CN105420729A - 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液 - Google Patents

一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液 Download PDF

Info

Publication number
CN105420729A
CN105420729A CN201510952174.2A CN201510952174A CN105420729A CN 105420729 A CN105420729 A CN 105420729A CN 201510952174 A CN201510952174 A CN 201510952174A CN 105420729 A CN105420729 A CN 105420729A
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching solution
weight percent
titanium oxide
circuit board
nano titanium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510952174.2A
Other languages
English (en)
Inventor
刘进军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi Jijin Environmental Protection Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuxi Jijin Environmental Protection Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi Jijin Environmental Protection Technology Co Ltd filed Critical Wuxi Jijin Environmental Protection Technology Co Ltd
Priority to CN201510952174.2A priority Critical patent/CN105420729A/zh
Publication of CN105420729A publication Critical patent/CN105420729A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公布了一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，包括以下重量百分比的组合物：纳米二氧化钛？2.5％～4.5％；三氯化铁？0.5％～1.2％；硝酸？0.5％～1.6％；有机盐酸？2.5％～3.3％；非离子表面活性剂？1.5％～2.3％；稳定剂？0.5％～1.5％；消泡剂？3.5％～5.6％；其余为蒸馏水。本发明通过在原有工艺的基础上新加入了纳米二氧化钛，不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻，显著提高铬金属膜的蚀刻速度，具有蚀刻速度可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的铬金属膜配线，具有重要的应用价值。

Description

一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液
技术领域
本发明涉及一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液。
背景技术
目前在制作电路板的过程中，电路板品质的好坏，品质问题的发现及解决，制程改进的评估都需要通过金相切片来对其客观检查和判断。金相切片制作的好坏直接影响到电路板的质量评估。传统的金相切片过程包括，用铣的方式进行取样；采用树脂镶嵌法对样品进行封胶；对样品进行研磨；对样品进行抛光；对样品进行微蚀刻。其中，微蚀刻液的配方为质量百分比为50％的双氧水2～3滴、25％～28％的氨水8ml，去离子水(Deionizedwater，简称DI水)8ml。其缺点在于，该微蚀刻液中的氨水易挥发且有刺激性气味，因此不利于操作，配置后使用的时间短，只能维持0.5小时左右，从而给金相切片的工艺带来了不便。
发明内容
本发明目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液。
本发明为实现上述目的，采用如下技术方案：一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物：
纳米二氧化钛2.5％～4.5％；
三氯化铁0.5％～1.2％；
硝酸0.5％～1.6％；
有机盐酸2.5％～3.3％；
非离子表面活性剂1.5％～2.3％；
稳定剂0.5％～1.5％；
消泡剂3.5％～5.6％；
其余为蒸馏水。
进一步的，包括以下重量百分比的组合物：
纳米二氧化钛2.5％；
三氯化铁0.5％；
硝酸0.5％；
有机盐酸2.5％；
非离子表面活性剂1.5％；
稳定剂0.5％；
消泡剂3.5％；
其余为蒸馏水。
进一步的，包括以下重量百分比的组合物：
纳米二氧化钛3.5％；
三氯化铁0.8％；
硝酸1.0％；
有机盐酸2.8％；
非离子表面活性剂1.9％；
稳定剂0.9％；
消泡剂4.6％；
其余为蒸馏水。
进一步的，包括以下重量百分比的组合物：
纳米二氧化钛4.5％；
三氯化铁1.2％；
硝酸1.6％；
有机盐酸3.3％；
非离子表面活性剂2.3％；
稳定剂1.5％；
消泡剂5.6％；
其余为蒸馏水。
进一步的，所述硝酸的浓度大于97.5％(重量百分比)，所述有机盐酸的浓度大于89％(重量百分比)。
进一步的，所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂。
本发明的有益效果：本发明通过在原有工艺的基础上新加入了纳米二氧化钛，不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻，显著提高铬金属膜的蚀刻速度，具有蚀刻速度可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的铬金属膜配线，具有重要的应用价值；而且能有效降低蚀刻液的表面张力，不仅能够产生渗透，浸润的作用，而且能够蚀刻铟锡氧化物半导体透明导电膜速率适中，反应稳定，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。
具体实施方式
本发明涉及一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，包括以下重量百分比的组合物：纳米二氧化钛2.5％～4.5％；三氯化铁0.5％～1.2％；硝酸0.5％～1.6％；有机盐酸2.5％～3.3％；非离子表面活性剂1.5％～2.3％；稳定剂0.5％～1.5％；消泡剂3.5％～5.6％；其余为蒸馏水。
实施例1
上述电路板用蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：
第一步：将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为2.5％有机盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为50转/分钟，搅拌时间为5分钟，搅拌温度为10℃，然后滤出弱酸性阳离子交换树脂，控制或去除有机盐酸中的杂质离子；
第二步：将重量百分比为2.5％的纳米二氧化钛和三分之一的蒸馏水到入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为10分钟，搅拌速度为60转/分钟，搅拌温度为12℃；
第三步：然后加入重量百分比为0.5％的三氯化铁，充分搅拌6分钟；加入重量百分比为0.5％的硝酸，充分搅拌5分钟；加入三分之一的蒸馏水，充分搅拌4分钟；加入重量百分比为2.5％的有机盐酸，充分搅拌5分钟；加入重量百分比为1.5％的非离子表面活性剂，充分搅拌4分钟；加入重量百分比为0.5％的稳定剂；加入重量百分比为3.5％的消泡剂，充分搅拌3分钟；最后再加剩余蒸馏水，再搅拌8分钟，搅拌速度为45转/分钟，搅拌温度均为14℃；
第四步：最后将制得的混合物经0.12μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.12μm的有害粒子，制得所需蚀刻液，其表面张力低为40×10-3N/m。
其中，所述硝酸的浓度大于97.5％(重量百分比)，所述有机盐酸的浓度大于89％(重量百分比)。
其中，所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂。
其中，所述弱酸性阳离子交换树脂为弱酸性苯乙烯系阳离子交换树脂。
其中，所述弱酸性阳离子交换树脂与有机盐酸的质量比为0.2～0.5。
实施例2
上述电路板用蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：
第一步：将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为2.8％有机盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为55转/分钟，搅拌时间为6分钟，搅拌温度为12℃，然后滤出弱酸性阳离子交换树脂，控制或去除有机盐酸中的杂质离子；
第二步：将重量百分比为3.5％的纳米二氧化钛和三分之一的蒸馏水到入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为11分钟，搅拌速度为65转/分钟，搅拌温度为13℃：
第三步：然后加入重量百分比为0.8％的三氯化铁，充分搅拌7分钟；加入重量百分比为1.0％的硝酸，充分搅拌6分钟；加入三分之一的蒸馏水，充分搅拌5分钟；加入重量百分比为2.8％的有机盐酸，充分搅拌6分钟；加入重量百分比为1.9％的非离子表面活性剂，充分搅拌5分钟；加入重量百分比为0.9％的稳定剂；加入重量百分比为4.6％的消泡剂，充分搅拌5分钟；最后再加剩余蒸馏水，再搅拌9分钟，搅拌速度为49转/分钟，搅拌温度均为15℃；
第四步：最后将制得的混合物经0.12μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.12μm的有害粒子，制得所需蚀刻液，其表面张力低为30×10-3N/m。
其中，所述硝酸的浓度大于97.5％(重量百分比)，所述有机盐酸的浓度大于89％(重量百分比)。
其中，所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂。
其中，所述弱酸性阳离子交换树脂为弱酸性苯乙烯系阳离子交换树脂。
其中，所述弱酸性阳离子交换树脂与有机盐酸的质量比为0.2～0.5。
实施例3
上述电路板用蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：
第一步：将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为2.8％有机盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为60转/分钟，搅拌时间为7分钟，搅拌温度为13℃，然后滤出弱酸性阳离子交换树脂，控制或去除有机盐酸中的杂质离子；
第二步：将重量百分比为4.5％的纳米二氧化钛和三分之一的蒸馏水到入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为12分钟，搅拌速度为70转/分钟，搅拌温度为14℃；
第三步：然后加入重量百分比为1.2％的三氯化铁，充分搅拌7分钟；加入重量百分比为1.6％的硝酸，充分搅拌7分钟；加入三分之一的蒸馏水，充分搅拌6分钟；加入重量百分比为3.3％的有机盐酸，充分搅拌7分钟；加入重量百分比为2.3％的非离子表面活性剂，充分搅拌6分钟；加入重量百分比为1.5％的稳定剂；加入重量百分比为5.6％的消泡剂，充分搅拌7分钟；最后再加剩余蒸馏水，再搅拌10分钟，搅拌速度为55转/分钟，搅拌温度均为18℃；
第四步：最后将制得的混合物经0.12μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.12μm的有害粒子，制得所需蚀刻液，其表面张力低为20×10-3N/m。

Claims (6)

1.一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物：
纳米二氧化钛2.5％～4.5％；
三氯化铁0.5％～1.2％；
硝酸0.5％～1.6％；
有机盐酸2.5％～3.3％；
非离子表面活性剂1.5％～2.3％；
稳定剂0.5％～1.5％；
消泡剂3.5％～5.6％；
其余为蒸馏水。
2.如权利要求1所述的基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物：
纳米二氧化钛2.5％；
三氯化铁0.5％；
硝酸0.5％；
有机盐酸2.5％；
非离子表面活性剂1.5％；
稳定剂0.5％；
消泡剂3.5％；
其余为蒸馏水。
3.如权利要求1所述的基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物：
纳米二氧化钛3.5％；
三氯化铁0.8％；
硝酸1.0％；
有机盐酸2.8％；
非离子表面活性剂1.9％；
稳定剂0.9％；
消泡剂4.6％；
其余为蒸馏水。
4.如权利要求1所述的基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物：
纳米二氧化钛4.5％；
三氯化铁1.2％；
硝酸1.6％；
有机盐酸3.3％；
非离子表面活性剂2.3％；
稳定剂1.5％；
消泡剂5.6％；
其余为蒸馏水。
5.如权利要求1至4任一项所述的基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，其特征在于，所述硝酸的浓度大于97.5％(重量百分比)，所述有机盐酸的浓度大于89％(重量百分比)。
6.如权利要求1至4任一项所述的基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，其特征在于，所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂。
CN201510952174.2A 2015-12-16 2015-12-16 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液 Pending CN105420729A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510952174.2A CN105420729A (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510952174.2A CN105420729A (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105420729A true CN105420729A (zh) 2016-03-23

Family

ID=55499256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510952174.2A Pending CN105420729A (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105420729A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102108512A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 比亚迪股份有限公司 一种金属化学蚀刻液及蚀刻方法
CN102640275A (zh) * 2009-11-30 2012-08-15 巴斯夫欧洲公司 从衬底去除本体材料层的方法以及适于该方法的化学机械抛光剂
CN103160207A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 安集微电子（上海）有限公司 一种金属化学机械抛光浆料及其应用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102640275A (zh) * 2009-11-30 2012-08-15 巴斯夫欧洲公司 从衬底去除本体材料层的方法以及适于该方法的化学机械抛光剂
CN102108512A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 比亚迪股份有限公司 一种金属化学蚀刻液及蚀刻方法
CN103160207A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 安集微电子（上海）有限公司 一种金属化学机械抛光浆料及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2640939A1 (en) Composition for surface conditioning and surface conditioning method
CN105696001A (zh) 除锈防锈剂
JP2020512263A (ja) キッシュグラファイトから還元酸化グラフェンを製造するための方法
TW201629268A (zh) 蝕刻液組成物及使用該蝕刻液組成物之蝕刻方法
CN105463460A (zh) 一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液的制备方法
CN104388090A (zh) 一种草酸系ito蚀刻液及其制备方法和应用
CN105525292A (zh) 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法
CN104674206A (zh) 一种柠檬酸环境友好钝化液配方研究
CN101139715A (zh) 一种金属清除剂组合物及其生产方法
CN105256296B (zh) 一种35CrMnSi钢用常低温化学转化液及其制备方法
CN113667978A (zh) 一种中性铜蚀刻液及其制备方法
CN104593774B (zh) 一种镁合金金相组织观察方法
CN113789507A (zh) 一种锌钙锰磷化液及其制备方法
CN101914344B (zh) 一种无铬水性有机耐指纹涂料及其制备方法
CN105420729A (zh) 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液
CN105542774A (zh) 一种基于纳米二氧化硫的电路板用蚀刻液的制备方法
CN105369250A (zh) 一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液
CN104805439A (zh) 一种线路板用的超粗化微蚀剂及其制备方法
CN104120418A (zh) 一种常温快速磷化液及其制备方法
CN105297018A (zh) 一种液晶显示器用蚀刻液的制备方法
CN105369251A (zh) 一种基于纳米二氧化硫的电路板用蚀刻液
CN106702361A (zh) 一种纳米陶化剂及其制备方法
CN101824614B (zh) 镁合金表面转化膜处理液及其处理工艺
CN103540923B (zh) 汽车离合器表面无磷磷化处理液及其处理工艺
JP2012241215A (ja) 金属表面への微細構造皮膜形成液

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160323