CN105448731B

CN105448731B - 鳍式场效应晶体管的形成方法

Info

Publication number: CN105448731B
Application number: CN201410443001.3A
Authority: CN
Inventors: 王文博
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2014-09-02
Filing date: 2014-09-02
Publication date: 2019-04-26
Anticipated expiration: 2034-09-02
Also published as: CN105448731A

Abstract

本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底及鳍部表面；形成位于第一介质层表面且横跨鳍部的牺牲结构；以所述牺牲结构为掩模，刻蚀所述第一介质层直至暴露出鳍部；形成位于所述牺牲结构两侧鳍部的源漏区；形成与牺牲结构顶面齐平的第二介质层；去除牺牲结构及牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极结构。本发明的实施例简化了制造工艺，避免了牺牲结构材料在沟槽中的残留，改善了沟槽的尺寸均匀度，有利于金属栅极结构的形成，提升器件电学性能。

Description

鳍式场效应晶体管的形成方法

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种鳍式场效应晶体管的形成方法。

背景技术

传统的平面MOS晶体管通过在栅极施加电压，调节通过沟道区域的电流来产生“开”、“关”信号。当半导体技术节点不断缩小时，传统的平面MOS晶体管由于沟道长度缩短，造成栅极电压对沟道电流的控制能力变弱，产生严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，它利用3D立体的沟道结构，在不增加晶体管面积的情况下，增加了沟道长度，改善了技术节点缩小后的器件电学性能。鳍式场效应晶体管一般包括凸出于半导体衬底表面的作为沟道的鳍部、覆盖所述鳍部顶部和鳍部部分侧壁的栅极结构以及位于所述栅极结构两侧鳍部内的源漏区。

随着工艺节点的进一步减小，高K金属栅极结构与鳍式场效应晶体管的结合应运而生；而后栅(gate-last)工艺由于能够获得理想的阈值电压并改善器件性能，被广泛应用于制造具有高K金属栅极结构的鳍式场效应晶体管；但后栅工艺需要借助伪栅结构来形成高K金属栅极结构，形成工艺复杂且器件性能较差。

发明内容

本发明实现的目的是，通过在高于鳍部顶面的第一介质层表面形成牺牲结构，再去除牺牲结构和牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽，降低了制造工艺难度，避免了牺牲结构材料残余为金属栅极结构带来的缺陷，同时改善了金属栅极结构的尺寸均匀度，获得器件电学性能提升。

为实现上述目的，本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底及鳍部表面，所述第一介质层表面高于鳍部顶面；形成位于第一介质层表面且横跨鳍部的牺牲结构；以所述牺牲结构为掩模，刻蚀所述第一介质层直至暴露出鳍部；形成位于所述牺牲结构两侧鳍部的源漏区；形成与牺牲结构顶面齐平的第二介质层，且所述第二介质层覆盖源漏区和第一介质层表面；去除牺牲结构及牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极结构。

可选的，所述第一介质层表面高于鳍部顶面的高度为

可选的，所述牺牲结构的高度为

可选的，所述牺牲结构的材料为多晶硅、锗或者锗硅。

可选的，所述去除牺牲结构的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

可选的，去除牺牲结构的干法刻蚀，刻蚀气体包含CF₄、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、SF₆、NF₃、HBr、Cl₂和O₂中的一种或几种，刻蚀气体的流量为5标况毫升每分～300标况毫升每分，偏压为50V～400V，功率为200W～500W，温度为30℃～60℃。

可选的，去除牺牲结构的湿法刻蚀，采用四甲基氢氧化胺溶液，四甲基氢氧化胺的质量百分比浓度为1％～10％，溶液温度为10℃～50℃。

可选的，去除牺牲结构下方部分深度的第一介质层的方法为干法刻蚀，刻蚀气体包含CF₄、C₃F₈、C₄F₈、CHF₃、NF₃、SiF₄、Ar、He、O₂或者N₂中的一种或几种，刻蚀气体的流量为50标况毫升每分～500标况毫升每分，偏压为50V～600V，功率为100W～600W，温度为30℃～70℃。

可选的，所述暴露出部分鳍部的高度为

可选的，所述沟槽的深度为

可选的，所述鳍部的高度为

可选的，所述源漏区的形成方法为选择性外延生长。

可选的，源漏区掺杂有P型离子或N型离子，掺杂方法为原位掺杂。

可选的，所述金属栅极结构包括位于所述沟槽表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面且填充满所述沟槽的金属层。

可选的，所述栅介质层的厚度为栅介质层材料为氧化铪、氮氧化铪、氧化锆或者氮氧化锆。

可选的，所述金属层材料为Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN、WSi中的一种或多种组合。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本实施例中鳍式场效应晶体管的形成方法，通过在高于鳍部顶面的第一介质层表面形成牺牲结构，再去除牺牲结构和牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽。所述牺牲结构高宽比小，容易完全去除牺牲结构而不形成残留，且所述牺牲结构形成于平坦的第一介质层表面，相比于横跨鳍部的伪栅结构，本实施例的牺牲结构形成工艺简单、高宽比低、尺寸均匀度好，同时由于最终的沟槽是由牺牲结构定义出来的，因此获得的沟槽也具有较好的尺寸均匀度，有利于形成没有缺陷、尺寸均匀度好的金属栅极结构，提升器件的电学性能。

进一步地，由于所述牺牲结构位于第一介质层表面，并未与鳍部接触，所述牺牲结构的形成过程中不会对牺牲结构两侧鳍部造成损伤，尽可能多的保留了鳍部高度，有利于后续在所述牺牲结构两侧鳍部形成源漏区，提高器件的电学性能。

附图说明

图1至图4为本发明一实施例的鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图；

图5至图17为本发明另一实施例的鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有技术中形成具有高K金属栅极结构的鳍式场效应晶体管形成工艺复杂且器件性能较差。

针对上述缺陷进行研究发现：高K金属栅极结构内残留有伪栅极材料，为高k金属栅极结构带来缺陷，同时影响了高k金属栅极结构的尺寸均匀度，造成了器件电学性能下降甚至失效。

为了进一步说明，本发明提供一高K金属栅极结构的鳍式场效应晶体管的形成方法实施例。

请参考图1，提供半导体衬底10，所述半导体衬底10上具有若干鳍部11；

请参考图2，形成位于所述半导体衬底10表面且横跨所述鳍部11的伪栅结构12；

并以所述伪栅结构12为掩模，在所述伪栅结构12两侧的鳍部11内形成源漏区(未示出)；

请参考图3，形成于所述伪栅结构12齐平的介质层13，所述介质层13覆盖所述鳍部11(请参考图2)；

请参考图4，去除所述伪栅结构12，形成沟槽14；

在所述沟槽14内形成高K金属栅极结构。

对上述实施例进行研究发现，由于伪栅结构12具有较大的高宽比，且由于伪栅结构12位于半导体衬底10表面且横跨鳍部11，伪栅结构的尺寸均匀度低，因此，去除伪栅结构12形成沟槽14的步骤中，形成的沟槽对应的也具有较大的深宽比，容易导致伪栅结构12不易去除，残留于沟槽14的侧壁和底部。

为解决上述问题，本发明提供了另一种鳍式场效应晶体管的形成方法实施例，通过在高于鳍部顶面的第一介质层表面形成牺牲结构，再去除牺牲结构和牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽。所述牺牲结构高宽比小，容易完全去除牺牲结构而不形成残留，且所述牺牲结构形成于平坦的第一介质层表面，相比于之前实施例的横跨所述鳍部11的伪栅结构12，本实施例的牺牲结构形成工艺简单、高宽比低、尺寸均匀度好，同时由于最终的沟槽是由牺牲结构定义出来的，因此获得的沟槽也具有较好的尺寸均匀度，有利于形成没有缺陷、尺寸均匀度好的金属栅极结构，提升器件的电学性能。

为使本方法的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本方法的具体实施方式做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

参考图5，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100表面形成有鳍部101。

所述半导体衬底100为硅衬底，所述鳍部101材料与半导体衬底100材料相同，所述鳍部101的高度为

在半导体衬底100表面形成鳍部101的步骤包括：在半导体衬底100表面形成掩模，所述掩模图形与待形成的鳍部对应；刻蚀所述半导体衬底100，形成鳍部101；去除掩模。

作为一个实施例，所述掩模材料为光阻(PR)。

作为另一个实施例，所述掩模为自对准的双重图形掩模。自对准的双重图形掩模能够降低光刻工艺的难度，提高掩模尺寸的均匀性，采用自对准的双重图形掩模能够形成的较小特征尺寸的鳍部101。

参考图6，形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底100及鳍部101表面，所述第一介质层表面高于鳍部101表面。

需要说明的是，所述第一介质层可以为单层结构或多层结构，在本实施例中，以所述第一介质层包括覆盖半导体衬底100及鳍部101表面的第三介质层102和覆盖第三介质层102的第四介质层103为例，做示范性说明。

所述第三介质层102的材料为氮化硅或者氮氧化硅，厚度为形成第三介质层102的工艺为炉管生长、物理气相沉积、化学气相沉积或者原子层沉积。所述第三介质层102用于在后续刻蚀过程中作为第四介质层103的刻蚀阻挡层，从而避免鳍部101在刻蚀工艺中受等离子体刻蚀损伤。

所述第四介质层103的材料为氧化硅，沉积所述第四介质层103的工艺为化学气相沉积。作为一实施例，第四介质层103表面比鳍部101顶面高出的距离为d，d的范围为

形成第四介质层103的步骤包括：在所述第三介质层102表面采用化学气相沉积形成氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜厚度至少高于鳍部101顶端的第三介质层102，采用化学机械抛光平坦化氧化硅薄膜直至形成第四介质层103。

为了便于理解本发明，请同时参考图7和图8，图7为在图6基础上形成位于第一介质层表面且横跨鳍部101的牺牲结构104的俯视图，图8为图7沿切割线AA’方向的剖面结构示意图。

其中，由于在图7中鳍部101被第一介质层(在本实施例中为第三介质层和第四介质层103)覆盖，在实际的俯视图中不可见，因此，在图3中鳍部101用虚线表示。

所述牺牲结构104的材料为多晶硅、锗或者锗硅。以多晶硅为示范例，形成所述牺牲结构104的步骤包括：采用化学气相沉积在第一介质层表面形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成掩膜，所述掩膜图案与牺牲结构对应；刻蚀所述多晶硅层直至暴露出第一介质层，形成牺牲结构104。

在一实施例中，所述牺牲结构104的高度为

需要说明的是，由于本实施例中，所述牺牲结构104的高度为且形成于第一介质层的平坦表面，与鳍部101无直接接触。相比于之前实施例的具有较大高宽比的伪栅结构，本实施例中，形成牺牲结构104的工艺简单且可重复性高，牺牲结构的高宽比低且尺寸均匀性好。

参考图9和图10，图9为俯视图，图10为图9沿切割线BB’方向的剖面结构示意图，以所述牺牲结构104为掩模，刻蚀所述第一介质层直至暴露出鳍部101；形成位于所述牺牲结构104两侧的鳍部101的源漏区105。

在本实施例中，偏置侧墙106及主侧墙107均采用干法刻蚀的反向刻蚀工艺形成，偏置侧墙106顶部和主侧墙107顶部为圆弧形，主侧墙107同时覆盖了偏置侧墙106侧壁及顶部，参考图10，因此在俯视图9中偏置侧墙106不可见。

在一实施例中，所述源漏区105的形成步骤包括：形成位于牺牲结构104两侧侧壁上的偏置侧墙106；以牺牲结构104及偏置侧墙106为掩模，刻蚀第一介质层，露出部分鳍部101顶面及侧面；对鳍部101露出部分进行轻掺杂源漏离子注入；形成位于偏置侧墙106两侧侧壁上的主侧墙107；在主侧墙107两侧鳍部101形成源漏区105。

所述偏置侧墙106的材料为氮化硅或者氮氧化硅，偏置侧墙106适于控制轻掺杂源漏离子注入的注入区域与沟道的距离。

所述主侧墙107的材料为氮化硅或者氮氧化硅，主侧墙109适于控制源漏区105与沟道的距离。

在一个实施例中，所述形成源漏区105的方法为选择性外延生长，并在选择性外延生长的同时原位掺杂P型离子或者N型离子，所述选择性外延生长的温度为500℃～800℃，气压为1托～100托，反应气体为硅源气体SiH₄或SiH₂Cl₂及P型离子前驱气体的混合气体，或者为硅源气体SiH₄或SiH₂Cl₂及N型离子前驱气体的混合气体，所述混合气体的流量为1标况毫升每分～1000标况毫升每分。所述P型离子的前驱气体为BH₃或者B₂H₆，N型离子的前驱气体为PH₃。

在本实施例中，牺牲结构104刻蚀停止于第一介质层表面，只在轻掺杂源漏离子注入前，再刻蚀掉部分第一介质层材料以暴露出鳍部101部分顶面及侧面，这样就最大程度的减少了对鳍部101材料造成的损伤，有利于后续源漏区105的形成，从而提高电学性能。在之前一个实施例中，伪栅结构横跨鳍部且刻蚀停止于浅沟道隔离区表面，而所述浅沟道隔离区表面远远低于鳍部顶面，因此形成伪栅结构的过程将对伪栅结构两侧鳍部造成大量的过刻蚀，从而降低了鳍部的高度，后续形成的源漏区将直接影响鳍式场效应晶体管的电学性能。本实施例与之前实施例相比，有效减少了对源漏区鳍部的损伤。

参考图11，形成与牺牲结构104顶面齐平的第二介质层，且所述第二介质层覆盖源漏区105和第一介质层表面。

需要说明的是，所述第二介质层可以为单层结构或多层结构，在本实施例中，以所述第二介质层包括覆盖源漏区105及第一介质层表面的第五介质层108和覆盖第五介质层108的阻挡层109为例，做示范性说明。

在一个实施例中，所述第五介质层108的材料为氧化硅，形成所述第五介质层108的步骤包括：在源漏区105及第一介质层表面化学气相沉积氧化硅薄膜；对所述氧化硅薄膜进行化学机械抛光，直至露出牺牲结构104顶面；刻蚀所述氧化硅薄膜，使其表面低于牺牲结构104顶面，形成第五介质层108。

所述刻蚀氧化硅薄膜形成第五介质层108的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。所述湿法刻蚀，作为一个实施例，采用氢氟酸溶液，HF的质量百分比浓度为0.05％～0.5％，溶液温度为20℃～40℃。

在一个实施例中，所述阻挡层109的材料为氮化硅，形成阻挡层109的步骤包括：在第五介质层108及牺牲结构104表面物理气相沉积、化学气相沉积或者原子层沉积氮化硅薄膜；对所述氮化硅薄膜进行化学机械抛光，直至露出牺牲结构104顶面，形成所述阻挡层109。阻挡层109能够保护第五介质层108在去后续除牺牲结构及牺牲结构下方部分第一介质层的时候不被消耗。

为了便于理解本发明，请同时参考图12、图13和图14，图12为在图11的基础上去除牺牲结构及牺牲结构下方部分深度的第一介质层102直至暴露出部分鳍部101的顶面和侧面，形成沟槽110的俯视图，图13为图12沿切割线CC’方向的剖面结构示意图，图14为图12沿切割线DD’方向的剖面结构示意图。

所述沟槽110的深度为

所述暴露出部分鳍部101的高度为

所述去除牺牲结构的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。在一个实施例中，所述干法刻蚀的刻蚀气体包含CF₄、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、SF₆、NF₃、HBr、Cl₂和O₂中的一种或几种，刻蚀气体的流量为5标况毫升每分～300标况毫升每分，偏压为50V～400V，功率为200W～500W，温度为30℃～60℃。在另一个实施例中，所述湿法刻蚀采用四甲基氢氧化胺溶液，四甲基氢氧化胺的质量百分比浓度为1％～10％，溶液温度为10℃～50℃。

本发明实施例中的牺牲结构高度为不仅高宽比低，而且尺寸均匀性好，降低了此处去除牺牲结构的工艺难度，减少了牺牲结构材料残留几率。进一步的，所述牺牲结构位于第一介质层表面，去除牺牲结构的刻蚀工艺对第一介质层的选择比大于15，因此还可以通过较大的过刻蚀将牺牲结构完全去除，不留残余。

去除牺牲结构下方部分第一介质层的步骤包括：去除部分第四介质层103，暴露出第三介质层102表面；去除暴露出的第三介质层102，暴露出部分鳍部101的顶面及侧面。

所述去除部分第四介质层103的方法为干法刻蚀，在一个实施例中，所述干法刻蚀的刻蚀气体包含CF₄、C₃F₈、C₄F₈、CHF₃、NF₃、SiF₄、Ar、He、O₂或者N₂中的一种或几种，刻蚀气体的流量为50标况毫升每分～500标况毫升每分，偏压为50V～600V，功率为100W～600W，温度为30℃～70℃。

所述去除暴露出的第三介质层102的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。在一个实施例中，所述干法刻蚀的刻蚀气体包含CF₄、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、SF₆、NF₃、SO₂、O₂和N₂中的一种或几种，刻蚀气体的流量为5标况毫升每分～300标况毫升每分，偏压为100V～400V，功率为200W～500W，温度为30℃～70℃。在另一个实施例中，所述湿法刻蚀采用热磷酸溶液，磷酸的质量百分比浓度为75％～90％，温度为120℃～180℃。

在本发明的实施例中，去除牺牲结构下方的部分第一介质层时，实际上是以阻挡层109为掩模，在去除了牺牲结构的区域继续向下刻蚀第一介质层，形成的沟槽110继承了原牺牲结构的尺寸均匀度，因此所述沟槽110的尺寸均匀度也较好。同时，由于沟槽110的下半部分为去除部分第一介质层而形成的，通过对工艺参数的控制，能够获得平整度高的侧壁表面，这也能够提高沟槽110的整体尺寸均匀度。

进一步地，在本实施例中，第三介质层102起到调整刻蚀选择比保护鳍部101不受刻蚀工艺损伤的作用。去除部分第四介质层103时，第四介质层材料对第三介质层材料的选择比大于15；去除部分第三介质层并暴露部分鳍部101顶面及侧面时，第三介质层材料对鳍部材料的选择比大于10。

结合上述说明，通过本实施例的方法去除牺牲结构及牺牲结构下方的部分第一介质层，能够形成尺寸均匀度高、侧面及底面无牺牲结构材料残留的沟槽110，所述沟槽110有利于后续形成尺寸均匀度高、无缺陷无杂质的金属栅极结构，提高器件电学性能。

为了便于理解本发明，请同时参考图15、图16和图17，图15为在图14基础上在所述沟槽110内形成金属栅极结构111的俯视图，图16为图15沿切割线EE’方向的剖面结构示意图，图17为图15沿切割线FF’方向的剖面结构示意图。

所述栅介质层112的材料为氧化铪、氮氧化铪、氧化锆或者氮氧化锆，厚度为形成栅介质层112的方法为金属有机气相沉积、分子束外延沉积、化学气相沉积、物理气相沉积或者原子层沉积。

所述金属层113的材料为Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN、WSi中的一种或多种组合。

形成所述金属栅极结构111的步骤包括：形成覆盖所述沟槽110表面的栅介质层112，形成覆盖栅介质层112并且填充满沟槽110剩余部分的金属层113。

综上，本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的形成方法实施例，通过在高于鳍部顶面的第一介质层表面形成牺牲结构，再去除牺牲结构和牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽。所述牺牲结构高宽比小，容易完全去除牺牲结构而不形成残留，且所述牺牲结构形成于平坦的第一介质层表面，相比于前一实施例的横跨鳍部的伪栅结构，本实施例的牺牲结构形成工艺简单、高宽比低、尺寸均匀度好，同时由于最终的沟槽是由牺牲结构定义出来的，因此获得的沟槽也具有较好的尺寸均匀度，有利于形成没有缺陷、尺寸均匀度好的金属栅极结构，提升器件的电学性能。进一步地，本实施例同时降低了源漏区鳍部的损伤，也能够提高器件电学性能。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；

形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底及鳍部表面，所述第一介质层表面高于鳍部顶面；

形成位于第一介质层表面且横跨鳍部的牺牲结构；

形成位于牺牲结构两侧侧壁上的偏置侧墙；

以所述牺牲结构及偏置侧墙为掩模，刻蚀所述第一介质层直至暴露出鳍部；

形成位于偏置侧墙两侧侧壁上的主侧墙；

形成位于所述牺牲结构和主侧墙两侧鳍部的源漏区；

形成与牺牲结构顶面齐平的第二介质层，且所述第二介质层覆盖源漏区和第一介质层表面；

去除牺牲结构及牺牲结构下方部分深度的第一介质层直至暴露出部分鳍部的顶面和侧面，形成沟槽；

在所述沟槽内形成金属栅极结构。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一介质层表面高于鳍部顶面的高度为

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲结构的高度为

4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲结构的材料为多晶硅、锗或者锗硅。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述去除牺牲结构的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除牺牲结构的干法刻蚀，刻蚀气体包含CF₄、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、SF₆、NF₃、HBr、Cl₂和O₂中的一种或几种，刻蚀气体的流量为5标况毫升每分～300标况毫升每分，偏压为50V～400V，功率为200W～500W，温度为30℃～60℃。

7.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除牺牲结构的湿法刻蚀，采用四甲基氢氧化胺溶液，四甲基氢氧化胺的质量百分比浓度为1％～10％，溶液温度为10℃～50℃。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除牺牲结构下方部分深度的第一介质层的方法为干法刻蚀，刻蚀气体包含CF₄、C₃F₈、C₄F₈、CHF₃、NF₃、SiF₄、Ar、He、O₂或者N₂中的一种或几种，刻蚀气体的流量为50标况毫升每分～500标况毫升每分，偏压为50V～600V，功率为100W～600W，温度为30℃～70℃。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述暴露出部分鳍部的高度为

10.如权利要求8所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述沟槽的深度为

11.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的高度为

12.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述源漏区的形成方法为选择性外延生长。

13.如权利要求12所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，源漏区掺杂有P型离子或N型离子，掺杂方法为原位掺杂。

14.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属栅极结构包括位于所述沟槽表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面且填充满所述沟槽的金属层。

15.如权利要求14所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的厚度为栅介质层材料为氧化铪、氮氧化铪、氧化锆或者氮氧化锆。

16.如权利要求14所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属层材料为Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN、WSi中的一种或多种组合。