CN105531655A - 翻转的单元传感器图案 - Google Patents
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Abstract
电容传感器阵列的实施例可以包括大型传感器电极和多个小型传感器电极,该多个小型传感器电极包含第一小型传感器电极、第二小型传感器电极、和第三小型传感器电极。大型传感器电极和小型传感器电极可以由单层导电材料形成。第一小型传感器电极可能位于与第二小型传感器电极相同的、大型传感器电极的同一横向侧,可能沿着大型传感器电极的纵轴线与第二小型传感器电极在小型传感器电极的空间次序上是连续的,以及可能位于与第三小型传感器电极不同的、大型传感器电极的相反横向侧。对于每个小型传感器电极,至少部分该小型传感器电极可能位于大型传感器电极两个内部点之间。
Description
相关申请
本申请要求于2013年3月11日提交的美国临时申请第61/776405号的优先权,该临时申请作为其整体通过参考并入本文。
技术领域
本公开涉及触摸传感器领域,具体是涉及电容触摸传感器阵列。
背景技术
计算装置,例如笔记本电脑、个人数据助理(PDA)、查询机、以及手机,具有也被称为人机界面装置(HID)的用户界面装置。一个变得越来越常见的用户界面装置是触摸传感器板(通常也被称为触摸板)。基本的笔记本电脑触摸传感器板模拟个人电脑(PC)鼠标的功能。为了内置便携性触摸传感器板通常嵌入PC笔记本。触摸传感器板通过使用含有检测一个或多个导电物体(例如手指)的位置的一批传感器电极的两个限定的轴线来重现鼠标的X/Y移动。鼠标左/右键点击能够由位于触摸板附近的两个机械按钮、或通过在触摸传感器板本身上的轻敲命令来重现。触摸传感器板给用户提供界面装置用于执行诸如定位指针、或在显示器上选择项目的功能。这些触摸传感器板可以包含用于检测在多个轴线上移动的多维传感器阵列。传感器阵列可以包含检测在一个轴线上移动的一维传感器阵列。传感器阵列也可以是二维的,检测在两个轴线上移动。
另一个变得越来越常见的用户界面装置是触摸屏幕。触摸屏幕,也被称为触摸屏、触摸窗口、触摸面板、或触摸屏面板、是透明的一般为压敏的(电阻式或压电式)、电敏的(电容式)、声敏的(声表面波(SAW))或光敏的(红外线)显示器覆盖层。这样的覆盖层的效果允许显示器被用作输入设备,移除作为用于与显示器的内容交互的主要输入设备的键盘和/或鼠标。这样的显示器能够作为终端附接到计算机或附接到网络。触摸屏幕在触针被有时用来操作图形用户界面(GUI)并输入数据的零售机、销售点系统、自动取款机、手机、查询机、游戏控制台、PDA上变得越来越常见。用户能够触摸触摸屏幕或触摸传感器板来操作数据。例如,用户能够通过使用手指以触摸触摸屏幕的表面来施加单个的触摸以从菜单中选择项目。
发明内容
附图说明
以附图的图形作为示例而不是作为限制说明本公开。
图1是说明处理触摸传感器数据的电子系统的一个实施例的框图。
图2是说明处理触摸传感器数据的电子系统的一个实施例的框图。
图3A说明了使用双重实心菱形电容传感器图案的电子触摸传感系统的一个实施例。
图3B说明了双重实心菱形电容传感器图案的一个实施例。
图4A和图4B说明触摸屏幕组件的实施例。
图5说明了电容传感器阵列的一个实施例。
图6A说明了电容传感器阵列的一个实施例。
图6B是根据一个实施例的电容传感器阵列的细节说明。
图7A说明了电容传感器阵列的一个实施例。
图7B是根据一个实施例的电容传感器阵列的细节说明。
图8说明了电容传感器阵列的一个实施例。
图9A和9B说明了带有一个或多个挡板的传感器阵列的实施例。
具体实施方式
下文的描述陈述诸多具体细节,比如特定系统、部件、方法等的示例,以提供本发明的几个实施例的良好的理解。然而,对本领域的技术人员显而易见的是,本发明的至少某些实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在其它实例中,众所周知的部件或方法未被详细描述,或者以简单的框图形式介绍,以避免不必要地使本发明模糊不清。因此,陈述的具体细节仅仅是示例性的。特定的实施方案可能会不同于这些示例性的细节,且仍然被考虑是在本发明的精神和范围之内。
在一个实施例中,与如上所述的电容传感器阵列耦接的电容传感器可被用于通过测量与每个传感器电极相关联的自电容、或传感器电极对之间的互电容而对电容传感器阵列扫描。然后,电容传感器可以将测量得到的电容值传送到主机,其中电容值可以被进一步处理来确定例如靠近或正在触摸电容传感器阵列表面的手指或其它导电物体的位置。在一个实施例中,主机补偿在具有导电迹线的不同图案的区域之间的电容差。
图1说明电子系统100的一个实施例的框图,该电子系统100包含可以被配置为从包含如上所述的电容传感器阵列的触摸敏感表面116测量电容的处理装置110。电子系统100包含耦接到处理装置110和主机150的触摸敏感表面116(例如,触摸屏、或触摸板)。在一个实施例中,触摸敏感表面116是使用传感器阵列121来检测在表面116上的触摸的二维的用户界面。
在一个实施例中,传感器阵列121包含被布置为二维矩阵(也称为XY矩阵)的传感器电极121(1)-121(N)(其中N是正整数)。传感器阵列121经由一个或多个传送多个信号的模拟总线115耦接到处理装置110的引脚113(1)-113(N)。在这个实施例中,每个传感器电极121(1)-121(N)被表示为电容器。
在一个实施例中,电容传感器101可能包含张弛振荡器或将电容转换为测量值的其它装置。电容传感器101也可以包含计数器或定时器以测量振荡器的输出。处理装置110可以进一步包含软件部件以将计数值(例如,电容值)转换为传感器电极检测判定(也被称为开关检测判定)或相对值。应该注意的是,存在各种用于测量电容的已知方法,例如电流对电压相移测量法、电阻器-电容器充电定时法、电容桥分压器法、电荷转移法、逐次逼近法、∑-Δ调制器法、电荷积累电路法、场效应法、互电容法、频移法、或其它电容测量算法。然而,应该注意,电容传感器101可以估计其他测量来确定用户交互,而不是估计相对于阈值的原始计数。例如,在具有∑-Δ调制器的电容传感器101中,电容传感器101估计输出的脉冲宽度比,而不是超过或低于某一阈值的原始计数。
在一个实施例中,处理装置110进一步包含处理逻辑102。处理逻辑102的操作可以以固件实现;或者,它可以以硬件或软件实现。处理逻辑102可以从电容传感器101接收信号,并跟踪物体的运动来确定传感器阵列121的状态,比如,检测到物体(例如,手指)是否在传感器阵列121上或紧邻传感器阵列121(例如,确定物体的存在),检测到物体在传感器阵列上的何处(例如,确定物体的位置),或确定与在触摸传感器处检测到的物体有关的其它信息。
在另一个实施例中,处理装置110可以将原始数据或部分处理的数据发送到主机150,而不是在处理装置110中执行处理逻辑102的操作。如图1所示,主机150可以包含执行处理逻辑102的某些或全部操作的判定逻辑151。判定逻辑151的操作可以以固件、硬件、软件、或它们的组合实现。主机150可以包含在接收的数据上执行例程的应用程序152中的高级应用程序编程接口(API),例如补偿灵敏度差、其他补偿算法、基线更新例程、启动和/或初始化例程、插值操作、或缩放操作。关于处理逻辑102描述的操作可以以判定逻辑151、应用程序152、或处理装置110外部的其它硬件、软件、和/或固件实现。在某些其它实施例中,处理装置110是主机150。
在另一个实施例中,处理装置110还可以包含非传感动作模块103。这个模块103可以用于处理和/或从主机150接收数据/向主机150传送数据。例如,可以实现借助处理装置110和传感器阵列121(如,键盘、小键盘、鼠标、轨迹球、LED、显示器、或其它外围设备)一同操作附加部件。
处理装置110可以处于共同的载体衬底上,譬如,举例来说,集成电路(IC)裸片衬底、多芯片组件衬底。或者,处理装置110的部件可能是一个或多个独立的集成电路和/或分立部件。在一个实施例中,处理装置110可以是由加州圣何塞的赛普拉斯半导体公司开发的片上可编程系统处理装置。或者,处理装置110可以是为本领域的普通技术人员所知的一个或多个其它处理装置,如微处理器或中央处理单元、控制器、专用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、或其它可编程装置。例如,在替代性实施例中,处理装置110可以是具有多个包含核心单元和多个微发动机的处理器的网络处理器。此外,处理装置110可以包含通用处理装置和专用处理装置的任何组合。
在一个实施例中,电子系统100在包含触摸敏感表面116作为用户界面的装置中被实现,例如,手持电子产品、便携式电话、蜂窝电话、笔记本电脑、个人电脑、个人数据助理(PDA)、查询机、键盘、电视、遥控器、显示器、手持多媒体装置、手持视频播放器、游戏装置、家庭或工业设备的控制面板、或其它计算机外部设备或输入装置。或者,电子系统100可用于其它类型的装置。应该注意的是,电子系统100的部件可以包含上述的所有部件。或者,电子系统100可以仅包含上述的某些部件,或包含此处未列出的附加部件。
图2是说明电容触摸传感器阵列121和将测量的电容的变化转换为表示触摸的存在和位置的坐标的电容传感器101的一个实施例的框图。坐标是根据测量的电容相对于在无触摸状态的相同触摸传感器阵列121的电容的变化来计算。在一个实施例中,传感器阵列121和电容传感器101在例如电子系统100的系统中实现。传感器阵列220包含进一步包含传送(TX)电极222和接收电极(RX)223的NXM电极(N接收电极和M传送电极)的矩阵225。矩阵225中每个电极通过多路分配器212和多路复用器213与电容传感电路201连接。
电容传感器101包含多路复用器控制211、多路分配器212和多路复用器213、时钟发生器214、信号发生器215、解调电路216、以及模拟到数字转换器(ADC)217。ADC217进一步耦接到触摸坐标转换器218。触摸坐标转换器218可以在处理逻辑102中实现。
电极矩阵225中的传送电极和接收电极可以被排列以便每个传送电极与每个接收电极重叠和交叉,以形成交叉点阵列,而同时保持彼此电绝缘。因此,每个传送电极可以与每个接收电极容性耦合。例如,在传送电极222和接收电极223重叠的点处,传送电极222与接收电极223容性耦合。
时钟产生器214向信号发生器215供给时钟信号,信号发生器215产生供给于触摸传感器121的传送电极的TX信号224。在一个实施例中,信号发生器215包含根据来自时钟发生器214的时钟信号操作的开关的组。开关可以通过周期性地将信号发生器215的输出连接到第一电压以及随后连接到第二电压来生成TX信号224,其中所述第一电压和第二电压是不同的。
信号发生器215的输出连接到多路分配器212,多路分配器212允许将TX信号224施加到触摸传感器121的M传送电极中的任何。在一个实施例中,多路复用器控制211控制多路分配器212,以便TX信号224以受控的序列施加到每个传送电极222。多路分配器212还可用于接地、浮空、或将替换信号连接到当前没有被TX信号224施加到的其它传送电极。在替代实施例中,可以将TX信号224以原码形式提供给传送电极222的子集,并以补码形式提供给传送电极222的第二子集,其中,在传送电极222的第一子集和第二子集的部分中没有重叠。
由于传送和接收电极之间的电容耦合,被施加于每个传送电极的TX信号224在每个接收电极内感生电流。例如,当TX信号224通过多路分配器212被施加于传送电极222时,TX信号224在矩阵225中的接收电极上感生RX信号227。然后,通过使用多路复用器213以将N接收电极中的每个按顺序连接到解调电路216,能够按顺序测量接收电极中的每个上的RX信号227。
能够通过使用多路分配器212和多路复用器213来选择TX电极和RX电极的每个可用组合而感测与TX电极和RX电极之间的每个交叉有关的互电容。为了提高性能,多路复用器213也可以被分段,以允许在矩阵225中的不止一个接收电极被按路径传送到附加的解调电路216。在一个优化配置中,其中,解调电路216的实例与接收电极存在一对一的对应关系,多路复用器213在系统中可能不存在。
当例如手指的物体接近电极矩阵225时,该物体引起只在某些电极之间的测量的互电容的变化。例如,如果手指放置在传送电极222和接收电极223的交叉点附近,手指的存在会减少在电极222和223之间的耦合的电荷。因此,除了当测量在一个或多个接收电极上电容的减小时识别被施加TX信号224的传送电极之外,手指在触摸板上的位置能够通过识别具有测量的互电容的减小的一个或多个接收电极来确定。
通过确定与矩阵225中的电极的每个交叉点有关的互电容,可以确定一个或多个导电物体的存在和位置。该确定可以是顺序地、并行地、也可以较为频繁地发生在常用的电极处。
在替代性实施例中,在可能以网格或其它图案排列的一个或多个电极处手指或导电物体引起测量的电容增加的情况下,可以使用用于检测手指或其它导电物体的存在的其它方法。例如,放置在电容传感器的电极附近的手指可能会引入额外的对地电容,该对地电容增加电极和地之间的总电容。能够根据检测到测量的电容的变化处的一个或多个电极的位置来确定手指的位置。
感应的电流信号227被解调电路216集成。然后,由解调电路216输出的整流电流能够被滤波并由ADC217转换为数码。
来自相邻传感器或交叉点的测量的一系列的这样的数码可以被触摸坐标转换器218转化为指示在触摸传感器阵列121上的输入的位置的触摸坐标。然后,触摸坐标可以被处理逻辑102用来检测手势或执行其它功能。
在一个实施例中,电容传感器101能够被配置为检测多点触摸。用于多点触摸的检测和位置解析的一项技术使用双轴线实现:一个轴线支持行而另一个轴线支持列。使用额外的层在表面上实现的额外的轴线,如对角线轴线,能够允许额外的触摸的解析。
图3A示出了包含电容传感器阵列320的电容触摸传感系统300的一个实施例。电容传感器阵列320包含多个行传感器电极331-340和多个列传感器电极341-348。如图2所示,行传感器电极和列传感器电极331-348连接到可能包含的电容传感器101的功能的处理装置310。在一个实施例中,处理装置310可以执行电容传感器阵列320的TX-RX扫描以测量与传感器阵列320中的行传感器电极和列传感器电极之间的每个交叉点相关的互电容值。测量的电容可以被进一步处理,以确定在电容传感器阵列320处的一个或多个接触的更高分辨率位置。
在一个实施例中,处理装置310连接到可以接收测量的电容或从处理装置310计算高精度位置的主机150。
示出在图3A中的传感器阵列320包含以菱形图案排列的传感器电极。具体地说,传感器阵列320的传感器电极331-348以单实心菱形(SSD)图案排列。图3B说明了具有其为双实心菱形(DSD)图案的菱形图案的替代实施例的电容传感器阵列321。电容传感器阵列321的每个传感器电极包含电连接的菱形迹线的两行或两列。相对于SSD图案,DSD图案改善了由于TX传感器电极和RX传感器电极之间的耦合的增加导致的信号的不一致特性,同时保持了可能在每个传感器电极与传感器电极附近的导电物体之间的耦合的相同的自电容。相比于具有较大特征的图案如SSD,DSD图案也可以为跟踪诸如触针的点的小物体提供高灵敏度。然而,DSD图案也增加了用于创建图案的桥的数量(例如桥323),这可能导致降低的制造产量。如果使用金属桥,增加数量的桥也可以是可见的。例如,传感器阵列321在单位单元322内包含四个桥。
图4A和4B分别说明包含电容传感器阵列的触摸屏幕的组件400和410的实施例。触摸屏幕组件400包含液晶显示器(LCD)401,玻璃402敷设于液晶显示器401之上。在玻璃402的表面上构造传感器图案403。在一个实施例中,在背离LCD401的玻璃402的表面上构造传感器图案403。光学透明结合剂(OCA)404可被用于将玻璃405结合到传感器图案403被构造在其上的玻璃402的表面上,从而,保护传感器图案403。传感器图案403可能是SSD图案、DSD图案、或如下面图中所述的另一种图案。
触摸屏幕组件410包含LCD411,玻璃412可能被置于LCD411上。在一个实施例中,可在面对LCD411的玻璃412的表面上构造传感器图案413。在一个实施例中,气隙414可能将玻璃412和LCD411隔开。
在一个实施例中,电容传感器图案诸如SSD图案、DSD图案、或此处描述的其它电容传感器图案可以包含能够被表示为行电极和列电极之间的交叉点的矩阵的行传感器电极和列传感器电极。这些传感器阵列的分辨率可以被表示为列数和行数的乘积。例如,对于具有N行电极和M列电极的传感器阵列,交叉点的数量为N*M。
图5展示了包含由单层导电材料构造的多个列传感器电极和多个行传感器电极的电容传感器阵列500的一个实施例。对于单层传感器阵列图案,图案可能包含单层铜、铟锡氧化物(ITO)或没有任何重叠的部分的其它导电材料。在一个实施例中,这样的单层导电材料可能包含不同类型的导电材料。例如,单层的部分可能是由ITO构造,而另一部分可能是由铜构造。在一个实施例中,导电材料的单层可能大体落在单个平面或表面上,使得传感器图案的部分大体共面。例如,导电材料的单层可能贴合于衬底诸如玻璃或塑料的表面。
在一个实施例中,在其上可能会检测到电容的变化的活动传感区域被划分成单位单元的网格,如单位单元501。这些单位单元的每个可能包含对应于行传感器电极和列传感器电极之间的特定的配对的传感区域。例如,单位单元501包含行传感器电极502和列传感器电极503之间的传感区域。换句话说,单位单元501内导电物体的存在对行传感器电极502和列传感器电极503之间的互电容的影响多于导电物体的存在对任何其它的行传感器电极和列传感器电极对之间的任何互电容的影响。
在一个实施例中,屏蔽迹线诸如屏蔽迹线505可能被包含在电容传感器阵列500中,以减小某些行传感器电极和列传感器电极对之间的串扰。例如,屏蔽迹线505被置于行传感器电极502和列传感器电极506的布线迹线之间以减小电极502和506之间耦合的电容。
在一个实施例中,在传感器阵列500中的行传感器电极和列传感器电极中的每个可以电连接到在传感器阵列500的活动传感区域之外的导电片。例如,列传感器电极503电连接到导电片504。在一个实施例中,这样的导电片可用于进一步将传感器阵列500连接到电容传感器101,使得电容传感器101可以测量行传感器电极和列传感器电极之间的电容。
在一个实施例中,对于传感器的导电片和传感器阵列500的传感器阵列图案中的屏蔽迹线的数量可以确定为Nz=Tx+Tx(Rx+1),其中,Nz是导电片的数量,Tx是列传感器电极的数量,且Rx是行传感器电极的数量。因此,如图5所示,对于具有三行和四列单位单元的传感器阵列,导电片的数量的Nz是4+4(3+1),或者说,20个导电片。通过相似的计算,具有18行10列的传感器阵列将具有200个导电片。
图6A展示了电容传感器阵列600的一个实施例。在一个实施例中,电容传感器阵列600可以耦接到电容传感器,例如电容传感器101。例如,传感器阵列600的每个传感器电极可以经由模拟总线115电连接到电容传感器101,使得电容传感器101能够感测传感器阵列600的小型的行传感器电极和大型的列传感器电极之间的互电容。
在一个实施例中,电容传感器阵列600可能包含可被用作列传感器电极的一组大型传感器电极601、602、603、和604。在一个实施例中,电容传感器阵列600可以包含一组小型传感器电极,例如传感器电极610-612,其每个比大型传感器电极中的任何一个更小(例如,在面积或质量上)。小型传感器电极可以被用作行传感器电极。在一个实施例中,大型传感器电极和小型传感器电极可以由单层导电材料形成。
在一个实施例中,在同一行中的每个小型传感器电极可以与在同一行中的其它小型传感器电极独立地感测;或者,在同一行中的小型传感器电极可以电气耦接并一同感测。例如,小型传感器电极610-612可以彼此分开感测,或者他们可以耦接在一起,并且在感测扫描期间被电容传感器101作为单个电极来处理。
在一个实施例中,电容传感器阵列600的活动传感区域630包含可以在其内通过互电容或者自电容扫描来检测导电物体的存在的传感器阵列的区域。在一个实施例中,活动传感区域630可以被划分为NxM个单位单元网格,其每个对应于在一个大型传感器电极和一个小型传感器电极之间的传感区域。
在一个实施例中,传感器阵列600中的传感器电极和屏蔽迹线中的每个可以电连接到位于传感器阵列600的边缘区域634内的、它们本身各自的导电片,例如导电片607。如图6A所示,例如,屏蔽迹线608和小型传感器电极611各自连接到导电片607中的一个。在一个实施例中,每个传感器电极可以通过一个或多个布线迹线电连接到它们各自的导电片。例如,某些传感器电极可以包含两个或更多个子单元,其每个连接到单个导电片;因此,单个导电片可以连接到不止一个布线迹线。在一个实施例中,导电片被设置的边缘区域634在电容传感器阵列的活动传感区域630之外。
在一个实施例中,电容传感器阵列600的区域可以包含一个或多个布线通道,例如布线通道631和632。在一个实施例中,行传感器电极可能包含一个或多个子单元,该子单元连接到通过布线通道中的一个延伸到边缘区域634的布线迹线。在一个实施例中,在分界线633一侧的行子单元可以连接到与连接到与在分界线633另一侧的子单元连接的布线迹线相比位于不同布线通道中的布线迹线。例如,位于分界线633之下的子单元可以经由与将分界线633之上的子单元连接到边缘区域634的布线迹线605相比位于不同布线通道的布线迹线606布线到边缘区域634。
在一个实施例中,每个单位单元包含形成在单位单元内的传感器电极的导电材料的大体相似的图案。在一个实施例中,在分界线633的一侧上的单位单元内的图案可能被相对于分界线633的另一侧上的单位单元内的图案反转、或翻转。
在一个实施例中,分界线633可以被放置,使得小型传感器电极的子单元的2/3在分界线633的一侧而小型传感器电极的子单元的1/3在分界线633的另一侧。在替代实施例中,分界线633可以根据不同的比率划分子单元;例如,分界线被放置,使得小型传感器电极子单元的一半在分界线以上,并且一半在分界线以下。
在一个实施例中,分界线633的位置可以被选择,以便平衡布线通道的宽度和小型电阻传感器单元的电阻。例如,参考图6A,在分界线633之上的小型传感器电极连接到比在分界线633之下的小型传感器电极的布线迹线606长的布线迹线605。因此,每个较长布线迹线605的宽度可能大于每个较短的布线迹线606的宽度,以使在分界线633两侧的任一侧的传感器电极之间的电阻差最小化。相应地,在一个实施例中,可以选择分界线633的位置,使得布线通道632可以包含与布线通道631相比更少的布线迹线605,以使布线通道631和632的宽度之间的差异最小化。
在一个实施例中,电容传感器阵列600可以包含一个或多个屏蔽迹线,该一个或多个屏蔽迹线可以被接地以减小TX传感器电极和RX传感器电极之间的串扰。例如,在大型传感器电极用作TX传感器电极且小型传感器电极用作RX传感器电极的实施例中,屏蔽迹线可以位于小型传感器电极的某部分和大型传感器电极的某部分之间。如图6所示,举例来说,屏蔽迹线608位于布线通道632中的布线迹线和围绕布线通道632大型传感器电极之间,从而减小了大型传感器电极和布线迹线之间的串扰。
在一个实施例中,每个屏蔽迹线的长度可能会小于传感器阵列600的长度,使得屏蔽迹线不完全从传感器阵列600的一个边缘延伸到相反的边缘。在一个实施例中,屏蔽迹线的长度可以取决于分界线633的位置。例如,屏蔽迹线可以从边缘区域634延伸到分界线633。
图6B说明了电容传感器阵列600的部分,其中包含单位单元651、单位单元652、单位单元653、和单位单元654。单位单元651包含传感器电极610和601之间的传感区域。单位单元652包含传感器电极613和601之间的传感区域。单位单元653包含传感器电极616和601之间的传感区域。单位单元654包含传感器电极616和602之间的传感区域。传感器电极616包含由布线迹线606(1)电连接在一起的子单元616(1)和616(2)。如图6所示,布线迹线606(1)是延伸到边缘区域634的布线迹线606中的一个。
在一个实施例中,在单位单元的同一列中的两个或两个以上的小型传感器电极可以位于大型列传感器电极的同一横向侧。例如,在同一列中的邻接单位单元中的小型传感器电极610和613两者都位于大型传感器电极601的左侧。在一个实施例中,这些传感器电极610和613沿着大型传感器电极601的纵轴线660在小型传感器电极的空间次序上是连续的。具体来说,小型传感器电极610、613和616沿着轴线660按从上到下次序是第一、第二、第三;因此,传感器电极610和613在次序上是连续的,并且也位于大型传感器电极601的同一横向侧。
传感器电极610和613也与单位单元653中的小型传感器电极616不同地位于大型传感器电极601的相反横向侧,单位单元653在与单位单元651和单位单元652相同的单位单元的列中。当传感器电极610和613在传感器电极601的左侧时,传感器电极616在传感器电极601的右侧。
在一个实施例中,每个小型传感器电极的部分可能位于邻接的大型传感器电极的两个内部点之间。例如,点601a和601b位于传感器电极601的形状的内部内,使得点601a和601b之间的线段经过小型传感器电极610的部分。因此,传感器电极610的这部分位于内部点601a和601b之间。在一个实施例中,可以为每个小型传感器电极选择至少一对这样的内部点,使得内部点之间的线段会与小型传感器电极的部分交叉。
在一个实施例中,每个大型列传感器电极可以具有从传感器电极的第一端延伸到传感器电极的相反端的主迹线。例如,大型传感器电极601包含从电极601的一端延伸到电极601的另一端的主迹线601(1)。在一个实施例中,对于在单位单元的同一列中的三个小型传感器电极,第一小型传感器电极可以位于大型传感器电极的主迹线的相同横向侧,那么第二小型传感器电极在邻接的单位单元中,同时第一小传感器电极位于离开第三小型传感器电极的主迹线的相反侧。
例如,小型传感器电极610、613和616都位于包含单位单元651、652和653的单位单元的同一列内。小型传感器电极610和613两者都位于大型传感器电极601的主迹线601(1)的左侧。每个小型传感器电极610和613也都位于离开位于主迹线601(1)的右侧的小型传感器电极616的主迹线601(1)的相反侧。
在一个实施例中,一个或多个小型传感器电极可以包含通过一个或多个布线迹线而电耦接到一起的多个子单元。例如,小型传感器电极616可以包含通过布线迹线606(1)连接在一起的两个子单元616(1)和616(2)。在一个实施例中,子单元可能位于邻接的单位单元中。例如,子单元616(1)位于单位单元653内,而子单元616(2)位于与单位单元653邻接并与单位单元653处于不同列中的单位单元654内。
在一个实施例中,小型传感器电极的子单元可以定位于面对两个大型列电极的主迹线的横向侧。例如,子单元616(1)位于大型传感器电极601的主迹线601(1)的右侧,而子单元616(2)位于面对主迹线601(1)的右侧的大型传感器单元602的主迹线的左侧。根据这个布置,在离边缘区域最远的给定布线通道中的子单元可以共享延伸到边缘区域以减小布线通道的宽度的单个布线迹线,例如布线迹线606(1)。
在一个实施例中,每个小型子单元可以包含与单位单元内大型传感器电极的子迹线交错的许多子迹线。例如,小型传感器电极611包含与大型传感器电极602的子迹线602(1)交错的子迹线611(1)。同样,组成小型传感器电极610、613和616的每个子单元具有与大型传感器电极601的子迹线交错的子迹线。
图7A展示了电容传感器阵列700的一个实施例。像电容传感器阵列600一样,传感器阵列700还具有由单层导电材料形成的传感器电极图案,其中在某些单位单元内的导电材料的图案是相对于其他单位单元中的图案的翻转。在一个实施例中,电容传感器阵列700包含一组大型传感器电极和一组小型传感器电极,其中每个小型传感器电极包含具有与至少一个大型传感器电极的子迹线交错的子迹线的至少一个子单元。例如,小型传感器电极711的子迹线711(1)与大型传感器电极703的子迹线703(1)交错。
在一个实施例中,每个小型传感器电极的至少一部分位于大型传感器电极的部分之间。换句话说,对于每个小型传感器电极,可以选择大型传感器电极内的两个内部点,使得内部点之间的一条线段与小型传感器电极的部分交叉。关于传感器电极711,衬底711(1)的部分位于大型传感器电极703的子迹线703(1)之间。
在一个实施例中,除了在某些单位单元中的导电材料的图案被翻转之外,导电材料的图案与电容传感器阵列700的每个单位单元内是相似的。在一个实施例中,在分界线733上方单位单元内的导电材料的图案可以相对于在分界线733下方单位单元内的导电材料的图案翻转。
在一个实施例中,分界线733可以将传感器阵列700的表面划分为大体相等的部分,使得小型传感器电极的一半位于分界线733的一侧而小型传感器电极的另一半位于分界线733的另一侧。
在一个实施例中,在分界线733的给定侧上的小型传感器电极可以经由布线迹线连接到分界线733同一侧上的边缘区域中的导电片。例如,分界线733上方的小型传感器电极711经由布线迹线711(2)连接到在与小型传感器电极711相同的分界线733一侧的边缘区域735中的导电片711(3)。
同样的,在分界线733下方的每个小型传感器电极经由其各自的布线迹线连接到同样位于分界线733下方的边缘区域734中的导电片。在一个实施例中,布线迹线可能位于布线通道内,例如布线通道731和732。在一个实施例中,多个布线迹线可能共享单个导电片。例如,导电片711(3)可以连接到两个布线迹线,一个通向传感器电极711的两个子单元中的每个。
在一个实施例中,对于电容传感器阵列700中的每个小型传感器电极,小型传感器电极经由一个或多个布线迹线电连接到在离小型传感器电极最近的边缘区域内的导电片。在一个实施例中,最近的边缘区域可以是边缘区域的子集外的最近的边缘区域。例如,在边缘区域734和735之间,边缘区域735是离小型传感器电极711最近的边缘区域;因此,小型传感器电极连接到边缘区域735内的导电片。
图7B展示了电容传感器阵列700的详细视图。在一个实施例中,一个或多个小型传感器电极可以包含电连接到一起的两个或更多个子单元。在一个实施例中,这些子单元可以经由一个或多个布线迹线连接,该布线迹线可以从子单元延伸到电容传感器阵列700的边缘区域,例如边缘区域734或735。例如,小型传感器电极714可以包含通过布线迹线714(3)和714(4)电连接的两个子单元714(1)和714(2)。布线迹线714(3)、714(4)从子单元714(1)和714(2)延伸到边缘区域735。
在一个实施例中,一个小型传感器电极的子单元可能位于第一大型传感器电极的第一横向侧面,而同一传感器电极的第二子单元在面对第一大型传感器电极的第一横向侧面的不同的大型传感器电极的横向侧面上。参考图7B,例如,子单元714(1)在大型传感器电极702的右侧,而子单元714(2)在大型传感器电极703的左侧。大型传感器电极703在单位单元的邻接列中使得电极703的左侧面对传感器电极702的右侧。
在一个实施例中,在邻接单位单元中的两个小型传感器电极可能每个包含连接到延伸到在第一边缘区域中的导电片的布线迹线的子单元,而在单位单元同一列中的第三小型传感器电极包含连接到延伸到第二边缘区域中导电片的布线迹线的子单元。在一个实施例中,第二边缘区域与第一边缘区域相对。
例如,小型传感器电极714包含子单元714(1),该子单元714(1)连接到延伸到边缘区域735的布线迹线714(3)。小型传感器电极717具有在与子单元714(1)相同的列中的邻接单位单元中的子单元717(1)。子单元717(1)连接到同样延伸到边缘区域735的布线迹线717(3)。如图7A所示,小型传感器电极719的子单元719(2)连接到延伸到边缘区域734的布线迹线719(3)。在一个实施例中,边缘区域734与边缘区域735相反。
图8说明了在菱形被布线通道分割处具有镜像对称的菱形图案的电容传感器阵列800的一个实施例。在一个实施例中,电容传感器阵列800可以耦接到电容传感器诸如电容传感器101。例如,传感器阵列800的每个传感器电极可以经由模拟总线115电连接到电容传感器101,使得电容传感器101能够感测传感器阵列800的小型行传感器电极和大型列传感器电极之间的互电容。
在一个实施例中,电容传感器阵列800可能包含可用作列传感器电极的一组大型传感器电极801、802、803、804、805和806。在一个实施例中,电容传感器阵列800可以包含一组小型传感器电极,例如传感器电极810-813,其每个比大型传感器电极中的任何一个更小(例如,在面积或质量上)。小型传感器电极可以用作行传感器电极。在一个实施例中,大型传感器电极和小型传感器电极可以由单层导电材料形成。
在一个实施例中,在同一行中的每个小型传感器电极可以与在同一行中的其它小型传感器电极独立地感测;或者,在同一行中的小型传感器电极可以电耦接到一起并一同进行感测。例如,小型传感器电极810-813可以彼此分开地感测,或者它们可以耦接在一起,在感测扫描期间被电容传感器101作为单个电极来处理。
在一个实施例中,电容传感器阵列800的活动传感区域830包含在其内可以通过互电容扫描或者自电容扫描来检测导电物体的存在的传感器阵列的区域。在一个实施例中,活动传感区域830可以被划分为NxM个单位单元,每个对应于一个大型传感器电极和一个小型传感器电极之间的传感区域。
在一个实施例中,传感器阵列800中的传感器电极和屏蔽迹线中的每个可以电连接到它们本身各自的位于传感器阵列800的边缘区域834内的导电片,诸如导电片809。如图8所示,例如,屏蔽迹线814和小型传感器电极811各自连接到一个导电片809。在一个实施例中,每个传感器的电极可以通过一个或多个布线迹线电连接到它们各自的导电片。某些传感器电极可以包含,例如,两个或两个以上的子单元,该子单元各自连接到单个导电片;因此,单个导电片可以被连接到不止一个布线迹线。在一个实施例中,导电片被放置的边缘区域834在电容传感器阵列的活动传感区域830之外。
在一个实施例中,电容传感器阵列800的区域可以包含一个或多个布线通道,诸如布线通道831和832。在一个实施例中,行传感器电极可能包含一个或多个连接到通过布线通道中的一个延伸到边缘区域834的布线迹线的的子单元。在一个实施例中,在分界线833一侧的行子单元可以连接到位于不同布线通道中的布线迹线,而不是连接到与分界线833的另一侧上的子单元连接的布线迹线。例如,位于分界线833之下的子单元可以经由位于不同布线通道的布线迹线808、而不是将分界线833之上的子单元连接到边缘区域834的布线迹线807被布线到边缘区域834。
在一个实施例中,每个单位单元包含形成在单位单元内的传感器电极的导电材料的大体相似的图案。在一个实施例中,在分界线833的一侧的单位单元内的图案可能相对于分界线833的另一侧的单位单元内的图案反转、或翻转。
在一个实施例中,分界线833可以被放置使得小型传感器电极的子单元的2/3在分界线833的一侧而小型传感器电极的子单元的1/3在分界线833的另一侧。在替代实施例中,分界线833可以根据不同的比率划分子单元;例如,分界线可被放置使得小型传感器电极的子单元的一半在分界线以上,并且一半在分界线以下。
在一个实施例中,分界线833的位置可以被选择,以便平衡布线通道的宽度和小型传感器单元的电阻。例如,参考图8,分界线833之上的小型传感器电极连接到比分界线833之下的小型传感器电极的布线迹线808长的布线迹线807。因此,每个较长布线迹线807的宽度可能大于每个较短的布线迹线808的宽度,以使分界线833两侧的任一侧的传感器电极之间的电阻差最小化。相应地,在一个实施例中,可以选择分界线833的位置,使得布线通道832可以含有与布线通道831相比更少的布线迹线807,以使布线通道831和832的宽度之间差异最小化。在一个实施例中,布线通道832可能含有与布线通道831相比更少的布线迹线807,以容纳屏蔽迹线,诸如屏蔽迹线814。
在一个实施例中,电容传感器阵列800可以包含可以接地以减小TX传感器电极和RX传感器电极之间的串扰的一个或多个屏蔽迹线。例如,在大型传感器电极用作TX传感器电极且小型传感器电极用作RX传感器电极的实施例中,屏蔽迹线可以位于小型传感器电极的某部分和大型传感器电极某部分之间。如图8所示,举例来说,屏蔽迹线814位于布线通道832中的布线迹线和围绕布线通道832大型传感器电极之间,从而减小了大型传感器电极和布线迹线之间的串扰。
在一个实施例中,每个屏蔽迹线的长度可能会小于传感器阵列800的长度,使得屏蔽迹线不完全地从传感器阵列800的一个边缘延伸到相反的边缘。在一个实施例中,屏蔽迹线的长度可以取决于分界线833的位置。例如,屏蔽迹线可以从边缘区域834延伸到分界线833。
在电容传感器阵列600、700和800的前面的描述中,小型传感器电极可以被表示为行传感器电极且大型传感器电极可以被表示为列传感器电极;然而,在一个实施例中,小型传感器电极和大型传感器电极作为行传感器电极或列传感器电极的指定可以基于例如电容传感器阵列600的方向而互换,而不脱离本发明的精神和范围。
应该注意的是,具有翻转单元的电容传感器图案的替代性实施例可以相对于图6A-图8中示出的实施例改变。例如,每单位单元或每传感器电极的子迹线数量和/或子迹线的形状可能与传感器阵列600和700的不同。根据图8中的传感器阵列800,除菱形或三角形之外的形状可被用于替代性实施例,而不脱离本发明的精神和范围。
图9A展示了连接到印刷电路板(PCB)903的电容传感器阵列600的一个实施例。在一个实施例中,电容传感器阵列600的布线迹线延伸到同一边缘区域。在一个实施例中,布线迹线可以将传感器阵列600的传感器电极连接到活动传感区域之外的边缘区域内的导电片或引脚。在一个实施例中,导电片或引脚可以被不透明的顶部挡板901隐藏。
在一个实施例中,阵列600中的传感器电极可以经由连接器902连接到PCB903上的电路。在一个实施例中,连接器902可以由导电材料在柔性衬底上制成。在一个实施例中,电容传感系统的部件诸如处理装置110,可以安装在PCB903上。在一个实施例中,其它硬件,如支持传感器阵列覆盖于其上的显示器的硬件,也可以安装在印刷电路板903上。
在一个实施例中,阵列600中的一个或多个传感器电极可以连接在一起;例如,包含处于单位单元的同一列的子单元的每个小型传感器电极可以电耦接在一起,并作为单个的单元一起进行感测。在一个实施例中,传感器电极之间的部分或全部这些连接可以由一个或多个开关、多路复用器、导电迹线、或可能存在于挡板901之上或之下、在PCB903上、或在传感器阵列组件的某些其它部分之上的其他导电路径建立。在替代性实施例中,单独的传感器电极可以单独感测。
图9B说明了具有沿着相反方向通向被顶部挡板951隐藏的顶部边缘区域和被底部挡板952隐藏的底部边缘区域的布线迹线的传感器阵列700的实施例,。在一个实施例中,电连接到特定子单元的布线迹线朝向更靠近特定子单元的传感器阵列的两个相反的边缘区域中的一个延伸,以使布线迹线的长度最小化。例如,距顶部挡板951最近的小型传感器电极的子单元可以连接到朝向顶部挡板951延伸的布线迹线,而距底部挡板952最近的小型传感器电极的子单元可以连接到朝向底部挡板952延伸的布线迹线。
在一个实施例中,阵列700中的传感器电极可以经由连接器953和954连接到印刷电路板(PCB)955上的电路。在一个实施例中,连接器953和954中的一个或两者均可以由导电材料在柔性衬底上制成。在一个实施例中,电容传感系统的部件,例如处理装置110,可以安装在PCB955上。在一个实施例中,其它硬件,例如支持传感器阵列覆盖于其上的显示器的硬件,也可以安装在印刷电路板955上。
在一个实施例中,阵列700中的一个或多个传感器电极可以连接在一起;例如,处于单位单元的同一行的每个小型传感器电极可以电耦接在一起,并作为一个单元一起进行感测。在一个实施例中,传感器电极之间的部分或全部这些连接可以由一个或多个开关、多路复用器、导电迹线、或可能存在于挡板951和952中的一个或两者之上或之下、在PCB955上、或在传感器阵列组件的某些其它部分之上的其它导电路径建立。
在前述实施例中,能够进行各种修改;例如,行传感器电极和列传感器电极可以被互换,并且行或列传感器电极可以被用作TX传感器电极或RX传感器电极。此外,在某些实施例中,行传感器电极和列传感器电极之间的交叉点可能被导电桥取代。例如,当行传感器电极和列传感器电极两者都由单层导电材料构造时,桥可以用于传感器电极的电连接部分。正如此处所述,“电连接”或“电耦接”的导电电极可能被耦接,使得相对低电阻值的导电路径存在于导电电极之间。
此处描述的本发明的实施例包含各种操作。这些操作可以由硬件部件、软件、固件、或其组合执行。正如此处使用的,术语“耦接”可能意味着直接耦接或通过一个或多个中间部件间接耦接。提供在此处所述的各种总线上的任何信号可以与其它信号时分复用,并提供在一条或多条共用总线上。此外,电路部件或模块之间的互连可以被显示为总线或单个的信号线路。每条总线可以选择性地是一条或多条单个信号线,且每条单个信号线可以选择性地是总线。
某些实施例可以被实现为可能包含存储在计算机可读介质上的指令的计算机程序产品。这些指令可以被用于对通用或专用处理器编程以执行上述操作。计算机可读介质包含用于以可以被机器(例如,计算机)读取的形式存储或传输(例如,软件、处理应用)信息的任何机制。计算机可读存储介质可能包括,但不限于,磁存储介质(如,软盘);光存储介质(如,CD-ROM);磁光存储介质;只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);可擦除的可编程存储器(如,EPROM和EEPROM);闪存,或适于存储电子指令的另一种类型的介质。
此外,某些实施例可能在计算机可读介质存储在不止一个计算机系统上和/或该介质由不止一个计算机系统执行的分布式计算环境中实践。此外,计算机系统之间传递的信息可能跨过连接计算机系统的传输介质被抽取或推送。
尽管本方法的操作被以特定的次序显示和描述在本文中,可以改变每个方法的操作次序,使得某些操作可能以逆序执行,或使得某些操作至少在部分地与其它操作同时执行。在另一个实施例中,不同操作的指令或子操作可以以断续的和/或交替的方式执行。
在前述说明书中,参考具体的示例性实施例描述本发明。然而,很明显,可以做出各种修改和变化,而不脱离如附属权利要求中陈述的本发明更广泛的精神和范围。因此,说明书和附图被认为是说明性的意义,而不是限制性的意义。
Claims (20)
1.一种电容传感阵列,包括:
大型传感器电极;以及
多个小型传感器电极,所述多个小型传感器电极包含第一小型传感器电极、第二小型传感器电极、以及第三小型传感器电极,其中所述大型电极和所述多个小型传感器电极由单层导电材料形成,其中所述第一小型传感器电极位于与所述第二小型传感器电极相同的、所述大型传感器电极的同一横向侧,在沿着所述大型传感器电极的纵轴线在所述小型传感器电极的空间次序上与所述第二小型传感器电极是连续的,并且位于与所述第三小型传感器电极不同的、所述大型传感器电极的相反横向侧,以及其中对于所述多个小型传感器电极的每个小型传感器电极,所述小型传感器电极的至少部分位于所述大型传感器电极的两个内部点之间。
2.根据权利要求1所述的电容传感器阵列,其中,对于所述多个小型传感器电极的每个小型传感器电极,所述小型传感器电极电连接到位于所述电容传感器阵列的活动传感区域之外的导电片。
3.根据权利要求1所述的电容传感器阵列,其中,所述第一小型传感器电极包括延伸到所述电容传感器阵列的第一边缘区域的第一布线迹线,其中所述第二小型传感器电极包括延伸到所述电容传感器阵列的所述第一边缘区域的第二布线迹线,以及其中所述第三小型传感器电极包括延伸到所述电容传感器阵列的与所述第一边缘区域相对的第二边缘区域的第三布线迹线。
4.根据权利要求1所述的电容传感器阵列,其中,对于所述多个传感器电极的每个小型传感器电极,所述小型传感器电极包括子单元,所述子单元与延伸到比所述电容传感器阵列的边缘区域的子集中的任何其它边缘区域更接近所述子单元的、所述电容传感器阵列的边缘区域的布线迹线电耦接。
5.根据权利要求1所述的电容传感器阵列,进一步包括:位于所述大型传感器电极和所述多个小型传感器电极的至少一个布线迹线之间的屏蔽迹线。
6.根据权利要求1所述的电容传感器阵列,进一步包括:第二大型传感器电极,其中,所述第三小型传感器电极包括第一子单元,所述第一子单元经由延伸到所述电容传感器阵列的边缘区域的一个或多个布线迹线与第二子单元耦接,其中,所述第二子单元的至少部分位于所述第二大型传感器电极的两个内部点之间。
7.根据权利要求6所述的电容传感器阵列,其中,所述第一子单元位于所述大型传感器电极的第一横向侧,并且其中所述第二子单元位于面对所述大型传感器电极的所述第一横向侧的、所述第二大型电极的横向侧。
8.根据权利要求1所述的电容传感器阵列,其中,所述多个小型传感器电极的每个包括与所述大型传感器电极的子迹线交错的多个子迹线。
9.一种电容传感器阵列,包括:
多个列传感器电极;以及
多个行传感器电极,所述多个行传感器电极由与所述多个列传感器电极相同的导电材料层形成,其中,所述电容传感器阵列的活动传感区域可被划分为N*M个单位单元的网格,每个所述单位单元对应于所述行传感器电极中的一个和所述列传感器电极中的一个之间的传感区域,其中对于所述多个列传感器电极的每个列传感器电极,
所述列传感器电极包括主迹线,所述主迹线从所述列传感器电极第一端延伸到所述列传感器电极的与所述第一端相反的第二端,并且
第一单位单元中的第一行传感器电极位于与在与所述第一单位单元相同的单位单元的列中的所述第一单位单元邻接的第二单位单元中第二行传感器电极相同的、所述主迹线的同一横向侧,并且位于与在单位单元的相同列中的第三单位单元中的第三行传感器电极的所述列传感器电极不同的、所述主迹线的相反横向侧。
10.根据权利要求9所述的电容传感器阵列,其中,对于所述多个行传感器电极的每个行传感器电极,所述行传感器电极电连接到所述电容传感器阵列的所述活动传感区域之外的导电片。
11.根据权利要求9所述的电容传感器阵列,其中,对于所述多个列传感器电极的至少一个列传感器电极,所述第一行传感器电极包括第一布线迹线,所述第一布线迹线延伸到所述电容传感器阵列的第一边缘区域,其中所述第二行传感器电极包括第二布线迹线,所述第二布线迹线延伸到所述电容传感器阵列的所述第一边缘区域,以及其中所述第三行传感器电极包括第三布线迹线,所述第三布线迹线延伸到所述电容传感器阵列的与所述第一边缘区域相反的第二边缘区域。
12.根据权利要求9所述的电容传感器阵列,其中,对于所述多个传感器电极的每个行传感器电极,所述行传感器电极包括子单元,所述子单元与延伸到比所述电容传感器阵列的边缘区域的子集中的任何其它边缘区域更接近所述子单元的、所述电容传感器阵列的边缘区域的布线迹线电耦接。
13.根据权利要求9所述的电容传感器阵列,进一步包括:位于每个列传感器电极和所述多个行传感器电极中的一个的至少一个布线迹线之间的屏蔽迹线。
14.根据权利要求9所述的电容传感器阵列,其中,对于所述多个列传感器电极的至少一个列传感器电极,所述第一行传感器电极包括经由延伸到所述电容传感器阵列的边缘区域的一个或多个布线迹线与第二子单元耦接的第一子单元,其中所述第二子单元位于与所述第三单位单元邻接且与所述第三单位单元处于不同单位单元列的第四单位单元中。
15.根据权利要求14所述的电容传感器阵列,其中,所述第一子单元位于所述至少一个列传感器电极的第一横向侧,并且其中所述第二子单元位于面对所述至少一个列传感器电极的所述第一横向侧的、第二列传感器电极的横向侧。
16.根据权利要求9所述的电容传感器阵列,其中,所述多个行传感器电极的每个包括与至少一个列传感器电极的子迹线交错的多个子迹线。
17.一种电容传感系统,包括:
电容传感器;
电容传感器阵列的大型传感器电极,所述大型传感器电极与所述电容传感器耦接;以及
所述电容传感器阵列的多个小型传感器电极,所述多个小型传感器电极的每个均与所述电容传感器耦接,所述多个小型传感器电极包含第一小型传感器电极、第二小型传感器电极、和第三小型传感器电极,其中,所述大型传感器电极和所述多个小型传感器电极由单层导电材料形成,其中,所述第一小型传感器电极位于与所述第二小型传感器电极相同的、所述大型传感器电极的同一横向侧,在沿着所述大型传感器电极的纵轴线与所述第二小型传感器电极在所述小型传感器电极的空间次序上是连续的,并且位于与所述第三小型传感器电极不同的、所述大型传感器电极的相反横向侧,以及其中对于所述多个小型传感器电极的每个小型传感器电极,所述小型传感器电极的至少部分位于所述大型传感器电极的两个内部点之间。
18.根据权利要求17所述的电容传感器系统,其中,所述电容传感器被配置为测量所述大型传感器电极和每个所述小型传感器电极之间的互电容。
19.根据权利要求17所述的电容传感系统,其中,所述第一小型传感器电极包括延伸到所述电容传感器阵列的第一边缘区域的第一布线迹线,其中,所述第二小型传感器电极包括延伸到所述电容传感器阵列的所述第一边缘区域的第二布线迹线,以及其中所述第三小型传感器电极包括延伸到所述电容传感器阵列的与所述第一边缘区域相反的第二边缘区域的第三布线迹线。
20.根据权利要求17所述的电容传感系统,进一步包括:第二大型传感器电极,其中所述第三小型传感器电极包括经由延伸到所述电容传感器阵列的边缘区域的一个或多个布线迹线与第二子单元耦接的第一子单元,其中所述第二子单元的至少部分位于所述第二大型传感器电极的两个内部点之间,以及其中所述第一子单元位于所述大型传感器电极的第一横向侧,并且其中所述第二子单元位于面对所述大型传感器电极的所述第一横向侧的、所述第二大型电极的横向侧。
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