CN105572815B - 有源光学转接板和光互连模块 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式公开了一种有源光学转接板，包括：至少一个通孔，用于插入光纤来为激光器的发射光提供光通路；至少一个光电探测区域，设置在所述至少一个通孔的端面上，用于探测所述激光器的发射光的反射光，并将探测到的所述反射光转换为电信号。根据本发明实施方式的有源光学转接板可以在不损耗激光器有用发光功率的情况下，利用其反射产生的无用光实现对激光器发光功率的实时监测，提高了传输系统的可靠性。

Description

有源光学转接板和光互连模块
技术领域
本发明涉及光电传输技术领域，具体涉及一种有源光学转接板，以及应用该种有源光学转接板的光互连模块。
背景技术
数据中心和服务器机房需要使用大量中短距离(小于300m)的光互连传输产品，如有源光缆(AOC)和可插拔接口(QSFP)等可插拔光模块。此类产品的核心部件包括激光器、激光器驱动、探测器以及探测器后置放大芯片。然而，在这类产品的使用过程中，一旦出现故障，将无法判断问题出现在哪儿，尤其是发射端的激光器及其驱动电路故障，将会导致传输信号失真。目前比较常见的发端功率实时监测主要是通过设置光路分支，如图1所示，激光器105的发射光通过光纤106传输之前，激光器105的光功率分为两个支路，一路101用于信号传输，另一路102用于监控。这种方法，需要加入滤波器104用以分光，并在监测光路102上加入功率监测器103，如此就要从激光器105的发光功率中牺牲一部分传输功率用于监控，在增加电路复杂性的同时，降低了本来发光功率就不是很高的光电转化器件的功率。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种有源光学转接板，解决了光互连模块发端功率监测需要分光的问题。
根据本发明的一个方面，提供一种有源光学转接板，包括：至少一个通孔，用于插入光纤来为激光器的发射光提供光通路；至少一个光电探测区域，设置在所述至少一个通孔的端面上，用于探测所述激光器的发射光的反射光，并将探测到的所述反射光转换为电信号。
根据本发明的另一个方面，提供一种应用前述有源光学转接板的光互连模块，包括：激光器、有源光学转接板、激光器驱动芯片，其中，所述激光器中的每一个发光单元与所述有源光学转接板上的一个通孔光学对准，并且所述激光器芯片通过所述凸点与所述有源光学转接板电连接，所述有源光学转接板通过所述第二类焊盘与所述激光器驱动芯片电连接。
本发明实施例提供的一种有源光学转接板和应用该有源光学转接板的光互连模块，具有光功率监测功能，可以在不损耗激光器有用发光功率的情况下，利用其反射产生的无用光实现对激光器发光功率的实时监测，提高了传输系统的可靠性。
附图说明
图1所示为现有技术中的激光器发光功率监测原理图；
图2所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板的局部示意图；
图3所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板实现功率监测的原理图；
图4所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板的局部示意图；
图5所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板的局部示意图；
图6所示为本发明一实施例提供的应用图5所示有源光学转接板的光互连模块截面示意图；以及
图7所示为本发明一实施例提供的光电互连模块示意图；
图8a-8d所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板中光电探测区域的制备过程分解示意图；
图9a-9d所示为本发明另一实施例提供的有源光学转接板中光电探测区域的制备过程分解示意图；
图10a-10g所示为本发明另一实施例提供的有源光学转接板中光电探测区域的制备过程分解示意图；
图11a-11k所示为本发明另一实施例提供的有源光学转接板中光电探测区域的制备过程分解示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板的局部示意图。根据本实施方式的有源光学转接板包括：至少一个通孔1，至少一个光电探测区域2。其中：至少一个通孔1，用于插入光纤来为激光器的发射光提供光通路。优选地，为了降低激光器与光纤之间的耦合损耗，可以将光纤一端的裸露部分插入通孔，直到光纤端面与通孔端面平齐。至少一个光电探测区域2，设置在所述至少一个通孔的端面上，用于探测所述激光器的发射光的反射光，并将所述探测到的反射光转换为电信号。根据本实施方式的光互连模块，当激光照射到阵列式通孔的入口边缘会发生反射，反射光在激光器芯片与有源光学转接板界面之间发生若干次反射之后，必定会照射到有源光学转接板的光电探测区域，反射光会在该区域产生电流，通过电路对该电流信号实现提取、处理之后，通过实时监测该电信号即可实现对激光器发光功率的监测。
图3所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板实现功率监测的原理图。从图中可以看出：激光器芯片11上的一个发光单元19孔径为8微米，裸光纤17直径(附图中的距离AB)为50微米，带包层的光纤18直径(附图中的距离CD)为125微米。假定激光器芯片界面的反射系数为0.5，光纤端面(忽略裸光纤与光纤包层反射系数的差别)的反射系数为0.04。则，
当激光器芯片11与有源光学转接板10相距70-80微米时，激光器芯片11中一个发光单元19发射的光，经过四次反射会到达光电探测区域2的e点。则光电探测区域可以探测到的功率可以通过下列计算过程得到：
假设激光器芯片11中一个发光单元19发射功率为1，
发光单元19发射的光照射在裸光纤17的a点，即在a处发生第一次反射。从a处反射的光功率＝0.04×1；
经过第一次反射的光照射到激光器芯片界面，在b处发生第二次反射。从b处反射的光功率＝0.5×0.04×1；
经过第二次反射的光照射到光纤包层18的c点。从c处反射的光功率＝0.04×0.5×0.04×1；
经过第三次反射的光再次照射到激光器芯片11界面，并在位置d发生第四次反射。从位置d处反射的光功率＝0.5×0.04×0.5×0.04×1＝4×10-4。该功率即照射到光电探测区域2的e点的光功率，通过对该部分的光照射光电探测区域2产生的电压和/或电流的监测，即可实现对激光器芯片11发光单元19发射功率的监测。
应当知道，根据本实施方式的各种参数仅是示例性的，可以根据实际情况更改或设定，这里主要是描述功率监测原理的实现过程。
优选地，如图2所示，将至少一个光电探测区域2中的每个光电探测区域2实施成包围一个通孔1的结构。这样的结构布局可以使光尽可能经历较少的反射次数就可以照射到光电探测区域，确保反射光足以使光电探测区域产生电流。
优选地，光电探测区域2采用双金属接触半导体(MSM)光电探测器结构，它是利用MSM-PD(Metal-Semiconductor-Metal)即双金属接触半导体的光电特性，在光的照射下产生电流这一特性来实现对光功率的监测。该双金属接触半导体光电探测器结构采用肖特基接触，不需要使用离子注入的掺杂工艺，因而制备工艺稳定、简单、价格低。
应当知道，根据本发明实施方式的有源光学转接板中的光电探测区域和通孔的个数是不固定的，可以根据激光器中发光单元的个数合理配置。
图4所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板的局部示意图。从图中可以看出，根据本实施方式的有源光学转接板进一步包括第一类焊盘3、以及再布线层4。其中第一类焊盘3用于提取并传递由反射光照射到光电探测区域2而产生的电信号，在本发明一实施例中第一类焊盘3可与电信号测量装置电连接或与一PCB电路板电连接，以对光电探测区域2产生的电信号完成提取和传递，进而实现监测；再布线层4设置在包含有通孔1的端面上。第一类焊盘3通过再布线层4与一个光电探测区域2电连接。应当知道第一类焊盘3的数量与光电探测区域2的数量有关，每2个第一类焊盘3对应1个光电探测区域2，图4中所给出的只是示意性的，具体数量不限定。根据本实施方式，可以为反射光作用在光电探测区域产生的电流建立回路，只要对该回路电流进行实时监测，就可以实现对反射到光电探测区域的光功率的实时监测。
图5所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板的局部示意图。从图中可以看出，根据本实施方式的有源光学转接板，进一步包括第二类焊盘5、以及凸点6，其中第二类焊盘5用于连接外设的印刷电路板；凸点6设置在包含有通孔1的端面上，用于连接激光器芯片。第二类焊盘5通过再布线层4与凸点6电连接。根据本实施方式实现了对有源光学转接板输出端口的重新布局，便于与外部芯片的电连接，有利于整个模块的集成化和微型化。
图6所示为本发明一实施例提供的应用图5所示有源光学转接板的光互连模块截面示意图。根据本实施方式的光互连模块，包括：激光器芯片11、有源光学转接板10、激光器驱动芯片12。其中，激光器芯片11中的每一个发光单元19与有源光学转接板10的一个通孔光学对准，激光器芯片11通过凸点6与有源光学转接板10电连接，有源光学转接板10通过第二类焊盘5上的绑定线16与激光器驱动芯片12电连接。
根据本发明的一个实施方式，在如图6所示的光互连模块基础上，可以进一步包括：探测器芯片、探测器放大芯片，其中，所述探测器中的每一个探测单元与所述有源光学转接板上的一个通孔光学对准，并且所述探测器通过所述凸点与所述有源光学转接板电连接，所述有源光学转接板通过所述第二类焊盘与所述探测器放大芯片电连接。
应当知道，激光器芯片与探测器芯片可同时设置在一块有源光学转接板上。此时，与探测器芯片对应的通孔周围可以不设置光电探测区域。
根据本实施例的激光器芯片11优选VCSEL。探测器芯片优选pin型、或者APD(雪崩光电二极管)。需要知道，这里的激光器芯片和探测器芯片只是示例性的，对二者不做此限定。
根据本发明一实施例提供的光互连模块，进一步包括V型槽块，用于光纤的固定。V型槽块包括两部分，前段部分的V型槽用于固定光纤的裸露部分，后段部分的V型槽用于固定光纤带涂覆层的部分。这种分段设计可以提高裸光纤固定的可靠性。
根据本发明一实施例提供的光电互连模块，还包括印刷电路板(PCB)，PCB板的一端与通信设备电连接，另一端与激光器驱动芯片/探测器放大芯片电连接。如此便可以实现多模块的集成。
图7所示为本发明一实施例提供的光电互连模块示意图。从图中可以看出，根据本实施方式的光电互连模块，包括：基座15、激光器芯片11、有源光学转接板10、V型槽块14、激光器驱动芯片12、以及PCB板13。其中，V型槽块14包括多个V型槽形状的通道，每一个通道包括用于固定裸光纤的前段部分141，以及用于固定带涂覆层的光纤的后段部分142，基座15用于散热以及各组件的固定，有源光学转接板10水平固定在基座15上，并且有源光学转接板10中的阵列式通孔的开孔方向与基座15所在平面平行。激光器芯片11通过凸点6连接在有源光学转接板10的一侧；有源光学转接板10上阵列式通孔中的每一个通孔对应一个V型槽块14中的一个通道，同时V型槽块14的外部底面与有源光学转接板10的底面固定在基座上15。PCB板13固定在基座15上靠近有源光学转接板10的一侧，激光器驱动芯片12与PCB板13电连接设置于PCB板13的上方，并且通过绑定线16与有源光学转接板10电连接。
根据本实施方式的光互连模块，激光器发射的光到达光纤端面时会产生一部分无用反射光，这部分无用反射光会在激光器端面与有源光学转接板端面之间交替反射，直至能量消耗殆尽。但反射光经过若干次反射照射到光电探测区域时，可以通过监测照射到光电探测区域的无用反射光产生的电压、电流，实现光互连模块发端功率监测。也就是说，正常工作时，激光器的发光功率是一定的，经过一定次数反射到光电探测区域的光功率也是一定的，因此在反射光的作用下光电探测区域产生的电压、电流也是一定的，而光电探测区域的电压、电流可以通过测量得到。当测量到的光电探测区域的电压和/或电流发生变化、甚至消失时，就意味着光互连模块发端出现故障，从而实现对发端功率的监测。
下面通过几个实施例来说明上述有源光学转接板10中光电探测区域2的具体制备过程。
图8a-8d所示为本发明一实施例提供的有源光学转接板中光电探测区域的制备过程分解示意图。该有源光学转接板10中的光电探测区域采用双金属接触半导体光电探测器结构，且该双金属接触半导体光电探测器结构中的两个金属电极为相同的金属电极(例如都为Au/Ti电极)。具体的制备过程采用带胶剥离的方式，包括：
步骤801：如图8a所示，在用于制备光电探测区域的有源光学转接板10表面旋涂光刻胶层81。光刻胶层81旋涂工艺参数可遵从所选用光刻胶的参数说明书，厚度可为1μm-2μm，然而本发明对此不做限定。
步骤802：以负性光刻胶为例，如图8b所示，对光刻胶层81进行曝光和显影，显影后裸露出有源光学转接板10的部分构成双金属电极图案。在显影的过程中，经过曝光的光刻胶层81会残留在有源光学转接板10上，而其余未经过曝光的部分会被溶解掉而裸露出有源光学转接板10表面。
在本发明一实施例中，在对光刻胶层81进行曝光前，为了增强光刻胶的黏附性，释放光刻胶层81内的应力，还可对光刻胶层81进行软性烘烤。在对光刻胶层81进行显影后，为了完全蒸发掉残留的显影液，并进一步提高光刻胶的黏附性，还可对光刻胶层81和显影后的裸露部分进行烘烤、倒角、干燥、和显微检查。应当理解，在本发明后续实施例提到的其他工艺过程中，为了提高曝光和显影的工艺质量也可进行上述软性烘烤以及烘烤、倒角、干燥、和显微检查的工艺过程，本发明对此不做限定，后续将不再赘述。
步骤803：如图8c所示，在光刻胶层81表面和裸露出的有源光学转接板10表面制备金属电极层82。当两个金属电极都为Au/Ti电极时，则需要先制备Ti电极层，然后再制备Au金属层，其中Au金属层用于与外界金属导线形成电连接因而需要有足够的厚度(例如，Ti电极层为30nm时，Au金属层需具备100nm-200nm的厚度)。在本发明一实施例中，金属电极层82的制备可采用定向溅射或电子束热蒸镀工艺，且还需经过冲洗、干燥和监测过程以保证金属电极层82的质量。
步骤804：如图8d所示，剥离掉光刻胶层81。由于显影后裸露出有源光学转接板10的部分构成了双金属电极图案，在将残留的光刻胶层81剥离后，有源光学转接板10上剩下的金属电极层82则构成了双金属电极。在本发明一实施例中，为了保证光刻胶层81被剥离干净，还可对有源光学转接板10表面再经过冲洗和干燥的过程。
图9a-9d所示为本发明另一实施例提供的有源光学转接板中光电探测区域的制备过程分解示意图。该有源光学转接板10中的光电探测区域也采用双金属接触半导体光电探测器结构，且该双金属接触半导体光电探测器结构中的两个金属电极也为相同的金属电极(例如都为Ti电极)。但不同于8a-8d所提供的制备过程，图9a-9d所示的制备过程采用湿法腐蚀的方式，包括：
步骤901：如图9a所示，在用于制备光电探测区域的有源光学转接板10表面制备金属电极层92。具体而言，金属电极层92可采用在无定义图形的基底上直接溅射的方式制成，厚度可为200nm，制成后的金属电极层92还可进行退火处理。退火处理可在氮气或真空条件下以150℃-250℃退火30分钟。应当注意，当金属电极层92为Ti金属层时，Ti金属层的厚度需得到有效控制，因为Ti金属层的厚度大于50nm时会产生较大的内应力且容易脱落。
步骤902：如图9b所示，在金属电极层92表面旋涂光刻胶层91，对光刻胶层91进行曝光和显影，显影后残留的光刻胶层91构成双金属电极图案。在一实施例中，为了提高光刻胶层91的黏附性，还可在旋涂光刻胶层91前，在金属电极层92表面旋涂助粘剂。
步骤903：如图9c所示，腐蚀掉显影后裸露出的金属电极层92。在一实施例中，金属电极层92为Ti金属层，此时腐蚀Ti金属层所采用的腐蚀溶液配比可为30％H2O2:49％HF:H2O＝1:1:20，腐蚀速率可为880nm/min，腐蚀温度可为20℃。当要停止腐蚀时加入大量水即可，然后再利用超纯水冲洗并干燥。
步骤904：如图9d所示，剥离掉光刻胶层91。由于显影后残留的光刻胶层91构成双金属电极图案，残留的光刻胶层91下面的金属电极层92不会被腐蚀掉，因而剥离掉残余的光刻胶层91后在有源光学转接板10上形成了双金属电极92。之后可直接在该双金属电极92上再通过一次带胶剥离过程制备Au金属层以与外界金属导线形成电连接。
图10a-10g所示为本发明另一实施例提供的有源光学转接板中光电探测区域的制备过程分解示意图。该有源光学转接板10所采用的双金属接触半导体光电探测器结构中的两个金属电极为两个互不相同的金属电极(例如可分别为Au/Ti电极和Au/Ni电极)，这样可使得光电探测区域2具备更低的暗电流，从而提高光电探测区域2对光功率监测的准确度。具体的制备过程仍可采用带胶剥离的方式，但由于要制备两个不同的金属电极，因而需要先通过一次带胶剥离过程制备第一金属电极1002，再在包含第一金属电极1002的有源光学转接板10上再通过一次带胶剥离过程制备第二金属电极1004。如图10a-10g所示，该光电探测区域2的制备过程包括：
步骤1001：如图10a所示，在用于制备光电探测区域的有源光学转接板10表面旋涂第一光刻胶层1001。
步骤1002：如图10b所示，对第一光刻胶层1001进行曝光和显影，显影后裸露出有源光学转接板10的部分构成第一金属电极图案。
步骤1003：如图10c所示，在第一光刻胶层1001表面和裸露出的有源光学转接板10表面制备第一金属电极层1002。当第一金属电极为Au/Ti电极时，则需要先制备Ti电极层，然后再制备Au金属层。
步骤1004：如图10d所示，剥离掉第一光刻胶层1001，然后在有源光学转接板10表面旋涂第二光刻胶层1003。在剥离掉第一光刻胶层1001后，有源光学转接板10上便先形成了第一金属电极1002，此时再在包含第一金属电极1002的有源光学转接板10表面旋涂第二光刻胶层1003以制备第二金属电极1004。
步骤1005：如图10e所示，对第二光刻胶层1003进行曝光和显影，显影后裸露出有源光学转接板10的部分构成第二金属电极图案。
步骤1006：如图10f所示，在第二光刻胶层1003表面和裸露出的有源光学转接板10表面制备第二金属电极层1004。当第二金属电极1004为Au/Ni电极时，则需要先制备Ni电极层，然后再制备Au金属层。
步骤1007：如图10g所示，剥离掉第二光刻胶层1003。在剥离掉第二光刻胶层1003后，已包含第一金属电极1002的有源光学转接板10上便形成了第二金属电极1004。
图11a-11k所示为本发明另一实施例提供的有源光学转接板中光电探测区域的制备过程分解示意图。该有源光学转接板10所采用的双金属接触半导体光电探测器结构中的两个金属电极也为两个互不相同的金属电极，所采用的制备方式为湿法腐蚀，但不用于图9a～9d所示的制备过程，由于要制备两个不同的金属电极(在本实施例中描述为第三金属电极和第四金属电极)，图11a-11k所示的制备过程包含了三次湿法腐蚀过程，具体包括：
步骤1101：如图11a所示，在用于制备光电探测区域的有源光学转接板10表面制备第三金属电极层111。具体的制备工艺可采用在无定义图形的基底上直接溅射的方式，当第三金属电极层111为Ni金属层时，Ni金属层的厚度可为30nm。
步骤1102：如图11b所示，在第三金属电极层111表面旋涂第三光刻胶层112，对第三光刻胶层112进行曝光和显影，显影后残留的第三光刻胶层112构成第三金属电极图案。
步骤1103：如图11c所示，腐蚀掉显影后裸露出的第三金属电极层111。在一实施例中，第三金属电极层111为Ni金属层，此时腐蚀Ni金属层所采用的腐蚀溶液可为30％FeCl3，腐蚀速率可为1.25μm/min，腐蚀温度可为40℃。当要停止腐蚀时加入大量水即可，然后再利用超纯水冲洗并干燥。
步骤1104：如图11d-11e所示，剥离掉第三光刻胶层112，然后在有源光学转接板10表面旋涂第四光刻胶层113。具体而言，当剥离掉第三光刻胶层112后，有源光学转接板10上残留的第三金属电极层111便形成了第三金属电极，然后在包含有第三金属电极的有源光学转接板10表面旋涂第四光刻胶层113，用于防止第三金属电极111在后续的过程中被腐蚀。
步骤1105：如图11f所示，对第四光刻胶层113进行曝光和显影，显影后残留的第四光刻胶层113覆盖第三金属电极层111。
步骤1106：如图11g所示，在裸露的有源光学转接板10表面和残留的第四光刻胶层113表面制备第四金属电极层114。
步骤1107：如图11h所示，在第四金属电极层114表面旋涂第五光刻胶层115。
步骤1108：如图11i-11j所示，对第五光刻胶层115进行曝光和显影，显影后残留的第五光刻胶层115构成第四金属电极图案，腐蚀掉显影后裸露出的第四金属电极层114。具体而言，当对第五光刻胶层115进行显影后，除了残留的第五光刻胶层115的间隙裸露出了第四金属电极层114，第四光刻胶层113表面的第四金属电极层114也裸露了出来。当腐蚀掉所有裸露的第四金属电极层114后，残留的第五光刻胶层115下面的第四金属电极层114便形成了第四金属电极。在一实施例中，第四金属电极层114为Ti金属层，此时腐蚀Ti金属层所采用的腐蚀溶液配比可为30％H2O2:49％HF:H2O＝1:1:20，腐蚀速率可为880nm/min，腐蚀温度可为20℃。当要停止腐蚀时加入大量水即可，然后再利用超纯水冲洗并干燥。
步骤1109：如图11k所示，剥离掉第四光刻胶层113和第五光刻胶层115。剥离第四光刻胶层113和第五光刻胶层115后，有源光学转接板10上便形成了第三金属电极111和第四金属电极114。之后可直接在该双金属电极上再通过一次带胶剥离过程制备Au金属层以分别形成第三金属电极111和第四金属电极114与外界金属导线的电连接。
在本发明一实施例中，当要采用带胶剥离的方式制备双金属接触半导体光电探测器结构时，在制备该双金属接触半导体光电探测器结构之前，还需要对有源光学转接板10表面进行如下预处理：低浓度掺杂Si、去除氧化层、超纯水冲洗、旋转干燥、脱水烘干和旋涂助粘剂。
当要采用湿法腐蚀的方式制备双金属接触半导体光电探测器结构时，在制备该双金属接触半导体光电探测器结构之前，还需要对有源光学转接板10表面进行如下预处理：低浓度掺杂Si、去除氧化层、超纯水冲洗、旋转干燥、脱水烘干和Ar微波等离子原位溅射清洗。
以上去除氧化层的过程可具体为：采用氢氟酸缓冲液对低浓度掺杂Si表面进行腐蚀处理，氢氟酸缓冲液的配比可为6NH4F:1HF，该配比下的腐蚀速率可为100nm/min-250nm/min，但应当理解，具体的腐蚀速率可根据低浓度掺杂Si表面覆盖的SiO2的致密度而定，本发明对此不做限定；其中的脱水烘干过程可具体为：在纯净的氮气或真空条件下在150℃-300℃烘干30-60分钟，然后在氮气中冷却，并将有源光学转接板10放在氮气盒子中存储和运算；其中的助粘剂可采用六甲基二硅胺(Hexamethyldisilazane，简写为HMDS)。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (21)

1.一种有源光学转接板，其特征在于，包括：
至少一个通孔，用于插入光纤来为激光器的发射光提供光通路；
至少一个光电探测区域，设置在所述至少一个通孔的端面上，用于探测所述激光器的发射光的反射光，并将探测到的所述反射光转换为电信号，所述反射光包括所述发射光在所述通孔的入口边缘发生反射的反射光，以及在所述通孔的入口边缘发生反射的反射光在激光器芯片与有源光学转接板界面之间发生至少一次反射产生的反射光。
2.根据权利要求1所述的有源光学转接板，其特征在于，所述至少一个光电探测区域中的每个光电探测区域包围一个所述通孔。
3.根据权利要求1所述的有源光学转接板，其特征在于，进一步包括：
第一类焊盘，用于提取并传递所述光电探测区域产生的电信号；以及，
再布线层，设置在所述至少一个通孔的端面上；
其中，所述第一类焊盘通过所述再布线层与一个所述光电探测区域电连接。
4.根据权利要求3所述的有源光学转接板，其特征在于，进一步包括：第二类焊盘，用于连接外设的印刷电路板；以及，
凸点，设置在所述至少一个通孔的端面上，用于电连接激光器；
其中，所述第二类焊盘通过所述再布线层与所述凸点电连接。
5.根据权利要求4所述的有源光学转接板，其特征在于，所述第一类焊盘和所述第二类焊盘呈一排设置在所述有源光学转接板的与所述至少一个通孔的端面相垂直的侧面。
6.根据权利要求1所述的有源光学转接板，其特征在于，所述光电探测区域采用双金属接触半导体光电探测器结构。
7.根据权利要求6所述的有源光学转接板，其特征在于，所述双金属接触半导体光电探测器结构中的两个金属电极为相同的金属电极。
8.根据权利要求7所述的有源光学转接板，其特征在于，所述双金属接触半导体光电探测器结构的制备过程包括：
在用于制备所述光电探测区域的有源光学转接板表面旋涂光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光和显影，显影后裸露出有源光学转接板的部分构成双金属电极图案；
在所述光刻胶层表面和裸露出的有源光学转接板表面制备金属电极层；
剥离掉所述光刻胶层。
9.根据权利要求8所述的有源光学转接板，其特征在于，所述金属电极层采用定向溅射或电子束热蒸镀制成。
10.根据权利要求8所述的有源光学转接板，其特征在于，在对所述光刻胶层进行曝光前，所述双金属接触半导体光电探测器结构的制备过程进一步包括：对所述光刻胶层进行软性烘烤；和/或，
在对所述光刻胶层进行显影后，所述双金属接触半导体光电探测器结构的制备过程进一步包括：
对所述光刻胶层和所述裸露部分进行烘烤、和/或干燥、和/或显微检查。
11.根据权利要求7所述的有源光学转接板，其特征在于，所述双金属接触半导体光电探测器结构的制备过程包括：
在用于制备所述光电探测区域的有源光学转接板表面制备金属电极层；
在所述金属电极层表面旋涂光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光和显影，显影后残留的光刻胶层构成双金属电极图案；
腐蚀掉显影后裸露出的金属电极层；
剥离掉所述光刻胶层。
12.根据权利要求11所述的有源光学转接板，其特征在于，所述金属电极层采用在无定义图形的基底上直接溅射的方式制成；和/或，
在所述金属电极层表面旋涂光刻胶层前，在对所述金属电极层进行退火处理。
13.根据权利要求6所述的有源光学转接板，其特征在于，所述双金属接触半导体光电探测器结构中的两个金属电极为两个互不相同的金属电极。
14.根据权利要求13所述的有源光学转接板，其特征在于，所述双金属接触半导体光电探测器结构的制备过程包括：
在用于制备所述光电探测区域的有源光学转接板表面旋涂第一光刻胶层；
对所述第一光刻胶层进行曝光和显影，显影后裸露出有源光学转接板的部分构成第一金属电极图案；
在所述第一光刻胶层表面和裸露出的有源光学转接板表面制备第一金属电极层；
剥离掉所述第一光刻胶层，然后在所述有源光学转接板表面旋涂第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层进行曝光和显影，显影后裸露出有源光学转接板的部分构成第二金属电极图案；
在所述第二光刻胶层表面和裸露出的有源光学转接板表面制备第二金属电极层；
剥离掉所述第二光刻胶层。
15.根据权利要求13所述的有源光学转接板，其特征在于，所述双金属接触半导体光电探测器结构的制备过程包括：
在用于制备所述光电探测区域的有源光学转接板表面制备第三金属电极层；
在所述第三金属电极层表面旋涂第三光刻胶层，对所述第三光刻胶层进行曝光和显影，显影后残留的第三光刻胶层构成第三金属电极图案；
腐蚀掉显影后裸露出的第三金属电极层；
剥离掉所述第三光刻胶层，然后在所述有源光学转接板表面旋涂第四光刻胶层；
对所述第四光刻胶层进行曝光和显影，显影后残留的第四光刻胶层覆盖所述第三金属电极层；
在裸露的有源光学转接板表面和残留的第四光刻胶层表面制备第四金属电极层；
在所述第四金属电极层表面旋涂第五光刻胶层；
对所述第五光刻胶层进行曝光和显影，显影后残留的第五光刻胶层构成第四金属电极图案，腐蚀掉显影后裸露出的第四金属电极层；
剥离掉所述第四光刻胶层和所述第五光刻胶层。
16.根据权利要求8或14所述的有源光学转接板，其特征在于，在制备所述双金属接触半导体光电探测器结构之前，对所述有源光学转接板表面进行的预处理包括：低浓度掺杂Si、去除氧化层、超纯水冲洗、旋转干燥、脱水烘干和旋涂助粘剂。
17.根据权利要求11或15所述的有源光学转接板，其特征在于，在制备所述双金属接触半导体光电探测器结构之前，对所述有源光学转接板表面进行的预处理包括：低浓度掺杂Si、去除氧化层、超纯水冲洗、旋转干燥、脱水烘干和Ar微波等离子原位溅射清洗。
18.一种应用权利要求1至15中任一项所述有源光学转接板的光互连模块，其特征在于，包括：激光器、有源光学转接板、激光器驱动芯片，其中，所述激光器中的每一个发光单元与所述有源光学转接板上的一个通孔光学对准，并且所述激光器芯片通过凸点与所述有源光学转接板电连接，所述有源光学转接板通过第二类焊盘与所述激光器驱动芯片电连接。
19.根据权利要求18所述的光互连模块，其特征在于，进一步包括：探测器、探测器放大芯片，其中，所述探测器中的每一个探测单元与所述有源光学转接板上的一个通孔光学对准，并且所述探测器通过所述凸点与所述有源光学转接板电连接，所述有源光学转接板通过所述第二类焊盘与所述探测器放大芯片电连接。
20.根据权利要求19所述的光互连模块，其特征在于，进一步包括：V型槽块，所述V型槽块包括多个V型槽形状的通道，其中每个所述通道包括前段部分和后段部分，所述前段部分用于固定光纤的裸露部分，所述后段部分用于固定光纤带涂覆层的部分。
21.根据权利要求19或20所述的光互连模块，其特征在于，进一步包括：印刷电路板，所述印刷电路板与所述激光器驱动芯片电连接。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5191204A (en) * 1991-10-28 1993-03-02 International Business Machines Corporation Multi-beam optical system and method with power detection of overlapping beams
JPH06309685A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Nippon Conlux Co Ltd 光学式情報記録再生装置のレーザ出力制御装置
US5774486A (en) * 1996-04-30 1998-06-30 Motorola, Inc. Waveguide power monitoring system for vertical cavity surface emitting lasers
US5812581A (en) * 1996-07-26 1998-09-22 Honeywell Inc. Lens for a semiconductive device with a laser and a photodetector in a common container
GB2326760B (en) * 1997-06-28 2002-02-13 Mitel Semiconductor Ab Optical source with monitor
SE9800040D0 (sv) * 1998-01-09 1998-01-09 Pacesetter Ab A heart stimulator
US6674709B1 (en) * 1999-04-23 2004-01-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical head apparatus
US6600845B1 (en) * 1999-10-18 2003-07-29 Digital Optics Corporation Integrated parallel transmitter
WO2002029461A1 (en) * 2000-09-29 2002-04-11 Cielo Communications, Inc. Apparatus and method for vcsel monitoring using scattering and reflection of emitted light
US6526076B2 (en) * 2000-12-15 2003-02-25 Agilent Technologies, Inc. Integrated parallel channel optical monitoring for parallel optics transmitter
KR100416688B1 (ko) * 2001-11-08 2004-01-31 주식회사 한택 광소자가 집적된 광섬유 블럭
JP2003229630A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Mitsubishi Electric Corp レーザダイオードモジュール
US7266270B2 (en) * 2002-03-15 2007-09-04 Tessera North America Waveguide to waveguide monitor
AU2003270519A1 (en) * 2002-10-10 2004-05-04 Xponent Photonics Inc. Semiconductor photodetector with internal reflector
TW591217B (en) * 2003-07-17 2004-06-11 South Epitaxy Corp UV detector
US7324575B2 (en) * 2004-02-17 2008-01-29 Finisar Corporation Lens with reflective surface
US20060022641A1 (en) * 2004-05-24 2006-02-02 Scalpel Drive Innovation, Llc System, apparatus, and method for increasing particle density and energy by creating a controlled plasma environment into a gaseous media
US7286581B2 (en) * 2004-08-20 2007-10-23 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd Self-monitoring light emitting apparatus
US7457343B2 (en) * 2004-11-01 2008-11-25 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lens structure, optical transmitter, and method for producing same
CN100373132C (zh) * 2004-11-25 2008-03-05 电子科技大学 一种探测器-光纤耦合的全方位自对准方法
US7393145B1 (en) * 2005-04-26 2008-07-01 Lockheed Martin Corporation Fault location in optical networks
US7654750B2 (en) * 2005-08-10 2010-02-02 Brenner Mary K Bidirectional optical fiber link systems component couplers
KR100975051B1 (ko) * 2008-09-30 2010-08-11 주식회사 와이텔포토닉스 광 연결 장치 및 방법
US8000358B2 (en) * 2009-04-20 2011-08-16 Emcore Corporation Power monitoring system for a parallel optical transmitter
CN101834660B (zh) * 2010-04-15 2015-06-10 中兴通讯股份有限公司 光模块的控制装置、方法及光发射装置
CN101876732B (zh) * 2010-06-11 2012-05-23 中央大学 具有光波导结构的发射端模块和接收端模块
US8483571B2 (en) * 2010-06-30 2013-07-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical beam splitter for use in an optoelectronic module, and a method for performing optical beam splitting in an optoelectronic module
TWI562393B (en) * 2011-12-26 2016-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Photoelectric converter
WO2013172822A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical communication techniques
CN103367134B (zh) * 2013-08-08 2015-11-11 电子科技大学 一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法
CN103715307B (zh) * 2013-12-31 2016-01-13 烟台睿创微纳技术有限公司 一种非制冷红外探测器及其制备方法
CN104007521B (zh) * 2014-06-13 2016-03-16 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 光收发模块的结构和制作方法
US9423581B2 (en) * 2014-08-22 2016-08-23 Laxense Inc. Parallel optical system with integrated monitoring photodetectors
CN105572815B (zh) * 2015-12-21 2018-02-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 有源光学转接板和光互连模块

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