CN105575999A - 供体衬底 - Google Patents

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CN105575999A CN201510733084.4A CN201510733084A CN105575999A CN 105575999 A CN105575999 A CN 105575999A CN 201510733084 A CN201510733084 A CN 201510733084A CN 105575999 A CN105575999 A CN 105575999A
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Abstract

本申请涉及供体衬底，所述供体衬底包括：透光基体衬底；布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：具有第一厚度的第一区域；具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；以及具有第三厚度的第三区域，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同；布置在所述隔绝层上的吸收层；以及布置在所述吸收层上的转移层。

Description

供体衬底
技术领域
示例性实施方案涉及供体衬底以及通过使用该供体衬底制造显示装置的方法。
背景技术
为自发光型显示装置的有机发光显示装置具有广视角、良好对比度和高响应速度，由此作为下一代显示装置而受到关注。
通常，有机电致发光装置包括阳极电极和阴极电极，以及插在阳极电极和阴极电极之间的有机膜。有机膜包括至少一层辅助层，并且还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。有机电致发光装置可以是高分子有机电致发光装置和低分子有机电致发光装置，这取决于形成有机膜的材料，尤其是形成辅助层的材料。
有机电致发光装置可以包括辅助层，所述辅助层被图案化以改善全色有机电致发光装置的色纯度和发光效率。例如，可以通过使用用于低分子有机电致发光装置的鳍状金属掩模的方法，以及用于高分子有机电致发光装置的喷墨印刷法和/或激光感应热成像(LITI)法的方法，从而可以图案化辅助层。
LITI是其中可以精细图案化有机膜的干法，而喷墨印刷是湿法。
根据通过LITI形成高分子有机膜的图案的方法，所述方法包括至少一个光源、有机电致发光装置衬底(即，装置衬底，也称为隔绝衬底)和供体衬底。此处，供体衬底可以包括转移层、基体衬底、反射图案层、隔绝层、吸收层、有机膜等。可以通过使用将光辐射到衬底的吸收层上的光源，将有机层从供体衬底图案化到装置衬底上，所述吸收层配置为将光转化成热能，并且所产生的热使有机层沉积到装置衬底上以形成转移层，其通过热能而沉积在装置衬底上。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于提高对本发明构思的背景的理解，并因此其可以包含不形成本领域普通技术人员在本国内已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施方案提供了包括具有不同厚度的隔绝层的供体衬底。
示例性实施方案提供了包括具有不同热导率的隔绝层的供体衬底。
示例性实施方案提供了使用包括具有不同厚度的隔绝层的供体衬底制造显示装置的方法。
将在下面的详细描述中阐明其他方面，并且在某种程度上，该其他方面会依据本公开而变得显而易见，或可以通过本发明构思的实践而获悉。
根据一个或多个示例性实施方案，供体衬底包括：透光基体衬底；布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：具有第一厚度的第一区域；具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；以及具有第三厚度的第三区域，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同；布置在所述隔绝层上的吸收层；以及布置在所述吸收层上的转移层。
根据一个或多个示例性实施方案，供体衬底包括：透光基体衬底；布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：含有第一材料的第一区域；含有第二材料的第二区域，所述第二材料与所述第一材料不同；以及含有第三材料的第三区域，所述第三材料与所述第一材料和所述第二材料不同；布置在所述隔绝层上的吸收层；以及布置在所述吸收层上的转移层。
根据一个或多个示例性实施方案，制造显示装置的方法包括：制备供体衬底，所述供体衬底包括：透光基体衬底；布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：具有第一厚度的第一区域；具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；以及具有第三厚度的第三区域，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同；布置在所述隔绝层上的吸收层；以及布置在所述吸收层上的转移层，布置面向所述供体衬底的上表面的像素隔绝衬底；以及通过将光辐射穿过所述透光基体衬底的下表面而将所述转移层的至少一部分沉积到所述像素隔绝衬底上以形成辅助层。
附图说明
包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且所述附图并入本说明书并且构成本说明书的一部分，所述附图例示出本发明构思的示例性实施方案，并且所述附图连同描述一起用于解释本发明构思的原理。
图1是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
图2、3、4和5例示出根据一个或多个示例性实施方案的制造显示装置的方法。
图6、7、8和9是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
图10是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
图11是根据一个或多个示例性实施方案的使用图10所示的供体衬底的转换方法的横截面视图。
图12、13、14和15是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
具体实施方式
在下文描述中，出于解释的目的，阐述了多个具体细节，从而提供对各种示例性实施方案的深入理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或通过一个或多个等同布置来实践各种示例性实施方案。在其他实例中，以方框图的形式示出公知的结构和装置，从而避免不必要地混淆各种示例性实施方案。
在附图中，出于清楚和描述目的，可以放大层、膜、板、区域等的厚度和相对尺寸。此外，相同的参考数字指代相同的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层或者“耦接到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接到另一元件或层或者直接耦接到另一元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层或者“直接耦接到”另一元件或层时，不存在介于中间的元件或层。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“选自X、Y和Z的至少一个”可以解释为仅有X、仅有Y、仅有Z、或X、Y和Z中的两个或多于两个的任何组合，例如，XYZ、XYY、YZ以及ZZ。全文中相同的数字指代相同的元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关的列出项中的一个或多个项的任一及所有组合。
尽管术语第一、第二等在本文可以用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于使一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分相区分。因此，下文讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分在不背离本公开的教导的情况下可以称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
空间相对术语，例如“下方”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等，在本文可以用于描述目的，并且由此用于描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如附图中所示。空间相对术语旨在除了包括附图中所示的方向之外，还包括在使用、操作和/或制造中的设备的不同的方向。例如，如果在附图中的设备被翻转，则被描述成在其他元件或特征“之下”或“下方”的元件会定位在其他元件或特征“之上”。因此，示例性术语“之下”可以包括上和下的方向两者。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或在其他方向上)，并且如此，本文所用的空间相对描述被相应地解释。
本文所用的术语仅用于描述特定实施方案的目的，并且不旨在进行限制。如本文所用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文明显另有所指。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”，当用于本说明书时，指示所述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的群组的存在，但不排除一种或多种其他的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的群组的存在或增添。
在本文中参考平面图和/或截面图来描述各种示例性实施方案，所述平面图和/或截面图是理想化的示例性实施方案和/或中间结构的示意图。如此，会预期到由于例如制造技术和/或容差而导致的该图的形状的变化。因此，本文公开的示例性实施方案不应解释为限于特定例示的区域的形状，而应包括由例如制造所产生的形状的偏差。例如，以矩形示出的植入区域通常会具有圆形或曲线形的特征和/或其边缘处的植入物浓度的梯度，而非从植入区域到非植入区域的二元变化。同样地，由植入形成的包埋区域可以产生在包埋区域与通过其而发生植入的表面之间的区域中的一些植入。因此，附图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在说明装置的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。
除非另外定义，则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)均具有如本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语，诸如常用词典中定义的那些术语，应解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义相符的含义，并且不会以理想化或过于正式的含义来解释，除非本文明确如此定义。
在下文中，将参考附图来描述本发明的实施方案。
图1是根据一个或多个实施方案的供体衬底的横截面视图。
参考图1，根据示例性实施方案的供体衬底100可以包括透光基体衬底110、隔绝层130、吸收层140和转移层150。
透光基体衬底110可以传输来自光源的灯光或激光。因此，透光基体衬底110可以是配置成传输灯光或激光的透光衬底。例如，透光基体衬底110可以是由透明高分子材料制成的合成树脂衬底，所述透明高分子材料包括聚酯、聚丙烯酸酯、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
隔绝层130布置在透光基体衬底110的一个表面上。将隔绝层130分成具有第一厚度d1的第一区域P1、具有与第一厚度d1不同的第二厚度d2的第二区域P2、以及具有与第一厚度d1和第二厚度d2不同的第三厚度d3的第三区域P3。在第一区域P1中的第一厚度d1可以大于第二厚度d2和第三厚度d3，并且第二区域P2中的第二厚度d2可以大于第三厚度d3。
隔绝层130的上表面可以根据相应的区域而呈不同高度的平面。具体地，可以在第一区域P1与第二区域P2之间的隔绝层130的上表面上形成阶梯，并且可以在第二区域P2与第三区域P3之间的隔绝层130的上表面上形成阶梯。
隔绝层130可以包含钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物、硅碳化物、硅氮化物以及有机聚合物中的至少一种，但实施方案不限于此。可以使用溅射法、电子束沉积法、真空沉积法等沉积隔绝层130。
吸收层140布置在隔绝层130上。吸收层140可以是光-热转换层，该光-热转换层配置为吸收透过透光基体衬底110和隔绝层130的光，并将所吸收的光转化成热能。吸收层140可以包含具有低光反射率和高光吸收率的材料。例如，吸收层140可以包含钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、锡(Sn)、钨(W)、包含它们的合金等中的至少一种。可以使用溅射法、电子束沉积法、真空沉积法等沉积吸收层140。
转移层150布置在吸收层140上。转移层150可以包含有机材料、无机材料和有机金属中的至少一种。具体地，例如，有机材料可以包括聚(亚苯基亚乙烯基)、聚对亚苯基、聚芴、聚二烷基芴、聚噻吩、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(N-乙烯基咔唑-乙烯醇)共聚物、三芳基胺、聚降冰片烯、聚苯胺、聚芳基多胺以及三苯基胺-聚醚酮中的至少一种。无机材料可以包括SiNx、SiOx和SiON中的至少一种。
根据显示装置的特性，转移层150可以包含已知的发光材料、空穴转移型有机材料以及电子转移型有机材料中的至少一种，并且还可以包含化合物，所述化合物包括非发光低分子材料、非发光电子转移聚合物材料以及可固化有机粘合剂材料中的至少一种。
转移层150可以通过(但不限于)湿法和/或干法形成，所述湿法包括旋涂法、喷涂法、喷墨法、深涂法(deepcoatmethod)、浇铸法、染料涂覆法、滚涂法、刮涂法、棒涂法、凹印涂覆法以及印刷法，所述干法包括真空沉积法和溅射法。
根据一个或多个示例性实施方案，隔绝层130可以根据相对应的区域而具有不同的厚度，并因此在不同区域中不同地控制转移层150的升华水平和沉积厚度。
具体地，在第一区域P1中的隔绝层130的第一厚度d1大于在第二区域P2和第三区域P3中的隔绝层130的第二厚度d2和第三厚度d3，并因此与第二区域P2和第三区域P3相比，隔绝层130在第一区域P1中的隔绝作用可以更大。因此，当吸收层140吸收光能并将光能转换成热能时，与第二区域P2和第三区域P3相比，在第一区域P1中的隔绝层130可以阻止更多的热能开始排放到透光基体衬底110，并因此可以将相对更多的热能转移到转移层150。因此，与第二区域P2和第三区域P3相比，在第一区域P1中可以使转移层150更多地升华。
以相同的方式，在第二区域P2中形成的隔绝层130具有大于在第三区域P3中形成的隔绝层130的厚度的厚度，并因此，与第三区域P3相比，在第二区域P2中可以升华更多的转移层150。因此，可以根据相对应的区域控制在衬底上沉积的转移层的厚度为不同的。
在下文中，将描述使用光学掩模制造显示装置的方法。出于便于阐述的目的，将有机发光显示装置用作显示装置的实例。
图2、3、4和5例示出根据一个或多个示例性实施方案的制造显示装置的方法。
参考图2，对应于每一像素而将阳极161布置在隔绝衬底160上。根据一个或多个示例性实施方案，阳极161可以直接接触隔绝层160，或诸如隔绝层的材料可以布置在阳极161与隔绝层160之间。
阳极161可以包含具有高功函的导电材料。当有机发光显示装置是背面发光显示装置时，阳极161可以包括反射膜，所述反射膜包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)等中的至少一种。阳极161可以具有包含两种或多于两种材料的多层结构，并且可以以各种方式来修改。例如，阳极161可以通过使用精细金属掩模(FMM)的溅射法来形成。
此后，空穴注入层162和空穴传输层163布置在阳极161上。可以在多个阳极161上布置空穴注入层162。具体地，空穴注入层162可以插入多个阳极161与空穴传输层163之间。对于各像素可以分别地布置空穴注入层162，或者空穴注入层162可以在隔绝衬底160的整个表面上形成为单个整合层，如图2所示。换言之，空穴注入层162可以形成为与像素的差别无关的公共层。空穴注入层162可以公共地形成在多个像素区域上。根据示例性实施方案，可以省略空穴注入层162。
空穴注入层162是缓冲层，所述缓冲层配置为降低阳极161与空穴传输层163之间的能量墙，并且辅助将由阳极161提供的空穴引入空穴传输层163。空穴注入层162可以由有机化合物形成，所述有机化合物包括(但不限于)MTDATA(4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、CuPc(铜酞菁)以及PEDOT/PSS(聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩,聚苯乙烯磺酸盐)中的至少一种。
空穴传输层163可以布置在空穴注入层162上。具体地，空穴传输层163可以插入空穴注入层162与多个发光层151a、151b和151c之间(参见图4)。空穴传输层163可以配置为辅助将空穴从空穴注入层162传输到多个辅助层R’和G’以及多个发光层151a、151b和151c。对于各像素，可以分别地布置空穴传输层163，或者空穴传输层163可以在隔绝衬底160的整个表面上形成为单个整合层，如图2所示。换言之，空穴传输层163可以形成为与像素的差别无关的公共层。空穴传输层163可以公共地形成在多个像素区域上。根据示例性实施方案，可以省略空穴传输层163。
空穴传输层163可以包含已知的空穴传输材料。例如，空穴传输层163可以包含(但不限于)1,3,5-三咔唑基苯、4,4'-双咔唑基联苯、聚乙烯咔唑、间-双咔唑基苯基、4,4'-双咔唑基-2,2'-二甲基联苯、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺、1,3,5-三(2-咔唑基苯基)苯、1,3,5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(NPB)、聚(9,9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(聚(9,9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺(聚(9,9-二辛基芴-共-双-(4-丁基苯基-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)等中的至少一种。
参考图3，辅助层R’和G’布置在空穴传输层163上。具体地，供体衬底100紧密地设置在布置有空穴注入层162/空穴传输层163的隔绝层160上。供体衬底100的每一区域可以设置为对应于在隔绝层160上的每一像素。例如，供体衬底100的第一区域可以对应于隔绝层160的红色像素，供体衬底100的第二区域可以对应于隔绝层160的绿色像素，以及供体衬底100的第三区域可以对应于隔绝层160的蓝色像素。
设置包括透光区域和阴影部分320的光学掩模300，并且辐射光。光学掩模300包括：阴影部分320，其布置在掩模基体310上；和透光区域，其配置成传输在阴影部分320之间形成的光。
参考图3，光辐射穿过光学掩模的透光区域并且辐射到光学掩模的吸收层140上，所述吸收层140转而配置成产生热能。产生的热能可以升华布置在吸收层140的上表面上的转移层150。由于第一区域P1中的厚隔绝层130，因而由第一区域P1中的吸收层140产生的热可以传输至转移层150，并且向透光基体衬底110的热能泄露更少。在第二区域P2中，隔绝层130的厚度小于第一区域P1，并因此，传输到布置在吸收层140的上表面上的转移层150上的热能可以小于在第一区域P1中的热能。因此，与第二区域P2相比，在第一区域P1中升华的有机材料的量可以更大，并因此，布置在空穴传输层163上的辅助层R’和G’可以在对应于第一区域P1的区域中比在对应于第二区域P2的区域中具有更大的厚度。
在第三区域P3中的隔绝层130可以是相对薄的，并且因此向透光基体衬底110泄露的热能的量可以是相对大的，并且向转移层150传输的热能的量可以是相对小的。向第三区域P3中的转移层150传输的热能的总量可以不超过用于升华有机材料的阀值，并且转移层150可以不被升华。因此，可以在对应于第三区域P3的隔绝衬底160上不形成辅助层。
参考图4，多个辅助层R’和G’可以配置成调节从多个发光层151a、151b和151c发射的光的共振周期。换言之，多个辅助层R’和G’可以配置成改善多个发光层151a、151b和151c的色纯度和发光效率。
多个辅助层R’和G’可以包括第一辅助层R’和第二辅助层G’。
可以对应于第一区域P1而布置第一辅助层R’。此外，第一辅助层R’可以插入第一发光层151a与空穴传输层163之间。第一辅助层R’可以具有配置为调节从第一发光层151a发射的光的共振周期的厚度。第一辅助层R’可以包含与空穴注入层162和/或空穴传输层163相同的材料，但不限于此。
可以对应于第二区域P2而布置第二辅助层G’。此外，第二辅助层G’可以插入第二发光层151b与空穴传输层163之间。第二辅助层G’可以具有配置为调节从第二发光层151b发射的光的共振周期的厚度。在示例性实施方案中，第二辅助层G’的厚度可以小于第一辅助层R’的厚度，对应于光的共振周期的差异。第二辅助层G’可以包含与空穴注入层162和/或空穴传输层163相同的材料，但不限于此。例如，第二辅助层G’可以由与第一辅助层R’相同的材料形成。
参考图4，形成多个发光层151a、151b和151c。
第一发光层151a可以插入图5中所示的第一辅助层R’与缓冲层152之间。第一发光层151a可以包含磷光发射材料和/或荧光发射材料。例如，第一发光层151a可以包含红色磷光发射材料，但示例性实施方案不限于此。第一发光层151a可以包含其他颜色的磷光发射材料。
第一发光层151a可以包含聚合物材料、低分子有机材料和/或聚合物和低分子材料的混合物，其包含红色发光色(redemissioncolor)。根据示例性实施方案，第一发光层151a可以包含红色主体材料和红色掺杂剂材料。
红色主体材料可以包含蒽衍生物和咔唑化合物中的至少一种，但实施方案不限于此。例如，蒽衍生物可以包括9,10-(2-二萘基)蒽(ADN)，并且咔唑化合物可以包括4,4'-(咔唑-9-基)联苯(CBP)。红色掺杂剂材料可以包括[4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶(julolidyl)-9-烯基)-4H-吡喃(4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃；DCJTB)]，但示例性实施方案不限于此。
第一发光层151a可以通过(但不限于)湿法和干法形成，所述湿法包括旋涂法、喷涂法、喷墨法、深涂法、浇铸法、染料涂覆法、滚涂法、刮涂法、棒涂法、凹印涂覆法以及印刷法，所述干法包括真空沉积法和溅射法。
第二发光层151b可以插入图5的第二辅助层G’与缓冲层152之间。第二发光层151b可以包含磷光发射材料或荧光发射材料。例如，第二发光层151b可以包含绿色磷光发射材料，但示例性实施方案不限于此。第二发光层151b可以包含其他颜色的磷光发射材料。
第二发光层151b可以包含聚合物材料、低分子有机材料和/或聚合物和低分子材料的混合物，其包含绿色发光色(greenemissioncolor)。根据示例性实施方案，第二发光层151b可以包含绿色主体材料和绿色掺杂剂材料。
绿色主体材料可以包含蒽衍生物和咔唑化合物中的至少一种，但实施方案不限于此。例如，蒽衍生物可以包括9,10-(2-二萘基)蒽(ADN)，并且咔唑化合物可以包括4,4'-(咔唑-9-基)联苯(CBP)。绿色掺杂剂材料可以包括[香豆素6]、Ir(PPy)3(PPy＝2-苯基吡啶)，但示例性实施方案不限于此。
第二发光层151b可以通过与第一发光层151a相同的方法形成。
第三发光层151c可以插入空穴传输层163与缓冲层152之间。第三发光层151c可以包含荧光发射材料。例如，第三发光层151c可以包含蓝色荧光发射材料，但实施方案不限于此。第三发光层151c可以包含其他颜色的荧光发射材料。
第三发光层151c可以由聚合物材料、低分子有机材料和/或聚合物和低分子材料的混合物形成，其包含蓝色发光色(blueemissioncolor)。根据示例性实施方案，第三发光层151c可以包含蓝色主体材料和蓝色掺杂剂材料。
蓝色主体材料可以包含蒽衍生物和咔唑化合物中的至少一种，但实施方案不限于此。例如，蒽衍生物可以包括9,10-(2-二萘基)蒽(ADN)，并且咔唑化合物可以包括4,4'-(咔唑-9-基)联苯(CBP)。蓝色掺杂剂材料可以包括DPAVBi、DPAVBi衍生物、联苯乙烯基亚芳基(DSA)、联苯乙烯基亚芳基衍生物、联苯乙烯基苯(DSB)、联苯乙烯基苯衍生物、螺-DPVBi和螺-6P，但示例性实施方案不限于此。
第三发光层151c可以通过与第一发光层151a和第二发光层151b相同的方法形成。
图5是根据一个或多个示例性实施方案的由供体衬底制造的显示装置的横截面视图。
参考图5，缓冲层152可以布置在第一发光层151a、第二发光层151b以及第三发光层151c上。具体地，缓冲层152可以插入第一发光层151a、第二发光层151b和第三发光层151c与电子传输层153之间。缓冲层152可以配置成辅助将电子供应至第一发光层151a、第二发光层151b和第三发光层151c。对于各像素，可以分别地布置缓冲层152，或者缓冲层152可以在隔绝衬底160的整个表面上形成为单个整合层，如图5中所示。换言之，缓冲层152可以形成为与像素的差别无关的公共层。缓冲层152可以在多个像素区域上公共地形成。因此，缓冲层152可以延伸至第一发光层151a与电子传输层153之间的区域、第二发光层151b与电子传输层153之间的区域、以及第三发光层151c与电子传输层153之间的区域。
根据示例性实施方案，缓冲层152可以包含具有高电子传输属性的材料。例如，缓冲层152可以含有CBP和/或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
缓冲层152可以具有约至约的厚度。具有约至约的厚度(其中，“约”意指±10％)的缓冲层152可以配置成辅助将电子从阴极155供应至第一发光层151a、第二发光层151b和第三发光层151c。
电子传输层153可以布置在缓冲层152上。具体地，电子传输层153可以插入缓冲层152与电子注入层154之间。对于各像素，可以分别地布置电子传输层153，或者电子传输层153可以在隔绝衬底160的整个表面上形成为单个整合层，如图5中所示。换言之，电子传输层153可以形成为与像素的差别无关的公共层。电子传输层153可以在多个像素区域上公共地形成。
电子传输层153可以含有配置成传输从阴极155注入的电子的材料，其可以包括喹啉衍生物(特别是三(8-羟基喹啉)铝(Alq3))、TAZ、Balq等中的至少一种(在下文中，称为“电子传输层153的主体材料”)，但实施方案不限于此。电子传输层153可以掺杂有金属盐、金属氧化物和有机金属盐中的至少一种(在下文中，称为“电子传输层153的掺杂剂材料”)。金属盐可以包括碱金属的卤化物和/或碱土金属的卤化物，包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、MgCl2、CaCl2、SrCl2和BaCl2。金属氧化物可以包括碱金属氧化物和/或碱土金属氧化物，包括Li2O、Na2O、K2O、Cs2O、MgO和CaO。有机金属盐可以包括由下式1表示的Liq、Naq和Kq。
可以在单个室内形成电子传输层153和缓冲层152。根据一个或多个示例性实施方案，包含电子传输层153的主体材料的第一源、包含电子传输层153的掺杂剂材料的第二源以及包含形成缓冲层152的材料的第三源可以布置在单个室内。可以通过打开包含形成缓冲层152的材料的第三源来形成缓冲层152，并且可以随后关闭包含形成缓冲层152的材料的第三源。可以通过同时打开包含电子传输层153的主体材料的第一源和包含电子传输层153的掺杂剂材料的第二源来形成电子传输层153。例如，可以移动三个源组以在隔绝衬底160的一端与隔绝衬底160的另一端之间进行两次往返行程，即，从隔绝衬底160的一端到隔绝衬底160的另一端(且反之亦然)的四次单向行程。可以在从隔绝衬底160的一端到隔绝衬底160的另一端的第一单向行程时打开包含用于形成缓冲层152的材料的第三源，以形成缓冲层152，并且可以在隔绝衬底160的一端与隔绝衬底160的另一端之间的后三次单向行程时打开包含电子传输层153的主体材料的第一源和包含电子传输层153的掺杂剂材料的第二源，以形成电子传输层153。因此，与相对应的竞争性实例相比，可以在没有单独的室的情况下形成缓冲层152。
电子注入层154可以布置在电子传输层153上。具体地，电子注入层154可以插入电子传输层153与阴极155之间。电子注入层154可以包含任何已知的电子注入材料。例如，电子注入层154可以包含LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO等中的至少一种，但示例性实施方案不限于此。
阴极155可以布置在电子注入层154上。具体地，阴极155可以插入电子注入层154与保护层156之间。阴极155可以包含任何具有低功函的导电材料。例如，阴极可以包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)等中的至少一种。
保护层156可以布置在阴极155的上表面上。保护层156可以配置成保护在保护层下方的层压层。保护层可以包含隔绝材料。根据示例性实施方案，可以在阴极155与保护层156之间布置垫片(未示出)。根据示例性实施方案，可以省略保护层156。
参考图5，显示装置可以包括针对各像素区域具有不同厚度的辅助层。
图6是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
图6的供体衬底与图1中所示的供体衬底100相似。图6中所示的供体衬底与图1中所示的供体衬底100的不同之处在于其可以包括反射图案层120。反射图案层120可以布置在透光基体衬底110上并包括开口120a。可以布置隔绝层130以覆盖反射图案层120的上表面，并且隔绝层130可以布置在开口120a中以覆盖被开口120a暴露的透光基体层110的表面。
穿过透光基体衬底110传输的灯光或激光可以被反射图案层120的除了形成开口120a的地方之外的地方反射。辐射向开口120a的灯光或激光可以被传输穿过开口120a而不被反射。穿过反射图案层120的开口120a传输的灯光或激光可以到达吸收层140的与开口120a相对应的区域。
发射板(未示出)可以额外地布置在光源的背表面上以将被反射图案层120反射向透光基体衬底的灯光或激光反射回反射图案层120。
反射图案层120可以包含至少一种对灯光或激光有高反射率的材料，如铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、铝合金、银合金、铟氧化物和锡氧化物。可以通过使用溅射法、电子束沉积法、真空沉积法等沉积材料，并对沉积的材料图案化，从而形成反射图案层120。
图7是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
图7中所示的供体衬底与图6中所示的供体衬底相似。图7的供体衬底与图6的供体衬底的不同之处在于在第三区域P3中布置的反射图案层120中可以省略开口120a。参考图7，在第三区域P3上布置的反射图案层120可以反射穿过透光基体衬底110传输的灯光或激光。在该情况下，在第三区域P3中布置的吸收层140不产生热，并且热能不传输至转移层150。因此，在第三区域P3中布置的转移层150不被升华，并且可以保留在吸收层140上。
图8是示出根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
图8中所示的供体衬底与图1中所示的供体衬底100相似。图8中所示的供体衬底与图1中所示的供体衬底100的不同之处在于吸收层140不覆盖隔绝层130的整个上表面，并且吸收层140布置在隔绝层130的顶表面上的凹槽中。参考图8，吸收层140可以布置在隔绝层130的顶表面上的凹槽中，并且可以不突出吸收层140，因此吸收层140的上表面可以具有与不布置吸收层140的区域中隔绝层130的上表面相同的高度。
在吸收层140中产生的大部分热能可以传输至转移层150并且选择性升华以涂覆转移层150。覆盖吸收层140的转移层可以升华至隔绝层160。
图9是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
图9中所示的供体衬底与图8中所示的供体衬底相似。图9中的供体衬底与图8中所示的供体衬底的不同之处在于图9中的供体衬底包括反射图案层120。反射图案层120布置在透光基体衬底110上并包括开口120a。先前已关于图7中所示的供体衬底描述了反射图案层120和开口，并因此省略对其的描述。
参考图10，根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底200可以包括透光基体衬底110、隔绝层230、吸收层140和转移层150。供体衬底200可以具有与图1的供体衬底100的构造相似的构造，除了包括隔绝层230之外。因此，此处省略重复的描述，并且此处仅将描述隔绝层230。
隔绝层230布置在透光基体衬底110的一个表面上。隔绝层230被分成三个区域P1、P2和P3。隔绝层230可以在第一区域P1中包含第一材料m1，可以在第二区域P2中包含与第一材料m1不同的第二材料m2，以及可以在第三区域P3中包含与第一材料m1和第二材料m2不同的第三材料m3。
第一材料m1、第二材料m2和第三材料m3可以具有不同的热导率。具体地，布置在第一区域P1中的第一材料m1与第二材料m2和第三材料m3相比可以具有更低的热导率。布置在第二区域P2中的第二材料m2与第一材料m1相比可以具有更高的热导率，并且与第三材料m3相比可以具有更低的热导率。布置在第三区域P3中的第三材料m3与第一材料m1和第二材料m2相比可以具有更高的热导率。
隔绝层230的上表面可以是平坦的，并且可以在第一至第三区域P1、P2和P3中具有相同的高度。具体地，形成在第一区域P1上的隔绝层230的上表面、形成在第二区域P2上的隔绝层230的上表面、和形成在第三区域P3上的隔绝层230的上表面可以是相同的。
在第一区域P1中布置的隔绝层230中包含的第一材料m1可以包括有机聚合物和/或高耐热有机材料。有机聚合物和/或高耐热有机材料可以包括聚酰亚胺(PI)和聚丙烯酸酯(PA)中的至少一种。在第二区域P2中布置的隔绝层230中包含的第二材料m2可以包括钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物、硅碳化物、硅氮化物和有机聚合物中的至少一种。在第三区域P3中布置的隔绝层230中包含的第三材料m3可以包含铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、铝合金、银合金和铟氧化物-锡氧化物中的至少一种。可以通过溅射法、电子束沉积法、真空沉积法等形成隔绝层230。
图11是示出根据一个或多个示例性实施方案的使用图10中所示的供体衬底200制造显示装置的方法的横截面视图。
除了隔绝层230之外，图11中所示的方法与图3中所示的方法相同。因此，对于根据一个或多个示例性实施方案的通过使用供体衬底200制造显示装置的方法，将仅描述隔绝层230。
从透光基体衬底110的下表面辐射的光L可以顺序地入射到光学掩模300、透光基体衬底110、隔绝层230和吸收层140上。可以将光L辐射到吸收层140上，并且吸收层140配置成产生热。可以由隔绝层230来隔绝在吸收层140中产生的热能，并且热能可以传输至转移层150。
布置在第一区域P1中的隔绝层230与布置在第二区域P2和第三区域P3中的隔绝层230相比可以包含具有更低热导率的第一材料m1，并因此与布置在第二区域P2和第三区域P3中的隔绝层230中相比，布置在第一区域P1中的隔绝层230中隔绝作用可以更高。因此，与在第二区域P2和第三区域P3中相比，传输至转移层150的热能在第一区域P1中可以更大，并且与在第二区域P2和第三区域P3相比，在第一区域P1中可以升华更多的转移层150。
布置在第二区域P2中的隔绝层230可以包含与布置在第一区域P1中的隔绝层230相比具有更高热导率的第二材料m2，并因此与布置在第一区域P1中的隔绝层230相比可以具有更小的隔绝作用。因此，与第一区域P1相比，传输至转移层150的热能在第二区域P2中可以更少，并且与第一区域P1相比，在第二区域P2中可以升华更少的转移层150。
以相同的方式，与在第一区域P1和第二区域P2中布置的隔绝层230相比，在第三区域P3中布置的隔绝层230可以具有更小的隔绝作用，并且与第一区域P1和第二区域P2相比，在第三区域P3中可以升华更少的转移层150。
参考图9，当传输至在第三区域P3中布置的转移层150的热能不足以升华转移层150时，转移层150可以不被升华。
在三个区域P1、P2和P3中升华的转移层150可以沉积在隔绝衬底160上，并形成有机材料层，具体为辅助层R’和G’。布置在第一区域P1中的第一辅助层R’，其中与第二和第三区域P2和P3相比可以升华更多的转移层150，可以具有最大的厚度，并且布置在第二区域P2中的第二辅助层G’，其中与第一区域P1中相比可以升华更少的转移层150，可以具有与第一辅助层R’相比更小的厚度。在其中与第一区域P1和第二区域P2相比可以升华更少的转移层150的第三区域P3中的沉积厚度可以是最小的。当如上所述在第三区域P3中不升华转移层150时，在第三区域P3中的沉积可以不发生。
根据一个或多个示例性实施方案，供体衬底可以包括对各区域具有不同热导率的隔绝层，并且可以通过使用该供体衬底在单个过程中沉积具有不同厚度的辅助层。
图12是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。图12中所示的供体衬底与图10中所示的供体衬底200相似。供体衬底可以包括反射图案层120。
图13是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。图13中所示的供体衬底与图12中所示的供体衬底相似。该供体衬底与图12的供体衬底的不同之处在于在第三区域P3中布置的反射图案层120中可以省略开口120a。
图14是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。图14中所示的供体衬底与图10中所示的供体衬底200相似。但是，它们的不同之处在于在图14的供体衬底中，吸收层140不覆盖隔绝层130的整个上表面，并且吸收层140布置在隔绝层130的顶表面上的凹槽内。
图15是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。图15中所示的供体衬底与图14中所示的供体衬底相似。该供体衬底可以包括反射图案层120。
根据一个或多个示例性实施方案，可以通过使用根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底在单个过程中沉积具有不同厚度的隔绝层。
尽管在本文中已描述了某些示例性实施方案和实施，但其他实施方案和改变根据该描述会是显而易见的。因此，本发明构思不限于此类实施方案，而是限于所呈现的权利要求以及各种显而易见的改变和等同布置的更宽泛的范围。

Claims (20)

1.供体衬底，包括：
透光基体衬底；
布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：
具有第一厚度的第一区域；
具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；以及
具有第三厚度的第三区域，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同；
布置在所述隔绝层上的吸收层；以及
布置在所述吸收层上的转移层。
2.如权利要求1所述的供体衬底，其中所述隔绝层的第一区域的第一厚度大于所述隔绝层的第二区域的第二厚度，并且所述隔绝层的第二区域的第二厚度大于所述隔绝层的第三区域的第三厚度。
3.如权利要求1所述的供体衬底，其中所述隔绝层包括：
布置在所述第一区域与所述第二区域之间的所述隔绝层的上表面上的第一阶梯；以及
布置在所述第二区域与所述第三区域之间的所述隔绝层的上表面上的第二阶梯。
4.如权利要求1所述的供体衬底，其中所述隔绝层包含钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物、硅碳化物、硅氮化物和有机聚合物中的至少一种。
5.如权利要求1所述的供体衬底，其中所述吸收层配置成将入射光转换成热能。
6.供体衬底，包括：
透光基体衬底；
布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：
包含第一材料的第一区域；
包含第二材料的第二区域，所述第二材料与所述第一材料不同；以及
包含第三材料的第三区域，所述第三材料与所述第一材料和所述第二材料不同；
布置在所述隔绝层上的吸收层；以及
布置在所述吸收层上的转移层。
7.如权利要求6所述的供体衬底，其中所述第一材料的热导率低于所述第二材料的热导率，并且所述第二材料的热导率低于所述第三材料的热导率。
8.如权利要求7所述的供体衬底，其中在所述第一区域中的所述隔绝层的第一材料包含有机聚合物或高耐热有机材料之一。
9.如权利要求8所述的供体衬底，其中所述有机聚合物或所述高耐热有机材料包括聚酰亚胺(PI)和聚丙烯酸酯(PA)中的至少一种。
10.如权利要求7所述的供体衬底，其中所述隔绝层的第二材料包含钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物、硅碳化物、硅氮化物和有机聚合物中的至少一种。
11.如权利要求7所述的供体衬底，其中所述隔绝层的第三材料包含铝、银、金、铂、铜、含铝的合金、含银的合金、铟氧化物和锡氧化物中的至少一种。
12.如权利要求6所述的供体衬底，其中所述吸收层配置成将入射光转换成热能。
13.制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备供体衬底，其包括：
透光基体衬底；
布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：
具有第一厚度的第一区域；
具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；以及
具有第三厚度的第三区域，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同；
布置在所述隔绝层上的吸收层；以及
布置在所述吸收层上的转移层，
布置朝向所述供体衬底的上表面的像素隔绝衬底；以及
通过将光辐射穿过所述透光基体衬底的下表面而将所述转移层的至少一部分沉积到所述像素隔绝衬底上以形成辅助层。
14.如权利要求13所述的方法，还包括：
将光学掩模布置在所述透光基体衬底的下表面上，所述光学掩模包括阴影部分和掩模基体。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述隔绝层的第一区域的第一厚度大于所述隔绝层的第二区域的第二厚度，并且所述隔绝层的第二区域的第二厚度大于所述隔绝层的第三区域的第三厚度。
16.如权利要求15所述的方法，其中将所述转移层的至少一部分沉积到所述像素隔绝衬底上以形成辅助层包括：
沉积与所述第一区域相对应的第一辅助层，所述第一辅助层具有第一沉积厚度；
沉积与所述第二区域相对应的第二辅助层，所述第二辅助层具有第二沉积厚度，所述第二沉积厚度小于所述第一沉积厚度；以及
沉积与所述第三区域相对应的第三辅助层，所述第三辅助层具有第三沉积厚度，所述第三沉积厚度小于所述第二沉积厚度。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述第三沉积厚度基本为0。
18.如权利要求13所述的方法，其中所述隔绝层包括：
布置在所述第一区域与所述第二区域之间的所述隔绝层的上表面上的第一阶梯；以及
布置在所述第二区域与所述第三区域之间的所述隔绝层的上表面上的第二阶梯。
19.如权利要求13所述的方法，其中所述隔绝层包含钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物、硅碳化物、硅氮化物和有机聚合物中的至少一种。
20.如权利要求13所述的方法，其中所述吸收层配置成将入射光转换成热能。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107394041A (zh) * 2017-07-21 2017-11-24 武汉天马微电子有限公司 柔性基底及其制作方法、柔性显示面板和柔性显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102081209B1 (ko) * 2013-03-26 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 및 그 유기 발광 표시 장치의 제조에 사용되는 도너 기판 및 도너 기판 세트
KR20210019335A (ko) 2019-08-12 2021-02-22 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4449890B2 (ja) * 2005-11-21 2010-04-14 ソニー株式会社 転写用基板および転写方法ならびに表示装置の製造方法
KR101689519B1 (ko) * 2007-12-26 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
JP6164402B2 (ja) * 2013-03-27 2017-07-19 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、および有機ｅｌ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107394041A (zh) * 2017-07-21 2017-11-24 武汉天马微电子有限公司 柔性基底及其制作方法、柔性显示面板和柔性显示装置
CN107394041B (zh) * 2017-07-21 2019-09-24 武汉天马微电子有限公司 柔性基底及其制作方法、柔性显示面板和柔性显示装置

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