CN105489789A - 柔性器件制作方法及柔性显示器件 - Google Patents
柔性器件制作方法及柔性显示器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105489789A CN105489789A CN201610032487.0A CN201610032487A CN105489789A CN 105489789 A CN105489789 A CN 105489789A CN 201610032487 A CN201610032487 A CN 201610032487A CN 105489789 A CN105489789 A CN 105489789A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flexible
- layer
- board
- base
- organosiloxane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 35
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims description 59
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 10
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 10
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000004643 material aging Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 21
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 4
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种柔性器件的制作方法及柔性显示器件，包括以下步骤：S1，在支撑基底上制备有机硅氧烷层；S2，在有机硅氧烷层上制备柔性基板；S3，在柔性基板上制备显示器件；S4，对有机硅氧烷层与支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在有机硅氧烷层与支撑基底之间形成二氧化硅层；S5，将支撑基底自二氧化硅层剥离。本发明提供的柔性器件的制作方法，其不仅工艺简单、成本较低，而且还可以增加柔性基板阻隔水氧的效果、强度及热稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种柔性器件的制作方法及柔性显示器件。
背景技术
随着技术发展，柔性显示装置在近几年获得了越来越广泛的关注和应用。在柔性显示基板的制备过程中，为了保证各膜层的精确对位和平坦度，通常需要一个具有一定机械强度且平整的支撑基底，将柔性基板粘合在该支撑基底上，再在柔性基板上形成TFT器件的各个膜层，制作形成柔性显示基板，最后将该柔性显示基板从支撑基底上剥离下来。但是，在柔性显示基板的剥离过程中，柔性基板往往会产生轻微的变形，致使出现电子元件线路错位、良品率降低等不良影响，从而造成柔性显示装置的成本增加。
例如，在目前现有的技术中，通常是使用激光技术从而支撑基底的一侧或者底部进行柔性显示基板的剥离。但是，由于柔性显示基板中的各膜层较薄，或者激光能量较高等因素，显示元件容易在剥离过程中被损坏，从而造成柔性显示装置的成本增加。
现有技术还通过对柔性基板进行改性，例如采用离子注入法将离子注入到柔性基板的表面，以降低柔性基板的热膨胀系数，从而改善柔性显示基板的翘曲问题和图形偏移。但是这又会存在这样的问题：由于需要使用较高的注入能量对柔性基板进行改性，这使得制备柔性显示基板的工艺相对复杂。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种柔性器件的制作方法及柔性显示器件，其不仅工艺简单、成本较低，而且还可以增加柔性基板阻隔水氧的效果、强度及热稳定性。
为实现本发明的目的而提供一种柔性器件的制作方法，包括以下步骤：
S1，在支撑基底上制备有机硅氧烷层；
S2，在所述有机硅氧烷层上制备柔性基板；
S3，在所述柔性基板上制备显示器件；
S4，对所述有机硅氧烷层与所述支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在所述有机硅氧烷层与所述支撑基底之间形成二氧化硅层；
S5，将所述支撑基底自所述二氧化硅层剥离。
优选的，在完成所述步骤S4之后，进行所述步骤S5之前，还包括以下步骤：
对所述二氧化硅层进行固化处理。
优选的，在完成所述步骤S2之后，进行所述步骤S3之前，还包括以下步骤：
对所述柔性基板和所述有机硅氧烷层进行固化处理。
优选的，在所述步骤S1中，采用涂布法或旋涂法制备所述有机硅氧烷层。
优选的，采用透明材料制作所述支撑基底；并且，
在所述步骤S4中，进行所述氧化处理的方式为：透过所述支撑基底朝向所述有机硅氧烷层与所述支撑基底相接触的表面照射紫外线或臭氧。
优选的，所述透明材料包括玻璃。
优选的，所述步骤S3进一步包括以下步骤：
S31，在所述柔性基板上制备TFT器件；
S32，在所述TFT器件上制备有机发光材料层；
S33，在所述有机发光材料层上制备封装保护层。
优选的，所述有机硅氧烷层包括聚二甲基硅氧烷。
优选的，所述柔性基板包括聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种柔性显示器件，包括柔性基板，在所述柔性基板上设置有显示器件，在所述柔性基板背离所述显示器件的表面设置有有机硅氧烷层，在所述有机硅氧烷层上设置有二氧化硅层。
优选的，所述二氧化硅层为经过固化处理之后的膜层。
优选的，所述柔性基板和所述有机硅氧烷层为经过固化处理之后的膜层。
优选的，所述显示器件包括TFT器件、有机发光材料层和封装保护层，其中，所述TFT器件设置在所述柔性基板上；所述有机发光材料层设置在所述TFT器件上；所述封装保护层设置在有机发光材料层上。
优选的，所述有机硅氧烷层包括聚二甲基硅氧烷。
优选的，所述柔性基板包括聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的柔性器件的制作方法，其先后在支撑基底上制备有机硅氧烷层、柔性基板和显示器件，然后对有机硅氧烷层与支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在有机硅氧烷层与支撑基底之间形成二氧化硅层，该二氧化硅层可以降低柔性基板和支撑基底之间的结合强度，从而可以更容易地将支撑基底剥离，进而降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率。此外，二氧化硅层还具有阻隔水汽的作用，而且还可以增加柔性基板的强度和稳定性。本发明提供的柔性器件的制作方法只需对有机硅氧烷层与支撑基底相接触的表面进行氧化处理，即可达到降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率的目的，从而工艺简单、成本较低。
本发明提供的柔性显示器件，其在柔性基板背离显示器件的表面设置有有机硅氧烷层，并在该有机硅氧烷层上设置二氧化硅层，该二氧化硅层可以降低柔性基板和支撑基底之间的结合强度，从而可以更容易地将支撑基底剥离，进而降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率。此外，二氧化硅层还具有阻隔水汽的作用，而且还可以增加柔性基板的强度和稳定性。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的柔性器件的制作方法的流程框图；
图2为完成步骤S3之后的柔性器件的剖视图；
图3为进行步骤S4的过程示意图；
图4为完成步骤S5之后的柔性器件的剖视图；
图5为本发明第二实施例提供的柔性器件的制作方法的流程框图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的柔性器件的制作方法及柔性显示器件进行详细描述。
图1为本发明第一实施例提供的柔性器件的制作方法的流程框图。请参阅图1，柔性器件制作方法包括以下步骤：
S1，在支撑基底上制备有机硅氧烷层；
S2，在有机硅氧烷层上制备柔性基板；
S3，在柔性基板上制备显示器件；
S4，对有机硅氧烷层与支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在有机硅氧烷层与支撑基底之间形成二氧化硅层；
S5，将支撑基底自二氧化硅层剥离。
在步骤S1中，有机硅氧烷层可以采用涂布法或旋涂法制备。该有机硅氧烷层可以包括聚二甲基硅氧烷(PDMS，polydimethylsiloxane)，该材料具有良好的电绝缘性和耐高低温性，可在-50～+250℃的温度条件下长期使用；而且，聚二甲基硅氧烷材料还具有压缩率大，表面张力低，憎水防潮性好等的优点。另外，聚二甲基硅氧烷因其具有表面张力低的性质，可以在为流体之后极易形成平滑、均匀的涂层。在实际应用中，可以根据不同的需求，对聚二甲基硅氧烷进行适当的改性。
另外，在本实施例中，采用透明材料制作支撑基底，例如玻璃，以在进行步骤S4的氧化处理时，紫外线或臭氧可以透过支撑基底朝向有机硅氧烷层与支撑基底相接触的表面。
在步骤S2中，柔性基板包括诸如聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚合物基板。
步骤S3进一步包括以下步骤：
S31，在柔性基板上制备TFT器件。
S32，在TFT器件上制备有机发光材料层。
S33，在有机发光材料层上制备封装保护层。
图2为完成步骤S3之后的柔性器件的剖视图。如图2所示，在完成步骤S33之后，在支撑基底1上依次设置有有机硅氧烷层2、柔性基板3和显示器件。其中，该显示器件由TFT器件4、有机发光材料层5和封装保护层6组成。当然，在实际应用中，显示器件还可以根据具体需要由其他种类的膜层组成。
如图3所示，为进行步骤S4的过程示意图。在步骤S4中，进行氧化处理的方式为：透过支撑基底1朝向有机硅氧烷层2与支撑基底1相接触的表面(图3中有机硅氧烷层2的下表面)照射紫外线或臭氧(UV)，紫外线或臭氧的照射方向如图3中的箭头所示。
图4为完成步骤S5之后的柔性器件的剖视图。如图4所示，在完成步骤S4之后，在有机硅氧烷层2与支撑基底1之间形成二氧化硅层20。然后，将支撑基底1自二氧化硅层20剥离。借助二氧化硅层20，可以降低柔性基板3和支撑基底1之间的结合强度，在二者之间起到了过渡层的作用，从而可以更容易地将支撑基底1剥离，进而降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率。而且，二氧化硅层20还具有阻隔水汽的作用，而且还可以增加柔性基板的强度和稳定性。此外，由上可知，本发明实施例提供的柔性器件的制作方法只需对有机硅氧烷层2与支撑基底1相接触的表面进行氧化处理，即可达到降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率的目的，从而工艺简单、成本较低。
需要说明的是，在本实施例中，进行氧化处理的方式是采用紫外线或臭氧照射有机硅氧烷层2与支撑基底1相接触的表面，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，还可以采用其他任意的氧化处理方式，只要能够在有机硅氧烷层与支撑基底之间形成二氧化硅层即可。
图5为本发明第二实施例提供的柔性器件的制作方法的流程框图。请参阅图5，本实施例提供的柔性器件的制作方法与上述第一实施例相比，区别仅在于：对二氧化硅层固化处理，以及对柔性基板和有机硅氧烷层进行固化处理。
具体地，柔性器件制作方法包括以下步骤：
S11，在支撑基底上制备有机硅氧烷层；
S12，在有机硅氧烷层上制备柔性基板；
S13，对柔性基板和有机硅氧烷层进行固化处理；
S14，在柔性基板上制备显示器件；
S15，对有机硅氧烷层与支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在有机硅氧烷层与支撑基底之间形成二氧化硅层；
S16，对二氧化硅层进行固化处理；
S17，将支撑基底自二氧化硅层剥离。
在步骤S13中，通过对柔性基板和有机硅氧烷层进行固化处理，可以使二者固化成型(优选低温处理)，最终形成一体的柔性基板。
在步骤S16中，通过经过氧化处理后的二氧化硅层进行固化处理，可以增加有机硅氧烷层的硬度。
本实施例中的其他步骤与上述第一实施例的技术方案相同，在此不再赘述。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种柔性显示器件，如图4所示，其包括柔性基板3，在该柔性基板3上设置有显示器件，并且，在柔性基板3背离该显示器件的表面设置有有机硅氧烷层2，在该有机硅氧烷层2上设置有二氧化硅层20。
优选的，二氧化硅层20为经过固化处理之后的膜层，从而增加有机硅氧烷层2的硬度。
优选的，柔性基板3和有机硅氧烷层2为经过固化处理之后的膜层，二者通过固化成型(优选低温处理)，最终形成一体的柔性基板。
在本实施例中，显示器件包括TFT器件4、有机发光材料层5和封装保护层6，其中，TFT器件4设置在柔性基板3上；有机发光材料层5设置在TFT器件4上；封装保护层6设置在有机发光材料层5上。当然，在实际应用中，显示器件还可以根据具体需要由其他种类的膜层组成。
优选的，有机硅氧烷层包括聚二甲基硅氧烷。该材料具有良好的电绝缘性和耐高低温性，可在-50～+250℃的温度条件下长期使用；而且，聚二甲基硅氧烷材料还具有压缩率大，表面张力低，憎水防潮性好等的优点。另外，聚二甲基硅氧烷因其具有表面张力低的性质，可以在为流体之后极易形成平滑、均匀的涂层。在实际应用中，可以根据不同的需求，对聚二甲基硅氧烷进行适当的改性。
优选的，柔性基板包括诸如聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚合物基板。
综上所述，本发明实施例提供的柔性显示器件，其在柔性基板背离显示器件的表面设置有有机硅氧烷层，并在该有机硅氧烷层上设置二氧化硅层，该二氧化硅层可以降低柔性基板和支撑基底之间的结合强度，从而可以更容易地将支撑基底剥离，进而降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率。此外，二氧化硅层还具有阻隔水汽的作用，而且还可以增加柔性基板的强度和稳定性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种柔性器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在支撑基底上制备有机硅氧烷层；
S2，在所述有机硅氧烷层上制备柔性基板；
S3，在所述柔性基板上制备显示器件；
S4，对所述有机硅氧烷层与所述支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在所述有机硅氧烷层与所述支撑基底之间形成二氧化硅层；
S5，将所述支撑基底自所述二氧化硅层剥离。
2.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，在完成所述步骤S4之后，进行所述步骤S5之前，还包括以下步骤：
对所述二氧化硅层进行固化处理。
3.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，在完成所述步骤S2之后，进行所述步骤S3之前，还包括以下步骤：
对所述柔性基板和所述有机硅氧烷层进行固化处理。
4.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用涂布法或旋涂法制备所述有机硅氧烷层。
5.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，采用透明材料制作所述支撑基底；并且，
在所述步骤S4中，进行所述氧化处理的方式为：透过所述支撑基底朝向所述有机硅氧烷层与所述支撑基底相接触的表面照射紫外线或臭氧。
6.根据权利要求5所述的柔性器件制作方法，其特征在于，所述透明材料包括玻璃。
7.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，所述步骤S3进一步包括以下步骤：
S31，在所述柔性基板上制备TFT器件；
S32，在所述TFT器件上制备有机发光材料层；
S33，在所述有机发光材料层上制备封装保护层。
8.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，所述有机硅氧烷层包括聚二甲基硅氧烷。
9.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，所述柔性基板包括聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯。
10.一种柔性显示器件，包括柔性基板，在所述柔性基板上设置有显示器件，其特征在于，在所述柔性基板背离所述显示器件的表面设置有有机硅氧烷层，在所述有机硅氧烷层上设置有二氧化硅层。
11.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述二氧化硅层为经过固化处理之后的膜层。
12.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述柔性基板和所述有机硅氧烷层为经过固化处理之后的膜层。
13.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述显示器件包括TFT器件、有机发光材料层和封装保护层，其中，
所述TFT器件设置在所述柔性基板上；
所述有机发光材料层设置在所述TFT器件上；
所述封装保护层设置在有机发光材料层上。
14.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述有机硅氧烷层包括聚二甲基硅氧烷。
15.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述柔性基板包括聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610032487.0A CN105489789B (zh) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 柔性器件制作方法及柔性显示器件 |
| US15/201,790 US10079352B2 (en) | 2016-01-18 | 2016-07-05 | Flexible display device and manufacturing method for flexible device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610032487.0A CN105489789B (zh) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 柔性器件制作方法及柔性显示器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105489789A true CN105489789A (zh) | 2016-04-13 |
| CN105489789B CN105489789B (zh) | 2017-03-01 |
Family
ID=55676642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610032487.0A Active CN105489789B (zh) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 柔性器件制作方法及柔性显示器件 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10079352B2 (zh) |
| CN (1) | CN105489789B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106298858A (zh) * | 2016-09-22 | 2017-01-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 |
| CN106784311A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性面板及其制作方法 |
| CN107315499A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-11-03 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
| CN108230904A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性面板的制备方法及柔性显示装置 |
| CN110265575A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110634794A (zh) * | 2019-09-27 | 2019-12-31 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板的制造方法 |
| CN111788864A (zh) * | 2018-02-27 | 2020-10-16 | 堺显示器制品株式会社 | 柔性oled装置、其制造方法以及支承基板 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10522770B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-12-31 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Fabricating method of flexivle panel and flexible display device |
| CN113243045B (zh) * | 2019-01-22 | 2022-11-29 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102769109A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-11-07 | 青岛海信电器股份有限公司 | 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板 |
| CN103872069A (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-18 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
| CN104241322A (zh) * | 2013-06-06 | 2014-12-24 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置及其制作方法 |
| CN205319158U (zh) * | 2016-01-18 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661092A (en) * | 1995-09-01 | 1997-08-26 | The University Of Connecticut | Ultra thin silicon oxide and metal oxide films and a method for the preparation thereof |
| CN101475177A (zh) | 2008-12-30 | 2009-07-08 | 四川大学 | 无机二氧化硅纳米模板的制备方法 |
| KR101149433B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5786372B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2015-09-30 | 大日本印刷株式会社 | ポリジメチルシロキサンシートとこれを使用した光学素子およびこれらの製造方法 |
| CN102636898B (zh) | 2012-03-14 | 2014-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示装置的制备方法 |
| KR102039496B1 (ko) | 2013-08-19 | 2019-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접이식 표시 장치 |
| KR102215812B1 (ko) * | 2014-01-09 | 2021-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 소자 기판 제조 방법 및 상기 방법을 이용하여 제조한 표시 장치 |
| KR20150084257A (ko) | 2014-01-13 | 2015-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
| CN104507266A (zh) | 2014-12-16 | 2015-04-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示基板及其制作方法 |
| CN104752487B (zh) | 2015-03-12 | 2018-04-20 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 柔性基板及柔性显示器件制备方法 |
| CN105679799B (zh) * | 2016-01-25 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种大尺寸amoled显示基板及其制作方法 |
-
2016
- 2016-01-18 CN CN201610032487.0A patent/CN105489789B/zh active Active
- 2016-07-05 US US15/201,790 patent/US10079352B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102769109A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-11-07 | 青岛海信电器股份有限公司 | 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板 |
| CN103872069A (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-18 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
| CN104241322A (zh) * | 2013-06-06 | 2014-12-24 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置及其制作方法 |
| CN205319158U (zh) * | 2016-01-18 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106298858A (zh) * | 2016-09-22 | 2017-01-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 |
| CN106298858B (zh) * | 2016-09-22 | 2019-05-14 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 |
| CN106784311A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性面板及其制作方法 |
| WO2018120313A1 (zh) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性面板及其制作方法 |
| CN107315499A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-11-03 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
| CN108230904A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性面板的制备方法及柔性显示装置 |
| CN111788864A (zh) * | 2018-02-27 | 2020-10-16 | 堺显示器制品株式会社 | 柔性oled装置、其制造方法以及支承基板 |
| CN110265575A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110634794A (zh) * | 2019-09-27 | 2019-12-31 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10079352B2 (en) | 2018-09-18 |
| US20170207402A1 (en) | 2017-07-20 |
| CN105489789B (zh) | 2017-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105489789A (zh) | 柔性器件制作方法及柔性显示器件 | |
| CN205319158U (zh) | 柔性显示器件 | |
| TWI767909B (zh) | 包括至少一種非線型有機聚矽氧烷之黏著劑剝離層 | |
| EP2876673A1 (en) | Production method for sealing layer-coated semiconductor element and semiconductor device | |
| CN105118844A (zh) | 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板 | |
| KR102600118B1 (ko) | 지지 기판, 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법 및 이를 이용한 전자 장치의 제조 방법 | |
| RU2013116970A (ru) | Подложка со схемой, способ ее производства, устройство ввода информации и устройство отображения | |
| KR20190115609A (ko) | 낮은 영률을 가지는 신축성층 위 단단한 아일랜드 패턴의 제작 방법 및 이를 이용한 신축성 전자소자 플랫폼 | |
| TW201609523A (zh) | 透明電極複合體 | |
| TWI729120B (zh) | 包括至少一氟矽化合物之離型層 | |
| US20190127608A1 (en) | Adhesive delamination layer including at least one of a silsesquioxane polymer and a silane for display device substrate processing | |
| KR20120136995A (ko) | 물리적 전사 방법에 의한 탄소나노튜브 기반의 유연 센서 소자 제조 방법 | |
| TW200513161A (en) | Insulated pattern and its forming method | |
| WO2017200808A1 (en) | Adhesive delamination layer including fluoroorganopolysiloxane | |
| KR20100098661A (ko) | 광전 소자의 제조 방법 및 광전 소자 | |
| KR20160048546A (ko) | 전도성 부재 및 이의 제조 방법 | |
| KR102334577B1 (ko) | 소자 전사방법 및 이를 이용한 전자패널 제조방법 | |
| JP2006108437A (ja) | 樹脂で被覆した高耐電圧半導体装置及びその製造方法 | |
| KR102003974B1 (ko) | 유기반도체의 용액공정에 적용되는 선택적 박막 형성 방법, 이에 사용되는 도포방지 필름 및 용액공정을 적용한 oled 조명의 제조방법 | |
| US20240031464A1 (en) | Display panel and method for manufacturing same, and mobile terminal | |
| KR102187498B1 (ko) | 전자 소자의 제조 방법 | |
| US20200358250A1 (en) | Light source package structure | |
| TW201618625A (zh) | 具電子元件之可撓式基板的製造方法 | |
| CN112420742A (zh) | 柔性显示装置及制备方法 | |
| TW202120656A (zh) | 微小構造體之移載方法及微小構造體之安裝方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |