CN105390552A - 一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105390552A CN105390552A CN201510769430.4A CN201510769430A CN105390552A CN 105390552 A CN105390552 A CN 105390552A CN 201510769430 A CN201510769430 A CN 201510769430A CN 105390552 A CN105390552 A CN 105390552A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- cdte thin
- solar cell
- cdte
- film solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1836—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising a growth substrate not being an AIIBVI compound
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明公开了一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法。所述CdTe薄膜太阳能电池的组成为：金刚石薄膜窗口层；在所述金刚石薄膜窗口层上表面的栅电极；在所述金刚石薄膜窗口层下表面的CdTe薄膜吸收层；与所述CdTe薄膜吸收层连接的背电极。所述金刚石薄膜窗口层的厚度为3～5μm，所述栅电极为Cr/Au复合电极，所述背电极为Ag电极或者In电极。本发明的CdTe薄膜太阳能电池，具有成本低、耐高温、抗腐蚀的优点。该CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，有效降低了工艺的复杂度和制造成本，具有成膜质量好、工艺简单、价格低廉的优点。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法。
背景技术
太阳能是一种清洁、无污染、取之不尽用之不竭的天然能源，受到人们的高度重视。太阳能电池可以直接将太阳能转换为电能，由于薄膜太阳能电池成本低、节约材料，研究者高度重视薄膜太阳能电池的开发与应用。
CdTe是一种化合物半导体，在太阳电池中一般作吸收层。由于它的直接带隙为1.45eV左右，与太阳光谱非常匹配，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率(28％)，性能很稳定，一直被光伏业界看重。
近年来，太阳能电池的研究方向是高转换效率、低成本和高稳定性。因此，以CdTe薄膜太阳能电池为代表的薄膜太阳电池倍受关注。美国国家可再生能源实验室公布了SolarCells公司的面积为6879cm2的CdTe薄膜太阳能电池的测试结果，其转换效率达到7.7％。BpSolar的CdTe薄膜太阳能电池面积为4540cm2，转换效率为8.4％。然而，由于不耐高温且抗辐照性能差，不适用于空间应用，限制了太阳能电池的发展。
发明内容
本发明的目的是，提供一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法。主要解决现有技术中太阳能电池不耐高温且抗辐照性能差的技术问题。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
本发明提供了一种CdTe薄膜太阳能电池，由以下4个部分组合而成：1)金刚石薄膜窗口层；2)在所述金刚石薄膜窗口层上表面的栅电极；3)在所述金刚石薄膜窗口层下表面沉积CdTe薄膜的吸收层；4)在所述CdTe薄膜吸收层上的背电极。
优选地，所述金刚石薄膜窗口层的厚度为3～5μm。
优选地，所述金刚石薄膜窗口层上表面的栅电极为Cr/Au复合电极。
所述CdTe薄膜吸收层上的背电极为Ag电极或者In电极。
本发明还提供了一种CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，采用如下的制备步骤：
a、在所述金刚石薄膜表面制备CdTe薄膜吸收层；
b、对所述CdTe薄膜吸收层进行CdCl2退火处理；
c、在所述CdTe薄膜吸收层上制备背电极；
d、在所述金刚石薄膜表面溅射栅电极；
e、获得柔性衬底CdTe薄膜太阳能电池。
较佳的，所述步骤a中所述的CdTe薄膜吸收层采用电解淀积工艺，将含有Cd2+及HTeO2+的电解液进行化学还原反应，从而得到Cd和Te并淀积在金刚石薄膜上形成CdTe薄膜，形成金刚石/CdTe电池pn结，CdTe薄膜厚度3-5μm。
在金刚石薄膜表面沉积CdTe薄膜吸收层之前，先将所述金刚石薄膜用超声波丙酮清洗15-20min，再用去离子水超声清洗15-20min，最后用氮气吹干。
较佳的，所述步骤b中所述的对CdTe薄膜吸收层进行CdCl2退火处理，使用溅射工艺，溅射靶材为99.99％高纯CdCl2，反应室气压300～400Pa，溅射功率为300～500W，溅射时间为30min。溅射完成后继续通Ar气作保护气，保持衬底温度为300～350℃退火40min。
较佳的，所述步骤c中使用真空蒸镀法在CdTe薄膜上蒸镀金属In作为背电极，In纯度为99.99％。蒸发沉积时，真空室压强小于5×10-3Pa，蒸发时间1-2s。
较佳的，所述步骤d中所述栅电极采用磁控溅射方法制备，靶材分别为Cr和Au，Cr和Au的纯度分别为99.99％以上。溅射沉积时，溅射室压强小于5×10-3Pa，溅射电压400V，溅射时间5-10min。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
1、本发明提供的CdTe薄膜太阳能电池，具有成本低、耐高温、抗腐蚀的优点。
2、本发明所述的CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，有效降低了工艺的复杂度和制造成本，具有成膜质量好、工艺简单、价格低廉的优点，是一种制备高质量CdTe薄膜太阳电池的有效方法。
附图说明
图1是本发明中CdTe薄膜太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案进行详细说明。
参见图1，该图为CdTe薄膜太阳能电池的结构示意图。所述CdTe薄膜太阳能电池由四个部分组合而成，这四个部分分别为：栅电极1、金刚石薄膜窗口层2、CdTe薄膜吸收层3、背电极4。
如图1所示，所述CdTe薄膜太阳能电池的制备过程为：在金刚石薄膜窗口层2的上表面溅射Cr/Au金属接触层制备栅电极1，在金刚石薄膜窗口层2下表面沉积CdTe薄膜吸收层3，在CdTe薄膜吸收层3上蒸发沉积金属In接触层制备背电极4，最后对电池进行封装密封保护。
本实施例具体采用如下的制备步骤：
a、在所述金刚石薄膜表面制备CdTe薄膜吸收层；
b、对所述CdTe薄膜吸收层进行CdCl2退火处理；
c、在所述CdTe薄膜吸收层上制备In背电极；
d、在所述金刚石薄膜表面溅射Cr/Au复合栅电极；
e、获得柔性衬底CdTe薄膜太阳能电池。
具体的，本实施例所述步骤a中所述的CdTe薄膜吸收层采用电解淀积工艺，将含有Cd2+及HTeO2+的电解液进行化学还原反应，从而得到Cd和Te并淀积在金刚石薄膜窗口层上形成CdTe薄膜吸收层，CdTe薄膜吸收层厚度为3μm。
在金刚石薄膜表面沉积CdTe薄膜吸收层之前，先将所述金刚石薄膜用超声波丙酮清洗15min，再用去离子水超声清洗15min，最后用氮气吹干。沉积时，所述柔性衬底薄膜材料层的温度为200℃，沉积室背景压强小于5×10-3Pa，溅射电压400V，沉积时间15min。
本实施例所述步骤b中所述的对CdTe薄膜吸收层进行CdCl2退火处理，使用溅射工艺，溅射靶材为99.99％高纯CdCl2，反应室气压350Pa，溅射功率为300W，溅射时间为30min。溅射完成后继续通Ar气作保护气，保持衬底温度为350℃退火40min。
本实施例所述步骤c中使用真空蒸镀法在CdTe薄膜上蒸镀金属In作为金属接触电极，In纯度为99.99％。蒸发沉积时，真空室压强小于5×10-3Pa，蒸发时间1-2s。
本实施例所述步骤d中所述栅电极采用磁控溅射方法制备，靶材分别为Cr和Au，Cr和Au的纯度为99.99％以上。溅射时，溅射室压强小于5×10-3Pa，溅射电压400V，溅射时间10min。
示例性的，本实施例所述步骤a所述的CdTe薄膜采用电解淀积工艺，将含有Cd2+及HTeO2+的电解液进行化学还原反应，得到Cd和Te并淀积形成CdTe薄膜。电解淀积过程中，控制电解时间、温度、溶液浓度等，得到厚度为3μm的薄膜。
电解淀积工艺是电解还原及淀积反应，可以由以下三个化学反应式表示：
HTeO2++3H++4e-→Te+2H2O
Cd2++2e-→Cd
Te+Cd→CdTe
示范性的，本实施例所述步骤b中所述的对CdTe薄膜吸收层进行CdCl2退火处理，使用溅射工艺，溅射靶材为99.99％高纯CdCl2，反应室气压350Pa，溅射功率为300W，溅射时间为30min。溅射完成后继续通Ar气作保护气，保持衬底温度为350℃退火40min。
退火处理的过程实际上是CdTe再结晶的过程，通过退火处理，CdTe的小晶粒消失。
退火过程的化学反应式为：
CdTe(s)+CdCl2(s)→2Cd(g)+Cl2(s)→CdTe(s)+CdCl2(s)
CdCl2在化学反应中起到了催化剂的作用。
综上所述，本实施例的CdTe薄膜太阳能电池，采用金刚石薄膜作为窗口层，CdTe薄膜吸收层采用电解淀积工艺，具有成本低廉，设备投入低、效率高的特点。本实施例的制备方法可以应用于CdTe薄膜太阳能电池的大批量制备。
上述仅为本发明的部分优选实施例，本发明并不仅限于实施例的内容。对于本领域中的技术人员来说，在本发明技术方案的构思范围内可以有各种变化和更改，所作的任何变化和更改，均在本发明保护范围之内。
Claims (10)
1.一种CdTe薄膜太阳能电池，其特征在于，所述CdTe薄膜太阳能电池的组成为：金刚石薄膜窗口层；在所述金刚石薄膜窗口层上表面的栅电极；在所述金刚石薄膜窗口层下表面的CdTe薄膜吸收层；与所述CdTe薄膜吸收层连接的背电极。
2.如权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池，其特征在于：所述金刚石薄膜窗口层的厚度为3～5μm。
3.如权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池，其特征在于：所述栅电极为Cr/Au复合电极。
4.如权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池，其特征在于：所述背电极为Ag电极或者In电极。
5.一种CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
步骤1，在金刚石薄膜表面制备CdTe薄膜吸收层；
步骤2，对所述CdTe薄膜吸收层进行CdCl2退火处理；
步骤3，在所述CdTe薄膜吸收层上制备背电极；
步骤4，在所述金刚石薄膜表面溅射栅电极，制得所述CdTe薄膜太阳能电池。
6.如权利要求5所述的CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤1中采用电解淀积工艺在金刚石薄膜表面制备CdTe薄膜吸收层，将含有Cd2+及HTeO2+的电解液进行化学还原反应，从而得到Cd和Te并淀积在金刚石薄膜上形成CdTe薄膜，形成金刚石/CdTe电池pn结，CdTe薄膜厚度为3-5μm。
7.如权利要求6所述的CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述金刚石薄膜表面沉积CdTe薄膜吸收层之前，先将所述金刚石薄膜用超声波丙酮清洗15-20min，再用去离子水超声清洗15-20min，最后用氮气吹干。
8.如权利要求5所述的CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤2中对CdTe薄膜吸收层进行CdCl2退火处理的过程为：使用溅射工艺，溅射靶材为99.99％高纯CdCl2，反应室气压300～400Pa，溅射功率为300～500W，溅射时间为30min；溅射完成后继续通Ar气作保护气，保持衬底温度为300～350℃退火40min。
9.如权利要求5所述的CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤3中制备背电极的过程为：使用真空蒸镀法在CdTe薄膜上蒸镀金属In作为背电极，In纯度为99.99％；蒸发沉积时，真空室压强小于5×10-3Pa，蒸发时间1-2s。
10.如权利要求5所述的CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤4中的栅电极采用磁控溅射方法制备，靶材分别为Cr和Au，Cr和Au的纯度分别为99.99％以上；溅射沉积时，溅射室压强小于5×10-3Pa，溅射电压400V，溅射时间5-10min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510769430.4A CN105390552A (zh) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510769430.4A CN105390552A (zh) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105390552A true CN105390552A (zh) | 2016-03-09 |
Family
ID=55422629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510769430.4A Pending CN105390552A (zh) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105390552A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102891217A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-23 | 上海大学 | 一种金刚石/ CdTe薄膜太阳能电池的制备方法 |
| CN102888584A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-23 | 上海大学 | 一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法 |
| CN104319298A (zh) * | 2014-11-20 | 2015-01-28 | 上海联孚新能源科技集团有限公司 | 柔性衬底CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 |
-
2015
- 2015-11-12 CN CN201510769430.4A patent/CN105390552A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102891217A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-23 | 上海大学 | 一种金刚石/ CdTe薄膜太阳能电池的制备方法 |
| CN102888584A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-23 | 上海大学 | 一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法 |
| CN104319298A (zh) * | 2014-11-20 | 2015-01-28 | 上海联孚新能源科技集团有限公司 | 柔性衬底CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PALLE VON HUTH，JAMES E.BUTLER，RESHEF TENNE: "Diamond/CdTe:a new inverted heterojunction CdTe thin film solar cell", 《SOLAR ENERGY MATERIALS & SOLAR CELLS》 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102306666B (zh) | 一种具有梯度能带的铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101708471B (zh) | 氧化锌/氧化亚铜纳米异质结光催化材料及其制备方法 | |
| CN105132874A (zh) | 一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度azo单晶导电薄膜的方法 | |
| CN102154622A (zh) | 用作太阳能电池光吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法 | |
| CN103060768A (zh) | 一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法 | |
| CN102569443A (zh) | 一种可调带隙铜锌锡硫半导体薄膜及其制备方法 | |
| CN104993004B (zh) | 一种氧化亚铜基异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101645469B (zh) | 一种薄膜太阳电池及其制造方法 | |
| CN102208477A (zh) | 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法 | |
| CN101570871A (zh) | 一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法 | |
| CN102181893A (zh) | 一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法 | |
| CN107217232A (zh) | 一种提高氧化锌透明导电薄膜化学稳定性的方法 | |
| CN104319298A (zh) | 柔性衬底CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103077981B (zh) | 柔性衬底硅基多结叠层薄膜太阳电池及其制造方法 | |
| CN101235475A (zh) | 一种铜铟硫化合物薄膜的制备方法 | |
| CN110093624B (zh) | 一种可控助剂和界面修复的铜铟镓硒电极及其制备方法和在光催化中的应用 | |
| CN104409218B (zh) | 一种用于量子点敏化太阳能电池的CuXS对电极及其制备和应用 | |
| CN102142484A (zh) | 多晶硅/铜铟镓硒叠层电池工艺 | |
| CN103985783B (zh) | 利用磁控溅射法在柔性衬底上制备铜锌锡硫薄膜的方法 | |
| CN102916060B (zh) | 一种硅基薄膜太阳电池及其制备方法 | |
| CN101882653B (zh) | 基于纳米CdS薄膜的太阳能电池制备方法 | |
| CN101540345B (zh) | 纳米硅薄膜三叠层太阳电池及其制备方法 | |
| CN105332026B (zh) | 电化学沉积法制备Cu2FeSnS4薄膜 | |
| CN105552166A (zh) | 一种硝酸盐体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法 | |
| CN102610690A (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160309 |