CN105428050A - 一种高性能复合磁体的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种高性能复合磁体的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。该制备方法包括：分别将SmCo合金和NdFeB合金配料、真空熔炼、快淬成薄带；再经均匀化热处理、粗破碎、氢爆、球磨，得粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉；然后分别对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理、改性处理，再通过溶液搅拌将高熔点金属化合物分别包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外；最后将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉混合，经压制成型、等静压处理、烧结固溶、时效处理，制得高性能复合磁体。本发明复合磁体的制备方法不仅保证较高的磁性能，而且显著提高磁体的温度稳定性，实现高性能和高温度稳定性的良好匹配。

Description

一种高性能复合磁体的制备方法

技术领域

本发明涉及一种高性能复合磁体的制备方法，具体涉及一种SmCo/NdFeB复合磁体的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。

背景技术

钕铁硼磁体是当今世界上综合磁性能最强的永磁材料，具有高剩磁、高矫顽力和高磁能积等特点。作为新一代稀土永磁材料，钕铁硼磁体在计算机技术、汽车工业、航天军工、自动化技术、仪表技术、微波通信技术、风力发电等领域均有广泛的应用。随着我国节能减排倡导政策的提出与推进，用于电动汽车、风电等节能环保领域的高性能、耐高温磁体的需求不断增长，钕铁硼磁体的磁能积已得到很大的发展，最大磁能积已高达474kJ/m³(59.5MGOe)，然而，其温度稳定性方面的发展却一直比较缓慢，这严重限制了其进一步应用。

钕铁硼永磁体的温度稳定性主要取决于Nd2Fe14B硬磁相的内秉磁性能和磁体的微观组织结构；目前主要通过合金化方法提高钕铁硼磁体的温度稳定性，如重稀土元素Dy、Tb等的加入，能够有效提高Nd2Fe14B的各向异性场，实现磁矩的温度补偿，进而提高矫顽力，降低温度系数，改善其温度稳定性；而Co、Ni、Ga、Si等元素的加入，能够提高磁体居里温度，进而提高温度稳定性；合金元素的加入虽然能够有效提高磁体的温度稳定性，但往往伴随着磁体性能的降低。无论是合金化还是工艺优化对于磁体温度稳定性的改善都是有限的，仍然无法满足不断扩大的应用需求。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种可以制得同时兼具高矫顽力和较好的温度稳定性的高性能复合磁体的制备方法。

本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种高性能复合磁体的制备方法，所述的制备方法包括如下步骤：

S1、分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分别制成SmCo薄带和NdFeB薄带；

S2、将SmCo薄带和NdFeB薄带依次进行均匀化热处理、粗破碎、氢爆、球磨，分别得粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉；

S3、分别对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理、改性处理，然后通过溶液搅拌将高熔点金属化合物分别包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外；

S4、将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按比例混合成复合微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再经等静压处理，然后进行烧结固溶、时效处理，制得本发明的高性能复合磁体成品。

Sm-Co基的磁体具有很好的温度稳定性，同时拥有高矫顽力，但其磁化强度和磁能积较低，而Nd-Fe基的磁体具有高的磁化强度和磁能积，但温度稳定性差。由于Nd-Fe基的磁体居里温度只有580K左右，使得它并不能在高温环境下得到很好的应用。本发明将SmCo和NdFeB合理地复配制成复合磁体，通过先将SmCo合金和NdFeB合金制成微米晶磁粉，然后对微米晶磁粉进行改性，晶界改性技术能够有效调控界面相组织结构与成分，避免弱磁中间相的形成，有利于实现高温下高矫顽力、高性能复合磁体的制备；再将高熔点金属化合物分别包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外，阻止Sm-Co硬磁相与Nd-Fe-B硬磁相两相相互扩散，优化复合磁体微观结构，实现NdFeB-SmCo复合磁体高熔点下各向磁性能的良好状态，尤其是进一步提高高温下复合磁体的矫顽力；接着将包覆处理后的SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉经压制成型、等静压处理，再进行烧结固溶、时效处理，通过这一系列特定的工艺处理进一步有效控制复合硬磁相间的界面反应，抑制弱磁中间相的形成，而且能够抑制纳米晶粒长大，取向完整。因此，本发明可以制备现有工艺难以获得的晶界相可控、晶粒细小均匀与晶粒取向完整的高性能复合磁体，这不仅保证了较高的磁性能，而且显著提高了磁体的温度稳定性，能够实现高性能和高温度稳定性的良好匹配，且此工艺过程简单，适合于大规模批量化生产。

在上述高性能复合磁体的制备方法中，所述的SmCo合金为SmCo₅、Sm₂Co₁₇或SmCo₇型磁体。

在上述高性能复合磁体的制备方法中，所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为Nd：26.00％-30.00％、B：1.00％-2.50％、Si：0.80％-1.50％、Ga：0.10％-0.20％、Dy：0.10％-0.50％、V：0.10％-0.30％、余量为Fe。

本发明NdFeB合金在Nd、Fe和B的基础上，添加了能够提高磁体各向异性和矫顽力的Si和Ga，还添加了能部分取代Nd并有效提高磁体矫顽力的Dy以及能和Dy复配使用以大大提高磁体矫顽力的V。本发明中通过各元素的合理配伍和协同作用，有效提高钕铁硼磁体的矫顽力等综合磁性能。

其中，复配添加的Si和Ga可以同时提高磁体的矫顽力、各向异性等，并能减少磁体剩磁的降低。尽管重稀土元素如Dy、Gd、Tb等在NdFeB磁体中具有高的各向异性场，并具有温度补偿作用，它们的加入可以得到具有高矫顽力和高温度稳定性的NdFeB磁体。但是重稀土的价格也比较昂贵，考虑到生产成本，本发明中间层NdFeB磁体中只添加了0.10％-0.50％的稀土元素Dy。Dy作为提高磁体矫顽力最有效的元素之一，一方面Dy可以部分取代Nd，显著提高合金的各向异场性，并能改善磁体的微结构以有效提高磁体的矫顽力，另一方面Dy和V产生协同作用，不仅可以提高磁体的耐腐蚀性能而不使其矫顽力下降，还可以有效改善晶界富钕相的组织成分，从而提高NdFeB磁体的耐氢能力；而V的加入所引起的矫顽力的提高与Dy所引起的矫顽力的提高二者可叠加以大大提高磁体的矫顽力，并且V在晶界处形成弥散的V₂FeB₂相以代替其中的富B相，因此在提高磁体矫顽力的同时又不会降低磁体的剩磁。

进一步优选，NdFeB合金的组成成分及质量百分比为：Nd：26.50％-29.00％、B：1.20％-2.20％、Si：1.00％-1.30％、Ga：0.15％-0.18％、Dy：0.15％-0.35％、V：0.15％-0.25％、余量为Fe。

在上述高性能复合磁体的制备方法中，步骤S2中所述均匀化热处理的温度为950-980℃，均匀化热处理的时间为1-3h。

在上述高性能复合磁体的制备方法中，步骤S3中所述的高熔点金属化合物包括高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物。

在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外都包覆高熔点金属化合物，阻止Sm-Co硬磁相与Nd-Fe-B硬磁相两相相互扩散，优化复合磁体微观结构，实现NdFeB-SmCo复合磁体高熔点下各向磁性能的良好状态，尤其是进一步提高高温下复合磁体的矫顽力。

进一步地，所述高熔点金属为Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的以一种或多种。

高熔点金属化合物在SmCo微米晶磁粉外形成的包覆层的厚度为10-20nm，在NdFeB微米晶磁粉形成的包覆层的厚度为30-50nm。

在上述高性能复合磁体的制备方法中，复合微米晶磁粉中NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉的质量百分比分别为60-90％和10-40％。即NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按质量比6-9：1-4混合成复合微米晶磁粉。

在上述高性能复合磁体的制备方法中，步骤S4中等静压处理的压力为250-350MPa。

在上述高性能复合磁体的制备方法中，步骤S4中所述的烧结固溶为将等静压处理后的生坯先在500-600℃下预烧2.0-3.0h，然后以15-20℃/min的速度升温至1180-1220℃烧结0.5-2h，然后于1150℃-1180℃固溶2-3小时，并快速风冷到室温，得到烧结坯。

在上述高性能复合磁体的制备方法中，步骤S4中所述的时效处理为将烧结固溶得到的烧结坯由室温升温到820-840℃保温时效5-6小时，随后以1-3℃/min的冷却速率慢冷到520℃-600℃，并保温2-4小时。

进一步地，时效处理时的升温速度为10-30℃/min。

对于烧结钕铁硼磁体，烧结过程的控制对钕铁硼磁体的性能起到关键作用。在烧结过程中，若烧结固溶温度过高会导致钕铁硼磁体中的晶粒异常长大，从而直接影响制得的钕铁硼磁体的磁性能特别是磁体的矫顽力；若烧结固溶温度过低，则达不到钕铁硼磁体烧结的目的，而且烧结固溶时间的过长或过短均会导致钕铁硼磁体的磁性能降低，因此本发明将烧结固溶的温度及时间控制在上述范围内，有效阻止磁体中晶粒的异常长大，使得钕铁硼磁体的富钕相分布更加均匀，并能充分抑制磁体主相晶粒将的磁耦合效应等，以得到具有较高磁性能的磁体。

与现有技术相比，本发明可以制备现有工艺难以获得的晶界相可控、晶粒细小均匀与晶粒取向完整的高性能复合磁体，不仅保证较高的磁性能，而且显著提高了磁体的温度稳定性，能够实现高性能和高温度稳定性的良好匹配，且此工艺过程简单，适合于大规模批量化生产。

具体实施方式

以下是本发明的具体实施例，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。

实施例1

分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分别制成SmCo薄带和NdFeB薄带；所述的SmCo合金为SmCo₅型磁体；所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为Nd：27.50％、B：1.60％、Si：1.20％、Ga：0.16％、Dy：0.25％、V：0.20％、余量为Fe。

将SmCo薄带和NdFeB薄带分别在960℃下进行均匀化热处理2h，然后进行粗破碎后置于氢爆炉中氢爆，球磨4h，分别得到粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉。

首先通过超声震荡分散、搅拌预处理工艺，对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理以消除其团聚现象，接着使用偶联剂改变SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉表面的极性，然后通过溶液搅拌将高熔点金属化合物包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外，在SmCo微米晶磁粉外形成厚度为10-20nm的包覆层，在NdFeB微米晶磁粉形成厚度为30-50nm的包覆层的厚度；其中，所述的高熔点金属化合物为高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物，高熔点金属为Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的一种或多种。

将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按质量比8：2混合成复合微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再在300MPa下进行等静压处理，得生坯，将生坯先在550℃下预烧2.5h，然后以17℃/min的速度升温至1200℃烧结1h，然后于1160℃固溶2.5小时，并快速风冷到室温，得到烧结坯；以20℃/min的升温速度将烧结坯由室温升温到830℃保温时效5.5小时，随后以2℃/min的冷却速率慢冷到560℃，并保温3小时，即可制得本发明的高性能复合磁体成品。

实施例2

分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分别制成SmCo薄带和NdFeB薄带；所述的SmCo合金为Sm₂Co₁₇型磁体；所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为Nd：26.50％、B：2.20％、Si：1.00％、Ga：0.18％、Dy：0.15％、V：0.25％、余量为Fe。

将SmCo薄带和NdFeB薄带分别在970℃下进行均匀化热处理2h，然后进行粗破碎后置于氢爆炉中氢爆，球磨3h，分别得到粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉。

首先通过超声震荡分散、搅拌预处理工艺，对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理以消除其团聚现象，接着使用偶联剂改变SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉表面的极性，然后通过溶液搅拌将高熔点金属化合物包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外，在SmCo微米晶磁粉外形成厚度为10-20nm的包覆层，在NdFeB微米晶磁粉形成厚度为30-50nm的包覆层的厚度；其中，所述的高熔点金属化合物包括高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物，高熔点金属为Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的一种或多种。

将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按质量比7.5：2.5混合成复合微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再在280MPa下进行等静压处理，得生坯，将生坯先在520℃下预烧2.8h，然后以16℃/min的速度升温至1190℃烧结1.5h，然后于1170℃固溶2小时，并快速风冷到室温，得到烧结坯；以15℃/min的升温速度将烧结坯由室温升温到825℃保温时效6小时，随后以2℃/min的冷却速率慢冷到540℃，并保温4小时，即可制得本发明的高性能复合磁体成品。

实施例3

分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分别制成SmCo薄带和NdFeB薄带；所述的SmCo合金为SmCo₇型磁体；所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为Nd：29.00％、B：1.20％、Si：1.30％、Ga：0.15％-0.18、Dy：0.35％、V：0.15％、余量为Fe。

将SmCo薄带和NdFeB薄带分别在965℃下进行均匀化热处理1h，然后进行粗破碎后置于氢爆炉中氢爆，球磨5h，分别得到粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉。

首先通过超声震荡分散、搅拌预处理工艺，对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理以消除其团聚现象，接着使用偶联剂改变SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉表面的极性，然后通过溶液搅拌将高熔点金属化合物包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外，在SmCo微米晶磁粉外形成厚度为10-20nm的包覆层，在NdFeB微米晶磁粉形成厚度为30-50nm的包覆层的厚度；其中，所述的高熔点金属化合物包括高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物，高熔点金属为Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的一种或多种。

将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按质量比8.5：1.5混合成复合微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再在330MPa下进行等静压处理，得生坯，将生坯先在580℃下预烧2.2h，然后以18℃/min的速度升温至1210℃烧结0.8h，然后于1165℃固溶3小时，并快速风冷到室温，得到烧结坯；以25℃/min的升温速度将烧结坯由室温升温到835℃保温时效5小时，随后以3℃/min的冷却速率慢冷到580℃，并保温2小时，即可制得本发明的高性能复合磁体成品。

实施例4

分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分别制成SmCo薄带和NdFeB薄带；所述的SmCo合金为SmCo₅型磁体；所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为Nd：26.00％、B：2.50％、Si：0.80％、Ga：0.20％、Dy：0.10％、V：0.30％、余量为Fe。

将SmCo薄带和NdFeB薄带分别在950℃下进行均匀化热处理3h，然后进行粗破碎后置于氢爆炉中氢爆，球磨6h，分别得到粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉。

首先通过超声震荡分散、搅拌预处理工艺，对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理以消除其团聚现象，接着使用偶联剂改变SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉表面的极性，然后通过溶液搅拌将高熔点金属化合物包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外，在SmCo微米晶磁粉外形成厚度为10-20nm的包覆层，在NdFeB微米晶磁粉形成厚度为30-50nm的包覆层的厚度；其中，所述的高熔点金属化合物包括高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物，高熔点金属为Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的一种或多种。

将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按质量比6：4混合成复合微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再在250MPa下进行等静压处理，得生坯，将生坯先在500℃下预烧3.0h，然后以15℃/min的速度升温至1180℃烧结2h，然后于1150℃固溶3小时，并快速风冷到室温，得到烧结坯；以10℃/min的升温速度将烧结坯由室温升温到840℃保温时效6小时，随后以1℃/min的冷却速率慢冷到520℃，并保温4小时，即可制得本发明的高性能复合磁体成品。

实施例5

分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分别制成SmCo薄带和NdFeB薄带；所述的SmCo合金为SmCo₇型磁体；所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为Nd：30.00％、B：1.00％、Si：0.80％、Ga：0.10％、Dy：0.50％、V：0.10％、余量为Fe。

将SmCo薄带和NdFeB薄带分别在980℃下进行均匀化热处理1h，然后进行粗破碎后置于氢爆炉中氢爆，球磨2h，分别得到粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉。

首先通过超声震荡分散、搅拌预处理工艺，对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理以消除其团聚现象，接着使用偶联剂改变SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉表面的极性，然后通过溶液搅拌将高熔点金属化合物包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外，在SmCo微米晶磁粉外形成厚度为10-20nm的包覆层，在NdFeB微米晶磁粉形成厚度为30-50nm的包覆层的厚度；其中，所述的高熔点金属化合物包括高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物，高熔点金属为Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的一种或多种。

将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按质量比9：1混合成复合微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再在350MPa下进行等静压处理，得生坯，将生坯先在600℃下预烧2.0h，然后以20℃/min的速度升温至1220℃烧结0.5h，然后于1180℃固溶2小时，并快速风冷到室温，得到烧结坯；以30℃/min的升温速度将烧结坯由室温升温到820℃保温时效5小时，随后以3℃/min的冷却速率慢冷到600℃，并保温2小时，即可制得本发明的高性能复合磁体成品。

对比例1

现有技术中普通的NdFeB磁体。

对比例2

现有技术中普通的SmCo磁体。

对比例3

该对比例3为将实施例1中所述的SmCo与NdFeB未经包覆处理就混合，然后通过如实施例1中所述的压制成型、等静电压处理、烧结固溶、时效得复合磁体。

对比例4

将对比例4为将实施例1中所述的SmCo与NdFeB经包覆处理后混合，然后通过现有技术中普通的成型、烧结工艺制得复合磁体，即不经过实施例1中的烧结固溶、时效处理。

将实施例1-5及对比例1-4中的磁体进行性能测试，结果如表1所示。

表1：本发明实施例1-5及对比例1-4中的磁体性能测试结果

综上所述，本发明不仅保证较高的磁性能，而且显著提高了磁体的温度稳定性，能够实现高性能和高温度稳定性的良好匹配，且此工艺过程简单，适合于大规模批量化生产。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (11)

1.一种高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：

S1、分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分别制成SmCo薄带和NdFeB薄带；

S2、将SmCo薄带和NdFeB薄带依次进行均匀化热处理、粗破碎、氢爆、球磨，分别得粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉；

S3、分别对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理、改性处理，然后通过溶液搅拌将高熔点金属化合物分别包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外；

S4、将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按比例混合成复合微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再经等静压处理，然后进行烧结固溶、时效处理，制得本发明的高性能复合磁体成品。

2.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述的SmCo合金为SmCo₅、Sm₂Co₁₇或SmCo₇型磁体。

3.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为Nd：26.00％-30.00％、B：1.00％-2.50％、Si：0.80％-1.50％、Ga：0.10％-0.20％、Dy：0.10％-0.50％、V：0.10％-0.30％、余量为Fe。

4.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述均匀化热处理的温度为950-980℃，均匀化热处理的时间为1-3h。

5.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述高熔点金属化合物包括高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物。

6.根据权利要求5所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述高熔点金属为Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，高熔点金属化合物在SmCo微米晶磁粉外形成的包覆层的厚度为10-20nm，在NdFeB微米晶磁粉形成的包覆层的厚度为30-50nm。

8.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，复合微米晶磁粉中NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉的质量百分比分别为60-90％和10-40％。

9.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中等静压处理的压力为250-350MPa。

10.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述的烧结固溶为将等静压处理后的生坯先在500-600℃下预烧2.0-3.0h，然后以15-20℃/min的速度升温至1180-1220℃烧结0.5-2h，然后于1150℃-1180℃固溶2-3小时，并快速风冷到室温，得到烧结坯。

11.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述的时效处理为将烧结固溶得到的烧结坯由室温升温到820-840℃保温时效5-6小时，随后以1-3℃/min的冷却速率慢冷到520℃-600℃，并保温2-4小时；其中，时效处理时的升温速度为10-30℃/min。