CN105406850B - 具有集成温度传感器的半导体开关 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及具有集成温度传感器的半导体开关。具体地，本文描述了一种半导体器件。根据本发明的一个示例，一种半导体器件包括半导体本体、设置在半导体本体上的至少一个布线层以及集成在半导体本体中的场效应晶体管。场效应晶体管具有位于形成在半导体本体中的对应栅极沟槽中的多个栅电极。第一电路集成在半导体本体中，与场效应晶体管相邻，并且第二电路集成在半导体本体中，与第一电路远离。至少第一附加沟槽形成在半导体本体中，其中第一附加沟槽包括至少一条连接线，其将第一电路与第二电路电连接。此外，半导体器件包括至少一个导电焊盘，其形成在至少一个布线层中。至少一个导电焊盘被布置为至少部分地覆盖第一附加沟槽以形成连接线的屏蔽。
Description
技术领域
本发明涉及具有集成温度传感器的功率半导体开关领域。
背景技术
诸如功率MOS场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅极双极晶体管(IGBT)等的功率晶体管通常被实现为所谓的垂直晶体管。术语“垂直”是指负载电流流过半导体管芯的方向，其相对于半导体管芯的顶面垂直。此外，这种功率晶体管通常由多个晶体管单元组成，并且对于每个单元，在所谓的“沟槽”中布置栅电极，沟槽从顶面垂直延伸到半导体管芯中。这类功率晶体管通常被称为“沟槽晶体管”。
其中集成有沟槽晶体管的半导体管芯(芯片)可以进一步包括除作为电子开关的主要功能之外的其他功能的电路装置。例如，芯片可进一步包括温度传感器和相应的感测电路装置以测量晶体管的温度并生成温度信号(即，表示温度传感器的位置处存在的温度的电流或电压信号)。例如可以在过温度或过载保护电路中使用温度信号，需要该信号以便保护晶体管免受热击穿。可以在芯片中包括其他电路装置以提供其他功能，诸如电流感测、过电流保护、数字总线接口(例如，串行外围结构，SPI)等。
一般的制造技术允许两个布线层布置在半导体本体顶部上，其中第一布线层通常由多晶硅形成且第二布线层通常由金属(例如，铝)形成。两个布线层被用于互连集成在半导体管芯中的各个电路部件来形成期望的电子电路。在布线层的顶部上(并与其隔离)，设置又一金属层，其相对较厚并且有时被称为“功率金属层”。该金属层被用作接触层(也用作接合焊盘)来将外部负载端(例如，功率晶体管的源极或集电极端)与芯片接触。
所提到的温度传感器通常被布置为接近组成功率晶体管的晶体管单元的阵列或者布置在晶体管单元的阵列内(例如，在阵列中心)，并且通常温度传感器经由在半导体本体的顶部上形成上述布线层的带线(感测线)连接至相应的感测电路。由于感测电路可以形成在除晶体管单元阵列外的半导体芯片中，所以感测电路和温度传感器之间的带线可以较长，例如300μm，或者甚至更长。
由于(图案化)布线层和形成用于外部负载端的接触层的顶部金属层基本平行(共面)并且通过相对较薄的绝缘层分开，所以发生明显的电容耦合，尤其在接触层和下方的布线层之间。这种电容耦合(由于布线层和接触层之间的寄生电容)导致对“直接功率注入”(DPI)具有显著的敏感度。具体地，当功率晶体管是操作为高侧开关的n沟道器件时，(功率)接触层的电位(电压)将(在切换操作期间)快速地从零(地电位)变为接近上电源电位，反之亦然。这将在感测线中引起位移电流并对温度感测具有负面影响，因为位移电流会导致温度信号的劣化。
鉴于上述，需要改进的具有集成温度传感器的半导体开关。
发明内容
本文描述了一种半导体器件。根据本发明的一个示例，一种半导体器件包括半导体本体、设置在半导体本体上的至少一个布线层以及集成在半导体本体中的场效应晶体管。场效应晶体管具有位于形成在半导体本体中的对应栅极沟槽中的多个栅电极。半导体器件还包括集成在半导体本体中与场效应晶体管相邻的温度传感器。温度感测电路集成在半导体本体中，与温度传感器远离，并且至少一个附加沟槽形成在半导体本体中。至少一个附加沟槽包括至少一条感测线，其将温度传感器与温度感测电路电连接。至少一个导电焊盘形成在至少一个布线层中，并且至少一个导电焊盘被布置为至少部分地覆盖至少一个附加沟槽以形成感测线的屏蔽。
根据本发明的另一示例，一种半导体器件包括半导体本体、设置在半导体本体上的至少一个布线层以及集成在半导体本体中的场效应晶体管。场效应晶体管具有位于形成在半导体本体中的对应栅极沟槽中的多个栅电极。第一电路集成在半导体本体中，与场效应晶体管相邻，并且第二电路集成在半导体本体中，与第一电路远离。至少一个第一附加沟槽形成在半导体本体中，其中第一附加沟槽包括至少一条连接线，其将第一电路与第二电路电连接。此外，半导体器件包括至少一个导电焊盘，其形成在至少一个布线层中。至少一个导电焊盘被布置为至少部分地覆盖第一附加沟槽以形成连接线的屏蔽。
附图说明
可以参照以下附图和描述来更好地理解本发明。图中的部件没有比例按比例绘制，而是侧重于示出本发明的原理。此外，在附图中，类似的参考标号表示对应的部件。附图中：
图1是示出用作温度传感器的功率晶体管和双极晶体管的电路图；
图2是示出双极晶体管和布线层的一个示例的半导体管芯的截面图，其可用于接触双极晶体管；
图3是示出嵌入到晶体管单元的阵列中的温度传感器的位置的半导体管芯的顶视图。
图4是示出如何通过晶体管单元的阵列将感测线布局(route)以接触温度传感器的一个示例的半导体管芯的截面图；
图5是如何在单个沟槽中布置感测线的另一示例的截面图；
图6是示出双极晶体管和用于将双极晶体管操作为温度传感器的感测电路的电路图，其中四端感测技术被用于从温度传感器获取信号；
图7是示出双极晶体管和布线层的一个示例的半导体管芯的截面图，其中布线层可用于接触双极晶体管用于四端感测；
图8示出了穿过布置有感测线的沟槽的纵向截面；以及
图9是示出布置在半导体本体上的布线层的结构的顶视图。
具体实施方式
图1是在电路层级上示出包括温度传感器的功率晶体管的一个示例。在本示例中，MOSFET被用作功率晶体管。然而，也可以代替使用其他类型的晶体管(例如，IGBT)。在本示例中，半导体芯片(在其他电子端中)具有表示为SUP和OUT的两个负载端。两个负载端SUP和OUT经由功率晶体管MP的负载电流路径(即，在MOSFET的情况下为漏极-源极电流路径)耦合，其中晶体管MP的漏电极D连接至第一负载端SUP，并且晶体管MP的源电极S连接至第二负载端OUT。在本示例中，晶体管MP是n沟道晶体管，其被操作为高侧开关，因此电源电压VBB被施加至第一负载端SUP，其中第二负载端OUT与负载(未示出)连接，负载可以连接在负载端OUT和地电位之间。在本示例中，栅极电压VG被施加给功率晶体管MP的栅电极。在输出端OUT处存在的输出电压被表示为VOUT。
如上所述，功率晶体管MP是垂直n沟道MOSFET，因此晶体管MP的漏电极处存在的电位与半导体衬底中存在的电位相同。换句话说，在负载端SUP和半导体衬底之间存在低阻电连接，因此衬底电压等于电源电压VBB。
图1还示出了双极晶体管TS(温度感测晶体管)，其可以用于感测半导体本体中的温度。双极晶体管TS的一端通常电连接至衬底。作为任何双极晶体管，晶体管TS具有基极B、集电极C和发射极E。在本示例中，双极晶体管TS的集电极C连接至衬底，因此电源电压VBB也被施加给双极晶体管TS的集电极C。基极-发射极二极管可用作温度敏感元件，因为基极-发射极二极管的前向电压VBE以及基极-发射极二极管的泄露电流是依赖于温度的。因此，双极晶体管TS的基极B和发射极E经由感测线81和82连接至温度感测电路40。为了提高温度感测的性能，感测线可以使用屏蔽50来进行屏蔽，在n沟道高侧开关的本示例中，屏蔽50电连接至衬底。即，衬底电压(在本示例中等于电源电压VBB)被施加给屏蔽。稍后将参照图4解释屏蔽50的目的和功能。
图2示出了穿过部分半导体管芯的截面图，其由半导体衬底10(即，晶圆)和(任选的)设置在衬底10上的外延层11形成。图2示出了双极晶体管TS如何可以集成到半导体管芯中并且该双极晶体管如何可以被连接来用作图1所示温度传感器的一个示例。为了进一步的讨论，衬底10和外延层11(如果存在的话)被统称为半导体本体100。在本实施例中，半导体本体掺杂有n型掺杂物。p掺杂基极区域31形成在半导体本体100中，例如使用离子注入或掺杂物的扩散。基极区域31从顶面延伸到半导体本体100中。在p掺杂基极区域31中，形成n掺杂发射极区域32。发射极区域32(发射极阱)从半导体本体100的顶面延伸到基极区域31中并嵌入其中。垂直位于基极区域31下方的半导体本体的n掺杂区域用作集电极区域。从图2可以看出，通过n掺杂集电极区域(半导体本体100)、p掺杂基极区域31和n掺杂发射极区域32形成npn结构(即，双极晶体管)。通过半导体本体(衬底10和外延层11)的n掺杂部分形成集电极区域，因此与衬底具有相同电位(还参见图1)。
图2还示出了设置在半导体本体100的顶面上并通过绝缘层36和37与半导体本体隔离且相互隔离的两个布线层33和34。布线层33和34被图案化以形成带线和类似结构。此外，隔离层可以被图案化以形成所谓的过孔，其允许接触半导体本体100的表面或布线层之间的互连。下布线层33可以通过多晶硅形成并通过绝缘层36(例如，氧化硅层)与半导体本体100的顶面隔离。上布线层34可以通过金属(例如，铝)形成并通过绝缘层37与下布线层33隔离。在本示例中，通过布线层33中的线接触发射极区域32，并且通过布线层34中的线接触基极区域31。在布线层33、34的顶部上，相对较厚的金属层被设置为接触层35，其形成用于接触功率电极(在本示例中为功率MOSFET MP的源电极，也参见图1)的接触焊盘。接触层35通过绝缘层38(可以由氧化硅层、氮化硅层或二者形成)与布线层33和34隔离。形成在布线层33和34中的带线和其他结构以及接触层35被电容性地耦合。耦合电容可具有不期望的效果，并且可认为是寄生电容。图2包括位于部分布线层34(其连接至温度感测电路TS的基极)和接触层35之间的寄生电容CP的示意图。
图3是其顶部具有金属叠层(即，布线层的叠层)的半导体本体100的一部分的顶视图，其包括双极晶体管TS。如上所述，温度传感器通常包括在组成功率MOS晶体管MP(参见图1)的晶体管单元的阵列中。使用虚线示出晶体管TS的位置以及感测线81、82(参见图1)的路径。从图3可以看出，沿着几百微米的较长路径通过晶体管单元的环绕阵列布局感测线81、82。
图4是图3所示半导体本体100的截面图。所示截面图的截面不通过温度传感器(晶体管TS)而是垂直地通过图3所示的感测线81、82，其中感测线81、82根据所示示例(不同于图2的先前示例)实现为沟槽。在半导体本体中形成多个沟槽70、70’、70”，其中沟槽在垂直于所示截面图的截面的方向上基本相互平行。感测线81、82被布置在两个相邻沟槽中，其是图4的截面中间的两个沟槽70。感测线81、82可以由金属或多晶硅形成，并且通过隔离层73(例如，氧化硅层)与周围的半导体材料隔离。不同于图2的示例，布线层33和34不需要用于感测线81、82的布局。然而，这些层可以用于其他电路装置的布线。由于感测线81、82通过晶体管单元的阵列布局，所以感测线81、82的左侧和右侧的沟槽70’是功率MOS晶体管的边缘端的一部分。即，沟槽70’包括场板75，其可以电连接至源极电位。这些边缘端是已知的，因此不再进行详细的讨论。图4中的外沟槽70”也是晶体管单元的阵列的一部分。栅电极71被布置在沟槽70”中并且通过栅极氧化物层72与沟槽的相邻壁隔离。场板75’可以布置在沟槽70”中位于栅电极71下方。场板75’通过氧化物层73(通常厚于栅极氧化物层72)与周围的半导体本体100隔离。
在n沟道MOSFET的本示例中，半导体本体100掺杂有n型掺杂物(例如，磷、砷、锑)。所谓的本体区域62(其掺杂有p型掺杂物(例如，铝、镓、铟、硼))被布置在半导体本体100中与栅电极71相邻。本体区域62垂直地从半导体本体100的顶面延伸到半导体本体100中，由此形成所谓的p掺杂阱(p阱)。这些p阱可以在晶体管的非活性区域中省略。例如，这种非活性区域是与沟槽70邻接的区域，其包括感测线81、82。在晶体管的活性区域中，源极区域61嵌入到本体区域62中与沟槽71邻接，其包括栅电极71。本体区域62下方的区域63被称为漂移区域。在半导体本体100的底面(未示出)处，漏电极接触衬底10(其形成功率晶体管的漏极)。
与先前图2的示例类似，两个布线层33和34布置在半导体本体100上。布线层33通过绝缘层36与半导体本体隔离并且通过绝缘层37与其他布线层34隔离。绝缘层38将接触层35与上布线层34分离，其中绝缘层38可以由两个子层(例如，一个氧化物层和氮化物层38’)组成。在本示例中，下布线层33(多晶硅层)不用于接触晶体管单元。在本示例中，本体区域62和源极区域61通过过孔52电连接至上布线层34(金属层)。布线层34中的相应金属焊盘表示为焊盘51，其通过穿过绝缘层38的过孔35’电连接至接触层35。
如上所述，在两个(例如，相邻)沟槽70中布局感测线81、82。在沟槽70中放置感测线导致感测线和周围的半导体本体100之间的强电容耦合(在图4中表示为电容器CS)以及接触层35(参见图1，端子OUT)与感测线81、82之间的较低(寄生)电容。具体地，当功率MOSFET MP被操作为高侧开关时，接触层35的电位(即，MOSFET MP的源极电位)由于功率MOSFET MP的切换操作可以在地电位(例如，0V)和电源电压VBB(参见图1)之间快速变化。由上述寄生电容(类似于图2所示电容CP以及电容CS)引起的电容耦合形成电容分压器，并且与图2的先前示例所示的平面布线相比，导致从负载电流路径(包括功率MOSFET MP的漏极-源极电流路径)注入到感测线81、82中的位移电流的减小。由功率晶体管MP的切换所引起的这种效应(位移电流)以及由于瞬时脉冲状干扰引起的直接功率注入(DPI)会劣化所感测的信号及从中获取的测量结果。为了进一步改进这种情况，(沿垂直方向)在接触层35和其中布局有感测线81、82的沟槽70之间，至少一个金属焊盘50被设置在布线层33或34中(或二者中)。金属焊盘50连接至恒定电压(诸如电源电压VBB(衬底电压，也参见图1))，由此抑制了感测线81、82与接触层35(输出/源极端OUT)之间的电容耦合。屏蔽50与感测线81和82之间的电容在图4中表示为CSH。
在图4的示例中，在独立的沟槽70中布局两条感测线81、82。感测线81、82与衬底(在本示例中处于电源电压VBB，参见图1)之间的电容耦合(电容CS)可以通过绝缘层73’(氧化物层)的厚度的适当调整来调节，其中绝缘层73’将感测线与周围的半导体本体100分离。图5的示例基本与先前图4的示例相同，除了在单个沟槽70中布局感测线81、82，这允许减小晶体管单元的阵列中的非活性区域。在本示例中，在沟槽70中将感测线81、82布局为一个在另一个上方。然而，还可以在单个沟槽中并排布局感测线81、82。类似于先前示例，半导体本体100(处于衬底电压VBB)与感测线81、82之间的电容耦合可以通过绝缘层73’的厚度的适当调整来控制，其中绝缘层73’将感测线81、82与周围的半导体本体分离。绝缘层73’的厚度可以在感测线81与半导体本体之间以及在感测线82与半导体本体之间不同。图5的本示例的剩余部件和特征已经参照图4进行了讨论，因此不再进行重复。
类似于图1，图6示出了双极晶体管TS，其连接至感测电路40用于温度的四端感测。根据本示例，经由一对所谓的电力线81’、82’(传感器供应线)向双极晶体管TS的基极-发射极二极管提供操作电流iSENSE(电力电流，force current)，同时经由不同对的感测线81、82感测所得到的基极-发射极电压VBE(即，承载温度信息的信号)。通过包括在感测电路40中的电流源Qi提供操作电流iSENSE(有时称为“电力电流”)。电流源可以是稳定的恒流源。使用不承载(或者仅承载可忽略的)电流的分离的感测线81、82感测电压VBE。电流源Qi可以耦合在双极晶体管TS的发射极和参考电位VREF之间。然而，根据实际的实施方式，电流源Qi还可以耦合至双极晶体管TS的基极。在本示例中，电压源Qv(提供压降VX)耦合在参考电位VREF和双极晶体管TS的基极之间以正向偏置晶体管TS的基极-发射极二极管。参考电位VREF和电压Vx不需要恒定，并且被设计为提供晶体管TS的基极-发射极二极管的充分偏置。因此，感测线81、82两端的压降为零(即，与感测电压相比可忽略)，尽管感测线81、82具有显著的欧姆阻抗。在图6中通过测量电路M来表示温度测量，其中测量电路M接收电压VBE并从中得到表示温度的信号STEMP。例如，测量电路M可以包括运算放大器和其他信号处理电路装置。
图7是类似于先前图4的示例的半导体本体100的截面图。图7的当前示例与先前图4的示例基本相同，除了在沟槽70中布局除感测线81、82之外的电力线81’、82’。在本示例中，电力线81’(连接至双极晶体管TS的基极)被布置在同一沟槽70中的对应感测线81上方。类似地，电力线82’(连接至双极晶体管TS的发射极)被布置在相邻沟槽中的对应感测线82上方。类似于先前示例，感测线和电力线81、81’、82、82’之间的绝缘层73’的厚度可以被设计为实现周围半导体本体100的期望电容耦合。
图8示出了对应于图7的截面的纵向截面。因此，图8示出了沟槽70，其中布置有感测线81和对应的电力线81’。在一端(图8的右侧)处，感测线81和电力线81’分别通过过孔91和91’电连接至形成在布线层34中的焊盘54和55。在另一端(图9的左侧)处，感测线82和电力线82’通过过孔91”和91”’电连接至形成在布线层34中的焊盘56。沟槽70、焊盘54、55和56以及过孔91、91’、91”和91”’也在图9的对应顶视图中示出，图9示出了布置在半导体本体100(也参见图7)上的布线层34的结构。利用感测线路40(参见图6)来布置接触焊盘54和55，并且利用双极晶体管TS的基极布置接触焊盘56。图8还示出了焊盘50，其屏蔽感测线和电力线81、81’并抑制感测线和电力线81、81’与接触层35之间的电容耦合，其中接触层35电连接至功率MOSFET MP的源极电位。图8中所示的剩余部件也存在于图4和图7的先前截面图中，因此这里不再重复。
现在参照图9，其是示出布置在半导体本体上的布线层34的布局的顶视图。在图8中还示出了限定先前图8的截面的截面A-A’。图9包括(虚线)两个相邻的沟槽70，其中布局有感测线81、82以及对应的电力线81’、82’。上述过孔91、91’、91”和91”’也用虚线示出，以及对应的过孔92、92’、92”和92”’用于电连接相邻沟槽中的感测线和电力线。在图9的底部，示出了另一沟槽80，其包围双极晶体管TS。另一些过孔用于电接触双极晶体管TS的发射极E和基极B。接触焊盘54和54’(它们分别电连接至感测线81和82)被布局至感测电路40。类似地，接触焊盘55和55’(它们分别电连接至电力线81’和82’)被布局至图6所示感测电路40。接触焊盘56和56’分别靠近晶体管TS电连接至双极晶体管TS的基极B和发射极E。在图9中还示出了导电焊盘50，其在接触层35与感测线81、81和(如此存在的话)电力线81’、82’(参见图4、图5和图7)之间形成屏蔽。屏蔽50可以实现为单个导电焊盘。然而，两个以上的分离的焊盘可用于相同的目的。
本文描述的示例涉及温度感测应用，其中通过至少一个沟槽(例如，沟槽70)布局感测线(例如，线81和82)并通过导电焊盘(例如，屏蔽50)来屏蔽，其中感测线连接温度传感器(例如，双极晶体管TS)和感测线路，感测电路被配置为处理在传感器处得到的传感器信号，并且导电焊盘被布置在布线层(例如，层34)中。然而，应该理解，这种概念可以被一般化并且还可以用于除温度感测之外的目的。通常，温度传感器可以被认为是第一电路且感测电路可以被认为是第二电路，其中第一电路和第二电路经由布置在至少一个沟槽中的连接线(类似于参照本文讨论的实施例所描述的感测线和电力线)来连接并且通过覆盖对应沟槽的导电焊盘来屏蔽。
虽然已经描述了本发明的各个实施例，但本领域技术人员应该理解，在本发明的范围内可以实现许多实施例和实施方式。因此，只通过所附权利要求及其等效物来限制本发明。关于由上述部件或结构(组件、器件、电路、系统等)执行的各种功能，除非另有指定，否则用于描述这种部件的术语(包括参照“装置”)对应于执行所述部件的特定功能的任何组件或结构(例如，功能相同)，即使与所公开的执行本发明的示例性实施方式中示出的功能结构在结构上不相同。
Claims (21)
1.一种半导体器件，包括：
半导体本体；
至少一个布线层，设置在所述半导体本体上；
场效应晶体管，集成在所述半导体本体中，所述场效应晶体管具有位于形成在所述半导体本体中的对应栅极沟槽中的多个栅电极；
温度传感器，集成在所述半导体本体中，与所述场效应晶体管相邻；
温度感测电路，集成在所述半导体本体中，并与所述温度传感器远离；
至少一个第一附加沟槽，形成在所述半导体本体中，所述第一附加沟槽包括至少一条感测线，所述至少一条感测线电连接所述温度传感器和所述温度感测电路；
至少一个导电焊盘，形成在所述至少一个布线层中，所述至少一个导电焊盘被布置为至少部分地覆盖所述第一附加沟槽以形成所述感测线的屏蔽。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一附加沟槽中布置有两条感测线。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述半导体本体中的第二附加沟槽，所述第二附加沟槽包括至少一条感测线，该至少一条感测线电连接所述温度传感器和所述温度感测电路。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一附加沟槽和所述第二附加沟槽均包括单条感测线。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一附加沟槽包括连接所述温度感测电路和所述温度传感器以向所述温度传感器提供限定电流的附加电力线。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一附加沟槽和所述第二附加沟槽均包括连接所述温度感测电路和所述温度传感器以向所述温度传感器提供限定电流的附加电力线。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述温度感测电路包括用于提供所述限定电流的稳定恒流源。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一条感测线连接所述温度感测电路和所述温度传感器，以向所述温度传感器施加电压或者感测所述温度传感器处的电压。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：接触层，设置在所述半导体本体上，使得所述至少一个布线层位于所述接触层和所述半导体本体之间，其中所述接触层电连接至所述场效应晶体管的第一负载端。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中形成所述屏蔽的所述导电焊盘电耦合地连接至所述场效应晶体管的第二负载端。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中形成所述屏蔽的所述导电焊盘可操作地耦合至恒定电位。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中形成所述屏蔽的所述导电焊盘与所述半导体本体电耦合。
13.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述感测线和所述电力线通过绝缘层与周围的半导体本体隔离。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述绝缘层根据在所述沟槽中的位置具有可变厚度。
15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场效应晶体管由晶体管单元的阵列组成，每一个单元均与栅电极相关联，其中通过所述晶体管单元的阵列布局所述第一附加沟槽。
16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述温度传感器是二极管或双极晶体管的基极-发射极二极管。
17.一种半导体器件，包括：
半导体本体；
至少一个布线层，设置在所述半导体本体上；
场效应晶体管，集成在所述半导体本体中，所述场效应晶体管具有位于形成在所述半导体本体中的对应栅极沟槽中的多个栅电极；
第一电路，集成在所述半导体本体中，与所述场效应晶体管相邻；
第二电路，集成在所述半导体本体中，并与所述第一电路远离；
至少一个第一附加沟槽，形成在所述半导体本体中，所述第一附加沟槽包括至少一条连接线，所述至少一条连接线电连接所述第一电路和所述第二电路；
至少一个导电焊盘，形成在所述至少一个布线层中，所述至少一个导电焊盘被布置为至少部分地覆盖所述第一附加沟槽以形成所述连接线的屏蔽。
18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中所述第一电路是两端电路。
19.根据权利要求17所述的半导体器件，其中所述第一电路包括传感器。
20.根据权利要求17所述的半导体器件，其中所述第二电路被配置为处理在第一信号处得到的信号。
21.根据权利要求19所述的半导体器件，其中所述第二电路被配置为处理在所述传感器处得到的传感器信号。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |