。

参照图3，经由PVP和次氯酸钠之间的反应产生化合物I和氯化钠。然后，在氢氧根离子(OH^-)的存在下由化合物I产生化合物II。然后，化合物II牵涉进与氢氧根离子(OH^-)的反应，从而使PVP环打开。

在所述反应中，氢氧根离子是作为用于使PVP环打开的反应物供应的。由于聚合物例如PVP的链在碱性溶液中被容易地切断，包括PVP除去反应的蚀刻过程在碱性条件下可相对容易地进行。

图4A为说明根据至少一种实例实施方式的纳米结构体中的第二纳米线的示意图。

参照图4A，PVP膜41涂覆在第二纳米线40和40’上并且被蚀刻以形成电非连接桥42。在此情况下，电非连接桥42具有表明非导电性的约10⁹Ω/□或更大的电阻。电非连接桥42的平均直径等于或小于第二纳米线40和40’的平均直径的50％，例如在所述第二纳米线40和40’的平均直径的约0.01-约30％的范围内。由于电非连接桥42的平均直径远小于其它区域的直径，电非连接桥42实质上是非导电的。

可在所述电非连接桥上进一步形成绝缘膜。此处，所述绝缘膜可包括如下的至少一种：氯化银和氧化银。

图4B为说明根据至少一种实例实施方式的第二纳米线的结构的示意图。

参照图4B，将涂覆在第二纳米线40上的PVP膜41部分地除去，并且在第二纳米线40和40’之间形成绝缘膜43，从而形成非导电区。

根据制备根据至少一种实例实施方式的包括银纳米线的纳米结构体的方法，在蚀刻第二纳米线以形成非导电区之后，所述银纳米线部分地断开或者截断而在直径方面没有变化。由于所述第二纳米线的该结构可使在经图案化的银纳米线中的光散射特性的变化减小并且因此使经图案化的银纳米线中的雾度和透射率的变化减小，可视性减损可不发生。

通过使用能够均匀地除去包围所述银纳米线的PVP膜的氧化剂，可使所述银纳米线均匀地断裂，同时使所述银纳米线的直径的变化最小化。另外，由于在具有11.5或更大的pH的碱性溶液中金属次氯酸盐例如次氯酸钠可均匀地除去PVP膜，可使所述银纳米线均匀地断裂而不改变所述银纳米线的直径。另外，由于经由在通过使用包括所述金属次氯酸盐的蚀刻溶液氧化之后所述金属次氯酸盐与所述纳米线的银离子之间的反应可产生绝缘体例如氯化银(AgCl)，经部分蚀刻的银纳米线可不被连接。

在所述非导电区的形成中所述第二纳米线与所述第一纳米线之间的平均直径的差异与其间的平均长度的差异相比对光散射具有更大的影响的事实可如下描述。

所述银纳米线的雾度是由所述银纳米线周围的光散射导致的。

基于瑞利散射理论(瑞利偶极近似)，所述银纳米线被认为是线型电偶极子。在这点上，总散射截面通过以下式1-3确定。

式1

${\mathrm{\σ}}_{scat}=2aL\frac{{\mathrm{\π}}^2}{4}{\left|\frac{n^2-1}{n^2+1}\right|}^2{q}^3$

式2

n＝n_p/n_m

式3

q＝2πan_m/λ

在式1-3中，σ_scat为瑞利总散射截面，

a为银纳米线的半径，

L为银纳米线的长度，通常，假设L》a，

n_p为银纳米线的复数折射率，和

n_m为包围银纳米线的介质的折射率。

参照式1，银纳米线周围的光散射与银纳米线的半径的四次方成比例并且与银纳米线的长度成比例。即，随着银纳米线的直径减小，雾度减小，并且银纳米线的长度与其直径相比对雾度具有较低的影响。

式4

σ_scat∝d⁴，σ_scat∝L

在式4中，σ_scat为瑞利总散射截面。

图4C为基于瑞利散射理论说明根据通过蚀刻的在银纳米线的形状方面的变化，在银纳米线中的总散射截面的变化的图。在图4C中，银纳米线具有约15μm的长度和约20nm的直径。

图4C说明当纳米线的直径和长度减小至其原始直径和长度的2/3时在光散射方面的变化。当通过蚀刻所述纳米线而减小所述纳米线的直径时，可显著地减小光散射例如雾度。该理论结果可应用于根据至少一种实例实施方式的纳米线的部分蚀刻。为了减少或基本上防止在图案化之后在银纳米线中发生的可视性减损，需要减小蚀刻之前和之后的透射率以及雾度的差异。由于通过蚀刻，银纳米线仅在其长度方向上断裂而在直径方面没有改变，在银纳米线的图案化之后雾度的差异减小，从而减少或基本上防止可视性减损。

根据至少一种实例实施方式的面板单元包括所述纳米结构体。

所述纳米结构体可用作代替ITO电极的透明电极。

所述面板单元的实例包括平板显示器(FPD)、触摸屏面板(TSP)、柔性显示器、和可折叠显示器。

FPD的实例包括液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)。

通过将LCD中包围液晶的基板用塑料膜代替而获得的柔性显示器或可折叠显示器具有柔性。由于柔性显示器或可折叠显示器是薄且轻的、具有高的抗冲击性、并且是可折叠的或者可弯曲的，因此它们可以各种形状制造。另外，因为柔性显示器或可折叠显示器由于这些轻和薄的性质而即使在落下之后也不破裂，其可被制造为曲面显示器并且具有各种各样的应用。

柔性显示器的实例包括等离子体显示面板、液晶显示设备、移动电话、平板电脑、电子纸(E-Paper)、和可穿戴显示器。

图12为说明包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的触摸屏面板的示意性横截面图。

参照图12，触摸屏面板设备640包括下部面板642，下部面板642包括涂覆有第一导电层646的第一基板644并且具有顶部导电表面648。

上部面板650设置成面对下部面板642并且通过设置在触摸屏面板设备640的元件的末端处的粘合围护物(adhesiveenclosure)652和652’从其隔开。上部面板650包括第二基板656和涂覆或者层叠在第二基板656上的第二导电层654。第二导电层654具有面对导电表面648并且设置在间隔体660上方的内部导电表面658。

当用户触摸上部面板650时，内部导电表面658电接触下部面板642的顶部导电表面648。因此，产生接触电阻以导致在静电场方面的变化。控制器(未示出)感知所述变化，解析实际触摸的坐标，并且将其信息传输至操作系统。

第一导电层646和第二导电层654的至少一个包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体。

所述触摸屏面板可为电容型触摸屏面板。

图13为说明包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的作为平板显示面板之一的LCD542的结构的示意性横截面图。

图13中所示的LCD为包括顶栅型薄膜晶体管(TFT)的液晶显示器(LCD)。

在顶栅型TFT中，栅电极设置在活性层上。

LCD542包括滤色器基板546、TFT基板544、和介于其间的液晶层548。如上所述，TFT550和像素电极552以矩阵构型排列在TFT基板544中的下部透明基板554上。可向公共电极556施加公共电压，并且在顶部透明基板560上设置滤色器558。像素电极552和公共电极556之间的电压驱动液晶盒(像素)，并且像素电极552和公共电极556面对介于其间的液晶层548。

设置在下部透明基板554上以与各像素对应的TFT550为顶栅型TFT，并且在活性层564上设置栅电极562。在下部透明基板554上通过本领域中常用的任何方法将TFT550的活性层564图案化。在活性层564上设置栅绝缘层567以覆盖活性层564。活性层564的面对栅电极562的一部分为沟道区564c。在沟道区564c的两侧上设置其中注入有杂质的漏区564d和源区564s。活性层564的漏区564d连接至数据线，并且所述数据线经由在覆盖栅电极562的层间绝缘层568中形成的接触孔起到漏电极566的作用。另外，设置绝缘层570以覆盖所述数据线和漏电极566。在绝缘层570上设置构成像素电极552的根据至少一种实例实施方式的纳米结构体。像素电极552经由接触孔连接至活性层564的源区564s。可在所述像素电极上设置第一定向层572。

除了图13中所示的包括顶栅型TFT的LCD之外，根据至少一种实例实施方式的纳米结构体也可应用于包括底栅型TFT的LCD。在底栅型TFT中，可与顶栅型TFT不同地将活性层设置在栅电极上。

根据至少一种实例实施方式的纳米结构体适合用于PDP中的显示电极并且是在例如300℃的高温下电和光学稳定的。

图14为说明包括根据至少一种实例实施方式的纳米结构体的作为平板显示面板之一的等离子体显示面板(PDP)606的结构的示意性横截面图。

参照图14，PDP606包括下部透明基板608，形成于下部透明基板608上的下部绝缘层610，形成于下部绝缘层608上的寻址电极612，形成于寻址电极612和下部绝缘层610上的下部介电层614，限定放电室(dischargecell)618的隔离壁(insulatingwall)616，设置在隔离壁616上的黑矩阵层620，形成于黑矩阵层620、隔离壁616的侧壁上以及下部绝缘层608上的荧光层622，上部透明基板624，设置在上部透明基板624上以与寻址电极612平行的显示电极626，分别形成于显示电极626的一部分上的汇流电极628，形成于汇流电极628、显示电极626和上部透明基板624上的上部介电层630，和形成于上部透明基板630上的保护层632(例如，MgO)。

所述显示电极包括根据至少一种实例实施方式并且被图案化的纳米结构体。

根据至少一种实例实施方式的纳米结构体也可应用于光伏电池、电子发光设备等。

下文中，将参照以下实施例详细地描述一个或多个实例实施方式。这些实施例不意图限制公开内容的意图和范围。

制备实施例1：其表面上具有聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)涂覆膜的银纳米线的制备。

将2×10^-2g氯化铂(PtCl₂)溶解在0.5ml乙二醇中，并且将反应混合物添加至5ml乙二醇并且加热至约160℃。

将硝酸银(AgNO₃)(0.05g,Aldrich,99+％)的乙二醇溶液5ml和聚乙烯基吡咯烷酮(0.2g，重均分子量：40,000)的乙二醇溶液5ml添加至该反应混合物。将反应混合物在160℃加热约60分钟。

将所得混合物冷却至室温(25℃)并且通过向其添加丙酮而稀释10倍。将经稀释的溶液以约2000rpm离心约20分钟以制备其上形成有PVP涂覆膜的银纳米线。

表1：根据下列实施例的蚀刻溶液、时间和pH

实施例1：纳米结构体的制备

将所述其表面上具有PVP涂覆膜的银纳米线与去离子水混合以制备所述银纳米线的含水分散体。

将所述银纳米线的含水分散体涂覆在Si基底上并且干燥以形成在基础材料上的银纳米线层。

将形成基质的组合物涂覆在所述银纳米线层上以在所述银纳米线层上形成基质(罩面膜)至约100nm的厚度，从而制备导电膜。所述形成基质的组合物通过将1g氨基甲酸酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)与9g体积比为约1:1的双丙酮醇和异丙醇的混合溶剂混合而获得。

在所述导电膜的第一区上形成光刻胶膜并且将所述光刻胶膜图案化以在所述导电膜的第一区上形成掩模图案。通过使用所述掩模图案作为掩模，将所述导电膜的其上未设置所述掩模的第二区浸在蚀刻溶液中约8分钟，并且使用所述蚀刻溶液将设置在所述导电膜的第二区中的银纳米线部分地蚀刻约2.5分钟。

使用含有次氯酸钠和去离子水的蚀刻溶液，且所述蚀刻溶液的pH为约6。所述蚀刻溶液中的次氯酸钠的量为约15重量％。

将经蚀刻的所得结构体用去离子水洗涤并且干燥以制备纳米结构体。

实施例2：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例1中相同的方式制备纳米结构体：使用通过向实施例1的蚀刻溶液添加1M乙酸(CH₃COOH)而制备的溶液，并且蚀刻时间为约3分钟。在所述蚀刻溶液中，1M乙酸的量为20体积％，并且所述蚀刻溶液的pH为约4。

实施例3：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例1中相同的方式制备纳米结构体：使用通过向实施例1的蚀刻溶液添加1M氢氧化钠而制备的溶液，并且蚀刻时间为约2.5分钟。在所述蚀刻溶液中，氢氧化钠的量为10体积％，并且所述蚀刻溶液的pH为约11。

实施例4：纳米结构体的制备

将所述其表面上具有PVP涂覆膜的银纳米线与去离子水混合以制备所述银纳米线的含水分散体。

将所述银纳米线的含水分散体涂覆在Si基底上并且干燥以形成在基础材料上的银纳米线层。

在所述银纳米线层的第一区上形成光刻胶膜并且将所述光刻胶膜图案化以在所述银纳米线层的第一区上形成掩模图案。通过使用所述掩模图案作为掩模，将所述银纳米线层的其上未设置所述掩模的第二区浸在蚀刻溶液中约8分钟并且将所述银纳米线层的第二区中包含的银纳米线部分地蚀刻约3分钟。所述蚀刻溶液通过如下制备：向包括次氯酸钠和去离子水的溶液添加1M乙酸(CH₃COOH)溶液，并且所述蚀刻溶液的pH为约5.3。在所述蚀刻溶液中，1M乙酸的量为20体积％，且所述蚀刻溶液中包含的次氯酸钠的量为约2.0重量％。

将经蚀刻的所得结构体用去离子水洗涤并且干燥以制备纳米结构体。

实施例5：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例4中相同的方式制备纳米结构体：使用实施例4的蚀刻溶液制备溶液，使得所述溶液包含约2.5重量％次氯酸钠(NaOCl)，并且使用所述溶液作为蚀刻溶液。所述蚀刻溶液的pH为约5.4。

实施例6：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例4中相同的方式制备纳米结构体：使用实施例4的蚀刻溶液制备溶液，使得所述溶液包含约3.33重量％次氯酸钠，使用所述溶液作为蚀刻溶液，并且蚀刻时间为约30秒。所述蚀刻溶液的pH为约5.6。

实施例7：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例4中相同的方式制备纳米结构体：使用实施例4的蚀刻溶液制备溶液，使得所述溶液包含约5.0重量％次氯酸钠，使用所述溶液作为蚀刻溶液，并且蚀刻时间为约30秒。所述蚀刻溶液的pH为约5.8。

实施例8：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例4中相同的方式制备纳米结构体：使用实施例4的蚀刻溶液制备溶液，使得所述溶液包含约2.5重量％次氯酸钠(NaOCl)，使用所述溶液作为蚀刻溶液，并且蚀刻时间为约30秒。所述蚀刻溶液的pH为约5.4。

实施例9：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例3中相同的方式制备纳米结构体：蚀刻溶液的pH为约13。

实施例10：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例3中相同的方式制备纳米结构体：蚀刻溶液的pH为约12。

实施例11：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例1中相同的方式制备纳米结构体：使用通过向次氯酸钠和去离子水添加0.1M氢氧化钠而制备的溶液作为蚀刻溶液，且蚀刻时间为约7分钟。所述蚀刻溶液中的次氯酸钠的量为15重量％，且所述蚀刻溶液中包含的氢氧化钠的量为10体积％，且蚀刻溶液的pH为约11。

表2：根据下面的对比例的蚀刻溶液和时间

对比例1：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与实施例1中相同的方式制备纳米结构体：使用91.8重量％的磷酸(H₃PO₄)和8.2重量％的硝酸(HNO₃)的混合物作为蚀刻溶液，并且蚀刻进行7分钟。

对比例2：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与对比例1中相同的方式制备纳米结构体：使用PMA-17A(Soulbrain,Co.,Ltd.,67重量％的磷酸+6重量％的硝酸+10重量％的乙酸+添加剂+去离子水(DI)(余量))作为蚀刻溶液，且蚀刻时间为约2分钟。

对比例3：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与对比例2中相同的方式制备纳米结构体：蚀刻时间为约3分钟。

对比例4：纳米结构体的制备

除了如下之外，以与对比例2中相同的方式制备纳米结构体：蚀刻时间为约20秒。

评价实施例1：光学显微镜法、扫描电子显微镜法和透射电子显微镜法

1)实施例3以及对比例1和2

通过光学显微镜法和扫描电子显微镜法对根据实施例3以及对比例1和2制备的纳米结构体进行分析。对于扫描电子显微镜法，使用S-5500(Hitachi)，和对于透射电子显微镜法，使用Titancubed60-300(FEI)。

根据实施例3制备的纳米结构体的扫描电子显微镜(SEM)图像示于图5D-5E中。图6为根据对比例1制备的纳米结构体的SEM图像。图7A说明对根据对比例2制备的纳米结构体进行的光学显微镜法的结果，并且图7B和7C说明对根据对比例2制备的纳米结构体进行的扫描电子显微镜法的结果。图7B说明图7A的用圆圈标记的部分的放大的图像。图7C说明图7B的用圆圈标记的部分的放大的图像。

在图5D、6和7B中，左边部分表示蚀刻区，和右边部分表示未蚀刻区(即掩蔽区)。

如图6中所示，在根据其中使用硝酸和磷酸的混合物作为蚀刻溶液的对比例1制备的纳米结构体的蚀刻区中未观察到银纳米线。

如图7A-7C中所示，根据其中使用硝酸、磷酸和乙酸的混合物作为蚀刻溶液的对比例2制备的纳米结构体的蚀刻区中观察到大量银纳米线。在银纳米线的直径和长度方面发现多种变化，这与实施例3的那些不同。

相反，在图5C-5E中所示的根据实施例3制备的纳米结构体中，难以将蚀刻区与未蚀刻区区分开，并且银纳米线具有均匀的直径且在蚀刻区中被部分地断开或者截断。因此，图案彼此绝缘。另外，断裂的第二纳米线的长度是相对均匀的。这是因为，由于在碱性溶液中次氯酸钠和设置在银纳米线的表面上的聚乙烯基吡咯烷酮之间的反应，聚乙烯基吡咯烷酮的链均匀地断裂。

2)纳米线的平均直径和平均长度的测量

通过扫描电子显微镜法对根据实施例3以及对比例1和2制备的纳米结构体进行分析。对于扫描电子显微镜法，使用S-5500(Hitachi)。

通过扫描电子显微镜法，使用第一纳米线和第二纳米线的10个长度和10个直径测量第一纳米线和第二纳米线各自的平均长度和平均直径的偏差。第一纳米线和第二纳米线之间的平均直径的差异以及第一纳米线与第二纳米线之间的平均长度的差异使用以下式5和6计算。

式5

平均直径的差异＝{第一纳米线(AgNW1)的平均直径-第二纳米线(AgNW2)的平均直径)/第一纳米线(AgNW1)的平均直径}×100

式6

平均长度的差异＝{第一纳米线(AgNW1)的平均长度-第二纳米线(AgNW2)的平均长度)/第一纳米线(AgNW1)的平均长度}×100

表3

实施例	平均直径的差异(％)	平均长度的差异(％)
			实施例3	4.5	9
对比例1	7	15
			对比例2	9	20

如表3中所示，在根据实施例3制备的纳米结构体中，第一纳米线和第二纳米线之间的平均直径的差异为5％或更小，并且第一纳米线与第二纳米线之间的平均长度的差异为10％或更小。相反，在根据对比例1和2制备的纳米结构体中，第一纳米线和第二纳米线之间的平均直径的差异大于5％，并且第一纳米线与第二纳米线之间的平均长度的差异大于10％。

另外，在根据实施例11以及对比例3和4制备的纳米结构体中，计算第一纳米线与第二纳米线之间的平均直径的差异和平均长度的差异并且将其示于下表4中。

表4

实施例	平均直径的差异(％)	平均长度的差异(％)
			实施例11	4.3	8
对比例3	9	15
			对比例4	11	20

如表4中所示，在根据实施例11制备的纳米结构体中，第一纳米线和第二纳米线之间的平均直径的差异为5％或更小，并且第一纳米线与第二纳米线之间的平均长度的差异为10％或更小。相反，在根据对比例3和4制备的纳米结构体中，第一纳米线和第二纳米线之间的平均直径的差异大于5％，并且第一纳米线与第二纳米线之间的平均长度的差异大于10％。

3)实施例1、2和11以及对比例3和4

通过扫描电子显微镜法对根据实施例1、2和11以及对比例3和4制备的纳米结构体进行分析。对于扫描电子显微镜法，使用S-5500(Hitachi)。

图15A-15E分别为根据实施例1、2和11以及对比例3和4制备的纳米结构体的蚀刻区的SEM图像。

参照图15A-15C，在根据实施例1、2和11制备的纳米结构体的蚀刻区中，银纳米线是相对均匀地设置的。在实施例1中，使用包括次氯酸钠的溶液作为蚀刻溶液，且在实施例2中，使用包括次氯酸钠和乙酸的溶液作为蚀刻溶液。而且，在实施例11中，向实施例1的蚀刻溶液添加氢氧化钠。

相反，参照图15D-15E，在根据对比例3和4制备的纳米结构体中在银纳米线的直径和长度方面发现多种变化，这与根据实施例1、2和11的那些不同。在对比例3和4中，使用PMA-17A作为蚀刻溶液。对比例3的蚀刻时间为约3分钟，且对比例4的蚀刻时间为约20秒。

评价实施例2：光学显微镜法、扫描电子显微镜法、和透射电子显微镜法1)实施例4-7

对根据实施例4-7制备的纳米线的透射电子显微镜(TEM)图像进行说明。对于透射电子显微镜法，使用Titancubed60-300(FEI)。图10A-10D为根据实施例4-7制备的纳米线的TEM图像。在实施例4-7中，次氯酸钠的浓度分别为2.0重量％、2.5重量％、3.33重量％、和5重量％。

参照图10A-10D，经蚀刻的纳米线的形状根据蚀刻期间使用的次氯酸钠的量变化。如上所述，由于通过调节次氯酸钠的浓度可改变纳米线的形状并且可缩短蚀刻时间，因此可有效地大规模制造纳米结构体。

2)实施例3

图5C为根据实施例3制备的纳米结构体的光学显微镜图像，并且其TEM图像如图5A和5B中所示。图5A为根据实施例3蚀刻纳米结构体的早期阶段的TEM图像。图5B为说明过蚀刻状态的TEM图像。图5C为根据实施例3制备的纳米结构体的部分蚀刻区和掩蔽区的光学显微镜图像。图5D和5E为SEM图像。图5D说明图5C的用圆圈标记的放大部分。图5E说明图5D的用圆圈标记的放大的部分。

3)实施例6和8

图11B和11C为说明根据实施例8和6制备的纳米线的TEM图像。图11A为说明蚀刻之前的纳米线的TEM图像。

参照图11A-11C，根据NaOCl的浓度，PVP以不同的方式被蚀刻。另外，通过调节pH，PVP以不同的方式被除去，并且因此，经蚀刻的银纳米线的长度改变。

评价实施例3：光透射率和雾度的测量

1)实施例3以及对比例1和2

测量根据实施例3以及对比例1和2制备的纳米结构体的光透射率和雾度。在这点上，使用BYKGardnerHaze-gardPlus测量光透射率和雾度。

结果示于下表3中。在表3中，透射率的差异是在蚀刻之前和之后纳米结构体的光透射率的差异，或者导电区与非导电区之间的光透射率的差异。另外，雾度的差异是在蚀刻之前和之后的雾度的差异，或者导电区和非导电区之间的雾度的差异。

表5

参照表5，根据实施例3制备的纳米结构体具有比根据对比例1和2制备的纳米结构体低的透射率以及雾度的差异，并且因此在根据实施例3的纳米结构体中可不发生可视性减损。基于所述结果，当根据实施例3进行蚀刻时，银纳米线被部分地断开或者截断而在其直径方面没有变化，并且因此证实，可视性减损未发生。由于基于瑞利散射理论，银纳米线周围的光散射更多地取决于纳米线的直径变化而不是银纳米线的长度变化，因此得到表2中所示的结果。由于低的透射率以及雾度差异，可减少或者基本上防止在将银纳米线图案化之后发生的可视性减损。另外，由于通过使用基于氯的蚀刻剂例如次氯酸钠蚀刻之后形成氯化银的绝缘体，可改善绝缘部分的可靠性。

2)实施例1、2和11以及对比例3和4

测量根据实施例1、2和11以及对比例3和4制备的纳米结构体的光透射率、雾度和电阻。在这点上，使用BYKGardnerHaze-gardPlus测量光透射率和雾度。使用Fluke175TrueRMSMultimeter测量薄层电阻。

结果示于下表6中。在表6中，透射率的差异是在蚀刻之前和之后纳米结构体的光透射率的差异或者导电区与非导电区之间的光透射率的差异。另外，雾度的差异是在蚀刻之前和之后雾度的差异或者导电区与非导电区之间的雾度的差异。

表6

在表6中，ΔT指在蚀刻之前和之后的光透射率的差异，和ΔH指在蚀刻之前和之后的雾度的差异。

基于表6，根据实施例1、2和11制备的纳米结构体具有比根据对比例3和4制备的纳米结构体低的光透射率以及雾度的差异，并且因此可视性减损未发生。

评价实施例4：薄层电阻的测量

测量根据实施例1和对比例1制备的纳米结构体的薄层电阻。使用Fluke175TrueRMSMultimeter测量薄层电阻。

薄层电阻的差异为蚀刻区与未蚀刻区之间的薄层电阻的差异。

根据对比例1制备的纳米结构体的薄层电阻在蚀刻之前为约30Ω/□并且在蚀刻之后增加至154.5Ω/□。

相反，根据实施例1制备的纳米结构体在蚀刻之前和之后的薄层电阻的差异与根据对比例1制备的纳米结构体相比是可忽略的。

评价实施例5：X-光电子能谱法(XPS)和高角度环形暗场扫描透射电子显微镜法(HAADF-STEM)

通过使用Qunatum2000(PhysicalElectronics)对根据实施例1制备的纳米结构体进行X-光电子能谱法(XPS)。

XPS的结果示于图8A-8F中。

参照图8B，涂覆在银纳米线的表面上的聚合物的化学状态即使在被蚀刻之后也未改变。

如图8A和8E中所示，在其中检测到银的区中观察到氯化银(AgCl)和氯化钠(NaCl)。证实，次氯酸钠和银纳米线之间的反应产生氯化银和氯化钠。将氯化钠经由充分的洗涤过程除去。

HAADF-STEM的结果如图9A-9C中所示。参照图9A-9C，可确定银和氯(Cl)的存在。

评价实施例6：时间依赖性试验

通过评价布线可靠性，对根据实施例5和6制备的银纳米线(纳米结构体)进行时间依赖性试验。

在下表7中，电阻变化是在85℃以85％的相对湿度测试的。通过测量电阻变化而评价银纳米线的布线可靠性，并且结果示于下表7中。

表7

如表7中所示，当使用根据实施例5和6制备的银纳米线时，布线可靠性改善。

评价实施例7：光学显微结构变化试验

通过扫描电子显微镜法测量根据实施例2制备的纳米结构体相对于蚀刻时间的光学显微结构变化，并且测量根据实施例2制备的纳米结构体的光透射率、雾度和电阻。在这点上，使用BYKGardnerHaze-gardPlus测量光透射率和雾度。使用Fluke175TrueRMSMultimeter测量薄层电阻。

图16A-16E为根据实施例2制备的纳米结构体的SEM图像，其说明光学显微结构随着时间推移的变化。图16A-16E为说明在开始蚀刻之后约1分钟时、约2分钟时、约3分钟时、约4分钟时、和约5分钟时的纳米结构体的状态的SEM图像。

测量根据实施例2制备的纳米结构体的蚀刻区与未蚀刻区之间的透射率以及雾度的差异并且结果示于图17中。在图17中，Δ(蚀刻区-未蚀刻区)表示在蚀刻区与未蚀刻区之间的透射率以及雾度的差异。

参照图17，当使用根据实施例2的蚀刻溶液时，当蚀刻区被绝缘时，在1分钟之后光透射率和雾度未显著变化，并且即使在过蚀刻5分钟之后，AgNW的经蚀刻的形状也未显著变化。因此，光透射率和雾度未显著变化。

当使用常规的蚀刻溶液时，通过过蚀刻，雾度的差异增加，从而导致可视性减损。然而，由于通过使用所述具有3的pH的蚀刻溶液，银纳米线未变化，因此雾度未变化且可视性减损未发生。在纳米线的表面上形成绝缘膜，并且因此包括所述银纳米线的透明电极的持续时间可改善而没有蚀刻溶液的影响。

评价实施例8：可靠性的评价

将根据实施例1和对比例4制备的纳米结构体蚀刻并且封装为如图18A中所示的器件，并且评价其可靠性。

图18A中所示的器件包括玻璃基底180、光学透明粘合剂(OCA)181、根据实施例1或对比例4制备的纳米结构体182、和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜184。此处，附图标记183表示金属互连例如Ag互连。

可靠性评价的结果如图18B和18C中所示。在图18B中，50μm和200μm各自表示分别具有50μm和200μm厚度的根据实施例1制备的纳米结构体。

在图18C中，实施例1(50μm)和实施例4(50μm)各自表示以膜状态测量的根据实施例1和对比例4的纳米结构体(分别具有50μm的厚度)。

参照图18B，作为可靠性试验的结果，根据实施例1制备的纳米结构体的电阻变化为1％或更小。

参照图18C，根据实施例1制备的纳米结构体呈现出比根据对比例4制备的纳米结构体低的时间依赖性变化，从而具有改善的可靠性。

如上所述，按照根据以上实例实施方式的一个或多个的纳米结构体，由于图案之间的小的透射率以及雾度的差异，可减少或者基本上防止可视性减损。

应理解，本文中描述的实例实施方式应仅以描述意义考虑而不用于限制目的。各实例实施方式内的特征的描述应典型地被认为可用于其它实例实施方式中的其它类似或者相同特征。

虽然已经参照附图描述了一个或多个实例实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求所限定的精神和范围的情况下可在其中进行形式和细节上的各种变化。

Claims (42)

1.纳米结构体，其包括导电区和非导电区，

其中所述导电区包括至少一根第一纳米线，和

所述非导电区包括至少一根至少部分地截断的第二纳米线。

2.权利要求1的纳米结构体，其中所述第二纳米线的平均直径低于所述第一纳米线的平均直径，和所述第一纳米线与所述第二纳米线之间在平均直径方面的差异为5％或更小。

3.权利要求1的纳米结构体，其中所述第二纳米线的平均长度低于所述第一纳米线的平均长度，和所述第一纳米线与所述第二纳米线之间在平均长度方面的差异为10％或更小。

4.权利要求1的纳米结构体，其中所述非导电区与所述导电区之间在薄层电阻方面的差异为10⁹Ω/□或更大。

5.权利要求1的纳米结构体，其中所述第二纳米线的平均直径的偏差在5nm-10nm的范围内。

6.权利要求1的纳米结构体，其中所述第二纳米线的平均长度的偏差在2μm-10μm的范围内。

7.权利要求1的纳米结构体，其中所述第二纳米线的长径比在1-500的范围内。

8.权利要求1的纳米结构体，其中所述第二纳米线的长径比均匀性为90％或更大。

9.权利要求1的纳米结构体，进一步包括：

在所述第二纳米线的表面的至少一部分上的绝缘膜。

10.权利要求9的纳米结构体，其中所述绝缘膜包括如下的至少一种：氯化银(AgCl)和氧化银。

11.权利要求1的纳米结构体，进一步包括：

在所述第一纳米线和所述第二纳米线的表面的至少一部分上的聚合物膜。

12.权利要求11的纳米结构体，其中所述聚合物膜包括如下的至少一种：聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚芴、聚(3-烷基噻吩)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、聚萘、聚(对-亚苯基)、和聚(对-亚苯基亚乙烯基)。

13.权利要求1的纳米结构体，其中所述第二纳米线的平均直径在9.5nm-95nm的范围内，和所述第二纳米线的平均长度在2.4μm-80μm的范围内。

14.权利要求1的纳米结构体，其中所述非导电区的雾度小于所述导电区的雾度，和所述非导电区的雾度与所述导电区的雾度之间的差异为0.2％或更小。

15.权利要求1的纳米结构体，其中所述第一纳米线的平均直径在10nm-100nm的范围内，和所述第一纳米线的平均长度在3μm-100μm的范围内。

16.权利要求1的纳米结构体，其中所述至少一根第二纳米线的平均直径小于所述至少一根第一纳米线的平均直径。

17.权利要求1的纳米结构体，其中所述非导电区进一步包括在多个第二纳米线片段之间的绝缘部分。

18.权利要求1的纳米结构体，其中所述第一纳米线和所述第二纳米线分别包括如下的至少一种：铁(Fe)、铂(Pt)、镍(Ni)、钴(Co)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、硅(Si)、锗(Ge)、硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)、氮化铝(AlN)、磷化铝(AlP)、砷化铝(AlAs)、锑化铝(AlSb)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、锑化铟(InSb)、碳化硅(SiC)、铁-铂(FePt)、三氧化二铁(Fe₂O₃)、和四氧化三铁(Fe₃O₄)。

19.权利要求1的纳米结构体，其中所述非导电区的透射率大于所述导电区的透射率，并且所述非导电区的透射率与所述导电区的透射率之间的差异为0.1％或更小。

20.权利要求1的纳米结构体，进一步包括基质。

21.权利要求20的纳米结构体，其中所述基质包括如下的至少一种：基于聚氨酯的树脂、基于聚酯的树脂、丙烯酸类树脂、基于聚醚的树脂、基于纤维素的树脂、基于聚乙烯醇的树脂、基于环氧的树脂、聚乙烯基吡咯烷酮、基于聚苯乙烯的树脂、和聚乙二醇。

22.纳米结构体，其具有至少一根第一纳米线和至少一根第二纳米线，其包括：

包括嵌入基质中的所述至少一根第一纳米线的导电区；和

包括嵌入所述基质中的所述至少一根第二纳米线的非导电区，所述至少一根第二纳米线是至少部分地截断的；和

所述导电区和所述非导电区在基础材料上。

23.权利要求22的纳米结构体，其中：

所述导电区具有第一图案和所述非导电区具有第二图案；和

基于所述至少一根至少部分地截断的第二纳米线，所述第一和第二图案之间的可视性减损减少。

24.权利要求22的纳米结构体，其中所述至少一根第二纳米线的平均直径低于所述至少一根第一纳米线的平均直径。

25.权利要求22的纳米结构体，其中所述至少一根第二纳米线的平均直径与所述至少一根第一纳米线的平均直径之间的差异等于或小于5％，和所述至少一根第二纳米线的平均长度与所述至少一根第一纳米线的平均长度之间的差异等于或小于10％。

26.权利要求22的纳米结构体，其中所述至少一根第二纳米线的电阻低于所述至少一根第一纳米线的电阻。

27.权利要求22的纳米结构体，其中所述至少一根第二纳米线的电阻与所述至少一根第一纳米线的电阻之间的差异为10⁹Ω/□或更大。

28.权利要求25的纳米结构体，其中所述第二纳米线的平均直径在9.5nm-95nm的范围内，和所述第二纳米线的平均长度在2.4μm-80μm的范围内。

29.权利要求28的纳米结构体，其中所述第一纳米线的平均直径在10nm-100nm的范围内，和所述第一纳米线的平均长度在3μm-100μm的范围内。

30.权利要求22的纳米结构体，其中所述非导电区的透射率大于所述导电区的透射率，和所述非导电区的透射率与所述导电区的透射率之间的差异为0.1％或更小。

31.制备权利要求1-30中任一项的纳米结构体的方法，所述方法包括：

形成包括至少一根第一纳米线的第一纳米线层；

通过将形成基质的组合物涂覆在所述第一纳米线层上而制备包括所述第一纳米线和基质的导电膜；和

通过如下蚀刻所述导电膜的一个区：在弱酸性条件下或者在碱性条件下使包括碱金属次氯酸盐和碱土金属次氯酸盐的至少一种的蚀刻溶液与所述一个区接触。

32.权利要求31的方法，进一步包括：

在所述一个区的蚀刻之前在所述导电膜上形成光刻胶膜，和

通过使用所述光刻胶膜作为蚀刻掩模，使所述蚀刻溶液与所述导电膜的所述一个区接触。

33.权利要求31的方法，其中所述碱金属次氯酸盐和碱土金属次氯酸盐的至少一种包括次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸锂、次氯酸镁、次氯酸钙、或者其混合物。

34.权利要求31的方法，其中所述弱酸性条件的pH在3-6的范围内，和所述碱性条件的pH为10或更大。

35.权利要求31的方法，其中所述蚀刻溶液包括如下的至少一种：pH调节剂、反应阻滞剂、氧化剂、和蚀刻剂。

36.权利要求31的方法，其中在所述蚀刻溶液中，所述碱金属次氯酸盐和碱土金属次氯酸盐的至少一种的量在1重量％-30重量％的范围内。

37.权利要求31的方法，其中使所述蚀刻溶液与所述导电膜的所述一个区接触10秒-10分钟。

38.权利要求35的方法，其中所述氧化剂包括如下的至少一种：过氧化物、过硫化物、金属氧化物盐、有机氧化剂、以及气体氧化剂。

39.权利要求35的方法，其中所述蚀刻剂包括如下的至少一种：硝酸、磷酸、乙酸、硝酸钠(NaNO₃)、和卤化物。

40.权利要求31的方法，其中所述方法进一步包括在所述第一纳米线的表面的至少一部分上形成导电聚合物膜。

41.面板单元，其包括根据权利要求1-30中任一项的纳米结构体。

42.权利要求41的面板单元，其中所述面板单元为平板显示器(FPD)、触摸屏面板(TSP)显示器、柔性显示器、或者可折叠显示器。