CN105386007A - 化学汽相沉积设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了化学汽相沉积设备。公开了化学汽相沉积(CVD)设备。该CVD设备包括处理腔室、基座、辅助支承部件、气体喷射部件和荫罩框架。基座可安装在所述处理腔室中，用于支承和加热母基板。辅助支承部件可以按四角形框架形式安装在所述基座上，用于支承和加热由所述基座支承的所述母基板的边缘。气体喷射部件可安装在所述处理腔室中，以面对所述基座，并且可将处理气体喷射到所述母基板。荫罩框架可覆盖所述辅助支承部件的边缘和从所述辅助支承部件的所述边缘延伸的所述基座的边缘。

Description

化学汽相沉积设备

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年9月1日提交的韩国专利申请No.10-2014-0115732的权益，该专利申请特此以引用方式并入，如同在本文中完全阐明。

技术领域

本发明涉及在基板上沉积薄层的沉积设备，更特别地，涉及通过化学汽相沉积(CVD)方法在基板上沉积薄层的化学汽相沉积设备。

背景技术

平板显示(FPD)设备被应用于诸如便携式电话、平板个人计算机(PC)、笔记本计算机等各种电子装置。FPD设备的示例包括液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示设备等。近来，电泳显示(EPD)设备正被广泛用作FPD设备中一种类型。

在这种FPD设备(下文中被简称为显示设备)中，LCD设备是使用液晶的光学各向异性来显示图像的设备。LCD设备具有诸如薄、轻、低功耗、高图像质量等优良特征，因此正被广泛运用。

在显示设备中，有机发光显示设备使用自发光的自发光装置，因此具有快速响应时间、高发光效率、高亮度、广视角等。因此，有机发光显示设备作为下一代FPD设备正备受关注。

为了制造显示设备，应该在母基板的表面上设置电路图案。为此目的，应该执行基板处理过程。这里，基板处理过程包括：薄膜沉积过程，其在母基板上沉积薄层；光过程，其使用感光材料选择性暴露薄层；蚀刻过程，其通过去除被选择性暴露的区域中的薄层来形成图案；等。

可使用物理汽相沉积(PVD)方法或化学汽相沉积(CVD)方法执行薄膜沉积过程。

使用CVD方法的化学汽相沉积(CVD)设备包括使用等离子体的等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)设备。

图1是示出应用于相关技术的CVD设备的母基板的示例性示图，该母基板的边缘被荫罩框架(shadowframe)覆盖。

在相关技术的CVD设备中，母基板2设置在底座1上，母基板2的边缘被荫罩框架3覆盖。用装载销4抬高或降低母基板2，因此，母基板2设置在基座(susceptor)1上或者被从基座1拆卸。

当向气体喷射部件(未示出)和基座1供电时，通过气体喷射部件向母基板2喷射气体。此时，在基座1和气体喷射部件之间产生等离子体，通过等离子体在母基板2上沉积薄层。

在相关技术的CVD设备中，如图1中所示，荫罩框架3覆盖母基板2的边缘和基座1的边缘，以防止通过等离子体形成的薄层沉积在基座1以及母基板2的边界上并且防止基座1因等离子体而受损。

然而，由于荫罩框架3覆盖母基板2的边缘，因此在母基板2中设置有没有沉积薄层的非沉积区A。因此，母基板2的可用面积减小，为此原因，基于一个母基板2制造的显示设备的数量减少。

此外，使荫罩框架3与母基板2接触，出于这个原因，母基板2受损。

为了提供关于相关技术的CVD设备的另外描述，如图1中所示，由于母基板2的最靠外区域被荫罩框架3覆盖，因此薄层不可避免地沉积在最靠外区域上。为此原因，母基板2的使用效率降低。另外，在使用相关技术的CVD设备沉积薄层的过程中，等离子体在母基板2的最靠外区域中与母基板2反应或者在基座1的边缘处与基座1反应，从而造成等离子体异常放电。因此，没有正常沉积薄层，从而造成缺陷。

发明内容

因此，本发明涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题的化学汽相沉积设备。

本发明的一方面涉及提供一种CVD设备，在该CVD设备中，基座的顶部被覆盖，没有被暴露于等离子体，并且母基板的整个表面被露出。

本发明的额外优点和特征将在随后的描述中部分阐述并且对于本领域的普通技术人员在阅读了下文后将变得显而易见或者可通过本发明的实践而得知。可通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。

为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如本文中实施和广义描述的，提供了一种化学汽相沉积(CVD)设备，该CVD设备包括处理腔室、基座、辅助支承部件、气体喷射部件和荫罩框架。基座可安装在所述处理腔室中，用于支承和加热母基板。辅助支承部件可以按四角形框架形式安装在所述基座上，用于支承和加热由所述基座支承的所述母基板的边缘。气体喷射部件可安装在所述处理腔室中，以面对所述基座，并且可将处理气体喷射到所述母基板。荫罩框架可覆盖所述辅助支承部件的边缘和从所述辅助支承部件的所述边缘延伸的所述基座的边缘。

要理解，对本发明的以上总体描述和以下详细描述都是示例性的和说明性的并且旨在对要求保护的本发明提供进一步说明。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并入且构成本申请的一部分，附图示出本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：

图1是示出应用于相关技术的CVD设备的母基板的示例性示图，该母基板的边缘被荫罩框架覆盖；

图2是用于描述根据本发明的实施方式的CVD设备的示图；

图3示出应用于根据本发明的第一实施方式的CVD设备的基座的剖视图和平面图；

图4示出应用于根据本发明的第二实施方式的CVD设备的基座的剖视图和平面图；

图5是示出应用于根据本发明的实施方式的CVD设备的基座和辅助支承部件的透视图；

图6是示出应用于根据本发明的实施方式的CVD设备的基座和辅助支承部件的平面图；

图7示出应用于根据本发明的实施方式的CVD设备的构成基座的一个片段板(fragmentplate)的平面图和侧视图；以及

图8是示出应用于根据本发明的实施方式的CVD设备的构成基座的三片板彼此连接的状态的平面图。

具体实施方式

现在，将详细参照本发明的示例性实施方式，在附图中示出这些实施方式的示例。只要有可能，将在整个附图中使用相同的参考标号表示相同或类似的部件。

下文中，将参照附图详细描述根据本发明的实施方式的CVD设备。

图2是用于描述根据本发明的实施方式的CVD设备的示图。图3示出应用于根据本发明的第一实施方式的CVD设备的基座的剖视图和平面图。图4示出应用于根据本发明的第二实施方式的CVD设备的基座的剖视图和平面图。

如图2至图4中所示，CVD设备可包括：处理腔室40；基座10，其被安装在处理腔室40中，用于支承和加热母基板S；辅助支承部件20，其以四角形框架形式安装在基座10上，用于支承和加热由基座10支承的母基板S的边缘；气体喷射部件50，其被安装在处理腔室40中，面对基座10并且向母基板S喷射处理气体；荫罩框架30，其覆盖辅助支承部件20的边缘和从辅助支承部件20的边缘延伸的基座10的边缘。

第一，处理腔室40可提供使用等离子体执行薄膜沉积过程的空间。

通过其装载或拆卸母基板S的入口(未示出)可设置在处理腔室40的一侧。用于排出处理腔室40的内部气体的至少一个排气口41可设置在处理腔室40的底部上。

第二，气体喷射部件50可设置在腔室40中，面对基座10。气体喷射部件50可连接到穿过处理腔室40的上表面的供气管。

气体喷射部件50可均匀地扩散通过供气管供应的处理气体，以将处理气体喷射到设置在基座10中的母基板S。

此外，气体喷射部件50可通过电缆连接到电源并且可从电源被供电。根据施加到气体喷射部件50的电力和施加到基座10的电力，在气体喷射部件50和基座10之间的空间中可产生等离子体。

第三，基座10可被安装在处理腔室40中，被抬高和降低，并且可支承装载到处理腔室40中的母基板S。

基座10可被穿过处理腔室40的底部的抬高部件70支承以被抬高和降低。

底座10可装配加热器(未示出)。基座10可包括外部部分11和突出部分12，辅助支承部件20设置在外部部分11中，突出部分12在从外部部分11的内侧向着外部部分11的顶部的方向上突出。母基板S可设置在突出部分12处。

外部部分11可由诸如铝(Al)和/或等金属材料形成。外部部分11可与突出部分12设置为一体。用于加热母基板S的加热器(未示出)可内置于外部部分11中。

突出部分12可在从外部部分11的内侧向着外部部分11的顶部的方向上突出，以具有比母基板S的面积小的面积。突出部分12可与外部部分11设置为一体，或者可与外部部分11分开设置。突出部分12可由诸如Al和/或等金属材料形成。当在处理腔室40中加热突出部分12和设置在突出部分12处的母基板S时，突出部分12和母基板S会发生膨胀。在这种情况下，母基板S的膨胀程度可大于突出部分12和外部部分11中的每个的膨胀程度，因此，突出部分12的面积可小于母基板S的面积。

突出部分12的顶部的形状可与母基板S的形状相同。

从外部部分11的顶部突出的突出部分12的侧表面的高度可与辅助支承部件20的高度相同。因此，辅助支承部件20的顶部可平行于突出部分12的顶部。

在这种情况下，辅助支承部件20可设置在外部部分11处并且可围绕突出部分12的侧表面。

可在突出部分12处设置三个或更多个的支承母基板S的支承销80。本发明的第一实施方式和本发明的第二实施方式的支承销80的位置可存在差异。

<应用于第一实施方式的基座10的结构>

在根据本发明的第一实施方式的基座10中，如图3中所示，支承销80可设置在突出部分12的内侧。

这里，突出部分12的内侧可代表突出部分12的各侧表面的内侧。在图3中，突出部分12的各侧表面可代表划分突出部分12和外部部分11的边界表面。为了提供另外的描述，突出部分12的各侧表面可代表从外部部分11的顶部突出的表面。突出部分12的内侧可代表构成突出部分12的四个侧表面中的每个的内侧。

<应用于第二实施方式的基座10的结构>

在根据本发明的第二实施方式的基座10中，如图4中所示，支承销80可设置在突出部分12和辅助支承部件20之间的边界表面上。

例如，如图4的(b)中所示，可通过设置在突出部分12的侧表面和辅助支承部件20的侧表面处的支承销孔来抬高或降低支承销80，以支承母基板S。

为了提供另外的描述，支承销80可被插入到支承销孔(未示出)中并且可通过支承销被抬高或降低，以支承母基板S。这里，可通过半球形片板凹槽(未示出)和半球形基座凹槽(未示出)的组合来设置支承销孔，半球形片板凹槽设置在与基座10紧密粘附的辅助支承部件20的侧表面中的第一侧表面处，半球形基座凹槽(未示出)设置在突出部分12的侧表面处并且紧密粘附于片板凹槽。

辅助支承部件20可被设置成四角形框架形式并且可安装在基座10上，用于支承和加热由基座10支承的母基板S的边缘。

辅助支承部件20可由具有导热率并且是非导体的材料形成。例如，辅助支承部件20可由陶瓷和/或等形成。

辅助支承部件20可将基座10的热传递到设置在基座10上的母基板S的边缘，以加热母基板S的边缘。

辅助支承部件20可设置在基座10中的外部部分11的顶部上并且可围绕突出部分12的侧表面。在这种情况下，如图3和图4中所示，母基板S可设置在突出部分12上，母基板S的外部部分可突出到突出部分12的外部并且可设置在辅助支承部件20的顶部上。

因此，辅助支承部件20防止突出部分12的侧表面和外部部分11的顶部被露到外面。因此，当在处理腔室40中正在执行沉积过程时，防止处理腔室40中产生的等离子体被传递到突出部分12和外部部分11。

为了提供另外的描述，突出部分12的宽度可略小于母基板S的宽度，突出部分12的长度可略小于母基板S的长度。辅助支承部件20可围绕突出部分12的侧表面并且覆盖外部部分11的顶部。

在这种情况下，母基板S可位于突出部分12的顶部和辅助支承部件20的顶部上，辅助支承部件20的边缘可被荫罩框架30覆盖。例如，荫罩框架30可覆盖辅助支承部件20的边缘和从辅助支承部件20的边缘延伸的基座10(即，外部部分11的边缘)。

因此，当从气体喷射部件50看时，突出部分12的顶部和外部部分11的顶部不会露出。因此，处理腔室40中产生的等离子体可不与突出部分12和外部部分11接触，从而防止等离子体异常放电。

以下，将参照图5至图8描述辅助支承部件20的详细构造。

如图3和图4中所示的荫罩框架30可覆盖辅助支承部件20的边缘和从辅助支承部件20的边缘延伸的基座10(即，外部部分11的边缘)。

如图2中所示的荫罩框架30可悬于设置在处理腔室40中的荫罩框架吊架42。在这种情况下，当用抬高部件70降低基座10时，荫罩框架30可悬于荫罩框架吊架42。随后，当用抬高部件70抬高基座10时，荫罩框架30可在覆盖辅助支承部件20和外部部分11的状态下与基座10一起被抬高。

在这种状态下，为了使荫罩框架不与辅助支承部件20的顶部和外部部分11的顶部直接接触，如图3的(a)和图4的(a)中所示，可在基座10中设置支承荫罩框架30的荫罩框架支承部件。

诸如母基板S、突出部分12、辅助支承部件20和荫罩框架30的元件之间的间隔可如下设置。

荫罩框架30和母基板S之间的间隔可在执行沉积过程之前相对于母基板S是大约4.0mm。当执行沉积过程时，处理腔室40的内部温度可升高，因此，母基板S可被抬高。因此，如上所述，母基板S可与荫罩框架30分隔开达大约4.0mm的间隔。

此外，根据本发明的第二实施方式，从支承销80的中心轴到母基板S的边缘角部的长度可以是大约5.5mm。因此，辅助支承部件20的与大约5.5mm的长度对应的那部分可被母基板S覆盖。

此外，根据本发明的第二实施方式，从支承销80的中心轴到辅助支承部件20的边缘角部的长度可以是大约20mm。在这种情况下，如上所述，辅助支承部件20的与大约20mm的长度对应的那部分可被母基板S覆盖。

由于辅助支承部件20的与大约5.5mm的长度对应的那部分被母基板S覆盖，因此母基板S和荫罩框架30之间的间隔是4.0mm或更大，辅助支承部件20的宽度是大约20mm，辅助支承部件20的与大约10.5mm的长度对应的那部分可被荫罩框架30覆盖。

荫罩框架30和辅助支承部件20之间的间隔可以是0.2mm至0.5mm。如果该间隔增大，则沉积过程中产生的等离子体可流过与该间隔对应的空间并且可与外部部分11反应。另外，如果该间隔减小，则可使荫罩框架30与辅助支承部件20接触，为此原因，辅助支承部件20受损。

下文中，将简要描述根据本发明的实施方式的操作具有上述构造的CVD设备的方法。

首先，可降低抬高部件70，因此，支承销80可突出到基座10的顶部。

随后，可将母基板S装载到处理腔室40中并且可将母基板S定位在支承销80上。

随后，可用抬起部件70抬高基座10。在这种情况下，可抬高基座10，特别地，可将悬于荫罩框架吊架42的荫罩框架40与基座10一起抬高。

荫罩框架40可不覆盖母基板S。也就是说，荫罩框架40可与母基板S分隔开达一定间隔并且可覆盖辅助支承部件20的边缘和外部部分11。

随后，当将基座10抬高到预定位置时，抬高部件70可止动，支承销80可被插入到多个支承销孔(未示出)之间。因此，母基板S可位于用于沉积过程的位置处。

在这种情况下，基座10可被荫罩框架40、辅助支承部件20和母基板S覆盖。

荫罩框架40由于基座10(特别地，由于安装在外部部分10顶部上的荫罩框架支承部件)可不与母基板S的顶部和辅助支承部件20的顶部接触。

随后，处理腔室40的内部状态可变成真空状态，并且当向气体喷射部件50施加电力时，气体喷射部件50可将气体喷射到母基板S。因此，可在母基板S和气体喷射部件50之间产生等离子体，并且由于等离子体，导致可遍布整个母基板S沉积薄层。

在这种情况下，根据本实施方式，母基板S可不被任何结构覆盖，因此，可遍布整个母基板S沉积薄层。

此外，根据本实施方式，母基板S中的可用区域可以是最大的。

此外，根据本实施方式，母基板S的上端可不与任何结构接触，从而防止母基板S受损。

此外，根据本实施方式，由于基座10被母基板S、辅助支承部件20和荫罩框架30覆盖，因此基座10没有被直接暴露于等离子体。因此，防止由于等离子体和基座10之间的接触而导致等离子体异常放电。

此外，根据本实施方式，从外部部分11产生的热可通过辅助支承部件20传递到母基板S的边缘，因此，可在母基板S的边缘上均匀地沉积薄层。

最后，可颠倒地执行上述操作，因此，可将上面沉积薄层的母基板S从处理腔室拆卸下，带到外部。

例如，当执行沉积处理时，可降低基座10，因此，支承销80可突出到突出部分12的表面，以支承母基板S。

可将荫罩框架30与基座10一起降低，然后，可将荫罩框架30悬于荫罩框架吊架42。

当完成基座10的降低时，可将母基板S从处理腔室40拆卸下，带到外部。

图5是示出应用于根据本发明的实施方式的CVD设备的基座和辅助支承部件的透视图。图6是示出应用于根据本发明的实施方式的CVD设备的基座和辅助支承部件的平面图。图7示出应用于根据本发明的实施方式的CVD设备的配置基座的一个片段板的平面图和侧视图。图8是示出其中应用于根据本发明的实施方式的CVD设备的构配置基座的三片板彼此连接的状态的平面图。

第一，如图5中所示，辅助支承部件20可设置在外部部分11处并且可围绕突出部分12的侧表面。

辅助支承部件20的顶部可平行于突出部分12的顶部设置。也就是说，辅助支承部件20的高度可与从突出部分12的顶部到外部部分11的顶部的高度相同或几乎近似。因此，母基板S可稳定地设置在突出部分12的顶部和辅助支承部分20的顶部上。

支承销80可被安装在突出部分12上。支承销80中的每个可被垂直地设置为穿过配置基座10的突出部分12。为此目的，可在基座10的突出部分12处设置多个支承销孔，多个支承销被垂直贯穿地插入到这多个支承销孔中。

支承销80可设置在突出部分12的各种位置。在图5中，示出以上参照图3描述的根据本发明的第一实施方式的突出部分12和辅助支承部件20。在本发明的第一实施方式中，支承销80可设置在突出部分12的内侧。

在以上对本发明的第二实施方式进行的描述中，已经描述了，支承销80设置在突出部分12和辅助支承部件20之间的边界表面上。图6中示出这个的示例。也就是说，如图6中所示，根据本发明的第二实施方式的支承销80可设置在突出部分12的侧表面和辅助支承部件20之间的边界表面上。然而，如图5中所示，除了图6中示出的位置之外，根据本发明的第二实施方式，支承销80还可设置在突出部分12的内侧。

第二，辅助支承部件20可包括多个片板21。

例如，如图5和图6中所示，辅助支承部件20可由多个片板21配置，可通过穿过对应片板21的固定螺栓22将片板21固定到外部部分11。

特别地，在根据本发明的第二实施方式的CVD设备中，如图6中所示，片板21中的每个可通过支承销80和穿过对应片板21的固定螺栓22固定到外部部分11。

在这种情况下，考虑到片板21的热膨胀，如图7中所示，固定螺栓22可被插入到具有半球形的固定螺栓凹槽24中，以固定对应的片板21。形状与固定螺栓凹槽24的形状类似的片板凹槽25可设置在固定螺栓凹槽24的反面上。支承销80可被插入到片板凹槽25中。片板销21的两个侧表面可被固定螺栓22和支承销80支承，因此，片板21可被固定到外部部分11。

如上所述，支承销80可被插入到半球形片板凹槽25和半球形基座凹槽(未示出)中以支承母基板S，半球形片板凹槽25设置在与基座10(特别地，突出部分12)紧密粘附的片板21的侧表面中的第一侧表面处，半球形基座凹槽(未示出)设置在突出部分12处并且紧密粘附于片板凹槽25。

例如，支承销80的在朝向突出部分12的方向上的的一半(参见图4中的(b))可被插入到设置在突出部分12处的基座凹槽中，支承销80的在朝向辅助支承部件20的方向上的另一半可被插入到设置在辅助支承部件20处的片板凹槽25中。

为了提供另外的描述，如上所述，辅助支承部件20可被划分成多个片板21，用于将高温下的热膨胀系数减至最小。

在这种情况下，可通过一个支承销80和一个固定螺栓22将片板21固定到外部部分11。固定螺栓22可在片板21的纵向方向上固定到中心部分，支承销80可固定到片板21的各种位置。另外，在本发明的第二实施方式中，辅助支承部件20可由片板21配置。在这种情况下，可设置一个或更多个固定螺栓22，并且可改变固定螺栓22设置在片板21上的位置。

固定螺栓22防止由于片板21的热膨胀而导致支承销80扭曲并且使片板21之间的间隔减至最小。

片板21中的每个的厚度可等于或小于突出部分12的阶梯高度，即，突出部分12的高度。也就是说，当温度降低时，片板21中的每个的厚度可变化，出于这个原因，可不匹配突出部分11的高度。为了解决此问题，各片板21的厚度可等于或小于突出部分12的高度。

例如，片板21中的每个的厚度(高度)可小于5.6mm(即突出部分12的阶梯高度)。

第三，相对于与辅助支承部件20的顶部垂直的横截面表面，两个片板21可彼此交叠。例如，配置辅助支承部件20的片板21中的每个可包括如图7的(a)中图示为虚线的交叠部分27。为了提供另外的描述，如图7的(b)中所示，片板21的上端的长度可比片板21的下端的长度长。

此外，尽管在附图中没有详细示出，但与图7中示出的片板21连接的其它片板21均可包括交叠部分27。在这种情况下，不同于图7中示出的片板21，其它片板21中的每个中包括的交叠部分27可被设置成，使得其它片板21中的每个的上端的长度比其它片板21中的每个的下端的长度短。

因此，当如图8中所示分别包括具有不同形状的多个交叠部分27的两个片板21彼此连接时，分别包括在这两个片板21中的交叠部分27可彼此交叠。

例如，当图8中示出的三个片板21之中的设置在中间部分的第二片板21的交叠部分27设置成图7中示出的形状时，与第二片板21的左侧连接的第一片板21的交叠部分27和与第二片板21的右侧联接的第三片板21的交叠部分27可均被设置成，使得对应片板21的上端的长度比对应片板21的下端的长度短。

片板21彼此交叠的长度可被调节成最小5mm或更大。例如，在图7的(a)中，从片板21的左端到虚线的长度(即，图8中示出的片板21彼此交叠的长度)可以是5mm或更大。为了提供另外的描述，图7的(b)中示出的从片板21的左端突出的长度可以是5mm或更大。

此外，图7的(b)中示出的从片板21的左端突出的区域的厚度可被调节成1mm或更小。原因是，由于高温下的热膨胀差异所导致的片板21之间的连接部分中出现间隙的空间减至最小。

第四，当从辅助支承部件20的顶部看时，如图7的(a)和图8中所示，两个相邻片板21彼此交叠的交叠部分27可包括：第一片段(section)27a，其具有大于40度且小于50度的角度；直线片段27b，其平行于各片板21的纵向方向；和第二片段27c，其具有大于40度且小于50度的角度。

即使当交叠部分27之间出现空间时，如上所述，交叠部分27会由于三级结构而与其外周区分开，从而防止等离子体异常放电。

然而，交叠部分27中的每个可被设置成两级结构。也就是说，即使当在交叠部分27之间出现空间时，由于两级结构导致该空间可与其外周区分开，从而防止等离子体异常放电。如图7中所示，片板21中的每个可设置成三级结构，因此，即使当片板21的宽度被加宽时，也能防止等离子体异常放电。

第五，配置突出部分12的四个角部可被倒角，与突出部分12的四个角部紧密粘附的辅助支承部件20的四个内角部可被倒角成对应于突出部分12的四个角部的形状。当角部难以被倒角时，可以按5mm的间隔切割角部。在这种情况下，角部中的每个可被设置成与圆形对应的形状。

大体上，母基板S的四个角部可被倒角。在这种情况下，如果突出部分12的角部和辅助支承部件20的角部没有被倒角，则突出部分12的角部可能没有被母基板S的角部覆盖。在这种情况下，可使等离子体与突出部分12接触，为此原因，等离子体异常放电。

为了防止这种异常放电，如图6的放大圆形块中所示，突出部分12的角部可被倒角，此外，辅助支承部件20的角部可被倒角。

特别地，辅助支承部件20的被倒角的区域(即，圆形部分23)可被设置成与片板21中的设置在辅助支承部件20的角部上的一个成为一体，或者可与片板21分开制造并随后可通过单独的紧固器械将其紧固于外部部分12。

此外，设置在角部之一上的片板21之一可被设置成图6的放大圆形块中示出的形状，不同于其它片板21。

例如，在图6的放大圆形块中，示出设置在一个角部上的两个片板21和设置在两个片板21之间的圆形部分23，但图6的放大圆形块中示出的两个片板21和圆形部分23可被实现为一个片板21。

如上所述，根据本发明的实施方式，由于遍布整个母基板沉积薄层，因此制造的显示设备的数量增加，材料的成本降低。

此外，根据本发明的实施方式，因为等离子体与母基板或基座反应，所以防止等离子体异常放电。

此外，根据本发明的实施方式，遍布整个母基板沉积的薄层的特性(例如，厚度等)变均匀。

本领域的技术人员将清楚，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中进行各种修改和变形。因此，本发明旨在涵盖本发明的修改形式和变形形式，只要它们在随附权利要求书及其等同物的范围内。

Claims (6)

1.一种化学汽相沉积CVD设备，该CVD设备包括：

处理腔室；

基座，其安装在所述处理腔室中，用于支承和加热母基板；

辅助支承部件，其以四角形框架形式安装在所述基座上，用于支承和加热由所述基座支承的所述母基板的边缘；

气体喷射部件，其安装在所述处理腔室中以面对所述基座，所述气体喷射部件将处理气体喷射到所述母基板；以及

荫罩框架，其被配置成覆盖所述辅助支承部件的边缘和从所述辅助支承部件的所述边缘延伸的所述基座的边缘。

2.根据权利要求1所述的CVD设备，其中，

所述基座包括：

外部部分，加热器和所述辅助支承部件设置在所述外部部分上；以及

突出部分，其在从所述外部部分的内侧到所述外部部分的顶部的方向上延伸，所述加热器和所述母基板设置在所述突出部分处，

所述辅助支承部件设置在所述外部部分处，以围绕所述突出部分的侧表面，以及

所述辅助支承部件的顶部与所述突出部分的顶部平行地设置。

3.根据权利要求1所述的CVD设备，其中，

所述辅助支承部件包括多个片板，以及

两个相邻的片板相对于与所述辅助支承部件的顶部垂直的横截面表面彼此交叠。

4.根据权利要求3所述的CVD设备，其中，所述多个片板中的每个片板包括交叠部分，当从所述辅助支承部件的顶部看时，所述交叠部分与和该片板相邻的片板交叠，所述交叠部分包括：

第一片段，其具有大于40度且小于50度的角度；

直线片段，其与所述多个片板中的每个片板的纵向方向平行；以及

第二片段，其具有大于40度且小于50度的角度。

5.根据权利要求3所述的CVD设备，其中，所述多个片板中的每个片板被插入到设置在与所述基座紧密粘附的对应片板的侧表面中的第一侧表面处的半球形片板凹槽和设置在所述基座处并且紧密粘附到所述片板凹槽的半球形基座凹槽中，并且通过穿过所述对应片板的固定螺栓和支承所述母板的支承销进行固定。

6.根据权利要求2所述的CVD设备，其中，

所述突出部分包括设置成被倒角的四个角部，以及

所述辅助支承部件包括四个内角部，所述四个内角部被倒角成对应于所述突出部分的四个角部的形状，所述四个内角部分别紧密粘附到所述突出部分的四个角部。