CN105347349B - 气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂 - Google Patents
气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105347349B CN105347349B CN201510900932.6A CN201510900932A CN105347349B CN 105347349 B CN105347349 B CN 105347349B CN 201510900932 A CN201510900932 A CN 201510900932A CN 105347349 B CN105347349 B CN 105347349B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chloro
- disilicoethane
- catalyst
- gas phase
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 9
- FXMNVBZEWMANSQ-UHFFFAOYSA-N chloro(silyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2]Cl FXMNVBZEWMANSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 7
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 title abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 24
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims abstract description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- -1 chloro Disilicoethane Chemical compound 0.000 claims description 84
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 53
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 52
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 19
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 claims description 18
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 18
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 7
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 6
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 5
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- NTQGILPNLZZOJH-UHFFFAOYSA-N disilicon Chemical compound [Si]#[Si] NTQGILPNLZZOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明具体涉及气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂。催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，催化剂的载体是钛硅分子筛或二氧化硅分子筛。采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，包括以下步骤：先精馏分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷；再将氯代乙硅烷气化后，最后将气化后的氯代乙硅烷与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷。本发明公开的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂具有以下有益效果：1、实现有害物质的高值化利用，减少有害物质的环境污染；2、气相催化反应使该过程具有工业化价值；3、催化剂为介孔结构，使得活性组分负载量提高，空速提高。
Description
技术领域
本发明属于化工领域，具体涉及气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂。
背景技术
自2013年开始，由于技术进步我国多晶硅行业普遍实施了冷氢化改造。由此，多晶硅行业饱受指责的副产——四氯化硅的难题得以基本解决,多晶硅装置四氯化硅废液的副产数量由之前的每吨多晶硅10～20吨降低至0.5～2吨。这基本改变了之前多晶硅行业高污染的情况。
冷氢化改造后多晶硅装置副产的四氯化硅废液成分发生了显著变化，废液中以氯代乙硅烷为主的聚合氯硅烷的含量显著上升。聚合氯硅烷产生自多晶硅还原炉中氯硅烷和硅棒的反应以及冷氢化过程中氯硅烷和金属硅的反应。
由气质联用分析得到聚合氯硅烷的成分组成——包括氯代乙硅烷、氯代丙硅烷等，其中氯代乙硅烷的含量通常占比达到80％以上。因此，如何有效利用其中的氯代乙硅烷是解决多晶硅副产聚合氯硅烷的重要手段。在采用三氯氢硅为原料的西门子法+四氯化硅冷氢化工艺的情况下，聚合氯硅烷的副产量大约为多晶硅产量的50-150％左右；在采用硅烷流化床法+四氯化硅冷氢化工艺的情况下聚合氯硅烷的副产量略少；在采用西门子法+热氢化工艺的情况下聚合氯硅烷的副产量明显增加。
国内外的多晶硅厂家对聚合氯硅烷的利用尚不充分，几乎所有的多晶硅厂家均采用水解工艺(通常采用烧碱进行中和)将其无害化处理，但是这样处理最终产生大量含盐废水而污染环境。
基于上述问题，本发明意在提供一种气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂。
发明内容
发明目的：本发明针对上述现有技术存在的问题做出改进，即本发明的第一个目的是公开一种气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的专用催化剂。本发明的第二个目的是公开了一种气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺。
技术方案：气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的专用催化剂，所述催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，所述催化剂的载体是孔道直径大于3nm的介孔钛硅分子筛或孔道直径大于3nm的介孔二氧化硅分子筛。
作为本发明中气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的专用催化剂的一种优选方案：该催化剂还负载氯化亚铁，该催化剂中氯化亚铁和氯化亚铜的质量负载量之和为5～20％，氯化亚铁和氯化亚铜的摩尔比为(0.001～0.5)：1。
作为本发明中气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的专用催化剂的一种优选方案：介孔钛硅分子筛中钛和硅的摩尔比为(0.01～0.3)：1。
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，包括以下步骤：
(1)采用精馏的方法分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷，分离得到的氯代乙硅烷中氯代单硅烷的质量含量≤1％，氯代硅氧烷的质量含量≤0.01％；
(2)将步骤(1)得到的氯代乙硅烷气化后与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷，其中：
氯代乙硅烷和氯化氢的摩尔比为(0.1～1.5)：1,
反应的体积空速为500～5000h-1，
催化剂床层温度为280～600℃，
反应压力为0.1～2MPa。
作为本发明中气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺的一种优选方案：当反应温度低于300℃时，同步加入氯气，氯气与氯代乙硅烷的摩尔比为(0.01～0.35)：1。
作为本发明中气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺的一种优选方案：步骤(1)中的聚合氯硅烷的通式为HxSiyClz，其中，x、y和z为非负整数，y≥2，x≥0，x+z＝2+2y。
作为本发明中气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺的一种优选方案：步骤(1)中氯代乙硅烷包括二氯乙硅烷、三氯乙硅烷、四氯乙硅烷、五氯乙硅烷和六氯乙硅烷中的一种或多种。
作为本发明中气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺的一种优选方案：步骤(2)中的氯代单硅烷包括一氯三氢硅、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅。
有益效果：本发明公开的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂具有以下有益效果：
1、使用多晶硅副产的聚合氯硅烷为初始原料，分离出氯代乙硅烷后，采用气相催化转化工艺，使氯代乙硅烷高效的转化为氯代单硅烷，实现了废弃有害物质的高值化利用，减少有害物质潜在的环境污染；
2、由于采用气相催化反应，使该过程具有工业化的价值；
3、所采用的催化剂为介孔结构，使得活性组分负载量提高，空速也得以提高。
具体实施方式：
下面对本发明的具体实施方式详细说明。
具体实施例1
气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的专用催化剂，催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，催化剂的载体是孔道直径大于3nm的介孔钛硅分子筛。
进一步地，该催化剂还负载氯化亚铁，该催化剂中氯化亚铁和氯化亚铜的质量负载量之和为5％，氯化亚铁和氯化亚铜的摩尔比为0.001：1。
进一步地，介孔钛硅分子筛中钛和硅的摩尔比为0.01：1。
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，包括以下步骤：
(1)采用精馏的方法分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷，分离得到的氯代乙硅烷中氯代单硅烷的质量含量≤1％，氯代硅氧烷的质量含量≤0.01％；
(2)将步骤(1)得到的氯代乙硅烷气化后与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷，其中：
氯代乙硅烷和氯化氢的摩尔比为0.1：1,
反应的体积空速为500h-1，
催化剂床层温度为280℃，
反应压力为0.1MPa。
进一步地，步骤(1)中的聚合氯硅烷的通式为HxSiyClz，其中，x、y和z为非负整数，y≥2，x≥0，x+z＝2+2y。
进一步地，步骤(1)中氯代乙硅烷包括六氯乙硅烷。
进一步地，步骤(2)中的氯代单硅烷是一氯三氢硅、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的混合物。
具体实施例2
与具体实施例1大致相同，区别仅仅在于：
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺的步骤(2)中同步加入氯气，氯气与氯代乙硅烷的摩尔比为0.01：1。
具体实施例3
气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的专用催化剂，催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，催化剂的载体是孔道直径大于3nm的介孔钛硅分子筛。
进一步地，该催化剂还负载氯化亚铁，该催化剂中氯化亚铁和氯化亚铜的质量负载量之和为20％，氯化亚铁和氯化亚铜的摩尔比为0.5：1。
进一步地，介孔钛硅分子筛中钛和硅的摩尔比为0.3：1。
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，包括以下步骤：
(1)采用精馏的方法分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷，分离得到的氯代乙硅烷中氯代单硅烷的质量含量≤1％，氯代硅氧烷的质量含量≤0.01％；
(2)将步骤(1)得到的氯代乙硅烷气化后与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷，其中：
氯代乙硅烷和氯化氢的摩尔比为1.5：1,
反应的体积空速为5000h-1，
催化剂床层温度为600℃，
反应压力为2MPa。
进一步地，步骤(1)中的聚合氯硅烷的通式为HxSiyClz，其中，x、y和z为非负整数，y≥2，x≥0，x+z＝2+2y。
进一步地，步骤(1)中氯代乙硅烷包括二氯乙硅烷、三氯乙硅烷、四氯乙硅烷、五氯乙硅烷和六氯乙硅烷。
进一步地，步骤(2)中的氯代单硅烷为一氯三氢硅、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅混合物。
具体实施例4
与具体实施例3大致相同，区别仅仅在于：
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺的步骤(2)中催化剂床层温度为290℃，且同步加入氯气，氯气与氯代乙硅烷的摩尔比为0.35：1。
具体实施例5
气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的专用催化剂，催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，催化剂的载体是孔道直径大于3nm的介孔钛硅分子筛。
进一步地，该催化剂还负载氯化亚铁，该催化剂中氯化亚铁和氯化亚铜的质量负载量之和为10％，氯化亚铁和氯化亚铜的摩尔比为0.01：1。
进一步地，介孔钛硅分子筛中钛和硅的摩尔比为0.1：1。
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，包括以下步骤：
(1)采用精馏的方法分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷，分离得到的氯代乙硅烷中氯代单硅烷的质量含量≤1％，氯代硅氧烷的质量含量≤0.01％；
(2)将步骤(1)得到的氯代乙硅烷气化后与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷，其中：
氯代乙硅烷和氯化氢的摩尔比为1：1,
反应的体积空速为1000h-1，
催化剂床层温度为400℃，
反应压力为1MPa。
进一步地，步骤(1)中的聚合氯硅烷的通式为HxSiyClz，其中，x、y和z为非负整数，y≥2，x≥0，x+z＝2+2y。
进一步地，步骤(1)中氯代乙硅烷包括四氯乙硅烷、五氯乙硅烷、六氯乙硅烷。
进一步地，步骤(2)中的氯代单硅烷为一氯三氢硅、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的混合物。
具体实施例6
与具体实施例5大致相同，区别仅仅在于：
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺的步骤(2)中催化剂床层温度为300℃，且同步加入氯气，氯气与氯代乙硅烷的摩尔比为0.2：1。
具体实施例7
气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的专用催化剂，催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，催化剂的载体是孔道直径大于3nm的介孔二氧化硅分子筛。
进一步地，该催化剂还负载氯化亚铁，该催化剂中氯化亚铁和氯化亚铜的质量负载量之和为10％，氯化亚铁和氯化亚铜的摩尔比为0.2：1。
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，包括以下步骤：
(1)采用精馏的方法分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷，分离得到的氯代乙硅烷中氯代单硅烷的质量含量≤1％，氯代硅氧烷的质量含量≤0.01％；
(2)将步骤(1)得到的氯代乙硅烷气化后与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷，其中：
氯代乙硅烷和氯化氢的摩尔比为0.5：1,
反应的体积空速为2000h-1，
催化剂床层温度为450℃，
反应压力为0.9MPa。
进一步地，步骤(1)中的聚合氯硅烷的通式为HxSiyClz，其中，x、y和z为非负整数，y≥2，x≥0，x+z＝2+2y。
进一步地，步骤(1)中氯代乙硅烷包括三氯乙硅烷、四氯乙硅烷和五氯乙硅烷。
进一步地，步骤(2)中的氯代单硅烷为一氯三氢硅、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅混合物。
具体实施例8
与具体实施例7大致相同，区别仅仅在于：
采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺的步骤(2)中催化剂床层温度为285℃，且同步加入氯气，氯气与氯代乙硅烷的摩尔比为0.25：1。
上面对本发明的实施方式做了详细说明。但是本发明并不限于上述实施方式，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。
Claims (7)
1.气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用精馏的方法分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷，分离得到的氯代乙硅烷中氯代单硅烷的质量含量≤1％，氯代硅氧烷的质量含量≤0.01％；
(2)将步骤(1)得到的氯代乙硅烷气化后与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷，其中：
氯代乙硅烷和氯化氢的摩尔比为(0.1～1.5)：1,
反应的体积空速为500～5000h-1，
催化剂床层温度为280～600℃，
反应压力为0.1～2MPa，其中：
催化剂床层所用的催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，所述催化剂的载体是孔道直径大于3nm的介孔钛硅分子筛或孔道直径大于3nm的介孔二氧化硅分子筛。
2.根据权利要求1所述的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，其特征在于，该催化剂还负载氯化亚铁，该催化剂中氯化亚铁和氯化亚铜的质量负载量之和为5～20％，氯化亚铁和氯化亚铜的摩尔比为(0.001～0.5)：1。
3.根据权利要求1所述的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，其特征在于，介孔钛硅分子筛中钛和硅的摩尔比为(0.01～0.3)：1。
4.根据权利要求1或2或3所述的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，其特征在于，当反应温度低于300℃时，同步加入氯气，氯气与氯代乙硅烷的摩尔比为(0.01～0.35)：1。
5.根据权利要求1或2或3所述的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，其特征在于，步骤(1)中的聚合氯硅烷的通式为HxSiyClz，其中，x、y和z为非负整数，y≥2，x≥0，x+z＝2+2y。
6.根据权利要求1或2或3所述的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，其特征在于，步骤(1)中氯代乙硅烷包括二氯乙硅烷、三氯乙硅烷、四氯乙硅烷、五氯乙硅烷和六氯乙硅烷中的一种或多种。
7.根据权利要求1或2或3所述的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，其特征在于，步骤(2)中的氯代单硅烷包括一氯三氢硅、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510900932.6A CN105347349B (zh) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510900932.6A CN105347349B (zh) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105347349A CN105347349A (zh) | 2016-02-24 |
| CN105347349B true CN105347349B (zh) | 2017-04-19 |
Family
ID=55323447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510900932.6A Active CN105347349B (zh) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105347349B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106809840A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-06-09 | 亚洲硅业（青海）有限公司 | 一种四氯化硅的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5627298A (en) * | 1996-06-13 | 1997-05-06 | Dow Corning Corporation | One step process for converting high-boiling residue from direct process to monosilanes |
| CN101786629A (zh) * | 2009-01-22 | 2010-07-28 | 陶氏康宁公司 | 回收高沸点废料的方法 |
-
2015
- 2015-12-09 CN CN201510900932.6A patent/CN105347349B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105347349A (zh) | 2016-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110078080A (zh) | 一种结合渣浆处理与裂解反应的氯硅烷高沸物回收工艺 | |
| CN110745834A (zh) | 一种气凝胶的绿色生产工艺及其应用 | |
| CN105347349B (zh) | 气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂 | |
| CN101531367B (zh) | 一种硅烷生产工艺 | |
| CN102674358A (zh) | 多晶硅生产方法和系统 | |
| CN107416841A (zh) | 一种生产四氯化硅的方法及装置 | |
| CN204057977U (zh) | 用于卤硅聚合物裂解制备卤硅烷的装置系统 | |
| CN106467504A (zh) | Hppo法制环氧丙烷并联反应方法 | |
| CN106467505A (zh) | Hppo法制环氧丙烷两段式反应方法 | |
| CN103183701B (zh) | 乙烯基含氯硅烷的制备方法 | |
| CN113387362A (zh) | 改进的冷氢化合成三氯氢硅的方法及装置 | |
| CN106395832A (zh) | 一种四氯化硅氢化方法 | |
| CN102250133A (zh) | 一种歧化法制备二甲基二氯硅烷的方法 | |
| CN202072477U (zh) | 多晶硅生产系统 | |
| CN104045087B (zh) | 制备三氯氢硅的装置 | |
| CN103613608B (zh) | 一种综合处理有机硅副产物的方法 | |
| CN102850388A (zh) | 一种硅烷偶联剂的制备方法 | |
| CN112028922A (zh) | 一种乙炔法制备乙烯基含氯硅烷的方法 | |
| CN214830036U (zh) | 一种高收率的苯基氯硅烷合成装置 | |
| CN102286016A (zh) | 一种甲基氯硅烷的制备方法 | |
| CN105366681B (zh) | 还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统 | |
| CN105367598A (zh) | 一种制备乙烯基烷氧基硅烷的新工艺 | |
| CN101481114A (zh) | 多晶硅副产品四氯化硅的回收利用方法 | |
| CN105417547A (zh) | 液相催化转化聚合氯硅烷的方法 | |
| CN101700886A (zh) | 由四氯化硅制取三氯氢硅的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Process and dedicated catalyst for gas-phase catalytic conversion of chloroethylsilane to prepare chloromonosilane Effective date of registration: 20230330 Granted publication date: 20170419 Pledgee: Industrial Bank Co.,Ltd. Yinchuan Branch Pledgor: NINGXIA SHENGLAN CHEMICAL ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980036999 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Granted publication date: 20170419 Pledgee: Industrial Bank Co.,Ltd. Yinchuan Branch Pledgor: NINGXIA SHENGLAN CHEMICAL ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980036999 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Process and dedicated catalyst for gas-phase catalytic conversion of chloroethylsilane to prepare chloromonosilane Granted publication date: 20170419 Pledgee: Industrial Bank Co.,Ltd. Yinchuan Branch Pledgor: NINGXIA SHENGLAN CHEMICAL ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2024980010536 |