CN105319833A - 用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法 - Google Patents
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Abstract
提供用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法。用于光刻的掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；以及负折射率超材料层，位于介电层上。
Description
技术领域
本发明的示例实施例的各方面涉及一种用于光刻的掩模、一种制造该掩模的方法和一种利用该掩模制造基底的方法。
背景技术
近来，已经开发了重量轻和尺寸小的显示设备。阴极射线管(CRT)显示设备由于性能和有竞争力的价格已经得以使用。然而，CRT显示设备会相对大且缺乏便携性。因此诸如等离子显示设备、液晶显示设备和有机发光显示设备的显示设备由于尺寸小、重量轻和功耗低已经受到高度关注。
随着液晶显示设备的分辨率增大，图案化的改善的精确度也会提高。然而，图案化的精确度由于光刻机或掩模的分辨率而受到限制。另外，因为液晶显示设备的结构变得更加复杂，所以可能难以在厚度不均匀的基底上形成精确图案。
发明内容
本发明的示例实施例的各方面涉及用于光刻的掩模、制造掩模的方法和利用掩模制造基底的方法。例如，本发明的示例实施例涉及用于制造液晶显示设备的光刻的掩模、制造掩模的方法和利用掩模制造基底的方法。
本发明的示例实施例的各方面包括具有改善的分别率的用于光刻的掩模。
本发明的示例实施例的各方面还提供制造掩模的方法。
本发明的示例实施例的各方面还提供利用掩模制造基底的方法。
根据本发明的示例实施例，用于光刻的掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上，并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；以及负折射率超材料层，位于介电层上。
相移图案可以具有第二宽度并可以限定具有第一宽度的开口，其中，第一宽度和第二宽度的和可以限定节距，并且节距可以小于4微米。
节距可以小于1微米。
相移图案可以包括氮氧化铬(CrOxNy)和硅化钼氮氧化物(MoSiOxNy)中的至少一种。
相移图案的厚度可以为130纳米。
介电层可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
介电层的厚度可以为40纳米。
负折射率超材料层可以被构造为产生表面等离子体共振或声子共振。
负折射率超材料层的厚度可以为35纳米。
所述掩模还可以包括位于负折射率超材料层上的第二介电层。
根据本发明的示例实施例，在制造用于光刻的掩模的方法中，所述方法包括：在透明基底上形成相移图案；在透明基底上形成介电层；以及在介电层上形成负折射率超材料层。
相移图案可以具有第二宽度并可以限定具有第一宽度的开口，其中，第一宽度和第二宽度的和可以限定节距，并且节距可以小于4微米。
相移图案可以包括氮氧化铬(CrOxNy)和硅化钼氮氧化物(MoSiOxNy)中的至少一种。
所述方法还可以包括：对相移图案的上表面执行等离子体亲水处理。
所述方法还可以包括将预备介电层灰化以形成介电层。
介电层的厚度可以为40纳米。
负折射率超材料层可以包括银、金和铝中的至少一种。
负折射率超材料层的厚度可以为35纳米。
所述方法还可以包括：在负折射率超材料层上设置第二介电层。
根据本发明的一些实施例，在利用用于光刻的掩模制造基底的方法中，所述掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上，并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；负折射率超材料层，位于介电层上，所述方法包括：将其上形成有光致抗蚀剂层的基底布置为面对掩模，通过掩模使光致抗蚀剂层曝光，其中，负折射率超材料层产生表面等离子体共振或声子共振，表面等离子体共振或声子共振被诱导为限定按照电磁波的传播距离指数地衰减的衰逝波，以用于准确地抑制光刻工艺中的光传递；以及通过利用显影剂将光致抗蚀剂层显影来形成光致抗蚀剂图案。
根据本发明的示例实施例，用于光刻的掩模包括介电层和负折射率超材料层，从而掩模可以具有如超级透镜般的改善的分辨率。另外，掩模包括相移图案，从而可以进一步改善掩模的分辨率。
另外，根据利用掩模制造基底的方法，通过等离子体亲水处理来处理掩模的相移图案的上表面，从而可以改善介电层的质量。另外，根据该方法，可以通过预备介电层的灰化工艺来减小介电层的厚度，从而可以获得介电层的期望的厚度。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本发明的示例实施例，本发明的以上和其它特征将变得更加明了，在附图中：
图1是示出根据本发明的示例实施例的用于光刻的掩模的剖视图；
图2和图3是示出利用图1的掩模制造基底的方法的剖视图；
图4至图7是示出制造图1的掩模的方法的剖视图；
图8是示出根据本发明的示例实施例的用于光刻的掩模的剖视图；
图9是示出根据本发明的示例实施例的利用用于光刻的掩模制造基底的方法的剖视图；以及
图10是示出根据本发明的示例实施例的利用用于光刻的掩模制造基底的方法的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图来更详细地说明本发明的示例实施例。
图1是示出根据本发明的示例实施例的用于光刻的掩模的剖视图。
参照图1，用于光刻的掩模包括透明基底100、相移图案110、介电层120和负折射率超材料层130。
透明基底100使光穿过，且不改变光的相位。例如，透明基底100可以包括石英。
相移图案110布置在透明基底100上。相移图案110改变穿过相移图案110的光的相位。相移图案110可以包括诸如氮氧化铬(CrOxNy)、硅化钼氮氧化物(MoSiOxNy)等的任何合适的相移材料。另外，相移图案110可以根据将要通过光刻工艺形成的图案而具有各种形状和构造。
相移图案110包括氧化铬并具有约130nm的厚度。因此，相移图案110可以将具有约365nm波长的光的相位改变180°(反相)，并且可以具有约8％的透射率。
相移图案110限定(例如，邻近于)开口OP(或开口区域)。穿过开口OP的光的相位不变。开口OP可以具有第一宽度W1，相移图案110可以具有第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2的和与节距P相同。第一宽度W1和第二宽度W2中的每个宽度可以小于2微米(μm)。另外，相移图案110可以具有更精确的图案，从而第一宽度W1和第二宽度W2中的每个宽度可以小于约500纳米(nm)。因此，节距P可以小于约4μm，或者节距P可以小于约1μm。
介电层120形成在其上形成有相移图案110的透明基底100上。介电层120可以包括任何合适的介电材料。例如，介电层120可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
介电层120可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，并且具有大于约10nm且小于约500nm的厚度。根据一些实施例，介电层120可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，并且可以具有约40nm的厚度
负折射率超材料层130形成在介电层120上。负折射率超材料层130可以通过利用金属电子束蒸镀方法来形成。例如，负折射率超材料层130可以包括诸如银、金和铝等的合适的金属或导电材料。负折射率超材料层130可以具有小于约150nm的厚度，并且根据一些实施例可以具有约35nm的厚度。
负折射率超材料层130可以产生表面等离子体共振或声子共振。表面等离子体共振或声子共振被诱导为限定按照电磁波的传播距离指数地衰减的衰逝波，该方法利用衰减的衰逝波现象来精确地抑制光刻工艺中的光传递。
根据本示例实施例的用于光刻的掩模包括相移图案110和负折射率超材料层130。因此，掩模可以具有改善的分辨率。
图2和图3是示出利用图1的掩模制造基底的方法的剖视图。
参照图2和图3，用于光刻的掩模包括透明基底100、相移图案110、介电层120和负折射率超材料层130。相移图案110限定开口OP。开口OP可以具有第一宽度W1，相移图案110可以具有第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2的和与节距P相同。
掩模布置或设置在基底10之上以面对基底10(例如，使负折射率超材料层130与透明基底100相比最接近基底10)。然后，使基底10上的光致抗蚀剂层20a暴露于穿过掩模的光。
光致抗蚀剂层20a形成在基底10上。基底10可以是基础基底或者具有基础基底和位于基底上的金属图案的基底。例如，基底10可以是诸如玻璃基底或透明塑料基底的透明绝缘基底。金属图案可以包括薄膜晶体管。
光致抗蚀剂层20a包括光致抗蚀剂组合物。光致抗蚀剂组合物可以包括正性光致抗蚀剂组合物，其中，正性光致抗蚀剂组合物的暴露于光的部分变得可溶于显影剂。例如，光致抗蚀剂组合物可以包括酸产生剂、由于酸催化的反应而提高了碱溶性的树脂、碱金属盐和/或有机溶剂。
另外，光致抗蚀剂组合物可以包括负性光致抗蚀剂组合物，其中，负性光致抗蚀剂组合物的未暴露于光的部分变得可溶于显影剂。例如，光致抗蚀剂组合物可以包括乙烯类不饱和化合物、光引发剂、热固性组合物和/或有机溶剂。在这种情况下，可以与正性光致抗蚀剂组合物相反的情况来形成光致抗蚀剂图案。
光穿过掩模的开口OP，从而光致抗蚀剂层20a暴露于光。
此时，布置或设置在掩模上方的曝光设备提供光，然后光经过掩模至基底10上的光致抗蚀剂层20a。藉由介电层120和负折射率超材料层130产生的等离子体共振或声子共振，使光的衰逝波传输到基底10上的光致抗蚀剂层20a。
之后，去除(例如，通过显影剂来去除)光致抗蚀剂层20a的被曝光的部分。通过去除光致抗蚀剂层20a的被曝光的部分形成光致抗蚀剂图案20。然后，利用光致抗蚀剂图案部分地蚀刻基底10。
然后，可以去除剩余的光致抗蚀剂图案20。
因此，可以在基底10上形成具有节距P、第一宽度W1和第二宽度W2的图案。
例如，参照图1的说明，掩模的节距P可以小于约4μm，或者可以更精确地小于1μm。因此，基底10上的图案的节距P可以小于约4μm，或者可以更精确地小于1μm。
图4至图7是示出制造图1的掩模的方法的剖视图。
参照图4，在透明基底100上形成相移图案110。
透明基底100使光穿过，且不改变光的相位。例如，透明基底110可以包括石英。
相移图案110改变穿过相移图案110的光的相位。相移图案110可以包括诸如氮氧化铬(CrOxNy)、硅化钼氮氧化物(MoSiOxNy)等的任何合适的相移材料。另外，相移图案110可以根据将要通过光刻工艺形成的图案而具有各种形状、布置或构造。相移图案110可以具有约130nm的厚度。
相移图案110限定开口OP。开口OP可具有第一宽度W1，相移图案110可具有第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2的和与节距P相同。
之后，可以通过等离子体亲水处理来处理相移图案110的上表面。可以通过本领域已知的任何合适的技术来执行等离子体亲水处理。
参照图5，在其上形成有相移图案110的透明基底100上形成预备介电层120a。预备介电层120a可以包括介电材料。例如，预备介电层120a可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
参照图6，通过去除预备介电层120a的上部分形成介电层120。例如，可以通过灰化(ashing)工艺来减小预备介电层120a的厚度。因此，形成介电层120。根据一些实施例，介电层120可以具有不小于约10nm且不大于约500nm的厚度。根据一些实施例，介电层120可以具有约40nm的厚度。
参照图7，利用合适的沉积方法(例如，通过电子束蒸镀法)在第一介电层120上形成由适当的金属制成的负折射率超材料层130。负折射率超材料层130可以包括诸如银、金和/或铝的金属或导电材料。
图8是示出根据本发明的示例实施例的用于光刻的掩模的剖视图。
参照图8，用于光刻的掩模包括透明基底100、相移图案110、第一介电层120、负折射率超材料层130和第二介电层140。
透明基底100使光穿过，且不改变光的相位。例如，透明基底100可以包括石英。
相移图案110布置或形成在透明基底100上。相移图案110改变穿过相移图案110的光的相位。相移图案110可包括诸如氮氧化铬(CrOxNy)、硅化钼氮氧化物(MoSiOxNy)等的任何合适的相移材料。另外，相移图案110可以根据将要通过光刻工艺形成的图案而具有各种形状和构造。
相移图案110包括氧化铬并具有约130nm的厚度。因此，相移图案110可以将具有约365nm波长的光的相位改变180°(反相)，并且可以具有约8％的透射率。
相移图案110限定开口OP。穿过开口OP的光的相位不变。开口OP可以具有第一宽度W1，相移图案110可以具有第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2的和与节距P相同。第一宽度W1和第二宽度W2中的每个宽度可以小于约2μm。另外，相移图案110可以具有更精确的图案，从而第一宽度W1和第二宽度W2中的每个宽度可以小于约500nm。因此，节距P可以小于约4μm，或者节距P可以小于约1μm。
第一介电层120布置在其上布置有相移图案110的基底100上。第一介电层120可以包括合适的介电材料。例如，第一介电层120可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
第一介电层120可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，并可以具有大于约10nm且小于约500nm的厚度。根据一些实施例，第一介电层120可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，并且可以具有约40nm的厚度。
负折射率超材料层130布置在第一介电层120上。负折射率超材料层130可以利用合适的沉积方法(例如，利用金属电子束蒸镀法)形成。例如，负折射率超材料层130可以包括诸如银、金和铝等的金属或导电材料。负折射率超材料层130可以具有小于约150nm的厚度，并且根据一些实施例，可以具有约35nm的厚度。
负折射率超材料层130可以产生表面等离子体共振或声子共振。表面等离子体共振或声子共振被诱导为限定按照电磁波的传播距离指数地衰减的衰逝波，该方法利用衰减的衰逝波现象来准确抑制光刻工艺中的光传递。
第二介电层140布置在负折射率超材料层130上。第二介电层140可以包括合适的介电材料。例如，第二介电层140可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
图9是示出根据本发明的示例实施例的利用用于光刻的掩模制造基底的方法的剖视图。
参照图9，用于光刻的掩模包括透明基底200、阻光图案210、相移图案212、介电层220和负折射率超材料层230。
透明基底200使光穿过，且不改变光的相位。例如，透明基底200可以包括石英。
阻光图案210布置在透明基底200上。阻光图案210可以包括阻光材料。例如，阻光图案210可以包括铬(Cr)。阻光图案210限定具有第一宽度W1的第一开口OP1和具有第三宽度W3的第二开口OP2。阻光图案210具有第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2的和与节距P相同。
相移图案212具有第一宽度W1，并且布置在被阻光图案210限定的第一开口OP1中。相移图案212改变经过相移图案212的光的相位。相移图案212可以包括诸如氮氧化铬(CrOxNy)、硅化钼氮氧化物(MoSiOxNy)等的合适的相移材料。
第一宽度W1、第二宽度W2和第三宽度W3中的每个宽度可以小于约2μm。另外，掩模可以具有更精确的图案，从而第一宽度W1和第二宽度W2中的每个宽度可以小于约500nm。因此，节距P可以小于约4μm，或者节距可以小于约1μm。
介电层220布置在其上布置有阻光图案210和相移图案212的透明基底200上。介电层220可以包括合适的介电材料。例如，介电层220可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
负折射率超材料层230布置在介电层220上。负折射率超材料层230可以通过利用金属电子束蒸镀方法来形成。例如，负折射率超材料层230可以包括诸如银、金和铝等的金属或导电材料。
在下文中，将描述利用掩模制造基底的方法。
将掩模布置在基底10之上以面对基底10。然后，借助穿过掩模的光使基底10上的光致抗蚀剂层曝光。
光致抗蚀剂层形成在基底10上。基底10可以是基础基底或者具有基础基底和位于基底上的金属图案的基底。例如，基底10可以是诸如玻璃基底或透明塑料基底的透明绝缘基底。金属图案可以包括薄膜晶体管。
光致抗蚀剂层包括光致抗蚀剂组合物。光致抗蚀剂组合物可以包括正性光致抗蚀剂组合物，其中，正性光致抗蚀剂组合物的暴露于光的部分变得可溶于显影剂。例如，光致抗蚀剂组合物可以包括酸产生剂、由于酸催化的反应而提高了碱溶性的树脂、碱金属盐和有机溶剂。
另外，光致抗蚀剂组合物可以包括负性光致抗蚀剂组合物，其中，负性光致抗蚀剂组合物的未暴露于光的部分变得可溶于显影剂。例如，光致抗蚀剂组合物可以包括乙烯类不饱和化合物、光引发剂、热固性组合物和/或有机溶剂。在这种情况下，可以与正性光致抗蚀剂组合物相反的情况来形成光致抗蚀剂图案。
光经过掩模的开口OP，从而光致抗蚀剂层暴露于光。
此时，布置或设置在掩模上方的曝光设备提供光，然后光经过掩模至基底10上的光致抗蚀剂层。藉由介电层220和负折射率超材料层230产生的等离子体共振或声子共振，使光的衰逝波传输到基底10上的光致抗蚀剂层。
之后，去除(例如，通过显影剂来去除)光致抗蚀剂层的被曝光的部分。通过去除光致抗蚀剂层的被曝光的部分来形成光致抗蚀剂图案20。然后，利用光致抗蚀剂图案20来部分地蚀刻基底10。
然后，可以去除剩余的光致抗蚀剂图案。
因此，可以在基底10上形成具有节距P、第一宽度W1和第二宽度W2的图案。
图10是示出根据本发明的示例实施例的利用用于光刻的掩模制造基底的方法的剖视图。
参照图10，用于光刻的掩模包括透明基底300、阻光图案310、介电层320和负折射率超材料层330。
透明基底300使光穿过，且不改变光的相位。例如，透明基底300可以包括石英。
阻光图案310布置在透明基底300上。阻光图案310可以包括合适的阻光材料。
凸部302和凹部304形成在透明基底300的没有布置阻光图案310的部分上。凹部304具有第一宽度W1，凸部302具有第二宽度W2。在基底上形成对应于第一宽度W1的图案，从而节距P可以与第一宽度W1基本相同。
介电层320布置在其上布置有阻光图案310的透明基底300上。介电层320可以包括合适的介电材料。例如，介电层320可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
负折射率超材料层330布置在介电层320上。负折射率超材料层330可利用合适的沉积方法(例如，通过利用金属电子束蒸镀法)形成。例如，负折射率超材料层330可以包括诸如银、金和铝等的金属或导电材料。
在下文中，将描述利用掩模制造基底的方法。
将掩模布置在基底10之上以面对基底10。然后，借助穿过掩模的光使基底10上的光致抗蚀剂层曝光。
布置在掩模上方的曝光设备提供光，然后光经过掩模至基底10上的光致抗蚀剂层。藉由介电层320和负折射率超材料层330产生的等离子体共振或声子共振，使光的衰逝波传输到基底10上的光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂层包括光致抗蚀剂组合物。光致抗蚀剂组合物可以包括正性光致抗蚀剂组合物，其中，正性光致抗蚀剂组合物的暴露于光的部分变得可溶于显影剂。例如，光致抗蚀剂组合物可以包括酸产生剂、由于酸催化的反应而提高了碱溶性的树脂、碱金属盐和/或有机溶剂。
另外，光致抗蚀剂组合物可以包括负性光致抗蚀剂组合物，其中，负性光致抗蚀剂组合物的未暴露于光的部分变得可溶于显影剂。例如，光致抗蚀剂组合物可以包括乙烯类不饱和化合物、光引发剂、热固性组合物和有机溶剂。在这种情况下，可以与正性光致抗蚀剂组合物相反的情况来形成光致抗蚀剂图案。
之后，去除(例如，通过显影剂来去除)光致抗蚀剂层的被曝光的部分。通过去除光致抗蚀剂层的被曝光的部分来形成光致抗蚀剂图案20。然后，利用光致抗蚀剂图案20来部分地蚀刻基底10。
然后，可以去除剩余的光致抗蚀剂图案。
因此，可以形成与掩模的凸部302和凹部304的边界对应的图案。因此，可以形成对应于节距P的图案。
根据本发明的示例实施例，用于光刻的掩模包括介电层和负折射率超材料层，从而掩模可以具有如超级透镜般的改善的分辨率。另外，掩模包括相移图案，从而可以进一步改善掩模的分辨率。
另外，根据利用掩模制造基底的方法，通过等离子体亲水处理来处理掩模的相移图案的上表面，从而可以改善介电层的质量。另外，根据该方法，可以通过预备介电层的灰化工艺来减小介电层的厚度，从而可以获得介电层的期望的厚度。
前述内容是对本发明的举例说明，而不被解释为对本发明的限制。虽然已经描述了本发明的一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易明白的是，在实质上不脱离本发明的新颖性教导和各方面的情况下，能够对示例实施例进行许多修改。因此，在本发明的如权利要求中限定的范围内意图包括所有这样的变化。在权利要求中，功能性限定意图覆盖在这里被描述为执行所述功能的结构以及结构性等同物和等同的结构。因此，要理解的是，前述内容是对本发明的举例说明，而不被解释为被限制成所公开的特定示例实施例，并且对于公开的示例实施例以及其它的示例实施例的修改意图被包括在所附权利要求及其等同物的范围内。本发明的实施例的各方面由权利要求来限定，权利要求的等同物将被包括在其中。
Claims (20)
1.一种用于光刻的掩模，其特征在于，所述掩模包括：
透明基底；
相移图案，位于所述透明基底上，并被构造为改变光的相位；
介电层，位于所述透明基底上；以及
负折射率超材料层，位于所述介电层上。
2.如权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述相移图案具有第二宽度并限定具有第一宽度的开口，
其中，所述第一宽度和所述第二宽度的和限定节距，并且
所述节距小于4微米。
3.如权利要求2所述的掩模，其特征在于，所述节距小于1微米。
4.如权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述相移图案包括CrOxNy和MoSiOxNy中的至少一种。
5.如权利要求4所述的掩模，其特征在于，所述相移图案的厚度为130纳米。
6.如权利要求4所述的掩模，其特征在于，所述介电层包括聚甲基丙烯酸甲酯。
7.如权利要求4所述的掩模，其特征在于，所述介电层的厚度为40纳米。
8.如权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述负折射率超材料层被构造为产生表面等离子体共振或声子共振。
9.如权利要求8所述的掩模，其特征在于，所述负折射率超材料层的厚度为35纳米。
10.如权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述掩模还包括位于所述负折射率超材料层上的第二介电层。
11.一种制造用于光刻的掩模的方法，其特征在于，所述方法包括：
在透明基底上形成相移图案；
在所述透明基底上形成介电层；以及
在所述介电层上形成负折射率超材料层。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述相移图案具有第二宽度并限定具有第一宽度的开口，
其中，所述第一宽度和所述第二宽度的和限定节距，并且
所述节距小于4微米。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述相移图案包括CrOxNy和MoSiOxNy中的至少一种。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述相移图案的上表面执行等离子体亲水处理。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将预备介电层灰化以形成所述介电层。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述介电层的厚度为40纳米。
17.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述负折射率超材料层包括银、金和铝中的至少一种。
18.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述负折射率超材料层的厚度为35纳米。
19.如权利要求18所的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述负折射率超材料层上设置第二介电层。
20.一种利用用于光刻的掩模制造基底的方法，其特征在于，所述掩模包括：
透明基底；
相移图案，位于所述透明基底上，并被构造为改变光的相位；
介电层，位于所述透明基底上；以及
负折射率超材料层，位于所述介电层上，所述方法包括：
将其上形成有光致抗蚀剂层的基底布置为面对所述掩模，
通过所述掩模使所述光致抗蚀剂层曝光，其中，所述负折射率超材料层产生表面等离子体共振或声子共振，所述表面等离子体共振或所述声子共振被诱导为限定按照电磁波的传播距离指数地衰减的衰逝波，以用于准确地抑制光刻工艺中的光传递；以及
通过利用显影剂将所述光致抗蚀剂层显影来形成光致抗蚀剂图案。
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