CN105390592A - 一种紫外led光源三层封装方法 - Google Patents
一种紫外led光源三层封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105390592A CN105390592A CN201510942977.XA CN201510942977A CN105390592A CN 105390592 A CN105390592 A CN 105390592A CN 201510942977 A CN201510942977 A CN 201510942977A CN 105390592 A CN105390592 A CN 105390592A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- refractive index
- ultraviolet led
- light source
- silica gel
- led light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 14
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 8
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 abstract 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012913 prioritisation Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种紫外LED光源三层封装方法，包括以下步骤：步骤一、提供含有印刷电路层的基板；步骤二、将紫外LED芯片固定在基板上；步骤三、采用金线将紫外LED芯片与基板电极连接；步骤四、将第一硅胶包覆在紫外LED芯片和金线上；步骤五、将第二硅胶灌封在第一硅胶上，所述第二硅胶的折射率小于第一硅胶的折射率；步骤六、将石英透镜设置在第二硅胶上，所述石英透镜的折射率小于第二硅胶的折射率；步骤七、烘烤得到紫外LED光源。采用本方法可以有效的增加出光率，并降低光衰。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装方法技术领域，特别是一种紫外LED光源三层封装方法。
背景技术
半导体照明作为新一代的照明技术，具有很多优点：节能、环保、长寿命、响应快等，近年来发展非常迅速。
紫外LED具体积小、寿命长和效率高等优点,具有广泛的应用前景。目前，紫外LED的发光功率较低,除了芯片制作水平的提高外,封装技术对LED的特性也有重要的影响。目前,紫外LED主要有环氧树脂封装和金属与玻璃透镜封装。前者主要应用于400nm左右的近紫外LED,但紫外光对材料的老化影响较大。后者主要应用于波长小于380nm的紫外LED,由于GaN和蓝宝石折射率分别为2.4和1.76,而气体折射率为1,较大的折射率差导致全反射对光的限制较为严重,封装材料是LED封装技术的另一个重要方面。LED封装材料主要有玻璃透镜、环氧树脂和硅树脂等。石英玻璃软化点温度为1600℃,热加工温度为1700～2000℃,从工艺的角度,石英玻璃不适合用来密封LED芯片;环氧树脂高温耐热性能一般,耐紫外光性能较差出光效率低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种紫外LED光源三层封装方法，采用本方法可以有效的增加出光率，并降低光衰。
本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案：
根据本发明提出的一种紫外LED光源三层封装方法，包括以下步骤:
步骤一、提供含有印刷电路层的基板；
步骤二、将紫外LED芯片固定在基板上；
步骤三、采用金线将紫外LED芯片与基板电极连接；
步骤四、将第一硅胶包覆在紫外LED芯片和金线上；
步骤五、将第二硅胶灌封在第一硅胶上，所述第二硅胶的折射率小于第一硅胶的折射率；
步骤六、将石英透镜设置在第二硅胶上，所述石英透镜的折射率小于第二硅胶的折射率；
步骤七、烘烤得到紫外LED光源。
作为本发明所述的一种紫外LED光源三层封装方法进一步优化方案，所述第一硅胶的折射率为1.53。
作为本发明所述的一种紫外LED光源三层封装方法进一步优化方案，所述第二硅胶的折射率为1.51。
作为本发明所述的一种紫外LED光源三层封装方法进一步优化方案，所述石英透镜的折射率为1.46。
作为本发明所述的一种紫外LED光源三层封装方法进一步优化方案，所述石英透镜为实心。
本发明采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
（1）本发明与传统的封装方法相比，本发明提供的紫外LED三层封装设计方法，出光效率提高约60%；
（2）老化试验表明，传统封装使用环氧树脂封装，紫外LED的发光功率在100小时内衰减到50%以下，而本发明提供的紫外LED三层封装设计方法，连续工作800小时后发光功率依然维持在95%以上，发光功率衰减低于5%。
附图说明
图1是包含环氧树脂的传统封装方法COB（Chiponboard）光源结构示意图。
图2是传统封装方法COB（Chiponboard）光源结构示意图。
图3是本发明所述方法紫外LED光源三层封装设计结构图。
图中的附图标记解释为：1-石英透镜，2-基板，3-紫外LED芯片，4-环氧树脂，5-第一硅胶，6-第二硅胶。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案做进一步的详细说明：
一种紫外LED光源三层封装设计方法，包含以下步骤：
1、将紫外LED芯片3固定在含有印刷电路层的基板2上；
2、使用金线将紫外LED芯片3正负极分别于印刷电路层正负极连接；
3、使用点胶机将调配好比例的折射率为1.53的第一硅胶5点在LED芯片上，仅包覆住紫外LED芯片3及金线；
4、使用点胶机将调配好比例的折射率为1.51的第二硅胶6灌粉在LED内部；
5、将折射率为1.46的石英透镜1放置在LED上部并卡住；
6、将半成品送入烤箱烘烤；
本发明的原理是，硅树脂比环氧树脂具备更强的抗热和抗紫外光能力，并且使用从内到外逐步递减折射率的方式，可以使内部出光的全反射率降低，即增加了出光率，又降低了在LED的光衰；
硅胶的主要结构包括Si和2O，主链Si-O-Si是无机的，而且具有较高的键能(422.5kJ/mol)；而环氧树脂的主链主要是C-C或C-O,键能分别为356kJ/mol和344.4kJ/mol。由于键能较高,硅胶的性能相对要稳定。因此,硅胶具有良好的耐紫外光特性。
上述的步骤中，封装结构共有3层。可以使用常规的固晶焊线工艺，上述的材料均可以采用折射率相同的常规材料；
上述的步骤3中，里层采用第一硅胶进行密封,因为第一硅胶的折射率为1.53，GAN和蓝宝石衬底的折射率分别为2.4和1.76，使用高折射率胶水拉近了与芯片折射率的差，有利于充分提高LED的提取效率，并且固化后为弹性硅胶,较低的机械强度有利于保护芯片和电极引线；
上述的步骤4中，灌粉是第二硅胶，作为石英玻璃透镜和第一硅胶层间的过渡层，第二硅胶折射率为1.51，与第一硅胶的折射率1.53接近，故透光性很好，全反射率低，并且与硅胶固化后硬度大、粘接性强，能很好地固定玻璃透镜；
上述的步骤5中，外层是高透过率石英玻璃透镜,，折射率为1.46，用于光的导出，并形成一定的光场分布,其极高的紫外光透过率减少了光在激射过程中的损失。
在整个结构中,为了尽可能减少硅树脂对紫外光的吸收损耗,树脂层厚度都较薄。同时,折射率逐层递减的3层结构有利于减少光在传播过程中的菲涅尔损耗。
图1是包含环氧树脂的传统封装方法COB（Chiponboard）光源结构示意图。图1中的4是环氧树脂。
图2是传统封装方法COB（Chiponboard）光源结构示意图。
实施例1
本发明所提供的紫外LED光源三层封装设计方法，基本工艺中的固晶，焊线，点胶等工艺，固晶焊线与传统封装方法的工艺相同，包括：
固晶：如图3所示，将紫外LED芯片3固定到基板2上；
焊线：如图3所示，将紫外LED芯片使用金线与基板的电路连接；
点胶：如图3所示，将配置好的第一硅胶5点到紫外LED芯片3的周围，仅需包覆住芯片和金线；之后再如图3所示，将配置好的第二硅胶6点到LED内部；然后将石英透镜1盖到LED上部卡住，
烘烤：完成上述步骤后放入烤箱烘烤即可。
本发明增加了紫外LED出光效率及减少光衰；从内到外依次使用递减折射率的封装材料，降低了出光的全反射率，增加LED出光效率。
本发明实施例紫外LED光源三层封装设计方法与常规紫外LED封装的数据对比如下表1所示：
表1
以上数据均为常温常压下，使用20mA电流持续点亮，点亮一定时间后进行测试得出。
以上所述的具体实施方案，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步的详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方案而已，并非用以限定本发明的范围，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的构思和原则的前提下所做出的等同变化与修改，均应属于本发明保护的范围。
Claims (5)
1.一种紫外LED光源三层封装方法，其特征在于，包括以下步骤:
步骤一、提供含有印刷电路层的基板；
步骤二、将紫外LED芯片固定在基板上；
步骤三、采用金线将紫外LED芯片与基板电极连接；
步骤四、将第一硅胶包覆在紫外LED芯片和金线上；
步骤五、将第二硅胶灌封在第一硅胶上，所述第二硅胶的折射率小于第一硅胶的折射率；
步骤六、将石英透镜设置在第二硅胶上，所述石英透镜的折射率小于第二硅胶的折射率；
步骤七、烘烤得到紫外LED光源。
2.根据权利要求1所述的一种紫外LED光源三层封装方法，其特征在于，所述第一硅胶的折射率为1.53。
3.根据权利要求1所述的一种紫外LED光源三层封装方法，其特征在于，所述第二硅胶的折射率为1.51。
4.根据权利要求1所述的一种紫外LED光源三层封装方法，其特征在于，所述石英透镜的折射率为1.46。
5.根据权利要求1所述的一种紫外LED光源三层封装方法，其特征在于，所述石英透镜为实心。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510942977.XA CN105390592A (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 一种紫外led光源三层封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510942977.XA CN105390592A (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 一种紫外led光源三层封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105390592A true CN105390592A (zh) | 2016-03-09 |
Family
ID=55422657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510942977.XA Pending CN105390592A (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 一种紫外led光源三层封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105390592A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106299042A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-04 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种紫外led光源无机封装方法 |
| CN106684227A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-17 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种紫外led封装方法 |
| CN108735880A (zh) * | 2017-04-21 | 2018-11-02 | 青岛杰生电气有限公司 | 一种增加出光率的紫外灯封装结构 |
| CN109103319A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-28 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 一种深紫外led封装结构及其封装方法 |
| CN112038463A (zh) * | 2019-06-04 | 2020-12-04 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种紫外led器件及其制备方法 |
| CN114023828A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-02-08 | 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 | 传感器及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005027576A2 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-24 | Nanocrystal Lighting Corporation | Light efficient packaging configurations for led lamps using high refractive index encapsulants |
| US20110180832A1 (en) * | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Kim Deung Kwan | Light emitting device package |
| CN102280556A (zh) * | 2010-06-08 | 2011-12-14 | 昆山冠辉精密电子有限公司 | Led封装结构 |
| CN104659181A (zh) * | 2013-11-20 | 2015-05-27 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种高亮度贴片发光二极管制作方法 |
-
2015
- 2015-12-16 CN CN201510942977.XA patent/CN105390592A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005027576A2 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-24 | Nanocrystal Lighting Corporation | Light efficient packaging configurations for led lamps using high refractive index encapsulants |
| US20110180832A1 (en) * | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Kim Deung Kwan | Light emitting device package |
| CN102280556A (zh) * | 2010-06-08 | 2011-12-14 | 昆山冠辉精密电子有限公司 | Led封装结构 |
| CN104659181A (zh) * | 2013-11-20 | 2015-05-27 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种高亮度贴片发光二极管制作方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106299042A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-04 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种紫外led光源无机封装方法 |
| CN106684227A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-17 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种紫外led封装方法 |
| CN108735880A (zh) * | 2017-04-21 | 2018-11-02 | 青岛杰生电气有限公司 | 一种增加出光率的紫外灯封装结构 |
| CN109103319A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-28 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 一种深紫外led封装结构及其封装方法 |
| CN112038463A (zh) * | 2019-06-04 | 2020-12-04 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种紫外led器件及其制备方法 |
| CN114023828A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-02-08 | 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 | 传感器及其制作方法 |
| CN114023828B (zh) * | 2021-09-26 | 2023-08-01 | 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 | 传感器及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105390592A (zh) | 一种紫外led光源三层封装方法 | |
| CN203857313U (zh) | 一种高光效的led球泡灯 | |
| CN106848031A (zh) | 紫外光发光二极管的封装结构 | |
| CN209896097U (zh) | 一种深紫外led全无机气密封装结构 | |
| CN102751274A (zh) | 一种立体包覆封装的led芯片 | |
| CN207038549U (zh) | 一种紫外led封装器件 | |
| CN104701438B (zh) | 深紫外光源及其封装方法 | |
| CN106684227B (zh) | 一种紫外led封装方法 | |
| US20100289055A1 (en) | Silicone leaded chip carrier | |
| CN102983245A (zh) | 一种紫外发光二极管的封装结构 | |
| CN107180904A (zh) | 一种紫外led封装器件 | |
| US20130092971A1 (en) | Light emitting diode packaging structure and manufacturing method thereof | |
| CN203967110U (zh) | 一种led灯丝片以及led灯丝片灯泡 | |
| CN105280783A (zh) | 一种紫外led器件 | |
| CN106299042A (zh) | 一种紫外led光源无机封装方法 | |
| CN107123721A (zh) | 一种带透镜式led封装结构及封装方法 | |
| CN103236492B (zh) | 专用于液体照明/装饰的led封装结构及封装方法 | |
| CN208077971U (zh) | Led光源 | |
| CN106356437A (zh) | 一种白光led封装器件及其制备方法 | |
| CN201004466Y (zh) | 一种高出光率的led封装结构 | |
| CN101980392B (zh) | 一种led封装方法、封装结构、led灯及照明设备 | |
| CN203707188U (zh) | 一种提高光源光效的镜面铝基板 | |
| CN215266358U (zh) | 一种深紫外发光二极管 | |
| CN206179898U (zh) | 一种芯片级白光led封装结构 | |
| CN103956357A (zh) | 一种led灯丝的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160309 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |