CN105374923A - 五面出光的led封装结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种五面出光的LED封装结构及其制备方法,包括倒装芯片,倒装芯片的正面具有芯片焊盘;其特征是:所述倒装芯片的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶。在所述混有荧光粉的硅胶上表面还设有硅胶层。所述五面出光的LED封装结构的制备方法,其特征是,包括以下工艺步骤:将倒装芯片排列到耐高温载膜上;将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片的耐高温载膜上,循环喷涂3~10次;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1~10%;将步骤2处理后的耐高温载膜于80~150℃烘烤1~3小时;利用高速砂轮切割机在耐高温载膜上按照横向和纵向进行切割,将多余的硅胶切割去除。本发明的器件尺寸可以做的很小,封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。
Description
技术领域
本发明涉及一种五面出光的LED封装结构及其制备方法,属于半导体技术领域。
背景技术
随着倒装芯片技术的日益成熟,针对倒装芯片结构的封装也多种多样,行业内多以模顶的方式进行封装。如图1所示,此封装方式需要将倒装芯片1a固晶到陶瓷、氮化铝或硅基板2a上,再将混合有荧光粉的硅胶3a模顶到基板2a上,完成器件的封装。其工艺负责、成本较高、器件尺寸也较大。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种五面出光的LED封装结构及其制备方法,器件尺寸可以做的很小,封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。
按照本发明提供的技术方案,所述五面出光的LED封装结构,包括倒装芯片,倒装芯片的正面具有芯片焊盘;其特征是:所述倒装芯片的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶。
进一步,在所述混有荧光粉的硅胶上表面还设有硅胶层。
所述五面出光的LED封装结构的制备方法,其特征是,包括以下工艺步骤:
步骤1:将倒装芯片排列到耐高温载膜上;
步骤2:将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片(1)的耐高温载膜(5)上,循环喷涂3~10次,喷涂压力为0.5~2kg/cm2,喷粉流量为1~10ml/s;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1~10%;
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜于80~150℃烘烤1~3小时;
步骤4:利用高速砂轮切割机在耐高温载膜上按照横向和纵向进行切割,将多余的硅胶切割去除。
进一步的,所述步骤2中,喷涂厚度为0.1~0.5mm。
本发明所述五面出光的LED封装结构及其制备方法,通过特有工艺方法将混有荧光粉的硅胶喷涂在倒装芯片表面,通过改变喷涂压力、气流和烘烤工艺,在芯片四周形成硅胶的五面包裹,封装器件五面发光,因没有基板限制,器件尺寸可以做的很小,封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。
附图说明
图1为现有技术中倒装芯片采用模顶封装的示意图。
图2为本发明所述五面出光的LED封装结一种实施例的示意图。
图3为本发明所述五面出光的LED封装结另一种实施例的示意图。
图4为将倒装芯片排列到耐高温载膜上的示意图。
图5为在耐高温载膜上喷涂混合荧光粉的硅胶的示意图。
图6为耐高温载膜切割去除多余硅胶后的示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图对本发明作进一步说明。
如图2所示:本发明所述五面出光的LED封装结构包括倒装芯片1,倒装芯片1的正面具有芯片焊盘2,倒装芯片1的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶3。
如图3所示,在所述混有荧光粉的硅胶3上表面还设有硅胶层4。
实施例一:一种五面出光的LED封装结构的制备方法,包括以下工艺步骤:
步骤1:如图4所示,利用分选排列设备将倒装芯片1按照固定的周期排列到耐高温载膜上5;
步骤2:如图5所示,利用喷粉设备将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片1的耐高温载膜5上,需要循环喷涂3次,喷涂压力为0.5kg/cm2,喷粉流量为1ml/s,可以获得较均匀的荧光粉覆盖层,喷涂厚度为0.1mm;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1%;
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜5放到真空烤箱内烘烤1小时,烘烤温度为150℃;
步骤4:如图6所示,利用高速砂轮切割机在耐高温载膜5上按照横向和纵向进行切割,将多余的硅胶切割去除,形成独立的器件结构。
实施例二:一种五面出光的LED封装结构的制备方法,包括以下工艺步骤:
步骤1:如图4所示,利用分选排列设备将倒装芯片1按照固定的周期排列到耐高温载膜上5;
步骤2:如图5所示,利用喷粉设备将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片1的耐高温载膜5上,需要循环喷涂10次,喷涂压力为2kg/cm2,喷粉流量为10ml/s,可以获得较均匀的荧光粉覆盖层,喷涂厚度为0.5mm;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为10%;
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜5放到真空烤箱内烘烤3小时,烘烤温度为80℃;
步骤4:如图6所示,利用高速砂轮切割机在耐高温载膜5上按照横向和纵向进行切割,将多余的硅胶切割去除,形成独立的器件结构。
实施例三:一种五面出光的LED封装结构的制备方法,包括以下工艺步骤:
步骤1:如图4所示,利用分选排列设备将倒装芯片1按照固定的周期排列到耐高温载膜上5;
步骤2:如图5所示,利用喷粉设备将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片1的耐高温载膜5上,需要循环喷涂5次,喷涂压力为1kg/cm2,喷粉流量为5ml/s,可以获得较均匀的荧光粉覆盖层,喷涂厚度为0.2mm;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为5%;
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜5放到真空烤箱内烘烤2小时,烘烤温度为100℃;
步骤4:如图6所示,利用高速砂轮切割机在耐高温载膜5上按照横向和纵向进行切割,将多余的硅胶切割去除,形成独立的器件结构。
本发明通过高压喷涂工艺方法,将混有荧光粉的硅胶喷涂在倒装芯片表面,通过改变喷涂压力、气流和烘烤工艺,在芯片四周形成硅胶的五面包裹,封装器件五面发光,因没有基板限制,封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内,实现真正意义上的芯片级封装。
Claims (4)
1.一种五面出光的LED封装结构,包括倒装芯片(1),倒装芯片(1)的正面具有芯片焊盘(2);其特征是:所述倒装芯片(1)的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶(3)。
2.如权利要求1所述的五面出光的LED封装结构,其特征是:在所述混有荧光粉的硅胶(3)上表面还设有硅胶层(4)。
3.一种五面出光的LED封装结构的制备方法,其特征是,包括以下工艺步骤:
步骤1:将倒装芯片(1)排列到耐高温载膜上(5);
步骤2:将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片(1)的耐高温载膜(5)上,循环喷涂3~10次,喷涂压力为0.5~2kg/cm2,喷粉流量为1~10ml/s;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1~10%;
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜(5)于80~150℃烘烤1~3小时;
步骤4:利用高速砂轮切割机在耐高温载膜(5)上按照横向和纵向进行切割,将多余的硅胶切割去除。
4.如权利要求3所述的五面出光的LED封装结构的制备方法,其特征是:所述步骤2中,喷涂厚度为0.1~0.5mm。
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