CN105385450A - 蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法 - Google Patents

蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105385450A
CN105385450A CN201510540872.1A CN201510540872A CN105385450A CN 105385450 A CN105385450 A CN 105385450A CN 201510540872 A CN201510540872 A CN 201510540872A CN 105385450 A CN105385450 A CN 105385450A
Authority
CN
China
Prior art keywords
weight
etching
less
etching reagent
nitric acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510540872.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105385450B (zh
Inventor
朴弘植
文英慜
郑锺铉
金宝衡
南基龙
朴英哲
尹暎晋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongwoo Fine Chem Co Ltd
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Dongwoo Fine Chem Co Ltd
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongwoo Fine Chem Co Ltd, Samsung Display Co Ltd filed Critical Dongwoo Fine Chem Co Ltd
Publication of CN105385450A publication Critical patent/CN105385450A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105385450B publication Critical patent/CN105385450B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法，所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。据此，可以通过选择性地蚀刻金属氧化层，防止包括铜、钛、钼或者铝的金属层的蚀刻。

Description

蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法
技术领域
本发明涉及一种蚀刻剂组成物、利用此的透明电极的形成方法及显示基板制造方法。尤其，涉及一种可以蚀刻金属氧化物层的蚀刻剂成分、利用此的透明电极及显示基板制造方法。
背景技术
通常，用于显示装置的显示基板包括：作为用于驱动各个像素区域的开关元件的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的信号配线以及像素电极。所述信号线包括：栅极线，传递栅极的驱动信号；数据配线，与所述栅极线交叉并传递数据驱动信号。
所述像素电极包含铟锡氧化物、铟锌氧化物等之类的金属氧化物，且为了形成所述像素电极，使用蚀刻剂组成物。为了蚀刻所述金属氧化物，现有的蚀刻剂组成物包含硫酸。包含硫酸的蚀刻剂组成物会产生有害物质而会引起环境问题。而且，可能会损伤包括铜、铝、钼或钛等金属的其他金属膜。
为了解决上述问题，若从蚀刻剂组成物中去掉硫酸成分，并提高硝酸的含量，则会因氮总量的增加，导致废水处理量的增加。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种减少对环境有害的物质的产生，且通过选择性地蚀刻金属氧化层来防止其他金属层的损伤的蚀刻剂组成物。
本发明的另一目的在于提供一种利用所述蚀刻剂组成物的透明电极的形成方法。
本发明的另一目的在于提供一种利用所述蚀刻剂组成物的显示基板的制造方法。
为了实现所述的本发明的目的，根据一实施例的蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。
一实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。
一实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。
一实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。
一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、咪唑(imidazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、五唑(pentazole)、恶唑(oxazole)、异恶唑(isoxazole)、噻唑(thiazole)或者异噻唑(isothiazole)。
一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑。
根据为了实现所述本发明的另一目的的一实施例的透明电极的形成方法在基板上形成包括金属氧化物的透明电极层。在所述透明电极层上形成光致抗蚀剂图案。将所述光致抗蚀剂图案利用为掩膜，向包括所述金属氧化物的透明电极层提供蚀刻剂组成物，以蚀刻所述透明电极层，其中，所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。
一实施例中，所述透明电极可以包括铟锌氧化物或者铟锡氧化物。
一实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。
一实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。
一实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。
一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、咪唑(imidazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、五唑(pentazole)、恶唑(oxazole)、异恶唑(isoxazole)、噻唑(thiazole)或者异噻唑(isothiazole)。
一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑。
根据为了实现所述本发明的另一目的的实施例的显示基板的制造方法在基板上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅电极；半导体层，与所述栅电极重叠；源电极，与所述半导体层接触；漏电极，与所述半导体层接触且与所述源电极分开。形成覆盖所述薄膜晶体管的保护膜。对所述保护膜进行图案化，以漏出所述漏电极。在所述保护膜上形成金属氧化物层。利用蚀刻剂组成物来蚀刻所述金属氧化物层，以形成与所述漏电极连接的像素电极。所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。
一实施例中，所述透明电极可以包括铟锌氧化物或者铟锡氧化物。
一实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。
一实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。
一实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。
一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、咪唑(imidazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、五唑(pentazole)、恶唑(oxazole)、异恶唑(isoxazole)、噻唑(thiazole)或者异噻唑(isothiazole)。
一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑。
根据本发明的实施例的蚀刻剂组成物可以选择性地蚀刻金属氧化层，从而防止对含铜、钛、钼或者铝的金属层的蚀刻。
而且，因为蚀刻液中不包含硫酸，所以可以通过防止硫酸引起的有害物质的产生来防止环境污染。
附图说明
图1至图6是表示显示基板制造方法的截面图。
符号说明
GL：栅极线GE：栅电极
SE：源电极DE：漏电极
AP：有源图案OC：欧姆接触层
PE：像素电极110：基板
120：栅绝缘层140：钝化层
160：有机绝缘层
具体实施方式
下面，首先对于根据本发明第一实施例的蚀刻剂组成物进行说明，然后参考附图对于利用所述蚀刻剂组成物的透明电极的形成方法以及显示基板的制造方法进行更为详细的说明。
蚀刻剂组成物
根据本发明第一实施例的蚀刻剂组成物包括：硝酸、氯化物、氨化合物、环状氨基化合物及作为其余成分的水。所述的蚀刻剂组成物可以用于选择性地蚀刻金属氧化层。具体来说，所述蚀刻剂组成物可以用于铟锡氧化物(indiumtinoxide；ITO)、铟锌氧化物(indiumzincoxide；IZO)、氧化锌(zincoxide；ZNO)等透明导电性氧化物的蚀刻。所述的铟锡氧化物或者铟锌氧化物可以是晶体结构也可以是非晶体结构。所述蚀刻剂组成物可以防止或者最小化对含铜、铝、钼或钛的金属膜的损伤。下面，对各组成物进行具体的说明。
硝酸
所述蚀刻剂组成物所包含的硝酸可以蚀刻金属氧化层。比如，硝酸包括硝酸(HNO3)及亚硝酸(HNO2)。
如果硝酸的含量相对于所述蚀刻剂组成物总质量小于3重量％，则会减少所述蚀刻剂组成物对所述金属氧化层的蚀刻速度，且存在所述金属氧化层被不均匀地蚀刻的问题。如果所述金属氧化层被不均匀地蚀刻，则可能会被视为是斑点。相反，如果硝酸的含量超过约10重量％的话，则导致蚀刻速度过快，使蚀刻工艺的调整变得困难。而且，因为氮总量增加，导致废水处理量的增加。所以，硝酸的含量优选为总重量的约3重量％以上且小于约10重量％，更优选为5重量％以上且约8重量％以下。
本发明的蚀刻剂组成物优选为不包括磷酸、盐酸或者硫酸。如果蚀刻剂组成物中包含有磷酸、盐酸或者硫酸，则会导致蚀刻剂的pH值降低，进而可能在蚀刻金属氧化层时，对铜、钛、钼或铝等的金属层造成损伤。
氯化物
所述蚀刻剂组成物所包含的氯化物取代磷酸、盐酸及硫酸之类的无机酸而起到提高蚀刻金属氧化物层的性能的作用。
如果所述氯化物的含量相对于所述蚀刻剂组成物总重量小于0.1重量％，则因为有限的硝酸使用量，导致金属氧化物层的蚀刻速度变慢。相反，如果所述氯化物的含量超过5重量％，则会使金属氧化物层的选择性蚀刻变得困难，进而可能损伤包含铜、钛、钼或铝等的金属层。所以，所述氯化物的含量优选为约0.1重量％以上且约5重量％以下，更优选为约2重量％以上且约3重量％以下。
所述氯化物可以是含卤族离子的化合物。具体地，可以使用氯化钠、氯化钾、氯化氨等，可优选使用氯化钠。
环状氨基化合物
所述蚀刻剂组成物中的环状氨基化合物起到防止包括金属的金属层腐蚀的作用。
如果所述环状氨基化合物的含量相对于所述蚀刻剂组成物总重量不到约0.01重量％，则会使包括金属氧化物的透明电极的选择性蚀刻变得困难，进而可能会导致包含铜、铝、钼或钛的金属层受损。另外，因为会导致与金属氧化物和氯化物的反应变得困难，导致蚀刻后残渣的产生。相反，如果所述环状氨基化合物的含量超过约1重量％，则铜的蚀刻变得困难。所以，所述环状氨基化合物的含量优选为0.01重量％以上且约1重量％以下，更优选为约0.1重量％以上且约0.7重量％以下。
所述环状氨基化合物可以使用具有五元杂环的唑类化合物，该五元杂环在环中具备含有氮的至少一个非碳原子。具体地，可以使用吡咯(pyrrole)系化合物、吡唑(pyrazole)系化合物、咪唑(imidazole)系化合物、三唑(triazole)系化合物、四唑(tetrazole)系化合物、五唑(pentazole)系化合物、恶唑(oxazole)系化合物、异恶唑(isoxazole)系化合物、噻唑(thiazole)系化合物、异噻唑(isothiazole)系化合物等，且可以单独使用其中一个或者混合使用其中多个。
比如，所述唑系化合物优选为苯并三唑(benzotriazole)、5-氨基四唑(aminotetrazole)、3-氨基四唑(aminotetrazole)或5-甲基四唑之类的三唑(methyltetrazole)系，更优选使用苯并三唑(benzotriazole)。
水
水包括去离子(deionizedwater)水。比如，水作为用于半导体工程的水，可以具有约18MΩ/cm的电阻率。水在所述蚀刻剂组成物中占除了硝酸、氯化物、氨化合物及环状氨基化合物的含量之外的其余部分。
本发明的实施例的蚀刻剂组成物可以选择性地蚀刻金属氧化物层，从而可以防止包括铜、钛、钼或铝的金属层的蚀刻。
而且，因为蚀刻液中不包含硫酸，所以可以通过防止硫酸引起的有害物质的产生来防止环境污染。
透明电极的形成方法及显示基板的制造方法
以下，参考附图对根据本发明的实施例的透明电极的形成方法及显示基板的制造方法进行详细的说明。所述透明电极的形成方法参考所述显示基板的制造方法中的像素电极的形成步骤而进行说明。
图1至图6为用于说明根据本发明的一实施例的显示基板的制造方法的剖视图。
所述显示基板可以是用于显示装置的阵列基板。根据本发明的实施例的透明电极可以用作显示装置的像素电极或共用电极。
参考图1，在基板110上形成栅极线GL及栅电极GE。具体来说，在所述基板100上形成栅金属层后，对其进行图案化，形成所述栅极线GL及所述栅电极GE。所述基板100可以使用玻璃基板、石英基板、硅基板、塑料基板等。
所述栅金属层包括铜、银、铬、钼、铝、钛、锰或它们的合金。栅金属层可以具有单层结构或者具有包括含有互不相同物质的多个金属层的多层结构。例如，所述栅金属层可以包括铜层及该铜层的上部和/或下部形成的钛层。
参考图2，在所述栅电极GE上形成所述栅绝缘层120。所述栅绝缘层120覆盖所述基板110及所述栅电极GE。所述栅绝缘层120可包括无机绝缘物质。例如，所述栅绝缘层可以包括氧化硅(SiOx)及氮化硅(SiNx)。如，所述栅绝缘层120可包括硅氧化物(SiOx)且厚度为而且，所述栅绝缘层120可以具有包括互不相同的物质的多层结构。
参考图3，在所述栅绝缘层120上形成半导体层及数据金属层并予以图案化，从而形成有源图案AP及包括源电极SE和漏电极DE的数据线。
所述数据金属层的蚀刻通过利用蚀刻液的湿式蚀刻而进行。所述蚀刻液实质上不会蚀刻有源图案AP。
所述有源图案AP、源电极SE和漏电极DE在形成有所述栅电极GE的区域的所述栅绝缘层120上形成。所述源电极SE及所述漏电极DE在所述有源图案AP上相互分开布置。
所述有源图案AP与所述栅电极GE重叠，且与所述源电极SE及所述漏电极DE分别在局部重叠。所述有源图案AP介于所述栅电极GE和所述源电极SE之间，且可以介于所述栅电极GE和所述漏电极DE之间。
所述显示基板可以包括形成于有源图案AP上的欧姆接触层OC。所述有源图案AP可以包括硅半导体物质，例如非晶硅。所述欧姆接触层OC介于所述有源图案AP和所述源电极SE之间，且介于所述有源图案AP和所述漏电极DE之间。所述欧姆接触层OC可以包括高浓度掺入n型杂质的非晶硅。
所述源电极SE及漏电极DE可以具有包含铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)或者它们的合金的单层结构或者包含有互不相同的物质的多个金属层的多层结构。例如，所述源电极SE及漏电极DE可以包括形成于所述铜(Cu)层的上部和/或下部的钛(Ti)层。
参考图4，所述源电极SE和所述漏电极DE上形成有钝化层140。所述钝化层140可以包括氧化硅(SiOx)及氮化硅(SiNx)。
所述钝化层140上形成有机绝缘层160。所述有机绝缘层160包含有机物质。所述有机绝缘层160可以整平显示基板的表面，且可通过把光致抗蚀剂组成物旋转涂布在钝化层140而形成。如果所述显示基板包括滤色片，则滤色片可以代替有机绝缘层160而形成。
参考图5，在所述钝化层140上形成金属氧化层。所述金属氧化物层可以包括透明导电物质。例如，可以包括铟锡氧化物(indiumtinoxide：ITO)或者铟锌氧化物(indiumzincoxide：IZO)。
参考图6，通过蚀刻所述金属氧化物层而形成像素电极PE。在所述金属氧化物层的上面形成光致抗蚀剂图案。将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，利用蚀刻剂组成物进行湿式蚀刻。所述蚀刻剂组成物中包括：硝酸、氯化物、氨化合物、环状氨基化合物及其余的水。所述蚀刻剂组成物与已说明的根据本发明实施例的蚀刻剂组成物实质相同，所以省略具体说明。
所述蚀刻剂组成物可通过喷射法、浸透法等提供。所述蚀刻剂组成物可以包括硝酸、氯化物、氨化合物、环状氨基化合物及其余的水。
所述像素电极PE可通过接触孔与所述漏电极DE电连接，该接触孔图案化所述钝化层140和所述有机绝缘层160而形成。
在形成所述金属氧化物层后，或者蚀刻所述金属氧化物层后，形成有所述像素电极PE的显示基板可以被刷子、水或者有机溶剂洗净。
虽未被图示，但在所述像素电极PE上可以形成用于使液晶取向的取向膜。在其他实施例中，显示基板还可以包括与所述像素电极PE形成电场的共用电极。
本实施例中说明的显示基板的薄膜晶体管具有栅电极被布置在有源图案的下面的底栅构造。但是，在其他实施例中，也可以具有栅极被布置在有源图案上面的顶栅构造。
以下，参考具体实施例及对照例的实验结果，对根据本发明的实施例的蚀刻剂组成物所带来的效果进行说明。
根据本发明的一实施例，通过选择性地蚀刻金属氧化物层，能够防止包括铜、钛、钼或铝的金属层的蚀刻。
另外，因为蚀刻液中不包含硫酸，所以可以通过防止硫酸引起的有害物的产生来防止环境污染。
以下，参考具体实施例及对照例的实验结果，对根据本发明的实施例的蚀刻剂组成物的效果进行说明。
蚀刻剂组成物的准备
根据下表1，准备了达到10kg的蚀刻剂组成物，其中，包括：硝酸(HNO3)、作为氯化物的氯化钠(NaCl)、作为氨化合物的硫酸铵((NH4)2SO4)、作为环状氨基化合物的苯并三唑及其余的水。
表1
蚀刻剂组成物的蚀刻性能评价实验1
将实施例1到6及对比例1到8的蚀刻剂组成物分别喷射到层叠于玻璃基板上的包括约的铟锌氧化物膜和光致抗蚀剂图案的样品以及包括约的非晶质铟锡氧化物(a-ITO)膜和光致抗蚀剂图案的样品上，以到蚀刻终点为止所需的时间为基准，将所述金属氧化物层过度蚀刻90％。然后，利用扫描电子显微镜照片测量样品的CD错位，然后将其结果汇集于下表2。以下，CD错位定义为光致抗蚀剂图案末端和金属氧化物膜之间的距离。
表2
铟锌氧化膜的CD错位(μm) 铟锡氧化膜的CD错位(μm)
实施例1 0.24 0.10
实施例2 0.24 0.10
实施例3 0.24 0.10
实施例4 0.24 0.10
实施例5 0.24 0.10
实施例6 0.24 0.10
对比例1 0.10 0.02
对比例2 0.30 0.16
对比例3 0.26 0.13
对比例4 0 0
对比例5 0.08 0.02
对比例6 0.29 0.14
对比例7 0.32 0.14
对比例8 0.24 0.10
准备了包含层叠于玻璃基板上的约的铟锌氧化物膜和光致抗蚀剂图案的样品或铟锡氧化物膜和光致抗蚀剂图案的样品。在样品上喷射实施例1到6及对比例1到8的蚀刻剂组成物，以到蚀刻终点(endpointdetection，EPD)为止所需时间为基准，将所述铜层过度蚀刻90％。包括铟锌氧化物膜和光致抗蚀剂图案的样品的蚀刻终点为130秒，包括铟锡氧化物膜和光致抗蚀剂图案的样品的蚀刻终点为280秒。所述蚀刻剂组成物的温度为33℃。
参考表2，测量结果为：用不包含硫酸的实施例1到6蚀刻的铟锌氧化物膜的CD错位值为0.24μm，铟锡氧化物膜的CD错位的值为0.1μm。
用包含2.6重量％的氯化钠、0.5重量％的苯并三唑及1.0重量％的硫酸铵的对比例4蚀刻的铟锌氧化物膜的CD错位值和铟锡氧化物膜的CD错位值测量为0μm。
用包含7.5重量％的硝酸、0.5重量％的苯并三唑及1.0重量％的硫酸铵的对比例5蚀刻的铟锌氧化物膜的CD错位值测量为0.08μm，铟锡氧化物膜的CD错位值测量为0.02μm。
用包含7.5重量％的硝酸、2.6重量％的氯化钠及1.0重量％的硫酸铵的对比例6蚀刻的铟锌氧化物膜的CD错位值测量为0.29μm，铟锡氧化物膜的CD错位值测量为0.14μm。
用包含7.5重量％的硝酸、2.6重量％的氯化钠及0.5重量％的苯并三唑的对比例7蚀刻的铟锌氧化物膜的CD错位值测量为0.32μm，铟锡氧化物膜的CD错位值测量为0.14μm。
因此，基于对比例4到7的蚀刻剂组成物的组成，没有表现出与实施例1到6的蚀刻剂组成物相同的蚀刻性能。
用包含7重量％的硝酸、0.5重量％的苯并三唑、5重量％的硫酸及1重量％的硫酸氨的对比例8蚀刻的铟锌氧化物膜的CD错位值测量为0.24μm，铟锡氧化物膜的CD错位值测量为0.1μm。
因此，可以确定，不包含硫酸的实施例1到6的蚀刻性能与包含硫酸的对比例8的蚀刻性能相同。
蚀刻剂组成物的蚀刻性能评价实验3
把实施例1到6及对比例1到8的蚀刻剂组成物分别喷射到层叠于玻璃基板上的包括约的钛层及约的铜层的金属层以及包括布置在两个约的钼层间的约的铝层的金属层，利用扫描电子显微镜测量各金属层的轮廓后，与蚀刻前的金属层一起比较，把其结果汇于下表3。所述金属层被蚀刻10分钟且所述蚀刻剂组成物的温度为33℃。
表3的“○”表示金属层全部受损，“△”表示金属层部分受损，“X”表示金属层没有实质受损。
表3
参考表3，利用对比例6或者对比例7蚀刻的包括铜的金属层的损伤程度大于蚀刻前的金属层，与之相反，利用不包含硫酸的实施例1到6蚀刻的包括铜的金属层的损伤小于蚀刻前的金属层。可以确认，利用本发明的实施例1到6蚀刻的包括铜的金属层的损伤程度与用对比例8蚀刻的包括铜的金属层的损伤程度相同，其中，对比例8包含7重量％的硝酸、0.5重量％的苯并三唑、5重量％的硫酸及1重量％的硫酸铵。
而且，利用对比例6或者对比例7蚀刻的包括铝的金属层的损伤程度大于蚀刻前的金属层，与之相反，利用不包含硫酸的实施例1到6蚀刻的包括铝的金属层的损伤程度小于蚀刻前的金属层。可以确认，利用本发明的实施例1到6蚀刻的包括铝的金属层的损伤程度与用对比例8蚀刻的包括铝的金属层的损伤程度相同，其中，对比例8包含7重量％的硝酸、0.5重量％的苯并三唑、5重量％的硫酸及1重量％的硫酸铵。
所以，不包含硫酸的实施例1到6的蚀刻剂成分通过选择性蚀刻金属氧化物层，来防止包括铜、钛、钼或铝的金属层的损伤。
而且，因为实施例1到6中的成分中不包含硫酸，所以可以通过防止硫酸引起的有害物质的产生来防止环境污染。
以上，虽然参考实施例进行了说明，但是应当认识到，本领域中熟练的技术人员在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想和领域范围之内，可对本发明实现多样的修改及变形。

Claims (10)

1.一种蚀刻剂组成物，包括：
硝酸，3重量％以上且小于10重量％；
氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；
氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；
环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；
其余重量％的水。
2.如权利要求1所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述硝酸包括从由硝酸和亚硝酸构成的群中选择的至少一个。
3.如权利要求1所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述氯化物包括从由氯化钠、氯化钾以及氯化氨构成的群中选择的至少一个。
4.如权利要求1所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述氨化合物包括从由硫酸铵和硫化铵构成的群中选择的至少一个。
5.如权利要求1所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述环状氨基化合物包括从由吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、五唑、恶唑、异恶唑、噻唑及异噻唑构成的群中选择的至少一个。
6.如权利要求5所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述环状氨基化合物包括从由苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑构成的群中选择的至少一个。
7.一种透明电极的形成方法，其特征在于，包括如下步骤，
在基板上形成包括金属氧化物的透明电极层；
在所述透明电极层上形成光致抗蚀剂图案；
将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，向包括所述金属氧化物的透明电极层提供蚀刻剂组成物以蚀刻所述透明电极层，
其中，所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；以及其余重量％的水，
其中，所述透明电极层包含铟锌氧化物或者铟锡氧化物，所述硝酸包括从由硝酸和亚硝酸构成的群中选择的至少一个。
8.如权利要求7所述的透明电极的形成方法，其特征在于，
所述氯化物包括从由氯化钠、氯化钾以及氯化氨构成的群中选择的至少一个。
9.如权利要求7所述的透明电极的形成方法，其特征在于，
所述氨化合物包括从由硫酸铵和硫化铵构成的群中选择的至少一个。
10.如权利要求7所述的透明电极的形成方法，其特征在于，
所述环状氨基化合物包括从由吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、五唑、恶唑、异恶唑、噻唑及异噻唑构成的群中选择的至少一个。
CN201510540872.1A 2014-09-01 2015-08-28 蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法 Active CN105385450B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0115626 2014-09-01
KR1020140115626A KR20160027598A (ko) 2014-09-01 2014-09-01 식각 조성물, 이를 이용한 투명 전극의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105385450A true CN105385450A (zh) 2016-03-09
CN105385450B CN105385450B (zh) 2018-09-28

Family

ID=55418240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510540872.1A Active CN105385450B (zh) 2014-09-01 2015-08-28 蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20160027598A (zh)
CN (1) CN105385450B (zh)
TW (1) TWI674311B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108874226A (zh) * 2018-06-29 2018-11-23 信利光电股份有限公司 一种触摸屏ito膜层的刻蚀方法及触摸屏组件
CN109097774A (zh) * 2017-06-20 2018-12-28 三星显示有限公司 蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102362556B1 (ko) * 2016-03-25 2022-02-14 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막용 식각 조성물
KR102513169B1 (ko) * 2016-04-25 2023-03-23 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
KR102506218B1 (ko) * 2016-05-03 2023-03-06 동우 화인켐 주식회사 질화티타늄 막의 식각액 조성물

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100601740B1 (ko) * 2005-04-11 2006-07-18 테크노세미켐 주식회사 투명도전막 식각용액
KR20110058924A (ko) * 2009-11-27 2011-06-02 테크노세미켐 주식회사 구리막의 패턴 형성을 위한 식각액 조성물
US20110183476A1 (en) * 2010-01-26 2011-07-28 Byeong-Jin Lee Etching solution composition and method of etching using the same
CN102666927A (zh) * 2009-10-05 2012-09-12 麦克德米德尖端有限公司 用于挠性配线板的镍-铬合金剥离剂
CN102747367A (zh) * 2011-02-15 2012-10-24 三星电子株式会社 非卤化蚀刻剂和使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法
CN102822391A (zh) * 2010-04-30 2012-12-12 东友Fine-Chem股份有限公司 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物
CN102834548A (zh) * 2010-04-29 2012-12-19 东友Fine-Chem股份有限公司 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物
CN103668206A (zh) * 2012-09-19 2014-03-26 东友精细化工有限公司 用于铜层/钛层的蚀刻溶液组合物
CN103668207A (zh) * 2012-09-24 2014-03-26 东友精细化工有限公司 蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法
CN103911156A (zh) * 2012-12-28 2014-07-09 东友精细化工有限公司 用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100601740B1 (ko) * 2005-04-11 2006-07-18 테크노세미켐 주식회사 투명도전막 식각용액
CN102666927A (zh) * 2009-10-05 2012-09-12 麦克德米德尖端有限公司 用于挠性配线板的镍-铬合金剥离剂
KR20110058924A (ko) * 2009-11-27 2011-06-02 테크노세미켐 주식회사 구리막의 패턴 형성을 위한 식각액 조성물
US20110183476A1 (en) * 2010-01-26 2011-07-28 Byeong-Jin Lee Etching solution composition and method of etching using the same
CN102834548A (zh) * 2010-04-29 2012-12-19 东友Fine-Chem股份有限公司 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物
CN102822391A (zh) * 2010-04-30 2012-12-12 东友Fine-Chem股份有限公司 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物
CN102747367A (zh) * 2011-02-15 2012-10-24 三星电子株式会社 非卤化蚀刻剂和使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法
CN103668206A (zh) * 2012-09-19 2014-03-26 东友精细化工有限公司 用于铜层/钛层的蚀刻溶液组合物
CN103668207A (zh) * 2012-09-24 2014-03-26 东友精细化工有限公司 蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法
CN103911156A (zh) * 2012-12-28 2014-07-09 东友精细化工有限公司 用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109097774A (zh) * 2017-06-20 2018-12-28 三星显示有限公司 蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法
CN109097774B (zh) * 2017-06-20 2022-07-05 三星显示有限公司 蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法
CN108874226A (zh) * 2018-06-29 2018-11-23 信利光电股份有限公司 一种触摸屏ito膜层的刻蚀方法及触摸屏组件
CN108874226B (zh) * 2018-06-29 2021-06-11 信利光电股份有限公司 一种触摸屏ito膜层的刻蚀方法及触摸屏组件

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160027598A (ko) 2016-03-10
TWI674311B (zh) 2019-10-11
TW201610103A (zh) 2016-03-16
CN105385450B (zh) 2018-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105385450A (zh) 蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法
EP2717315B1 (en) Copper-based metal wiring comprising oxide layer including indium and zinc
KR101905195B1 (ko) 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
US8921230B2 (en) Etchant composition, and method of manufacturing a display substrate using the same
KR100812954B1 (ko) 은 박막에 의하여 보호된 구리 배선 또는 구리 전극 및상기 전극 또는 배선을 갖는 액정 표시장치
CN102629591B (zh) 一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器
CN101379539A (zh) 反射型tft基板及反射型tft基板的制造方法
KR20110087582A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
KR101404511B1 (ko) 식각액 조성물, 및 다중금속막 식각 방법
CN103173226B (zh) 配线形成方法、配线形成用蚀刻液
KR20110031796A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
JP2008123002A (ja) 低抵抗配線を有する液晶ディスプレイパネル
KR101854197B1 (ko) 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN103820784A (zh) 刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法
CN108766972B (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板
CN109423647B (zh) 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法
CN109385634B (zh) 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法
WO2017010342A1 (ja) 酸化物半導体膜のエッチング方法および半導体装置の製造方法
CN108930037B (zh) 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法
CN106684122A (zh) 导电层、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
KR101923546B1 (ko) 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법
KR20170027931A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR102546796B1 (ko) 식각액 조성물
CN109423289B (zh) 含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法
KR102144000B1 (ko) 식각 조성물, 이를 이용한 투명 전극의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant