CN105474461A - 用于创建完全微波吸收表皮的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

在本文描述了用于制造射频吸收器(RFA)或完全微波吸收器(PMA)表皮的方法和装置。可以将超材料层应用到低介电基板。然后可以向超材料层添加电阻和电容组件。然后可以将超材料层形成到RFA或PMA表皮中，然后可以将该RFA或PMA表皮应用到多层构件以用于在包括但限于蜂窝电话、通信设备，或其他电子设备的最终产品中吸收诸如微波频谱之类的频率范围中的电磁辐射。

Description

用于创建完全微波吸收表皮的方法和装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年3月15日提交的美国临时申请序列号61/791,098的权益，据此该临时申请的内容通过引用被合并于本文。
背景技术
由于技术继续改进并且在所有产业中越来越多的电子设备变得越来越常见，对电磁干扰(EMI)的关注变得极其重要。电磁干扰，也被称为射频干扰(RFI)，是一种扰动，该扰动可能由于电磁感应或者从外部源发出的辐射而影响电子电路。外部源可以是人造的或天然的，使其变为由于EMI可能的发源处的大量的变化所引起的要解决的极其困难的问题。诸如蜂窝电话、平板机，和计算机之类的设备是EMI的一些主要发射器。诸如这些的电子仪器可能通过干扰过载最终导致电路性能的破坏、劣化，或中断，使它们无用，或者使它们完全地毁坏。每个电子设备发出可能潜在地有害的一类EMI。因而，必须利用新技术来解决为什么有该问题的原因。
任何电气或电子设备具有生成传导和辐射干扰的潜能。传导干扰的典型源可以包括开关电源、交流(AC)电机、微波炉和微处理器。
EMI从第一电路(例如，无线电、计算机芯片、计算机面板，等等)生成有害的(unwanted)信号，该有害的信号可能由第二电路捡取。这可能使第二电路的操作比所期望的更低效。在最简单的情况中，第二电路可能在其操作中具有“假信号(glitches)”——尽管这也可能扩展到产生不正确的数据的第二电路。
典型地，已经在“箱”级设备约束了EMI(如通过政府健康和环境安全条例所指导的)，或充其量利用特定组件或组件集合的周围的接地屏蔽来约束EMI。在其最极端的形式(即，高保密性/加密环境)中，可以将整个设备封闭在屏蔽室内。
尽管存在许多类型的吸收器，但所有都是通过将有害的电和磁发射转换为少量热的处理来进行工作。“吸收”策略是衰减之一，并且与可以被视为隔离的策略的“屏蔽”不同之处在于，其利用导电材料通过将有害发射反射回它们的源来约束EMI。
为了屏蔽和约束EMI而由电子产业所使用的一些金属产品包括；金属垫片、导电涂层、屏蔽带、指状物支架(fingerstock)和包括珠子、超环面、扼流圈和感应器的一系列铁氧体产品。
快速变得明显的是，随着时钟速度继续增加，发射的频率也将攀升。这将为EMI管理带来不断增长的问题。将证明诸如指状物支架、导电泡棉，和板级屏蔽之类的传统屏蔽方法在这些环境中越来越低效。具有讽刺意味的是，往往是这些传统材料促成了谐振问题。它们提供能量的导通路径，这进而将能量保持在空穴内部。该被约束的能量可能对板上的其他组件产生不利的影响并且可能抑制板适当地运行。除约束相关的问题外，传统反射类型屏蔽技术的确不再能保持波形。在这些更高频率，这的确太微弱。
电磁干扰的破坏性影响可能在许多技术领域中造成不可接受的风险，并且希望控制这样的干扰并且将风险降低到可接受水平。
发明内容
在本文描述了用于制作射频吸收器(RFA)或完全微波吸收器(PMA)表皮的方法和装置。可以将超材料层应用到低介电基板。然后可以向超材料层添加电阻和电容组件。然后可以将超材料层形成到RFA或PMA表皮中，然后可以将该RFA或PMA表皮应用到多层构件以用于在包括但限于蜂窝电话、通信设备，或其他电子设备的最终产品中吸收在诸如微波频谱之类的频率范围中的电磁辐射。
附图说明
可以根据结合附图以示例方式给出的以下描述而具有更详细的了解，其中：
图1是当在反射波和出射波之间异相状况存在时、磁谐振频率(MRF)吸收器进行操作的方法的示例；
图2是冶金薄板吸收器(TSA)内堆叠的“薄片”的示例；以及
图3是向电子设备(工业、军事，或消费者)的表皮、印刷电路板(PCB)、电缆、和壳体应用将制造的超材料用作吸收器的独特的性质的概念的示例处理的流程图。
具体实施方式
在本文描述了用于通过向电子设备(工业、军事，或消费者)的表皮、PCB、电缆、和壳体应用将制造的超材料的独特的性质用作吸收器的概念来制作射频吸收器(RFA)或完全微波吸收(PMA)印刷电路板(PCB)的方法和装置。
磁性材料(例如，坡莫合金(permalloy)、μ金属，等等)可以被变换为将对适当的粘合剂有效并且用于在本文描述的任何实施例中的物理格式。典型地，可以将磁性材料从块体金属处理为球体、棒，或薄片。在吸收器中使用的磁性材料几何结构可以表明，在构建成功的吸收器时，相比其他几何结构，薄片几何结构具有不同的优点。另外地，对于取得最大电容率和渗透率，任何几何结构中的材料的长宽比可能是关键的。除了别的以外，这已经被归因于磁矩耦合的增加，其随着表面积而增加。另外，用于创建薄片的铣削处理也可以增加矫顽性，这原本归因于由物理处理引起的无序晶体结构。
一旦已经完成了转换，就可以对材料进行退火以便恢复或提高渗透率。大概地，退火步骤可以将矫顽性恢复到正常值。这可以通过针对坡莫合金材料重定向材料的晶体结构以创建NiFe3超晶格结构来产生。类似的效果可以采用其他磁性材料来产生。
图1是当在反射波和出射波之间异相状况存在时、磁谐振频率(MRF)吸收器100进行操作的方法的示例。对于理想吸收器(即，理论的最大吸收)，吸收器的厚度可以是入射波102的波长101的四分之一(1/4)，借此，可以从“空气/吸收器”界面103反射104入射波102的一部分，并且从吸收器内的金属导电反射器108表面反射106入射波的其余部分。结果，反射波和出射波105相互地抵消107。
图2是冶金薄板吸收器(TSA)200内堆叠的“薄片”的示例。吸收器的金属组件由坡莫合金薄片202组成，使得介质/金属界面可以在TSA薄片的第一若干原子层中产生。与薄片的厚度尺寸相比，TSA可以实际上显著地更厚，这可以允许在TSA内堆叠多层薄片203。这可能引起多个入射波被拦截，从而引起TSA内的全部薄片上的异相反射的整合与来自空气/介质界面的反射的整合的组合，这可以引起波被吸收。
在另一个实施例中，为了最大衰减，利用嵌入介质中的“薄片”制作的谐振吸收器可以典型地被调谐至单频。可以通过改变薄膜的物理性质以及通过包括多于一个介质来实现多频能力。
在另一个实施例中，使用高温或超高温陶瓷的替换退火处理可以在退火之前将单独的组件封装到隔热罩中。多晶Si或SiC可以是为了该类型的高温绝缘体所选择的材料。替换地，也可以使用诸如过渡金属的氮化物的更特殊(exotic)的材料。
例如，可以实施以上描述的方法来构建用于2.4GHz应用领域的可行的吸收器材料。不同的几何结构和长宽比可以允许解决不同的频率域。除仅仅构建吸收器材料之外，吸收器材料可以是直接地合并的形状因子，包括但不限于以下印刷电路板(PCB)夹层、PCB卡片导引、电缆、注塑部件、墙壁覆盖物、粉末涂覆构件和/或部件、粘性吸收片材料。
如果人们考虑用于入射辐射的波长(例如WiFi2.4GHz)，“自由空间”波长可以大致为124mm，其可以引起产品上的极其厚的涂层。可以通过将磁性材料插入到基体(具有已知的介电常数)中来降低该厚度，因此可以利用是l/με的材料来获取相同的吸收。这考虑了“堆叠薄片”效果。
在一个实施例中，在创建薄的、共形的、雷达吸收材料(RAM)中部署的技术可以包括并且不局限于在具有促进特定微波频率的优化衰减的特定介电常数的基板上印刷或蚀刻的刨床和/或堆叠频率选择表面(FSS)阵列。
在另一个实施例中，在创建薄的、共形的RAM中部署的技术可以包括并且不局限于全介电频率选择表面技术，和被调尺寸以优化RAM的表面上的波散射的高渗透率球体。
在又一个实施例中，在创建薄的、共形的RAM中部署的技术可以包括但不限于对于单向变化的电磁性质(其控制左利和右利)设计的手性/超材料以及原子溅射。例如，通过物理汽相沉淀处理创建的雕刻薄膜可以用于部署该类型的材料。
在另一个实施例中，在创建薄的、共形的RAM中部署的技术可以包括并且不局限于当施加外部电场或光场时可以通过其电阻的变化来改变和控制微波反射率的智能材料。经由电场控制的高水平电阻和低水平电阻可以考虑要被接通和断开的RAM功能。
在另一个实施例中，在创建薄的、共形的RAM中部署的技术可以包括并且不局限于可以提供雷达吸收材料的动态控制的有源组件。
可以部署以上提及的技术中的所有或一些的组合以创建足够薄以满足用于在三维对象上直接覆盖材料的形状因子需求的雷达吸收材料。无论是被合并在原始装备制造过程中，还是被提供为改进解决方案，在一个实施例中，材料可以使得军车能够将它们的雷达截面积从在平时活动期间的高位值改变为在作战形势中的低位值。材料也可以覆盖可以在作战形势中充当天线的任何和所有潜在的对象。RAM的FSS组件可以进一步确定哪些特定频率可以被透射和/或阻断。
超大规模集成(VLSI)是通过将数以千计的晶体管组合到单个芯片中来创建集成电路的过程。VLSI开始于开发复杂的半导体和通信技术的1970年代。例如，微处理器是VLSI设备。因为微处理器由于技术定标(scaling)变得更复杂，微处理器设计者已经遭遇了迫使他们进行超越设计平面的思考并且期望后硅的若干挑战。对于电路设计者，电磁兼容性(EMC)和EMI已经越发地地变为重大问题，并且其很可能在将来变得更严重。VLSI技术的常见使用、更高频率的利用和组件小型化相组合来增加在所有电子构件级别上的干扰的概率。这些相同的技术压力适用于在VLSI管芯中引起电磁干扰问题的VLSI设备，由此影响了整个系统。
显著地影响VLSI设备的基本的小型化的是纳机电系统(NEMS)。NEMS是在纳米级集成电气和机械功能的设备。NEMS从所谓的微机电系统(MEMS)形成逻辑下一小型化步骤。
电子包装进步的水平落后于MEMS和NEMS技术的进步。这大部分是由于电子包装的多学科领域，其可以合并力学、电子学、物理学和化学的几个传统子分区。这些领域中最突出的是可以包括热传递、材料、信号传输、机械分析和制造。
根据一个实施例，可以实施用于VLSI设备的电磁干扰和热管理的方法。该方法可以部署磁谐振频率吸收器材料、失配介质粘合剂、小型化频率选择表面(FSS)技术和导热碳的组合。例如，在一个实施例中，配置具有电磁吸收和热耗散性质的聚合物散热器以便向散热器安装VLSI、多芯片模块(MCM)和混合集成电路(HIC)外壳设计的基本元件。除相同的材料的电磁吸收性质之外，可以要求利用碳的独特的导热特性以在单个包装中提供热和EMI管理。对碳纳米管、棒、薄片，等等的长宽比进行控制，这些“填料”可以与具有最好地支持目标频率的特定介质的聚合物粘合剂组合。单独的纳米尺度碳颗粒可以具有或可以不具有绝缘涂层。
也可以使用全聚合物结构，其可以服务热耗散和EMI吸收的双功能。在该实施例中，可以结合全介电超材料吸收器来使用具有高热耗散性质的聚合物基体。
高度加载的聚合物然后可以被挤压并且被冲切以形成微型圆柱。圆柱可以被设计为具有特定长宽比。这些高度加载的圆柱可以有效地衰减宽频带上的电磁信号。在按重量范围80％的加载，考虑到显著导热性，可以存在充足浓度的碳。
在另一个实施例中，具有预先确定的长宽比的高渗透率填料颗粒可以被涂覆有合适的绝缘体。这些绝缘颗粒可以与最好地支持目标频率的特定介质粘合剂复合。然后例如可以使用高度加载的(大致80％的)复合材料，以形成薄的磁谐振频率吸收器，该薄的磁谐振频率吸收器与现有的集成电路外壳集成，或者集成在超材料中，该超材料可以变为热或真空形成的表皮，该表皮可以被合并到插入建模过程中或作为在多材料注塑注入中使用的复合吸收器材料。可以将薄的吸收片直接地应用到散热器本体，或者可以将薄的吸收片更明确地设计为位于距管芯发射的特定距离。
在另一个实施例中，可以经由“插入注塑”过程或作为单步注塑过程来执行磁谐振频率吸收器材料的部署。
在另一个实施例中，可以组合多种技术以使得能够制造被设计为使选择的电磁频率阻断和/或透射的三维设备/组件。存在部署的三种特定技术：1)磁谐振频率吸收器，2)频率选择表面(FSS)，和3)直写组装(导电油墨)。
在一个实施例中，可以经由相位抵消来操作磁谐振频率吸收器。入射到吸收材料上的入射波被部分地反射并且被部分地透射。透射部分经历多次内反射以引起一系列出射波。在设计频率，出射波之和在振幅方面等于初始反射部分(与其有180度相位差)。理论上，零反射发生在设计频率。实际上，可以获得大于30dB的吸收。
悬浮在柔性弹性基体中的分布式磁性填料是谐振频率吸收器材料的最常见形式。通过增加弹性体的渗透率和电容率，折射率也增加，因而考虑较薄的材料。基于相位抵消的原理，要被衰减的频率越低，材料就必须越厚。
在另一个实施例中，可以实施FSS。因为天然材料通过电磁波的磁分量呈现非常弱的耦合，所以要研究和制造呈现强烈的磁耦合的人造材料。这些人造材料被称为超材料。
电磁超材料可以被视为具有仿造金属亚波长夹杂物的所构成的复合物。如同介观(mesoscopic)物理系统，从单位晶胞级别开始构建这些电磁超材料。将这些单位晶胞设计为产生规定的电磁性质。该类型的超材料的特性为独立组件具有对源的电磁辐射的电分量、磁分量或两个分量的谐振(耦合)响应。迄今为止，作为人工设计的传输介质的EM超材料已经给予了在从微波直到接近可见的频率的期望响应。
频率选择表面可以被制造为具有特定几何形状的金属元件的平面二维周期性阵列，或可以是金属筛中的周期性的孔。这些表面的透射和反射系数取决于操作频率并且也可以取决于穿透材料的透射电磁波的极化和角度或入射角。当具有给定FSS完全不透明的频带(阻带)和相同的表面允许波透射的其他频带时，示出了这些结构的多功能性。
当针对电磁带隙(EBG)特性工程化FSS时，FSS可以被设计为关于散开的表面波(SW)频率(微波和射率)放大其阻带性质。此外，针对EBG设计FFS以降低其对行进穿过表面(界面)的表面波的传播方向的依赖。
根据一个实施例，一种用于制造平面基板和性质允许设备/组件使期望电磁频率阻断和/或透射的三维设备/组件的方法。
在平面或二维形状因子中，频率特定的FSS材料可以用作单个吸收器元件(索尔兹伯里屏(Salisburyscreen))或用作堆叠阵列类型吸收器(尧曼(Jaumann))。FSS材料的周期性布置的特定单位晶胞图案有选择地允许期望的频率的透射或反射。
可以通过多个方法(诸如电沉积，无电沉积，网印、激光或“直写”印刷的导电油墨和感光导电聚合物)来产生FSS晶胞图案。选择制作FSS晶胞图案的材料的介质来促进所关注的一个或多个频率的最大衰减。FSS材料(取决于堆叠的阵列的程度)可以是任何厚度。可以以辊(roll)形式产生该材料以促进FSS材料的附加处理。
然后可以利用可具有窄或宽频带吸收特性的磁谐振频率吸收器来涂覆FSS辊材料。经由辊式刮刀处理进行FSS材料的涂覆，并且在卷轴式生产线上处理FSS材料的涂覆。进行连续的薄的涂覆以给予最终的期望厚度。另外地，辊式刮刀生产方法借助于对该处理固有的液压技术促进对最终的吸收特性来说为关键的磁性谐振填料的对准。平面板材料完美地适于多层印刷电路设计和处理。
在3维设备/组件中，已知超材料性质的部署与已知的磁谐振频率吸收器技术相结合。
一种方式是创建被插入注塑模具中的真空和/或热形成的FSS表皮。该模具然后被填充特别调谐的磁谐振频率吸收体材料。
也可以对磁谐振频率组件进行注塑并且经由“直写”技术涂敷FSS图案。该技术能够经由计算机控制的3轴位移平台在三维对象上印刷导电油墨。
部署组合的MRF和FSS技术的组件允许和促进离散频率的透射，而同时抑制其它频率。
也应注意，在注塑组件中，作为注塑处理的结果，磁谐振频率填料(高磁导率材料)将是随机散布的。促进改善的性能的薄片的对准将是不可能的。在本申请中，可能更理想的是，部署展现替换几何结构的高渗透率填料。棒和球体是两种替换的几何结构。这些几何结构可以支持坡莫合金之外的基础材料。二氧化铬是当部署为纳米棒时异常好地工作的高磁导率材料的良好示例。
在一个实施例中，可以利用许多“纳米维度”的薄膜处理，其包括但不限于无电沉积、原子溅射、溅射蚀刻、旋涂、汽相淀积和电喷射沉积，以便产生将要在多层PCB结构中使用的频率特定的、多频带和宽频带芯层压板(corelaminate)。
接地和屏蔽是目标在于通过提供替换的、低阻抗路径来降低发射或使EMI转移远离“受害者受体”的技术。例如，可以典型地在诸如盒和盖之类的部分中制造屏蔽的外壳。可以在接合部分使用RF垫片以减少通过接合处泄漏的干扰的量。可以使用其中导线被在一端或者两端接地的外部导电层所包围的屏蔽电缆。可以使用诸如用于音频设备的星形接地或用于射频(RF)的接地面之类的接地或接大地方案。其他通用测量可以包括但不限于：在使用RF扼流圈和/或RC元件的诸如电缆入口和高速切换之类的临界点的解耦或滤波；用于电缆和接线的传输线技术，诸如平衡差分信号和返回路径，和阻抗匹配；以及天线结构(诸如循环电流的环路、谐振机械结构、非平衡电缆阻抗或不良接地屏蔽)的规避。
尽管对通过良好的PCB设计降低EMI进行了最大努力，但电磁辐射仍然可以要求物理PCB外部的管理。无论是否是有意图的，系统中的所有随时间变化的电流都可能进行辐射。与电压和时间相反，就电流和频率而言考虑EMI是比较容易的。电流可以在较高频率更有效地辐射，并且与大电流相比，小电流可以引起更多辐射。举例来说，由于电缆充当有效天线的能力，非常小的在电缆上感应的噪声电流可以展现出显著的辐射。类似地，可以将至PCB的接地面的噪声感应的通孔连接散布至充当有效天线的PCB的周界(perimeter)边缘。PCBEMI是对系统级EMI的大贡献源。
在许多EMI机制中，PCBEMI可以由差分方式(DM)辐射占主导，而系统级EMI可以由共模(CM)辐射占主导。DM辐射可能由可以是物理地接近于彼此的信号和回流对引起。这些差动电流可能很大，但是相位抵消效应可以显著地降低辐射场强。CM辐射可以由泄露到电缆上的噪声电流引起。这些电流可能很小，但至源的返回路径可能是巨大的，引起大环路区域和辐射。
在较低的频率范围中，不足为奇的是，尽管电缆上的CM电流小于PCB上的DM电流，但其可能辐射更多，这是因为电缆长度和波长的乘积通常比DM环路区域大若干数量级。在较高的频率，DM辐射可以变得更重要，这是因为其与频率的平方成正比，而CM辐射与频率成正比。
在DM和CM两者中，可控制的变量是电流和天线尺寸。随着更高速度和更高频率设计的出现，迫使设计师重审对组件、PCB、外壳和系统水平的EMI关注。在PCB层级上由组件、模块和数字电路引起的EMI可以建立在辐射源和在辐射源附近的未屏蔽的系统/组件之间的耦合路径。耦合路径可以采取各种形式。例如，耦合路径可以包括在电磁辐射源与PCB的接地面或导体之间的电磁或电感耦合。在该示例中，PCB的周界边缘可以充当天线。这样的辐射可以产生各种不希望的效果。未核取(uncheck)的电磁发射可以干扰并且显著地削弱在辐射源附近的未屏蔽的组件、模块和系统的操作和完整性。
可以约束发出的辐射，以便减少随之而来的EMI。可以通过将系统封闭在接地导电外壳中并且通过限制外壳的外部上的任何开口的大小来在某种程度上实现EMI的约束，以便减少电磁辐射的逃逸。该方式可以被视为“反射性”解决方案。用于约束EMI的反射技术简单地将问题从一个位置转移至系统环境内的另一个位置。可能存在部署在系统中的多个反射方式以便维持电子功能。不幸地，处理EMI的屏蔽/约束方式为外壳的设计带来负担。
吸收技术可以通过将电磁信号转换为热来消除屏蔽和约束EMI的需要。尽管EMI可能引起大量的电干扰，但当被转换为热能时，可以容易地管理余热。因此，根据在本文描述的实施例，对于EMI管理，吸收材料是理想的。
可以针对电气性能来优化EMI吸收材料。可以改变这些材料的电性质或磁性质以允许RF和微波能量的吸收。在磁性加载的材料中，诸如铁氧体、铁和独特的合金之类的填料可以增加基础材料的渗透率。RF吸收器和微波吸收器通常是考虑的磁谐振频率吸收器或梯度介电材料。
磁谐振频率吸收材料可以被设计为在单个离散频率或在多个频率吸收能量。通过控制每一个层的关键磁和介质加载及厚度，可以容纳多个频率。
磁谐振频率吸收器通过相位抵消来操作。入射到吸收材料上的入射波被部分反射并且被部分透射。透射部分经历多次内反射以引起一系列出射波。在设计频率，出射波之和在振幅方面等于初始反射部分。悬浮在柔性弹性基体中的分布式磁性填料是谐振频率吸收材料的最常见形式。基于相位抵消的原理，要被衰减的频率越低，材料就必须越厚。
在一个实施例中，可以使用挤压过程将EMI吸收材料成形为期望的形状因子。例如，PCB卡片导引可以被设计为解决与从PCB发出的电磁辐射相关的问题。PCB卡片导引可以具有各种EMI吸收性质。当PCB卡片被插入计算机系统中以用于与连接器进行接合时，可能需要显著程度的导引以便保证适当地安装连接器。典型地使用提供卡片接收区域的框架来设计PCB卡片架，其中卡片导引对建立插入“子系”PCB卡片的位置。这些子系PCB卡片的前缘具有指状标签，其要求对准配合到横贯卡片接收区域的背后的底板的对应的连接器。底板可以为依照要求插入到其他子卡的电路的或插入到输入/输出电缆的导体的每个子卡的电路的电气连接作准备。
可以从EMI吸收材料当中形成PCB卡片导引，该EMI吸收材料通过吸收从PCB卡片发出的电磁信号并且将信号变换为热来防止由插入PCB卡片导引中的PCB卡片发出的EMI干扰PCB卡片导引之外的组件。EMI吸收材料可以包括磁谐振频率吸收材料。
替换地，由相同的EMI吸收材料制作的“吸收罐”可以附在PCB卡片的有问题的组件或电路上以包含从该组件或电路发出的电磁信号。
根据一个实施例，可以使用其中熔化非导电材料(例如，塑料、聚合物材料，等等)的挤压工序来形成EMI吸收材料，以及在将熔化的材料模铸并冷却到最终产品中之前金属介质涂敷整个熔化的材料(例如金属薄片)。
在本文也公开了制造EMI吸收材料的方法。可以选择保证期望定向的维持的制造过程以便在三维成品中维持金属聚合体的期望定向并且在本文公开了保证期望定向的维持的制造过程。为了维持聚合物粘合剂中的金属薄片的有层次的、水平的分层，可以利用许多涂覆处理。所有这些涂覆处理可以产生平板形成的产品。
可以挤压或建模吸收性卡片导引。卡片导引可以包括金属组件，以用于结构屏蔽、结构刚度或接地目的。
用于制作三维产品的典型的制造过程、注塑、挤压建模和铸造将产生具有随机分散的金属介质的产品。
通过选择适于形成EMI吸收产品的聚合物，然后可以在形成过程中使用具有适当地定向的金属填料的产品以制作具有高EMI吸收性质的定制的三维产品。
吸收性卡片导引本体的合成材料可以包括从包括但不限于以下的组中选择的塑料/聚合物：丙烯腈·丁二烯·苯乙烯(ABS)、聚碳酸酯(PC)、PC/ABS、聚丙烯(PP)、尼龙(PA)、苯乙烯丙烯腈(SAN)、聚砜(PSU)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚酯热塑弹性体(TPE)、丙烯酸(PMMA)、刚性热塑性聚氨酯(RTPU)、液晶Z聚合物(LCP)、酚醛塑料、聚氯乙烯(PVC)、苯乙烯、固化聚酯和环氧树脂、橡胶、硅树脂RTV、和其他弹性体或任何其他类似的热塑性塑料、热凝物，或室温固化塑料或其混合物。
可以从包括但不限于镍、铜、铁、银、金、锡、锌、铅、铝、黄铜、青铜、不锈钢、钼及其任何混合物以及任何其他导电性金属的组中选择被用作磁性可渗透的填料的金属。
可以在EMI吸收器的结构中使用高渗透率金属。金属聚合体的几何结构可能大大地影响EMI吸收性质。薄片、小片、球体和棒状几何结构可以用于改善最终产品的渗透率。聚合物粘合剂内的所选择的几何结构的定向也可以是EMI吸收性能的影响因素。
例如，金属聚合体可以使用添加到聚合物粘合剂中的两种不同类型的薄片。这些薄片的固有性质可以允许在多个频率吸收EMI信号。在蜂窝电话外壳中，例如，其可以要求使用相位抵消技术对金属聚合体的配置进行配置(“调谐”)以在宽频带和/或窄频带(例如，长期演进(LTE)频带和IEEE802.11n频带)吸收EMI信号。
根据材料的配置，超材料也可以呈现负电容率和负渗透率。实现这些条件的两种方式包括裂环谐振器(SRR)和电磁带隙(EBG)。EBG方式的目标是吸收器应用，诸如吸收存在于直升飞机中的EMI。
SRR技术最初目标是开发允许使某些频率通过超材料的滤波器。根据该项目的观点，更有趣的是“互补裂环谐振器”(“CSRR”)的概念。其中SRR通过在介质上印刷“裂环”电路生成谐振腔，CSRR通过印刷SRR图案之外的一切图案来生成谐振腔。换句话说，CSRR能够被视为金属“衬垫”，其中实际的谐振腔图案是非金属化的。这一点的效果是在具有非常宽的频率响应的附加的特征的情况下创建了谐振吸收器。
也可以包括鱼网结构和分形元件来作为用于生成CSRR的基元。有趣的是，CSRR的第一应用之一是将吸收器放在PCB的电源平面中。该布置使与将高效EMI吸收器放到电子设备中相关联的附加电路和费用最小化。
图3是向电子设备(工业、军事，或消费者)的表皮、PCB、电缆，和壳体应用将制造的超材料用作吸收器的独特的性质的概念以创建RFA或PMA来在诸如微波频率范围之类的目标频率范围中吸收频率的示例处理300的流程图。对于在电子学和航天工业中制造的产品中的EMI吸收的特定问题采用被称为负指数超材料(尤其是双负介电或DNG)的特殊情况下的超材料。利用这些材料，可以在各种频率取得接近完全的吸收并且可以因此利用与常用的吸收器产品相比明显更薄的材料(诸如填料纸弹性体，或各种泡沫)来进行接近完全的吸收。在图3的示例中，将超材料应用在低介电材料基板上以创建超材料层301。然后可以向超材料层添加电阻和电容组件302。然后可以将超材料层形成到最终产品303中，诸如PCB、用于互连电缆制造的收缩套管、用于壳体制造的外模，或吸收器表皮。
不是从在制造中选择的特定材料的组合获取该性能，而是以制造所选择的材料的方式来获取该性能。一个示例是具有经由平版印刷/印刷电路方法或其他手段刻印在其上的导电材料的周期性图案的薄板。图案可以由具有某些特性的独立晶胞组成。设计晶胞的方式(诸如其宽度、厚度，和形状，以及是其的一部分的随后的图案)可以共同向聚合体中的材料给出有利于某些问题集的特定性能。
在图3的示例中描述的处理的特定应用用于超材料吸收器的制造，这样可以被包括作为以下中的层：(1)标准印刷电路板形状因子，(2)在互连电缆制造中使用的收缩套管，和(3)在壳体制造中使用的外模材料。目标是从EMI设计的开始起就将EMI缓解设计到产品中，并且经由产品的PCB、电缆，或壳体中的层(一个或多个)EMI缓解可以变为成品的一部分。
特定材料实现吸收质量的能力可以与其电气电容率和磁导率的水平密切相关。传统的吸收器产品已经在大部分启发式处理中利用了诸如铁和镍之类的各种天然物质以找出电容率、渗透率、厚度、可制造性，和成本效益的正确组合以满足特定市场需要。
另一方面，可以从一开始就设计负指数超材料以便实现负电容率和渗透率的某些特性，并且因此负指数超材料被设计有产生的吸收。它们可以是特制的以用于吸收一个或多个频率，以实现接近完全的吸收。
超材料晶胞处理EMI的能力可以涉及目标波长。也就是说，晶胞的大小可以取决于为了吸收选择的波长，但是可以比入射辐射的波长(～10-100)小得多。这是因为微波通常具有mm范围中的波长(例如2.4GHz或125mm)，所以独立的超材料晶胞可以小得多(～1mm)。然而，它们可以薄得多，有时实现比波长小大约75倍的薄度。由于这些晶胞的宽度和长度可以处于mm范围，并且厚度比那小的多，所以它们非常合适于沉积到诸如FR4之类的标准PCB基板上，或能够被沉积到用作3维产品(例如，手机、通信盒，等等)的共形表皮的其它材料上。
超材料在历史上由如上所述的FSS组成，其被印刷在基板上。它们以被实施为介质表面上的筛或金属颗粒的周期性图案为特征。
基于FSS的超材料可以采用等效LC电路的(微型)模型。也称作谐振电路、储能电路，或调谐电路的LC电路由电感和电容组成。当连接在一起时，它们能够充当存储在电路的谐振频率振荡的能量的电谐振器(音叉的电气类比物)。使用LC电路来用于生成在特定频率的信号，或从更复杂的信号中挑选在特定频率的信号。它们是在诸如振荡器、滤波器、调谐器和混频器之类的电路中使用的许多电子设备(尤其是，无线电装备)中的关键组件。
基于FSS的微波吸收器具有减轻它们的有用性的有害的副作用。然而，尤其是使用裂环谐振器(SRR)和电耦合LC谐振器(ELC)的组合时，已经显示在微波(即，千兆赫)频谱中超材料是完全吸收器。这些材料已经应用于光频区域、千兆赫微波频谱中。可以使用FR4基板上的电路来构建具有宽广响应的完全吸收器，并且在本文描述了使用超材料来创建允许利用完全微波吸收器(PMA)制造许多产品的实施例的方法。
可以使用图3的示例过程，根据一个实施例来创建PMA表皮。在该实施例中，可以使用凹印方法在低介电材料上印刷SRR和ELC。优选的低介电常数材料可以是柔性的、热固性材料。在实施例的一种形式中，可以使用标准技术在材料的一侧上印刷SRR以提供对准标记来用于随后的步骤。随后的步骤可以也使用凹印方法向SRR添加所需的电阻和电容组件。也可以以类似于针对SRR描述的方式、使用凹印方法来印刷ELC。用于制作PMA的层可以是10微米的数量级，这导致可以用作形成到产品中的空穴中或形成在产品的外表面上的表皮的极薄的夹层。材料的厚度可以大于或小于10微米。尽管最终的吸收器材料可以具有更多层，但PMA可以薄到2层。还能够使用该方法来制作具有不同的谐振频率和带宽的附加层。
在一个实施例中，可以在一个步骤中使用在用于制作表皮中的层的凹印处理期间应用的对准标记将表皮对准并且将其形成在最终产品上。
在另一个实施例中，可以使用在用于制作层的凹印处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成在最终产品上之前将其机械地紧固到完整的表皮包装中。
在又一个实施例中，可以使用在用于制作层的凹印处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成在最终产品上之前将其热成型到完整的表皮包装中。
在又一个实施例中，可以使用转印方法将SRR和ELC与它们的电阻和电容元件一起印刷在低介电材料上。优选的低介电常数材料可以是柔性的、热固性材料。在实施例的一种形式中，可以使用标准技术在材料的一侧上印刷SRR以提供对准标记来用于随后的步骤。随后的步骤可以也使用转印方法向SRR添加所需的电阻和电容组件。也可以以类似于针对SRR描述的方式、使用转印方法来印刷ELC。可以用于制造PMA的层可以是10微米的数量级，这导致可以用作可以形成到产品中的空穴中或形成在产品的外表面上的表皮的极薄的夹层。材料的厚度可以大于或小于10微米。尽管最终的吸收器材料可以具有更多层，但PMA可以薄到2层。也可以使用该方法来制作具有不同的谐振频率和带宽的附加层。
在一个实施例中，可以在一个步骤中使用在用于制作表皮中的层的转印处理期间应用的对准标记将表皮对准并且将其形成在最终产品上。
在另一个实施例中，可以使用在用于制作层的转印处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成在最终产品上之前将其机械地紧固到完整的表皮包装中。
在又一个实施例中，可以使用在用于制作层的转印处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成在最终产品上之前将其热成型到完整的表皮包装中。
直写构件是通过细孔喷嘴(～0.1-250μm)沉积浓缩油墨、可以使得特征制造的范围能够从简单的行到复合结构的1D至3D印刷技术。该印刷方法可以包括计算机控制的3轴位移平台、油墨容器和喷嘴，以及用于显像的10x望远镜头。与墨喷式印刷不同，基于液滴的处理、直写构件可以涉及在平面中或在平面外的油墨细丝的挤压。印刷细丝可以符合喷嘴尺寸。因此，可以将微尺度特征(<1μm)图案化和装配到更大的阵列和多维体系结构中。
尽管对于所概述的应用直写处理可能是优选的，但蘸笔纳米光刻术(DPN)和电子喷印印刷和用于印刷导电油墨的所有其他处理变为产生SRR和ELC图案的可能的手段。
在另一个实施例中，可以使用直写、DPN或电子喷印方法将SRR和ELC与它们的电阻和电容元件一起印刷在低介电材料上。优选的低介电常数材料可以是柔性的、热固性材料。在实施例的一种形式中，可以使用标准技术在材料的一侧上印刷SRR以提供对准标记来用于随后的步骤。随后的步骤可以也使用直写、DPN或电子喷印方法向SRR添加所需的电阻和电容组件。也可以以类似于针对SRR描述的方式，使用直写、DPN或电子喷印方法来印刷ELC。用于制作PMA的层可以是10微米的数量级，这导致可以用作形成到产品中的空穴中或形成在产品的外表面上的表皮的极薄的夹层。材料的厚度可以大于或小于10微米。尽管最终的吸收器材料可以具有更多层，但PMA可以薄到2层。也能够使用该方法来制作具有不同的谐振频率和带宽的附加层。
在一个实施例中，可以在一个步骤中使用在用于制作表皮中的层的直写、DPN或电子喷印方法处理期间应用的对准标记将表皮对准并且将其形成在最终产品上。
在另一个实施例中，可以使用在用于制作层的直写、DPN或电子喷印方法处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成在最终产品上之前将其机械地紧固到完整的表皮包装中。
在又一个实施例中，可以使用在用于制作层的直写、DPN或电子喷印方法处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成在最终产品上之前将其热成型到完整的表皮包装中。
所有以上指定的实施例使用附加的处理，允许在产生具有期望的频率响应和带宽的PMA时为它们的效力选择组件(即，金属图案、电阻器、电容器，等等)。这与依赖消去处理来从基板中移除有害的材料的制造吸收材料的大多数方法相反。
能够沉积材料以形成SRR、ELC，和它们相应的电阻和电容元件的任何印刷方法可以适用于创建如上所述那些的PMA。可以选择被印刷以创建PMA的各种几何结构。可以使用允许机械形成或热形成的夹层以用于最终产品的任何手段(化学粘合，等等)进行PMA夹层的构建。这样的手段可以是使用不同的处理来形成两个分离的壳体并且然后使用机械的、化学的，或热处理来使它们配合。
可以使用图3的示例处理、根据另一个实施例来创建PMAPCB。在一个实施例中，可以使用凹印方法在低介电材料上印刷SRR和ELC。优选的低介电常数材料可以是标准PCB基板，诸如薄层FR4。在实施例的一种形式中，可以使用标准技术在材料的一侧上印刷SRR以提供对准标记来用于随后的步骤。随后的步骤可以也使用凹印方法向SRR添加所需的电阻和电容组件。也可以以类似于针对SRR描述的方式、使用凹印方法来印刷ELC。用于制作PMA的层可以是10微米的数量级，这导致极薄的夹层，该夹层可以用作制作PCB时的层。材料的厚度可以大于或小于10微米。尽管最终的吸收器材料可以具有更多层，但PMA可以薄到2层。也可以使用该方法来制作具有不同的谐振频率和带宽的附加层。
在一个实施例中，可以在一个步骤中使用在用于制作层的凹印处理期间应用的对准标记将层对准并且将其形成到最终产品中。
在另一个实施例中，可以使用在用于制作层的凹印处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成到最终产品中之前将其机械地紧固到完整的层包装中。
在又一个实施例中，可以使用在用于制作层的凹印处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成到最终产品中之前将其热成型到完整的层包装中。
在另一个实施例中，可以使用转印方法将SRR和ELC与它们的电阻和电容元件一起印刷在低介电材料上。优选的低介电常数材料可以是标准PCB基板，诸如薄层FR4。在实施例的一种形式中，可以使用标准技术在材料的一侧上印刷SRR以提供对准标记来用于随后的步骤。随后的步骤可以也使用转印方法向SRR添加所需的电阻和电容组件。也可以以类似于针对SRR描述的方式、使用转印方法来印刷ELC。用于制作PMA的层可以是10微米的数量级，这导致极薄的夹层，该夹层可以用作制作PCB时的层。材料的厚度可以大于或小于10微米。尽管最终的吸收器材料可以具有更多层，但PMA可以薄到2层。也能够使用该方法来制作具有不同的谐振频率和带宽的附加层。
在一个实施例中，可以在一个步骤中使用在用于制作层的转印处理期间应用的对准标记将层对准并且将其形成到最终产品中。
在另一个实施例中，可以使用在用于制作层的转印处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成到最终产品中之前将其机械地紧固到完整的层包装中。
在另一个实施例中，可以使用在用于制作层的转印处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成到最终产品中之前将其热成型到完整的层包装中。
直写构件是通过细孔喷嘴(～0.1-250μm)沉积浓缩油墨、使得特征制造的范围能够从简单的行到复合结构的1D至3D印刷技术。该印刷方法可以包括计算机控制的3轴位移平台、油墨容器和喷嘴，和用于显像的10x望远镜头。与墨喷式印刷不同，基于液滴的处理、直写构件可以涉及在平面中或在平面外的油墨细丝的挤压。印刷细丝可以符合喷嘴尺寸。因此，可以将微尺度特征(<1μm)图案化和装配到更大的阵列和多维体系结构中。
尽管对于所概述的应用来说直写处理可能是优选的，但蘸笔纳米光刻术(DPN)和电子喷印印刷和用于印刷导电油墨的所有其他处理变为产生SRR和ELC图案的可能的手段。
在另一个实施例中，可以使用直写、DPN或电子喷印方法将SRR和ELC与它们的电阻和电容元件一起印刷在低介电材料上。优选的低介电常数材料可以是标准PCB基板，诸如FR4。在实施例的一种形式中，可以使用标准技术在材料的一侧上印刷SRR以提供对准标记来用于随后的步骤。随后的步骤可以也使用直写、DPN或电子喷印方法向SRR添加所需的电阻和电容组件。也可以以类似于针对SRR描述的方式、使用直写、DPN或电子喷印方法来印刷ELC。用于制作PMA的层可以是10微米的数量级，这导致极薄的夹层，该夹层用作制作PCB时的层。材料的厚度可以大于或小于10微米。尽管最终的吸收器材料可以具有更多层，但PMA可以薄到2层。也可以使用该方法来制作具有不同的谐振频率和带宽的附加层。
在一个实施例中，可以在一个步骤中使用在用于制作表皮中的层的直写、DPN或电子喷印方法处理期间应用的对准标记将表皮对准并且将其形成在最终产品上。
在另一个实施例中，可以使用在用于制作层的直写、DPN或电子喷印方法处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成到最终产品中之前将其机械地紧固到完整的表皮包装中。
在另一个实施例中，可以使用在用于制作层的直写、DPN或电子喷印方法处理期间应用的对准标记将层对准，并且在将其形成到最终产品中之前将其热成型到完整的表皮包装中。
所有以上指定的实施例使用附加的处理，允许在产生具有期望的频率响应和带宽的PMA时为它们的效力选择组件(即，金属图案、电阻器、电容器，等等)。这与依赖消去处理来从基板中移除有害的材料的制作吸收材料的大多数方法相反。
能够沉积材料以形成SRR、ELC，和它们相应的电阻和电容元件的任何印刷方法可以适用于创建如上所述那些的PMA。可以选择被印刷以创建PMA的各种几何结构。可以使用允许机械形成或热形成的夹层以用于最终产品的任何手段(化学粘合，等等)进行PMA夹层的构建。这样的手段可以是使用不同的处理来形成两个分离的壳体并且然后使用机械的、化学的，或热处理来使它们配合。
用于产生产品的表皮或PCB的夹层材料的处理也可以用于制造调谐信号约束材料。在这种情况下，可以将PMA层应用为表面表皮，或者作为构建材料的多层夹层中的层(例如，保温墙中的层)来插入。
可以应用本发明的示例是医院环境。在墙体建筑材料中使用时，作为医院通信基础结构的一部分的WiFi信号被允许操作，同时可以抑制来访者的蜂窝电话信号。
可替换的超材料可以包括仅仅使用介电材料来产生吸收器特性。所有介电超材料可以被表征为具有：(1)其他组件散布在其中的低介电常数基体；(2)介电常数大于基体的介电常数的两个组件(通常至少高两个数量级)。除那以外，存在可以用于创建所有介电超材料的两个特定材料配置。
(1)两个球体，其中球体具有不同介电常数(ε1＜ε2)
(2)两个球体，其中球体具有相同的介电常数，但是在它们的半径不同(rl＜r2)
可以使用其他几何结构来代替球体以便实现相同的效果。
在一个实施例中，可以在半固体基体材料中混合球体以使球体均匀地散布在基体内。在该实施例中，半固体基体可以能够被模铸到最终产品的表皮中。
超材料表皮然后可以通过机械或化学手段附着到最终产品。
在另一个实施例中，可以在半固体基体材料中混合球体以使球体与基体均匀地散布。在该实施例中，基体能够被热形成为电缆上的连接器的外模。
在另一个实施例中，可以在半固体基体材料中混合球体以使球体与基体均匀地散布。在该实施例中，基体能够被挤压以形成围绕电缆呈热固性的电缆护层。
在另一个实施例中，可以在半固体基体中混合球体以使球体均匀地散布在基体内。在该实施例中，基体能够被形成到电磁吸收片中，该电磁吸收片可以作为层合并到平面产品中。这样的平面产品包括可以在诸如医院或数据中心之类的EMI敏感的应用中使用的、诸如墙壁覆盖物之类的材料。平面产品可以被构造以允许WiFi信号穿过平面覆盖物，同时阻断蜂窝电话信号。
嵌入基体中的球体的关键特性之一是包装或加载系数可以是创建超材料的能力的关键决定因素。超材料所需要的包装可以大致为4x球体的半径。
所有介电材料吸收器可以被设计为阻断窄带宽的EMI信号。替换地，可以构造可以在层中使用的材料以提供在中心频率周围的宽带响应。
尽管在以上以特定组合描述了特征和要素，但本领域普通技术人员将理解，能够将每个特征或要素单独地或者与另一个特征和要素进行任何组合来使用。可以使用任何适当的体系结构和/或计算环境来执行如上所述的方法和特征。可以使用任何适当的体系结构和/或计算环境来控制以上装置以执行在本文的方法。尽管在以上以特定组合描述了特征和要素，但能够在有或没有其他特征和要素的情况下单独地或者在任何组合中使用每个特征和要素。
就好象完全地阐述了贯穿本申请所引用的每一个参考文献一样，将每个参考文献合并，以用于在本文以及参考文献自身中明显的所有目的。为了进行介绍，在本文的特定位置引用了这些参考文献中的特定的一些。在特定位置引用参考文献指出了参考文献的教导被合并的方式。然而，在特定位置引用参考文献并不限制为了所有目的将所引用的参考文献的所有教导合并的方式。
因此，应当理解，本公开不局限于所公开的特定实施例，而是意图覆盖在如所附权利要求、以上描述所限定的和/或附图中所示出的本公开的精神和范围内的所有修改。

Claims (20)

1.一种用于制造射频吸收器(RFA)表皮的方法，该方法包括：
将超材料层应用到低介电基板；
向所述超材料层添加电阻组件；
向所述超材料层添加电容组件；
将所述超材料层形成到RFA表皮中；以及
将所述RFA表皮应用到多层构件以用于在最终产品中吸收目标频率范围中的电磁辐射。
2.根据权利要求1所述的方法，其中凹印印刷被用于将超材料应用到所述低介电基板。
3.根据权利要求1所述的方法，其中移印被用于将超材料应用到所述低介电基板。
4.根据权利要求1所述的方法，其中直写、DPN或电子喷印印刷被用于将超材料应用到所述低介电基板。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标频率范围是微波频率范围。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层构件中的所述超材料层被机械地紧固。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层构件中的所述超材料层在包含在所述最终产品中之前被热成型到单个子构件中。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述低介电基板包括均匀地散布在基体内的具有不等的介电常数的球体，其中所述基体的介电常数比所述球体的介电常数小至少两个数量级。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述基体和球体被用于电缆连接器的外模中。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述基体和球体被用于一组电缆的热固性电缆包覆物中。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述基体和球体被用于所述最终产品中的EMI吸收层中的平面板中。
12.一种射频吸收器(RFA)表皮，其通过包括以下步骤的处理被制备：
将超材料层应用到低介电基板；
向所述超材料层添加电阻组件；
向所述超材料层添加电容组件；
将所述超材料层形成到RFA表皮中；以及
将所述RFA表皮应用到多层构件以用于在最终产品中吸收目标频率范围中的电磁辐射。
13.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中凹印印刷被用于将超材料应用到所述低介电基板。
14.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中移印被用于将超材料应用到所述低介电基板。
15.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中直写、DPN或电子喷印印刷被用于将超材料应用到所述低介电基板。
16.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中所述目标频率范围是微波频率范围。
17.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中所述多层构件中的所述超材料层被机械地紧固。
18.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中所述多层构件中的所述超材料层在包含在所述最终产品中之前被热成型到单个子构件中。
19.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中所述低介电基板包括均匀地散布在基体内的具有不等的介电常数的球体，其中所述基体的介电常数比所述球体的介电常数小至少两个数量级。
20.一种用于制造完全微波吸收器(PMA)表皮的方法，该方法包括：
将超材料层印刷在低介电基板上；
向所述超材料层添加电阻组件；
向所述超材料层添加电容组件；
将所述超材料层形成到PMA表皮中；以及
将所述PMA表皮应用到多层构件以用于在最终产品中吸收微波频率范围中的电磁辐射。
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CN201910292686.9A Pending CN110167255A (zh) 2013-03-15 2014-03-17 用于创建完全微波吸收印刷电路板的方法和装置

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Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480027684.2A Active CN105431979B (zh) 2013-03-15 2014-03-17 用于吸收电磁干扰(emi)的粉末涂覆方法和装置

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Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480026263.8A Pending CN105340133A (zh) 2013-03-15 2014-03-17 用于创建完全微波吸收印刷电路板的方法和装置
CN201910735956.9A Active CN110600888B (zh) 2013-03-15 2014-03-17 一种射频吸收器表皮及其制造方法
CN201910292686.9A Pending CN110167255A (zh) 2013-03-15 2014-03-17 用于创建完全微波吸收印刷电路板的方法和装置

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Country Link
US (3) US10085370B2 (zh)
EP (4) EP3890115A1 (zh)
CN (5) CN105431979B (zh)
ES (2) ES2656009T3 (zh)
WO (3) WO2014145821A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107834152A (zh) * 2017-11-16 2018-03-23 西安电子科技大学 一种利用fss和微型热管实现阵面散热的共形承载天线
CN108717999A (zh) * 2018-04-25 2018-10-30 深圳三星通信技术研究有限公司 一种大阵列天线的隔离结构及天线
CN111123210A (zh) * 2018-10-29 2020-05-08 安波福技术有限公司 具有穿过印刷电路板的槽过渡的雷达组件
CN112997360A (zh) * 2018-11-06 2021-06-18 华为技术有限公司 一种用于通信的射频天线、应用该天线的微波设备和通信系统

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10041745B2 (en) 2010-05-04 2018-08-07 Fractal Heatsink Technologies LLC Fractal heat transfer device
US9228785B2 (en) 2010-05-04 2016-01-05 Alexander Poltorak Fractal heat transfer device
US10852069B2 (en) 2010-05-04 2020-12-01 Fractal Heatsink Technologies, LLC System and method for maintaining efficiency of a fractal heat sink
EP3890115A1 (en) 2013-03-15 2021-10-06 Flextronics AP LLC Method and apparatus for creating perfect microwave absorbing printed circuit boards
CN104617400A (zh) * 2015-02-02 2015-05-13 成都飞机工业（集团）有限责任公司 一种置入型吸波复合材料结构
PL416167A1 (pl) 2016-02-17 2017-08-28 Instytut Niskich Temperatur I Badań Strukturalnych Im. Włodzimierza Trzebiatowskiego Polskiej Akademii Nauk Sposób otrzymywania metamateriału i jego zastosowanie w urządzeniach pracujących w zakresie radio i mikrofal
US10944182B2 (en) * 2016-03-09 2021-03-09 Commscope Technologies Llc 3-D printing process for forming flat panel array antenna
US10572416B1 (en) * 2016-03-28 2020-02-25 Aquantia Corporation Efficient signaling scheme for high-speed ultra short reach interfaces
US10475750B2 (en) * 2016-04-02 2019-11-12 Intel Corporation Systems, methods, and apparatuses for implementing an organic stiffener with an EMI shield for RF integration
WO2018013668A1 (en) 2016-07-12 2018-01-18 Alexander Poltorak System and method for maintaining efficiency of a heat sink
US10933605B2 (en) 2016-07-22 2021-03-02 The Gill Corporation Vibration damping system
US20180338396A1 (en) * 2017-05-16 2018-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component having electromagnetic shielding and method for producing the same
US10499489B2 (en) 2017-07-14 2019-12-03 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Defected ground structure with void having resistive material along perimeter to improve EMI suppression
CN111433549A (zh) 2017-07-17 2020-07-17 分形散热器技术有限责任公司 多重分形散热器系统及方法
US10622282B2 (en) * 2017-07-28 2020-04-14 Qualcomm Incorporated Systems and methods for cooling an electronic device
CN107453052B (zh) * 2017-08-11 2019-11-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种电磁吸收超材料
CN109413971A (zh) * 2017-08-15 2019-03-01 深圳富泰宏精密工业有限公司 屏蔽箱及射频衰减控制方法
CN108680586A (zh) * 2018-04-17 2018-10-19 南京财经大学 一种新粮掺陈检测方法
EA201800485A1 (ru) * 2018-08-14 2019-08-30 Научно-Производственное Общество С Ограниченной Ответственностью "Окб Тсп" Универсальное теплорадиопоглощающее покрытие
WO2020123500A1 (en) * 2018-12-10 2020-06-18 Laird Technologies, Inc. Electromagnetic interference (emi) absorbers and methods of mitigating emi
CN109659704A (zh) * 2019-01-07 2019-04-19 内蒙古大学 一种基于组合谐振结构的超宽频带吸波器及其制造方法
US11728570B2 (en) 2019-03-15 2023-08-15 Teledyne Flir Surveillance, Inc. Electromagnetic bandgap isolation systems and methods
US11855056B1 (en) 2019-03-15 2023-12-26 Eliyan Corporation Low cost solution for 2.5D and 3D packaging using USR chiplets
RU2713650C1 (ru) * 2019-03-19 2020-02-06 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Устройство экранирования электронных узлов многослойной СВЧ платы от электромагнитного излучения
CN110247192B (zh) * 2019-05-13 2020-06-02 华中科技大学 一种柔性电阻膜频率选择表面的制备方法和应用
US10727582B1 (en) 2019-05-24 2020-07-28 Raytheon Company Printed broadband absorber
DE102019218294B3 (de) * 2019-11-26 2021-05-12 Technische Universität Dresden Schutzfolie zur frequenzselektiven Abschirmung elektromagnetischer Strahlung
SE543424C2 (en) * 2020-01-31 2021-01-12 Gapwaves Ab A SCALABLE MODULAR ANTENNA ARRANGEMENT
CN111525276B (zh) * 2020-04-13 2022-01-04 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备
CN112086757B (zh) * 2020-09-14 2021-09-14 中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所 一种基于微带线谐振腔阵列的微波辐照吸收装置
CN112255603A (zh) * 2020-10-23 2021-01-22 济南浪潮高新科技投资发展有限公司 一种基于Jaumann屏的多频段双层FSS设计
CN113161760B (zh) * 2021-03-03 2022-08-02 西安理工大学 一种单元随机分布的全介质多带太赫兹超材料吸收器
US11855043B1 (en) 2021-05-06 2023-12-26 Eliyan Corporation Complex system-in-package architectures leveraging high-bandwidth long-reach die-to-die connectivity over package substrates
CN113517567B (zh) * 2021-05-21 2022-08-16 福州大学 一种应用于无线电能传输的可调频负磁导率超材料板
US11842986B1 (en) 2021-11-25 2023-12-12 Eliyan Corporation Multi-chip module (MCM) with interface adapter circuitry
US11841815B1 (en) 2021-12-31 2023-12-12 Eliyan Corporation Chiplet gearbox for low-cost multi-chip module applications
WO2023132560A1 (ko) * 2022-01-05 2023-07-13 한양대학교 산학협력단 분체 도장을 이용하여 복사 냉각 특성을 갖는 메타물질을 제조하는 방법
TWI825652B (zh) * 2022-04-01 2023-12-11 肥特補科技股份有限公司 隔離片與其製造方法及ｕｈｆ ｒｆｉｄ標籤
US20230352214A1 (en) * 2022-04-29 2023-11-02 Trusval Technology Co., Ltd. Method of manufacturing wire covering material for prevention of spillover loss during transmission of high frequency or ultra high frequency signal

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7719477B1 (en) * 2007-10-31 2010-05-18 Hrl Laboratories, Llc Free-space phase shifter having one or more columns of phase shift devices
CN102480035A (zh) * 2011-07-29 2012-05-30 深圳光启高等理工研究院 一种各向同性的全介电超材料及其制备方法
CN102544668A (zh) * 2010-12-10 2012-07-04 同济大学 一种基于高频印刷线路板的窄带滤波多路等功分器
CN102529229A (zh) * 2010-12-21 2012-07-04 镇江育达复合材料有限公司 吸波型pmi泡沫夹芯结构复合材料及其制备方法和应用
US20120228563A1 (en) * 2008-08-28 2012-09-13 Alliant Techsystems Inc. Composites for antennas and other applications
CN102683831A (zh) * 2011-03-15 2012-09-19 深圳光启高等理工研究院 一种有源波束扫描超材料
US20120235848A1 (en) * 2011-03-14 2012-09-20 Bruno William M Metamaterial for a radio frequency communications apparatus
CN102751582A (zh) * 2012-02-29 2012-10-24 深圳光启创新技术有限公司 一种超材料的制备方法
CN102800943A (zh) * 2011-05-31 2012-11-28 深圳光启高等理工研究院 一种双极化天线及具有该双极化天线的mimo天线

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3255052A (en) 1963-12-09 1966-06-07 Magnetics Inc Flake magnetic core and method of making same
US4162496A (en) 1967-04-03 1979-07-24 Rockwell International Corporation Reactive sheets
DE1916326A1 (de) 1968-04-01 1969-10-30 Barracudaverken Ab Tarnungsmittel zum Verhindern oder Hemmen der Entdeckung durch Radarerkundung
US3599210A (en) 1969-11-18 1971-08-10 Us Navy Radar absorptive coating
US4490283A (en) 1981-02-27 1984-12-25 Mitech Corporation Flame retardant thermoplastic molding compounds of high electroconductivity
US5786785A (en) 1984-05-21 1998-07-28 Spectro Dynamics Systems, L.P. Electromagnetic radiation absorptive coating composition containing metal coated microspheres
US4846699A (en) 1987-12-02 1989-07-11 Amp Incorporated Power connector system for daughter cards in card cages
US5099242A (en) * 1990-01-04 1992-03-24 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Novel shielding, reflection and scattering control using chiral materials
US5187220A (en) 1990-12-21 1993-02-16 Morton International, Inc. Thermosetting resin-based coating powders containing metal flakes
US5258596A (en) 1991-03-15 1993-11-02 Aluminum Company Of America Microwave absorber designs for metal foils and containers
GB2257302A (en) * 1991-06-28 1993-01-06 Grace Nv Chiral absorber
GB2257303A (en) * 1991-06-28 1993-01-06 Grace Nv Chiral absorbing structure
US5545474A (en) 1994-03-01 1996-08-13 Martin Marietta Corporation Electromagnetic-attenuating coating materials
US5656081A (en) 1995-06-07 1997-08-12 Img Group Limited Press for printing an electrical circuit component directly onto a substrate using an electrically-conductive liquid
JPH10185354A (ja) * 1996-12-20 1998-07-14 Paloma Ind Ltd 吸収器
US5872534A (en) 1997-10-01 1999-02-16 Fair-Rite Products Corporation High frequency broadband absorption structures
US6225939B1 (en) 1999-01-22 2001-05-01 Mcdonnell Douglas Corporation Impedance sheet device
JP2001060790A (ja) 1999-08-19 2001-03-06 Sony Corp 電波吸収体
US6538596B1 (en) 2000-05-02 2003-03-25 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Thin, broadband salisbury screen absorber
US6486822B1 (en) 2000-06-07 2002-11-26 The Boeing Company Chemically modified radar absorbing materials and an associated fabrication method
JP2003347787A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 電磁波吸収性組成物
US6788273B1 (en) 2002-09-19 2004-09-07 Raytheon Company Radome compensation using matched negative index or refraction materials
US6802907B2 (en) 2002-12-16 2004-10-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Removing radar absorbing coatings
US7256753B2 (en) 2003-01-14 2007-08-14 The Penn State Research Foundation Synthesis of metamaterial ferrites for RF applications using electromagnetic bandgap structures
US6756932B1 (en) * 2003-06-10 2004-06-29 Raytheon Company Microwave absorbing material
US20060150902A1 (en) 2004-03-09 2006-07-13 Eastman Kodak Company Powder coating apparatus and method of powder coating using an electromagnetic brush
JP4843611B2 (ja) * 2004-10-01 2011-12-21 デ，ロシェモント，エル．，ピエール セラミックアンテナモジュール及びその製造方法
ES2274674B1 (es) * 2004-12-24 2008-04-16 Micromag 2000, S.L. Absorbedor de radiacion electromagnetica basado en microhilos magneticos.
US7843026B2 (en) * 2005-11-30 2010-11-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Composite material with conductive structures of random size, shape, orientation, or location
CN101005730A (zh) * 2006-01-20 2007-07-25 佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司 减少电子产品电磁干扰之电路板
FR2900276B1 (fr) 2006-04-25 2008-09-12 St Microelectronics Sa Depot peald d'un materiau a base de silicium
US8063116B2 (en) 2006-08-25 2011-11-22 Sciessent Llc Antimicrobial powder coatings and method
JP2008135485A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Taika:Kk 電波吸収体およびその製造方法
US20090226673A1 (en) 2007-05-16 2009-09-10 Friedersdorf Fritz J High friction coating formulations and systems and coated articles thereof exhibiting radar signature reduction and methods of providing the same
US7750869B2 (en) * 2007-07-24 2010-07-06 Northeastern University Dielectric and magnetic particles based metamaterials
US9000869B2 (en) * 2007-08-14 2015-04-07 Wemtec, Inc. Apparatus and method for broadband electromagnetic mode suppression in microwave and millimeterwave packages
US8674792B2 (en) 2008-02-07 2014-03-18 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Tunable metamaterials
KR101042601B1 (ko) 2008-05-14 2011-06-20 한국전자통신연구원 저항성 재질을 이용한 공진형 전자파 흡수체
DE102008054624A1 (de) * 2008-12-15 2010-06-17 Robert Bosch Gmbh FMCW-Radarsensor für Kraftfahrzeuge
KR20100072383A (ko) 2008-12-22 2010-07-01 한국전자통신연구원 전자파 흡수체를 구비한 운송수단 용 자동 요금 징수 시스템, 운송용 장치, 건물형 구조물, 전자기기, 전자파 무반사실
GB0905312D0 (en) 2009-03-27 2009-05-13 Qinetiq Ltd Electromagnetic field absorbing composition
KR101007288B1 (ko) * 2009-07-29 2011-01-13 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 전자제품
CN101704312A (zh) 2009-11-06 2010-05-12 电子科技大学 复合电磁屏蔽材料及其制造方法
KR101286091B1 (ko) 2009-12-07 2013-07-15 한국전자통신연구원 다방향성 공진형 전자파 흡수체, 그것을 이용한 전자파 흡수성능 조정 방법 및 그 제조 방법
US9322953B2 (en) 2010-05-18 2016-04-26 Purdue Research Foundation Energy absorbing materials
CN106455369A (zh) 2010-06-03 2017-02-22 Ddi环球有限公司 利用盲过孔和内部微过孔以耦联子组件来制造印刷电路板的系统和方法
CN102315853A (zh) * 2010-07-07 2012-01-11 启碁科技股份有限公司 射频装置
CN102892278B (zh) * 2011-03-31 2015-05-20 深圳光启高等理工研究院 一种吸波超材料
CN102752996B (zh) 2011-04-20 2015-07-15 深圳光启高等理工研究院 频率可调的吸波装置
CN102752995A (zh) 2011-04-20 2012-10-24 深圳光启高等理工研究院 宽频带吸波超材料
EP2518823B1 (en) 2011-04-27 2013-07-03 Research In Motion Limited Antenna assembly utilizing metal-dielectric resonant structures for specific absorption rate compliance
CN102480846A (zh) * 2011-05-11 2012-05-30 深圳光启高等理工研究院 一种柔性基板的制备方法和柔性基板
US20130063296A1 (en) 2011-08-11 2013-03-14 Basf Se Microwave absorbing composition
JP5784537B2 (ja) 2012-03-30 2015-09-24 株式会社東芝 電波吸収体
CN202652820U (zh) * 2012-04-27 2013-01-02 南京紫台微波吸收材料有限公司 角锥型吸波体
CN102707537B (zh) * 2012-07-10 2015-01-07 大连理工大学 一种基于相变材料的可调谐超材料吸收器
CN102856663B (zh) * 2012-08-24 2014-07-23 电子科技大学 一种超材料宽带红外吸波结构材料
EP3890115A1 (en) 2013-03-15 2021-10-06 Flextronics AP LLC Method and apparatus for creating perfect microwave absorbing printed circuit boards

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7719477B1 (en) * 2007-10-31 2010-05-18 Hrl Laboratories, Llc Free-space phase shifter having one or more columns of phase shift devices
US20120228563A1 (en) * 2008-08-28 2012-09-13 Alliant Techsystems Inc. Composites for antennas and other applications
CN102544668A (zh) * 2010-12-10 2012-07-04 同济大学 一种基于高频印刷线路板的窄带滤波多路等功分器
CN102529229A (zh) * 2010-12-21 2012-07-04 镇江育达复合材料有限公司 吸波型pmi泡沫夹芯结构复合材料及其制备方法和应用
US20120235848A1 (en) * 2011-03-14 2012-09-20 Bruno William M Metamaterial for a radio frequency communications apparatus
CN102683831A (zh) * 2011-03-15 2012-09-19 深圳光启高等理工研究院 一种有源波束扫描超材料
CN102800943A (zh) * 2011-05-31 2012-11-28 深圳光启高等理工研究院 一种双极化天线及具有该双极化天线的mimo天线
CN102480035A (zh) * 2011-07-29 2012-05-30 深圳光启高等理工研究院 一种各向同性的全介电超材料及其制备方法
CN102751582A (zh) * 2012-02-29 2012-10-24 深圳光启创新技术有限公司 一种超材料的制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107834152A (zh) * 2017-11-16 2018-03-23 西安电子科技大学 一种利用fss和微型热管实现阵面散热的共形承载天线
CN108717999A (zh) * 2018-04-25 2018-10-30 深圳三星通信技术研究有限公司 一种大阵列天线的隔离结构及天线
CN108717999B (zh) * 2018-04-25 2022-07-19 深圳三星通信技术研究有限公司 一种大阵列天线的隔离结构及天线
CN111123210A (zh) * 2018-10-29 2020-05-08 安波福技术有限公司 具有穿过印刷电路板的槽过渡的雷达组件
CN111123210B (zh) * 2018-10-29 2023-09-05 安波福技术有限公司 具有穿过印刷电路板的槽过渡的雷达组件
CN112997360A (zh) * 2018-11-06 2021-06-18 华为技术有限公司 一种用于通信的射频天线、应用该天线的微波设备和通信系统
CN112997360B (zh) * 2018-11-06 2022-04-26 华为技术有限公司 一种用于通信的射频天线、应用该天线的微波设备和通信系统

Also Published As

Publication number Publication date
US9961812B2 (en) 2018-05-01
US10285312B2 (en) 2019-05-07
CN105340133A (zh) 2016-02-17
WO2014145860A1 (en) 2014-09-18
CN110600888A (zh) 2019-12-20
US20140266850A1 (en) 2014-09-18
US20140266849A1 (en) 2014-09-18
CN105431979A (zh) 2016-03-23
US20140264182A1 (en) 2014-09-18
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