CN105470244B - 一种多源自供电集成电路 - Google Patents

一种多源自供电集成电路 Download PDF

Info

Publication number
CN105470244B
CN105470244B CN201510980999.5A CN201510980999A CN105470244B CN 105470244 B CN105470244 B CN 105470244B CN 201510980999 A CN201510980999 A CN 201510980999A CN 105470244 B CN105470244 B CN 105470244B
Authority
CN
China
Prior art keywords
integrated circuit
substrate
area
source
collecting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510980999.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105470244A (zh
Inventor
陈远宁
戴征武
章伟聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Wei Nengwulian Science And Technology Ltd
Original Assignee
Ningbo Wei Nengwulian Science And Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Wei Nengwulian Science And Technology Ltd filed Critical Ningbo Wei Nengwulian Science And Technology Ltd
Priority to CN201510980999.5A priority Critical patent/CN105470244B/zh
Publication of CN105470244A publication Critical patent/CN105470244A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105470244B publication Critical patent/CN105470244B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • H01L27/0694—Integrated circuits having a three-dimensional layout comprising components formed on opposite sides of a semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供了一种多源自供电集成电路，包括多源能量采集器和集成电路，多源能量采集器和集成电路共同集成在P型或N型衬底上，多源能量采集器包括PN结和覆盖在PN结上的抗反射层；集成电路设置在与PN结相反一面的衬底上；衬底的外部包裹有封装外壳，封装外壳为U形结构或者全封闭结构，多源能量采集器的P区和N区分别通过封装外壳内的金属导线直接连接到集成电路，多源能量采集器采集能量后为集成电路供电。本发明能采集多种能源，并能够长期稳定提供电量；能在各种极端险恶环境中使用。

Description

一种多源自供电集成电路
技术领域
本发明涉及多源自供电集成电路，具体涉及一种与双源能源采集器集成的自供电集成电路，属于能源采集与电路集成应用的技术领域。
背景技术
目前，能够高效、低成本地获取周围环境的能量并将其转换为电能以替代或增强电池或其他常规电源、为低功耗电子设备供电的发电技术正越来越多地得到应用；上述发电技术常包括光伏发电、压电式发电、电动式发电、温差电等形式，如何将多种发电技术综合利用、形成多种能源采集的技术目前鲜少出现。
在无线传感器网络(WSN)等的应用中，有大量用于远程探测环境和当地物理参数(如温度、压力、流速、补平、化学物质存在以及生物条件等)的传感器，此类传感器大多应用在极端、偏远地区甚至危险的环境中，当与传感器配套使用的电源发生电量耗尽或者产生故障时，更换电源十分不便，且可能给工作人员的人身安全带来危险，甚至有的传感器一旦安装后电源根本无法更换(比如检测飞行器表面缺陷的传感器)；此外，有些传感器需要长期使用几十年(如10～30年)，那么就需要提供长期稳定的可靠电量供应。所以，急需一种可以长期提供可靠电量供应以及能在各种极端险恶环境中使用的自供电系统。
虽然各种发电技术和集成电路已经分别有相关的报道，但是将多种能源采集技术与集成电路集成为一个器件是一项全新的技术，实现这一全新的技术需要解决一系列新的问题，如：如何将多种能源采集技术与集成电路集成在一块硅片衬底上；如何选择合适的材料以及制备工艺来保证器件良好的性能等。
发明内容
为了克服现有技术中存在的如下缺点：(1)现有的能源采集技术只能转化单一能源为电能；(2)现有自供电系统的能量采集部分和存储部分为分立的元件，体积和成本较大，不便于安装或更换；(3)现有的自供电系统尚未出现能量采集和集成电路相集成的技术；(4)不能稳定地长期提供电量；(5)不能在各种极端险恶环境中使用；而本发明提供了一种多源自供电集成电路，其能够采集多种能源，综合利用；体积小、成本低；长期稳定提供电量；能在各种极端险恶环境中使用。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种多源自供电集成电路，包括多源能量采集器和集成电路，所述多源能量采集器和集成电路共同集成在P型或N型衬底上，所述多源能量采集器包括PN结和覆盖在PN结上的抗反射层；所述集成电路设置在与PN结相反一面的衬底上；所述衬底的外部包裹有封装外壳，封装外壳为U形结构或者全封闭结构，所述多源能量采集器的P区和N区分别通过封装外壳内的金属导线直接连接到集成电路，多源能量采集器采集能量后为集成电路供电。
进一步地，所述多源能量采集器还包括射频能源采集天线，射频能源采集天线设置在抗反射层上或者设置在与PN结相反一面的衬底上，或者同时在这两个面都设置；所述射频能源采集天线连接到集成电路，天线采集能量后为集成电路供电。
进一步地，所述射频能源采集天线与集成电路之间还设有乘法电路。所述乘法电路设置在衬底外部或者集成在衬底内。
进一步地，所述P区和N区分别设有重掺杂区，重掺杂区与集成电路相连。
一种多源自供电集成电路的制备方法，包括如下步骤：
(1)在P型或N型衬底上形成多源能量采集器的PN结，在具有PN结一面的衬底上通过绝缘体钝化工艺形成抗反射层；
(2)在与PN结相反一面的衬底上覆盖外延层，在外延层上利用集成电路制备工艺制备集成电路；
(3)制备衬底的封装外壳，所述封装外壳包裹在衬底的外周并连接衬底的正反两面，形成两个U形结构或者一个全封闭结构，封装外壳分别与集成电路和多源能量采集器的P区和N区联通，使用金属沉积工艺分别在封装外壳内形成金属导线，金属导线将集成电路分别连接到所述多源能量采集器的P区和N区。
进一步地，在抗反射层的表面或者在与PN结相反一面的衬底上，或者同时在这两个表面上，通过金属淀积工艺形成射频能源采集天线；然后使用金属沉积、光刻、剥离或掩膜工艺形成金属连接线，将射频能源采集天线连接到集成电路为其供电。
进一步地，所述射频能源采集天线与集成电路之间还连接有乘法电路。所述乘法电路设置在衬底外部，或者与集成电路同时集成在衬底内。
进一步地，在PN结的P区和N区内分别制备有重掺杂区，两个连接孔分别与重掺杂区连通。
本发明具有的有益效果如下：
(1)本发明能够综合采集多种能源。一体化的光伏太阳能电池和射频能源采集天线形成多能源采集系统，可以作为本发明自供电模块上的唯一电源或者备用电源。由于本发明有两种方式供电，避免了供电不稳定性的问题。
(2)本发明的多源自供电集成电路的优势是可以在险恶环境、不安全环境下，或者无电源或不可更换电池情况下，或者系统需要非常长期的运作(如10-30年)的情况下使用。
(3)本发明与传感器联合使用，可用于远程监视环境或其他当地条件敏感期间的数据，例如：在传感器网络中使用的对森林条件进行远程和持续时间较长的监测，以提供早期检测数据和森林火灾的位置，或者本发明用于检测飞行器的的表面缺陷等。
(4)本发明将光伏太阳能电池、射频能源采集天线以及集成电路集成设置在同一块硅片衬底上，体积缩小，成本大大降低。由于光伏太阳能电池和射频发电工艺与集成电路工艺兼容，所以几乎不增加生产成本，而且本发明外加能源采集器件成本较低，体积小。
(5)本发明能在各种环境中使用，如偏远地区、森林防火、不方便换电池、使用期长(10-30年)、节点过多、更换电池费用太高、电池对环境产生的污染等。
附图说明
图1是本发明的集成电路和太阳能电池的连接方式的示意图；
图2是实施例中的乘法电路的示意图；
图3是实施例中的射频能源采集天线的放大示意图；
其中，1-P型衬底(P区)，2-N区，3-抗反射层，4-射频能源采集天线，5-集成电路，6-集成电路联线，7-外延层，8-绝缘层，9-封装外壳，10-U形结构，11-栅极，12-源极，13-漏极，14-NMOS晶体管，15-PMOS晶体管。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
本实施例的多源自供电集成电路的结构如下：光伏太阳能电池和射频能源采集天线4以及集成电路共同制作在一个共同的P型衬底1上，光伏太阳能电池和射频能源采集天线4分别通过电路连接为集成电路提供能量。
衬底1为半导体硅片，该硅片的厚度约为700微米，可以是直径为100毫米、200毫米或300毫米的圆形或正方形的硅晶片。
如图1所示，在P型衬底1的背面，用N型掺杂剂形成一个掺杂的N区2，N区2的厚度约为1～2微米，其和P型衬底1(即P区)形成太阳能电池的PN结，还可以进一步地分别在PN结的P区和N区2内制备形成重掺杂区。其中，上述掺杂采用离子注入的方式(如磷、砷等离子)，后加一个或多个热退火工艺激活(如1000℃炉管内高温扩散约1小时，快速热退火800-1000℃(RTP)约1秒～3分钟，1100-1300℃激光退火约1秒-2分钟)，以上形成高效率的太阳能电池。
在P型衬底1的背面，覆盖一个或多个抗反射层3用作保护层，抗反射层3的材质可为氮化硅(SixNy)或氧化硅(SiOz)等具有高介电常数的绝缘材质，以上绝缘钝化工艺包括等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)和化学气相沉积法(CVD)等。
然后在抗反射层3的表面，通过金属沉积工艺(如溅射的方式)形成射频能源采集天线4，溅射的金属包括铝、金、银、钨、铜或氮化钛等；然后使用光刻或其他图形产生方式，如剥离(lift off)、掩膜(shadow mask)等和金属沉积工艺形成金属连接线，将射频能源采集天线4连接到集成电路5为其供电。
在P型衬底1的正面，覆盖大约3微米厚的外延层7，在外延层7上设有集成电路5(包括PMOS晶体管15和NMOS晶体管14)和其它电路器件；该其他电路器件包括乘法电路(即电压倍增电路)，具体电路结构如图2所示，该乘法电路由标准集成电路工艺实现，由射频能源采集天线4输入能源，输出可以为集成电路5供给能量。该乘法电路也可以不设置在外延层7上，也设置在衬底1的外部(如衬底背面或者外接分立电路)。
关于晶体管的形成，采用掺杂制造步骤(正负离子的注入，如磷、砷、硼、氟化硼离子)以提供n型或p型区，然后再形成栅极11/电介质堆叠结构，再通过掺杂以提供p型或n型的源极12/漏极13(同一个晶体管的源极12和漏极13同为P型或者N型)，栅极11、源极12和漏极13由金属硅化物或其他材料作为接触地层。集成电路5还配有集成电路联线6。
在外延层7的表面形成一层或者多层绝缘层8，在最外层的绝缘层8上也可以设置有射频能源采集天线4。
射频能源采集天线4主要是用于采集能量，诸如射频能量等各种形式的能量，并将采集到的能量传送至集成电路5，集成电路5连接各种传感器，用于监测数据指标；相应的，射频能源采集天线4还能将集成电路5中的存储的能量以诸如无线电信号方式进行能量发送，进而实现对其他器件结构的无线充电。为了提高射频能源采集天线4能量采集的效率及范围，本实施例中可将该射频能源采集天线4设置为如图3所示的包括非闭合的钩状结构的射频能量采集单元等结构。在具体的工艺过程中，可根据具体的需求或器件结构特点，还可将该射频能源采集天线4设置在其他区域，只要其能够有利于实现诸如光电等各种形式能量的采集或发送即可。
如图1所示，关于自供电集成电路和太阳能电池之间的连接方式如下：在绝缘层8中设置多根集成电路联线6，集成电路联线6连接集成电路5并从绝缘层8中延伸出来。
利用贝壳封装(shellcase)或者其他封装技术设置封装外壳9，封装外壳9包裹衬底1的侧面并连接衬底的正反两面，并形成2个U形结构10或者形成一个全封闭贝壳形结构：其中一个U形结构10(或者全封闭贝壳形结构的一部分)连接集成电路5的漏极13和P区，另一个U形结构10(或者全封闭贝壳形结构的一部分)连接集成电路5的源极12和N区2，在封装外壳9(即两个U形结构10或者全封闭贝壳形结构)内分别设置金属导线，金属导线分别连接集成电路联线6和P区或N区2，从而太阳能电池可以为集成电路供电。
本实施例制备多源自供电集成电路的具体步骤如下：
(1)在具有P型衬底1的表面上，旋涂光刻胶，并经固化显影后去除多余的光刻胶，形成具有图案的掩膜，依次采用固体扩散或离子注入的方式进行掺杂和退火，在P型衬底1上形成一个掺杂N区2，从而形成太阳能电池的PN结；另外，可以进一步分别在P区和N区2再掺杂形成重掺杂区。
(2)在具有PN结一面的衬底1上，通过PECVD或CVD方法形成保护层，该保护层优选的可为抗反射层3，材质可选为氮化硅(SixNy)或氧化硅(SiOz)，如二氧化硅等材质；然后，在抗反射层3的表面，通过溅射的方式形成射频能源采集天线4，溅射的金属包括铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)或氮化钛(TiN)等；然后使用光刻或其他图形产生方式，如剥离(lift off)、掩膜(shadow mask)等和金属沉积工艺形成金属连接线，将射频能源采集天线4连接到集成电路为其供电。射频能源采集天线4也可以叠加几次金属淀积工艺以形成厚金属膜。
(3)将上述结构进行翻转固定至预先提供的承载晶圆上，在PN结的背面的衬底1上设置大约3微米厚度的外延层7，在外延层7上设有PMOS晶体管15和NMOS晶体管14以及乘法电路：乘法电路分别与射频能源采集天线4和集成电路5连接，射频能源采集天线4采集能源后，通过乘法电路放大电压信号，为集成电路5供给能量。
关于有PMOS晶体管15和NMOS晶体管14的形成步骤如下：采用掺杂制造步骤(正负离子的注入，如磷、砷、硼、氟化硼离子)在外延层7上形成n型或p型区，然后形成栅极11/电介质堆叠结构，再通过掺杂方法来提供p型或n型源极12/漏极13，栅极11、源极12和漏极13由金属硅化物或其他材料作为接触地层。
(4)在外延层7的表面上覆盖绝缘层8，在绝缘层8中纵向设置多根集成电路联线6，集成电路联线6连接外延层7的集成电路5并从绝缘层8延伸出来。
(5)利用贝壳封装(shellcase)等封装技术设置封装外壳9，如China Wafer LevelCsp Co.,Ltd.公司的封装技术。封装外壳9包裹衬底1的侧面并连接衬底的正反两面，并形成2个U形结构10(或者形成一个全封闭贝壳形结构)，其中一个U形结构10(或者全封闭贝壳形结构的一部分)连接集成电路5的漏极13和P区，另一个U形结构10(或者全封闭贝壳形结构的另一部分)连接集成电路5的源极12和N区2，利用金属沉积工艺分别在封装外壳9内形成金属导线，金属导线分别连接集成电路联线6和P区或N区2，从而太阳能电池可以为集成电路提供电量供应。

Claims (9)

1.一种多源自供电集成电路，其特征在于，包括多源能量采集器和集成电路，所述多源能量采集器和集成电路共同集成在P型或N型衬底上，所述多源能量采集器包括PN结和覆盖在PN结上的抗反射层；所述集成电路设置在与PN结相反一面的衬底上；所述衬底的外部包裹有封装外壳，封装外壳为U形结构或者全封闭结构，所述多源能量采集器的P区和N区分别通过封装外壳内的金属导线直接连接到集成电路，多源能量采集器采集能量后为集成电路供电；所述多源能量采集器还包括射频能源采集天线，射频能源采集天线设置在抗反射层上或者设置在与PN结相反一面的衬底上，或者同时在这两个面都设置；所述射频能源采集天线连接到集成电路，天线采集能量后为集成电路供电；所述射频能量采集天线包括非闭合的钩状结构的射频能量采集单元，所述非闭合的钩状结构包括直线部分和钩子部分，其中直线部分的宽度小于钩子部分的宽度，钩子部分的开口面积小于闭合面积。
2.如权利要求1所述的一种多源自供电集成电路，其特征在于，所述射频能源采集天线与集成电路之间还设有乘法电路。
3.如权利要求2所述的一种多源自供电集成电路，其特征在于，所述乘法电路设置在衬底外部或者集成在衬底内。
4.如权利要求1至3之一所述的一种多源自供电集成电路，其特征在于，所述P区和N区分别设有重掺杂区，重掺杂区与集成电路相连。
5.一种如权利要求1所述的多源自供电集成电路的制备方法，其特征在于，
所述制备方法包括如下步骤：
(1)在P型或N型衬底上形成多源能量采集器的PN结，在具有PN结一面的衬底上通过绝缘体钝化工艺形成抗反射层；
(2)在与PN结相反一面的衬底上覆盖外延层，在外延层上利用集成电路制备工艺制备集成电路；
(3)制备衬底的封装外壳，所述封装外壳包裹在衬底的外周并连接衬底的正反两面，形成两个U形结构或者一个全封闭结构，封装外壳分别与集成电路和多源能量采集器的P区和N区联通，使用金属沉积工艺分别在封装外壳内形成金属导线，金属导线将集成电路分别连接到所述多源能量采集器的P区和N区。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在抗反射层的表面或者在与PN结相反一面的衬底上，或者同时在这两个表面上，通过金属淀积工艺形成射频能源采集天线；然后使用金属沉积、光刻、剥离或掩膜工艺形成金属连接线，将射频能源采集天线连接到集成电路为其供电。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述射频能源采集天线与集成电路之间还连接有乘法电路。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述乘法电路设置在衬底外部，或者与集成电路同时集成在衬底内。
9.如权利要求5至8之一所述的制备方法，其特征在于，在PN结的P区和N区内分别制备有重掺杂区，两个连接孔分别与重掺杂区连通。
CN201510980999.5A 2015-12-23 2015-12-23 一种多源自供电集成电路 Active CN105470244B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510980999.5A CN105470244B (zh) 2015-12-23 2015-12-23 一种多源自供电集成电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510980999.5A CN105470244B (zh) 2015-12-23 2015-12-23 一种多源自供电集成电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105470244A CN105470244A (zh) 2016-04-06
CN105470244B true CN105470244B (zh) 2019-01-25

Family

ID=55607792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510980999.5A Active CN105470244B (zh) 2015-12-23 2015-12-23 一种多源自供电集成电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105470244B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943573A (zh) * 2013-12-31 2014-07-23 西安汐特电子科技有限公司 一种新型集成电路内部封装方法
CN103985720A (zh) * 2013-02-13 2014-08-13 飞思卡尔半导体公司 太阳能供电的ic芯片
CN104867923A (zh) * 2015-04-17 2015-08-26 宁波微能物联科技有限公司 自供电电子器件结构及其制备方法
CN205248265U (zh) * 2015-12-23 2016-05-18 宁波微能物联科技有限公司 一种多源自供电集成电路

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010035269A2 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Shani Keysar Integrated solar powered device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103985720A (zh) * 2013-02-13 2014-08-13 飞思卡尔半导体公司 太阳能供电的ic芯片
CN103943573A (zh) * 2013-12-31 2014-07-23 西安汐特电子科技有限公司 一种新型集成电路内部封装方法
CN104867923A (zh) * 2015-04-17 2015-08-26 宁波微能物联科技有限公司 自供电电子器件结构及其制备方法
CN205248265U (zh) * 2015-12-23 2016-05-18 宁波微能物联科技有限公司 一种多源自供电集成电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN105470244A (zh) 2016-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1979951B1 (en) Solar cell
AU2021225181B2 (en) Solar cell with trench-free emitter regions
Yan et al. MEMS-based thermoelectric–photoelectric integrated power generator
CN108428782A (zh) 射频收发机中的多晶硅纳米线热电偶微型热电式发电机
CN105161551A (zh) 一种可以降低InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的表面钝化方法
CN105659389B (zh) 光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统
CN105470244B (zh) 一种多源自供电集成电路
CN107395137B (zh) 面向物联网的具有自供电功能的mos管放大器
CN205248265U (zh) 一种多源自供电集成电路
CN108447876A (zh) 射频收发机中的多晶硅纳米薄膜热电偶微型能量收集器
CN105428357B (zh) 多源自供电集成电路
CN109891590A (zh) 集成热电发电机及相关的制造方法
CN205248271U (zh) 多源自供电集成电路
CN107302029B (zh) 面向物联网的硅基具有热电转换功能的mosfet器件
CN107710420A (zh) 光电转换装置
CN114093899B (zh) 一种集成太阳能电池的探测器及其制作方法
CN108512488A (zh) 射频收发机中长条型热电与pn结纳米光电集成发电机
Zhang et al. Effect of emitter layer doping concentration on the performance of a silicon thin film heterojunction solar cell
KR102487510B1 (ko) 간소화 침착 공정으로 제조한 태양 전지
CN108511591A (zh) 多晶硅纳米线矩形阵列和超晶格光电结构微型能量收集器
CN108540045A (zh) 基于垂直型纳米热电偶和超晶格光电结构的微型发电机
CN107293582B (zh) 面向物联网的硅基具有热电转换功能的bjt器件
CN107395177B (zh) 面向物联网的具有自供电功能的mesfet管放大器
CN108493283A (zh) 基于多晶硅纳米薄膜热电偶和纳米pn结的微型能量收集器
CN108540044A (zh) 基于多晶硅纳米线矩形阵列和纳米pn结的微型能量收集器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant