CN105369213A - 钨膜的成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种钨膜的成膜方法。在使用WCl6气体作为原料气体并通过顺序供给气体而形成钨膜的情况下，以足够的堆积速度将钨膜成膜。对收纳有被处理基板并且保持在减压环境下的腔室内，顺序供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原性气体构成的还原气体和吹扫气体，由此在被处理基板的表面形成钨膜。在供给WCl6气体时同时供给Cl2气体或者同时供给还原气体。

Description

钨膜的成膜方法
技术领域
本发明涉及钨膜的成膜方法。
背景技术
在制造LSI时，MOSFET栅极电极、与源极·漏极的触点(contact)、存储器的字线等广泛使用钨。在多层配线步骤中，主要使用铜配线，但是其缺乏耐热性。钨配线特别用于需要提供大致500℃以上的耐热性的部分、接近晶体管的使用铜时可能因铜的扩散导致电特性劣化的部分等。
作为钨的成膜处理，以前使用物理蒸镀(PVD)法，但是在被要求较高的覆盖率(stepcoverage，阶梯覆盖)的部分，在PVD法中因与较高的阶梯覆盖难以对应等原因，而以能够与器件的微细化充分对应的化学蒸镀(CVD)法进行成膜。
作为基于这样的CVD法的钨膜(CVD-钨膜)的成膜方法，通常使用如下方法：作为原料气体，例如使用六氟化钨(WF6)并且作为还原气体的H2气体，在晶片上产生WF6+3H2→W+6HF的反应(例如专利文献1、2)。
但是，在使用WF6气体将CVD-钨膜成膜的情况下，在半导体器件中特别是栅极电极和存储器的字线等，WF6所含有的氟将栅极绝缘膜还原，使电特性劣化的可能性较大，因此，研究使用不含有氟的六氯化钨(WCl6)作为原料气体使CVD-钨膜成膜(例如非专利文献1)。氯虽然也具有还原性，但是反应性比氟弱，期待其对电特性的不良影响会比较少。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-193233号公报
专利文献2：日本特开2004-273764号公报
非专利文献
非专利文献1：J.A.M.Ammerlaanetal.，"ChemicalvapordepositionoftungstenbyH2reductionofWCl6"，AppliedSurfaceScience53(1991)，pp.24-29
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，近来，随着半导体器件的微细化日益发展，就连用所谓能够获得良好的阶梯覆盖的CVD也难以获得充分的阶梯覆盖，从获得更高的阶梯覆盖的观点出发，隔着吹扫(purge)顺序供给原料气体和还原气体的原子层堆积(ALD)法得到关注。
但是，在使用作为原料气体的WCl6气体和作为还原气体的H2气体通过ALD法将钨膜成膜的情况下，存在每1个循环的堆积膜厚变薄、为了堆积所期望的膜厚而耗费更多时间的问题。
本发明是鉴于这样的问题而完成的，提供一种在使用WCl6气体作为原料气体通过顺序供给气体来形成钨膜的情况下，能够以足够的堆积速度将钨膜成膜的钨膜的成膜方法。
用于解决问题的技术方案
本发明人首先研究使用WCl6气体作为原料气体通过ALD法将钨膜成膜时堆积速度变慢的原因。其结果，推测是如下原因：被供给的WCl6气体与已经成膜的钨膜发生反应，形成WCl5、WCl4、WCl2等次氯化物(sbchloride)(WClx(x<6))将钨膜蚀刻。
而且，进一步研究的结果发现：这样的蚀刻，在供给WCl6气体时，同时供给能够抑制次氯化物(WClx(x<6))生成的Cl2气体、以及同时供给还原气体是有效的，从而完成本发明。
即，本发明的第一方面提供一种钨膜的成膜方法，其特征在于：对收纳有被处理基板并且保持在减压环境下的腔室内，顺序(按时序)供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原性气体构成的还原气体和吹扫气体，由此在被处理基板的表面形成钨膜，在供给上述WCl6气体时同时供给Cl2气体。
在上述第一方面的发明中，通过下述步骤形成钨单位膜：对上述腔室内供给上述WCl6气体和上述Cl2气体的第一步骤、对上述腔室内进行吹扫的第二步骤、对上述腔室内供给上述还原气体的第三步骤和对上述腔室内进行吹扫的第四步骤，将上述第一步骤至上述第四步骤反复循环多次，由此形成期望厚度的钨膜。
另外，能够采用如下结构：上述WCl6气体，是通过对固体状的WCl6原料供给载气而输送到上述腔室内的，使用Cl2气体作为上述载气的至少一部分，由此将Cl2气体与WCl6气体同时供给到上述腔室。
本发明的第二方面提供一种钨膜的成膜方法，其特征在于：对收纳有被处理基板并且保持在减压环境下的腔室内，顺序(按时序)供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原性气体构成的还原气体和吹扫气体，由此在被处理基板的表面形成钨膜，在供给上述WCl6气体时同时供给上述还原气体或者在上述腔室内存在有上述还原气体的状态下供给上述WCl6气体。
在上述第二方面的本发明中，能够采用如下结构：通过下述步骤形成钨单位膜：对上述腔室内供给上述WCl6气体和上述还原气体的第一步骤、对上述腔室内进行吹扫的第二步骤、对上述腔室内供给上述还原气体的第三步骤和对上述腔室内进行吹扫的第四步骤，将上述第一步骤至上述第四步骤反复循环多次，由此形成期望厚度的钨膜。
在上述第一方面和第二方面的任一本发明中，作为上述还原气体能够使用H2气体、SiH4气体、B2H6气体、NH3气体中的至少一种。
发明效果
根据本发明，在顺序供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原气体构成的还原气体和吹扫气体而在被处理基板的表面将钨膜成膜时，与WCl6气体同时供给Cl2气体、或者在供给WCl6气体时同时供给还原气体或成为在腔室内存在有还原气体的状态，因此能够抑制供给WCl6气体时的钨膜的蚀刻，能够以足够快的堆积速度将钨膜成膜。
附图说明
图1是表示用于实施本发明的第一实施方式涉及的成膜方法的成膜装置的一个例子的截面图。
图2是表示第一实施方式涉及的成膜方法的气体供给顺序的时序图。
图3是表示用于实施本发明的第一实施方式涉及的成膜方法的成膜装置的另一例的截面图。
图4是表示用于实施本发明的第二实施方式涉及的成膜方法的成膜装置的一个例子的截面图。
图5是表示第二实施方式涉及的成膜方法的气体供给顺序的时序图。
附图标记说明
1：腔室
2：基座
5：加热器
10：喷淋头
30：气体供给机构
31：成膜原料罐
32：载气配管
33、61、71：N2气体供给源
36：原料气体送出配管
42：H2气体供给源
50：控制部
51：处理控制器(processcontroller)
53：存储部
81、91：Cl2气体供给配管
82、92：Cl2气体供给源
100、100′、101：成膜装置
W：半导体晶片
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行具体说明。
<第一实施方式>
首先，说明第一实施方式。
[成膜装置的例子]
图1是表示用于实施本发明的第一实施方式涉及的钨膜的成膜方法的成膜装置的一个例子的截面图。
如图1所示，成膜装置100具有气密地构成的大致圆筒状的腔室1，在其中用于将作为被处理基板的晶片W水平地支承的基座2以由从后述的排气室的底部到达其中央下部的圆筒状的支承部件3支承的状态配置。该基座2例如由AlN等陶瓷构成。另外，在基座2埋入有加热器5，该加热器5与加热器电源6连接。另一方面，在基座2的上表面附近设置有热电偶7，热电偶7的信号被传送到加热器控制器8。然后，加热器控制器8根据热电偶7的信号向加热器电源6发送指令，控制加热器5的加热，将晶片W控制成规定的温度。此外，在基座2，以相对于基座2的表面能够突出和没入(缩入)的方式设置有3根晶片升降销(未图示)，在输送晶片W时，成为从基座2的表面突出的状态。此外，基座2能够通过升降机构(未图示)升降。
在腔室1的顶壁1a形成有圆形的孔1b，以从这里向腔室1内突出的方式嵌入有喷淋头10。喷淋头10用于将从后述的气体供给机构30供给的作为成膜原料气体的WCl6气体排出到腔室1内，在其上部具有：导入WCl6气体和作为吹扫气体的N2气体的第一导入通路11、以及导入作为还原气体的H2气体和作为吹扫气体的N2气体的第二导入通路12。
在喷淋头10的内部，上下2段地设置有空间13、14。上侧的空间13与第一导入通路11连接，第一气体排出通路15从该空间13延伸至喷淋头10的底面。下侧的空间14与第二导入通路12连接，第二气体排出通路16从该空间14延伸至喷淋头10的底面。即，喷淋头10形成为作为成膜原料气体的WCl6气体和作为还原气体的H2气体分别独立地从排出通路15和16排出。
在腔室1的底壁设置有向下方突出的排气室21。排气室21的侧面与排气管22连接，该排气管22与具有真空泵、压力控制阀等的排气装置23连接。而且，通过使该排气装置23运转，能够使腔室1内形成为规定的减压状态。
在腔室1的侧壁设置有：用于进行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口24和对该搬入搬出口24进行开关的闸阀25。另外，在腔室1的壁部设置有加热器26，在成膜处理时能够控制腔室1的内壁的温度。
气体供给机构30具有收纳作为成膜原料的WCl6的成膜原料罐31。WCl6在常温下为固体，在成膜原料罐31内WCl6作为固体被收纳。在成膜原料罐31的周围设置有加热器31a，将成膜原料罐31内的成膜原料加热到适当的温度，使WCl6升华。
在成膜原料罐31，从上方插入有用于供给载气的载气配管32。载气配管32从N2气体供给源33被供给N2气体。另外，载气配管32与Cl2气体供给配管81连接，Cl2气体供给配管81从Cl2气体供给源82被供给Cl2气体。因此，成膜原料罐31经由载气配管32被供给N2气体和Cl2气体作为载气。载气配管32上安装有作为流量控制器的质量流量控制器34及其前后的阀35，Cl2气体供给配管81上安装有质量流量控制器83及其前后的阀84。由此，作为载气能够将N2气体和Cl2气体以所期望的流量比供给。作为载气，也可以仅供给Cl2气体。
另外，在成膜原料罐31内从上方插入有成为原料气体线路的原料气体送出配管36，该原料气体送出配管36的另一端与喷淋头10的第一导入通路11连接。在原料气体送出配管36安装有阀37。在原料气体送出配管36设置有用于防止作为成膜原料气体的WCl6气体的凝结的加热器38。
而且，利用从载气配管32供给到成膜原料罐31内的作为载气的N2气体和Cl2气体，在成膜原料罐31内升华的WCl6气体被输送到原料气体送出配管36，经由第一导入通路11供给到喷淋头10内。
另外，原料气体送出配管36经由旁通配管74与N2气体供给源71连接。在旁通配管74上安装有作为流量控制器的质量流量控制器72及其前后的阀73。来自N2气体供给源71的N2气体被用作原料气体线路侧的吹扫气体。
此外，载气配管32和原料气体送出配管36之间通过旁通配管48连接，在该旁通配管48上安装有阀49。在载气配管32和原料气体送出配管36上的连接旁通配管48的部分的下游侧分别安装有阀35a、37a。而且，通过关闭阀35a、37a且打开阀49，能够使来自N2气体供给源33的N2气体经由载气配管32、旁通配管48对原料气体送出配管36进行吹扫。此外，作为载气和吹扫气体不限于N2气体，也可以是Ar气体等其它的不活泼气体。
喷淋头10的第二导入通路12与成为H2气体线路的配管40连接，配管40与供给作为还原气体的H2气体的H2气体供给源42和经由旁通配管64与N2气体供给源61连接。另外，在配管40上安装有作为流量控制器的质量流量控制器44及其前后的阀45，在旁通配管64上安装有作为流量控制器的质量流量控制器62及其前后的阀63。来自N2气体供给源61的N2气体被用作H2气体线路侧的吹扫气体。
作为还原气体不限于H2气体，采用含有氢的还原性的气体即可，除了H2气体之外，还能够使用SiH4气体、B2H6气体、NH3气体等。也可以使用其中2种以上的气体。
该成膜装置100具有控制各构成部、具体而言是阀、电源、加热器、泵等的控制部50。该控制部50包括具有微处理器(计算机)的处理控制器51、用户界面52和存储部53。采用处理控制器51与成膜装置100的各构成部电连接而对其进行控制的结构。用户界面52与处理控制器51连接，包括操作者进行用于管理成膜装置100的各构成部的指令的输入操作等的键盘、将成膜装置的各构成部的工作状况可视化地显示的显示器等。存储部53也与处理控制器51连接，在该存储部53中存储有用于通过处理控制器51的控制来实现由成膜装置100执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使成膜装置100的各构成部执行规定处理的控制程序即处理方案、各种数据库等。处理方案存储在存储部53中的存储介质(未图示)。存储介质可以是硬盘等固定设置的存储介质，也可以是CDROM、DVD、闪存等的可移动性存储介质。另外，也可以从其它装置例如通过专用线路等适当传送处理方案。
然后，根据需要，根据来自用户界面52的指示等将规定的处理方案从存储部53中读取并使处理控制器51执行，由此在处理控制器51的控制下，通过成膜装置100进行所期望的处理。
[成膜方法]
接着，对使用如上述那样构成的成膜装置100进行的第一实施方式涉及的成膜方法进行说明。
在本实施方式中，例如使用在热氧化膜的表面或者具有沟槽和孔等凹部的层间绝缘膜的表面形成有阻挡金属膜作为基底膜的晶片，将钨膜在其表面成膜。
在成膜时，首先，打开闸阀25，利用输送装置(未图示)将晶片W经由搬入搬出口24搬入腔室1内，载置在由加热器5加热至规定温度的基座2上，在减压至规定的真空度后，使阀37、37a和45成为关闭的状态，打开阀63和73，将来自N2气体供给源61、71的N2气体(原料气体线路侧的吹扫气体和H2气体线路侧的吹扫气体)供给到腔室1内使压力上升，使基座2上的晶片W的温度稳定。而且，在腔室1内达到规定压力后，如下述那样通过顺序供给气体进行钨膜的成膜。
图2是表示第一实施方式涉及的成膜方法的气体供给顺序(sequence)的时序图。
初始，维持流通来自N2气体供给源61、71的N2气体的状态不变，打开阀37、37a，由此将作为载气的N2气体和Cl2气体供给到成膜原料罐31内，这样将在成膜原料罐31内升华的WCl6气体输送到腔室1内(步骤S1)。由此，WCl6吸附在晶片W表面。在该步骤S1中，腔室1内除了WCl6气体之外，还被供给作为载气供给的Cl2气体。
接着，关闭阀37、37a而停止WCl6气体和Cl2气体，成为仅将作为吹扫气体的N2气体供给到腔室1内的状态，并对腔室1内的剩余的WCl6气体进行吹扫(步骤S2)。
接着，维持流通来自N2气体供给源61、71的N2气体的状态不变，打开阀45从H2气体供给源42将作为还原气体的H2气体供给到腔室1内(步骤S3)。由此，使吸附在晶片W上的WCl6还原。
接着，关闭阀45而停止H2气体的供给，成为仅将作为吹扫气体的N2气体供给到腔室1内的状态，并对腔室1内的剩余的H2气体进行吹扫(步骤S4)。
通过以上的步骤S1～S4的一个循环，形成薄的钨单位膜。而且，通过使这些步骤反复循环多次，将有期望膜厚的钨膜成膜。此时的钨膜的膜厚能够通过上述循环的反复次数进行控制。
通过如上述那样的第一实施方式的气体供给顺序，能够消除ALD法的W膜成膜的堆积速度慢的问题。
下面，说明其原因。
用作钨原料气体的WCl6中，存在有作为次氯化物的WCl5等，但是报告了WCl5的蒸汽压比WCl6高的情况(参照T.P.ChowandA.J.Steckl，"PlasmaEtchingofRefractoryGatesforVLSIApplications"，J.Electrochem.Soc.：SOLID-STATESCIENCEANDTECHNOLOGY，Vol.131，No.10(1984)，pp2325-2335的图17)，在ALD法中的WCl6气体吸附步骤中，由于仅供给WCl6气体和N2气体，所以发生以下的(1)式的反应，将此前堆积的钨膜蚀刻。
5WCl6(g)+W(s)→6WCl5(g)···(1)
根据该蚀刻反应，利用使用WCl6气体的ALD法堆积钨膜的情况下所看到的堆积速度变慢。
另一方面，从WCl6生成作为次氯化物的WCl5时的反应如以下的(2)式所示。
WCl6→WCl5+(1/2)Cl2···(2)
因此，为了抑制WCl6的分解而抑制钨的蚀刻，提高(1/2)Cl2气体的分压即可。
因此，在本实施方式中，在将WCl6气体供给到腔室1内时也供给Cl2气体，抑制WCl6的分解。由此，因WCl6导致的钨的蚀刻反应被抑制，将WCl6用作成膜原料，能够以足够快的堆积速度将钨膜成膜。其结果，能够以低成本提供没有因氟而导致电特性劣化的钨膜。
此外，如上所述，在供给WCl6气体时因Cl2气体用作载气而供给Cl2气体的方法是以往没有用过的新的方法。另外，如上所述，在供给WCl6气体的同时供给Cl2气体，由此提高Cl2气体分压来抑制钨膜的蚀刻的方法，无论何种成膜方法都是有效的。
(成膜条件)
此时的成膜条件没有特别限定，但优选以下的条件。
晶片温度(基座表面温度)：400～600℃
腔室内圧力：1～80Torr(133～10640Pa)
载气流量(N2+Cl2)：100～2000sccm(mL/min)
(作为WCl6气体供给量，5～100sccm(mL/min))
Cl2气体流量：1～100sccm(mL/min)
步骤S1的时间(平均1次)：0.01～5sec
H2气体流量：500～5000sccm(mL/min)
步骤S3的时间(平均1次)：0.1～5sec
步骤S2、S4的时间(吹扫)(平均1次)：0.1～5sec
成膜原料罐的加温温度：130～170℃
此外，作为还原气体，为含有氢的还原性的气体即可，除了H2气体之外，还能够使用SiH4气体、B2H6气体、NH3气体等，在使用它们的情况下也能够以相同的条件进行优选的成膜。从进一步减少膜中的杂质以获得低电阻值的观点出发，优选使用H2气体。
另外，Cl2气体也可以不作为WCl6气体的载气，而通过其他线路供给。图3表示该例子。在图3的成膜装置100′中，替代配管81与载气配管32连接的结构，使Cl2气体供给配管91与原料气体送出配管36连接，从Cl2气体供给源92对Cl2气体供给配管91供给Cl2气体。由此，与被送出至原料气体送出配管36的WCl6气体一起，将Cl2气体供给至腔室1。在Cl2气体供给配管91上安装有质量流量控制器93及其前后的阀94。图3的成膜装置的其他结构与图1的成膜装置100相同。
<第二实施方式>
接着，说明第二实施方式。
[成膜装置的例子]
图4是表示用于实施本发明的第二实施方式涉及的钨膜的成膜方法的成膜装置的一个例子的截面图。图4的成膜装置101没有设置Cl2气体供给配管81和Cl2气体供给源82。因此，作为WCl6气体的载气仅使用N2气体。成膜装置101具有除了这点之外与图1的成膜装置100完全相同的结构。因此，除了这点以外，标记与图1相同的附图标记，并省略装置结构的说明。
[成膜方法]
接着，对使用如上所述构成的成膜装置101进行的第二实施方式涉及的成膜方法进行说明。
在本实施方式中，也与第一实施方式同样，例如使用在热氧化膜的表面或者具有沟槽(槽，trench)和孔等凹部的层间绝缘膜的表面形成有阻挡金属膜作为基底膜的晶片，将钨膜在其表面成膜。
在本实施方式中，也是在成膜时，首先，打开闸阀25，利用输送装置(未图示)将晶片W经由搬入搬出口24搬入到腔室1内，载置在由加热器5加热至规定温度的基座2上，在减压至规定的真空度之后，使阀37、37a和45成为关闭的状态，打开阀63和73，将来自N2气体供给源61、71的N2气体(原料气体线路侧的吹扫气体和H2气体线路侧的吹扫气体)供给到腔室1内使压力上升，使基座2上的晶片W的温度稳定。而且，在腔室1内达到规定压力后，以如下方式通过顺序供给气体进行钨膜的成膜。
图5是表示第二实施方式涉及的成膜方法的气体供给顺序的时序图。
初始，维持流通来自N2气体供给源61、71的N2气体的状态不变，打开阀37、37a，由此，将作为载气的N2气体供给到成膜原料罐31内，通过该载气将在成膜原料罐31内升华的WCl6气体输送到腔室1内，进而，打开阀45将规定流量的H2气体从H2气体供给源42供给到腔室1内(步骤S11)。由此，WCl6吸附在晶片W表面。
接着，关闭阀37、37a和阀45，停止WCl6气体和H2气体，成为仅将作为吹扫气体的N2气体供给到腔室1内的状态，并对腔室1内的剩余的WCl6气体和H2气体进行吹扫(步骤S12)。
接着，维持流通来自N2气体供给源61、71的N2气体的状态不变，打开阀45，将作为还原气体的H2气体从H2气体供给源42供给到腔室1内(步骤S13)。由此，将吸附在晶片W上的WCl6还原。
接着，关闭阀45，停止H2气体的供给，成为仅将作为吹扫气体的N2气体供给到腔室1内的状态，对腔室1内的剩余的H2气体进行吹扫(步骤S14)。
通过以上的步骤S11～S14的1个循环，形成薄的钨单位膜。然后，通过使这些步骤反复循环多次，将有期望膜厚的钨膜成膜。此时的钨膜的膜厚能够通过上述循环的反复次数进行控制。
通过如上所述的第二实施方式的气体供给顺序，也能够消除ALD法的W膜成膜的堆积速度慢的问题。
即，在ALD法的WCl6气体吸附步骤中，仅供给WCl6气体和N2气体，因此如上述(1)式所示那样发生钨膜的蚀刻反应，与WCl6气体一起供给作为还原气体使用的H2气体，由此发生钨生成反应，能够防止钨膜的蚀刻。因此，能够将WCl6用作成膜原料，以足够快的堆积速度将钨膜成膜。其结果，能够以低成本提供没有因氟而导致电特性劣化的钨膜。
步骤S11中的H2气体的流量只要是能够有效地抑制钨的蚀刻反应的程度即可，可以是比步骤S13时用于还原WCl6气体的H2气体少的流量。
(成膜条件)
此时的成膜条件无特别限定，但优选以下的条件。
晶片温度(基座表面温度)：400～600℃
腔室内圧力：1～80Torr(133～10640Pa)
载气流量：100～2000sccm(mL/min)
(作为WCl6气体供给量，5～100sccm(mL/min))
步骤S11时的H2气体流量：1～500sccm(mL/min)
步骤S11的时间(平均1次)：0.01～5sec
步骤S13时的H2气体流量：500～5000sccm(mL/min)
步骤S13的时间(平均1次)：0.1～5sec
步骤S12、S14的时间(吹扫)(平均1次)：0.1～5sec
成膜原料罐的加热温度：130～170℃
此外，替代在供给WCl6气体的同时供给H2气体，可以在腔室1内残留有H2气体的状态下供给WCl6气体。另外，在本实施方式中，作为还原气体，只要是含有氢的还原性的气体即可，除了H2气体之外，还能够使用SiH4气体、B2H6气体、NH3气体等，在使用它们的情况下也能够以相同的条件进行优选的成膜。从进一步减少膜中的杂质而获得低电阻值的观点出发，优选使用H2气体。与WCl6气体同时供给的气体也不限于H2气体，为含有氢的还原性的气体即可。与WCl6气体同时供给的气体，优选使用与作为还原气体使用的气体相同的气体，但是如果是含有氢的还原性的气体，则也可以与作为还原气体使用的气体不同。
<半导体装置>
通过将上述第一实施方式或上述第二实施方式的钨膜的成膜方法用于MOSFET栅极电极、与源极·漏极的触点、存储器的字线等所使用的钨膜的成膜来制造半导体装置，能够高效且低成本地制造高特性的半导体装置。
<其他的应用>
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施方式中，作为被处理基板以半导体晶片为例进行了说明，但是半导体晶片可以为硅，也可以为GaAs、SiC、GaN等化合物半导体，并且不限于半导体晶片，也能够将本发明应用于液晶显示装置等的FPD(平板显示器)所使用的玻璃基板、陶瓷基板等。

Claims (6)

1.一种钨膜的成膜方法，其特征在于：
对收纳有被处理基板并且保持在减压环境下的腔室内，顺序供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原性气体构成的还原气体和吹扫气体，由此在被处理基板的表面形成钨膜，
在供给所述WCl6气体时同时供给Cl2气体。
2.如权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：
通过下述步骤形成钨单位膜：对所述腔室内供给所述WCl6气体和所述Cl2气体的第一步骤、对所述腔室内进行吹扫的第二步骤、对所述腔室内供给所述还原气体的第三步骤和对所述腔室内进行吹扫的第四步骤，
将所述第一步骤至所述第四步骤反复循环多次，由此形成期望厚度的钨膜。
3.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：
所述WCl6气体，是通过对固体状的WCl6原料供给载气而输送到所述腔室内的，使用Cl2气体作为所述载气的至少一部分，由此将Cl2气体与WCl6气体同时供给到所述腔室。
4.一种钨膜的成膜方法，其特征在于：
对收纳有被处理基板并且保持在减压环境下的腔室内，顺序供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原性气体构成的还原气体和吹扫气体，由此在被处理基板的表面形成钨膜，
在供给所述WCl6气体时同时供给所述还原气体或者在所述腔室内存在有所述还原气体的状态下供给所述WCl6气体。
5.如权利要求4所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：
通过下述步骤形成钨单位膜：对所述腔室内供给所述WCl6气体和所述还原气体的第一步骤、对所述腔室内进行吹扫的第二步骤、对所述腔室内供给所述还原气体的第三步骤和对所述腔室内进行吹扫的第四步骤，
将所述第一步骤至所述第四步骤反复循环多次，由此形成期望厚度的钨膜。
6.如权利要求1至5中任一项所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：
所述还原气体为H2气体、SiH4气体、B2H6气体、NH3气体中的至少一种。
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