CN105308764A - 用于制造光电子器件的方法 - Google Patents

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T.格布尔
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Abstract

本发明涉及用于制造光电子器件的方法。用于制造光电子器件（100）的方法包括以下步骤：提供导体框（400）；借助铸模过程将导体框（400）嵌入到塑料材料（310）中，以便构成壳体本体（200）；并且成形（610）塑料材料，以便至少部分地封闭塑料材料（310）和导体框（400）之间的缝隙（220）。

Description

用于制造光电子器件的方法
技术领域
本发明涉及一种根据专利权利要求1的用于制造光电器件的方法。
该专利申请要求德国专利申请102013212393.0的优先权，该德国专利申请的公开内容就此通过引用并入本文。
背景技术
已知的是，光电子器件利用壳体来构造，所述壳体具有导体框，该导体框借助压铸过程或注塑过程被嵌入到塑料材料中。这样的光电子器件的壳体的由塑料材料构成的塑料体的空腔可以利用浇注材料填充。然而，在导体框嵌入到塑料体中时，在导体框和塑料体的塑料材料之间形成缝隙。通过该缝隙，引入到空腔中的浇注材料可以推进至壳体本体的背面并且在那里例如污染焊接接触面。
发明内容
本发明的任务在于，说明一种用于制造光电子器件的方法。该任务通过具有权利要求1的特征的方法来解决。在从属权利要求中说明不同的改进方案。
用于制造光电子器件的方法包括以下步骤：提供导体框；借助铸模过程将导体框嵌入到塑料材料中，以便形成壳体本体；以及成形塑料材料，以便至少部分地封闭塑料材料和导体框之间的缝隙。有利地，按照该方法制造的光电子器件的壳体本体的空腔可以利用浇注材料来填充，而该浇注材料在此不能通过塑料材料和导体框之间的缝隙渗透。由此防止光电子器件的焊接接触面和其他部分的不期望的污染。由此有利地节省用于识别可能的不期望的污染和用于去除可能的不期望的污染的方法步骤。由此，该方法可以有利地特别简单并且成本适宜地执行。同时，通过该方法获得的光电子器件有利地由于防止不期望的污染而具有特别高的可靠性。
在方法的一种实施方式中，成形在铸模过程之后在塑料材料完全硬化之前进行。有利地，由此不需要重新地加热塑料材料，以便将该塑料材料置于可变形的状态中。由此，该方法可以特别简单、快速并且成本适宜地执行。
在方法的一种实施方式中，成形在壳体本体的去毛刺之后进行。有利地，壳体本体的去毛刺伴随着塑料材料的加热，该加热将塑料材料置于可成形的状态中。由此在壳体本体的去毛刺之后可以成形塑料材料，为此不需要其他准备的步骤。由此，该方法可以有利地特别简单、快速并且成本适宜地执行。
在方法的一种实施方式中，成形通过施加机械力到塑料材料上来进行。有利地，成形由此可以特别简单并且可重复地执行。
在方法的一种实施方式中，借助印模施加力到塑料材料上。有利地，由此力可以特别精准并且可重复地施加到塑料材料上。
在方法的一种实施方式中，导体框到塑料材料中的嵌入在铸模工具中进行。在此，印模构成铸模工具的一部分。有利地，导体框借助铸模过程的嵌入和塑料材料的成形于是可以在相同的工具中进行，由此该方法可以特别简单、快速并且成本适宜地执行。
在方法的一种实施方式中，铸模过程是压铸过程或注塑造过程。有利地，压铸和注塑过程允许导体框到塑料材料中的成本适宜并且准确的嵌入。
在方法的一种实施方式中，提供具有第一导体框区段和第二导体框区段的导体框。在此，第一导体框区段和第二导体框区段躯体上彼此分离。此外，第一导体框区段和第二导体框区段在此空间上间隔地被嵌入到塑料材料中。有利地，根据该方法获得的光电子器件的导体框的导体框区段可以用于电接触光电子器件的光电子半导体芯片。
在方法的一种实施方式中，塑料材料的成形在第一导体框区段和第二导体框区段之间布置的区域中进行。有利地，成形由此在由塑料材料和导体框区段构成的壳体本体的区域中进行，在该区域中形成不期望的缝隙的风险是特别大的。
在方法的一种实施方式中，提供具有第一焊接接触面的第一导体框区段。第二导体框区段在此具有第二焊接接触面地来提供。第一导体框区段和第二导体框区段被嵌入到塑料材料中，使得第一焊接接触面和第二焊接接触面至少部分地不由塑料材料覆盖地保留。塑料材料的成形在此通过施加机械力到塑料材料的布置在第一焊接接触面和第二焊接接触面之间的区域上来进行。有利地，在塑料材料成形期间，由此可以封闭两个导体框区段之间的区域中的塑料材料和导体框区段之间的缝隙。由此有利地防止，在随后的过程步骤中填充到壳体本体的空腔中的浇注材料能够沿着导体框区段和塑料材料之间的可能的缝隙推进至按照该方法获得的光电子器件的导体框区段的焊接接触面并且污染所述焊接接触面。
在方法的一种实施方式中，提供具有芯片容纳面的第一导体框区段。此外，第一导体框区段被嵌入到塑料材料中，使得芯片容纳面至少部分地不由塑料材料覆盖地保留。有利地，通过该方法获得的光电子器件的第一导体框区段的芯片容纳面可以用于电连接光电子器件的光电子半导体芯片。
在方法的一种实施方式中，该方法具有另外的用于将光电子半导体芯片布置在芯片容纳面上的步骤。有利地，芯片容纳面可以用于电连接光电子半导体芯片。
在方法的一种实施方式中，构造具有与芯片容纳面相邻的空腔的壳体本体。在此，该方法包括另外的用于将浇注材料布置到空腔中的步骤。有利地，通过该方法获得的光电子器件的壳体本体的空腔中所布置的光电子半导体芯片由空腔中所布置的浇注材料来保护以免由外部机械作用所引起的损坏。此外，引入到空腔中的浇注材料也可以用于转换通过按照该方法获得的光电子器件的光电子半导体芯片发射的电磁辐射。有利地，通过塑料材料成形的位于布置浇注材料之前的方法步骤保证，布置在空腔中的浇注材料不能通过塑料材料和导体框之间的缝隙渗透。由此有利地防止在将浇注材料布置在空腔中期间光电子器件的无意的损坏。
在方法的一种实施方式中，提供具有接合面的第二导体框区段。在此，第二导体框区段被嵌入到塑料材料中，使得接合面至少部分地不由塑料材料覆盖地保留。有利地，第二导体框区段的接合面可以与按照该方法获得的光电子器件的光电子半导体芯片的电接触部连接，由此第二导体框区段可以用于电接触光电子半导体芯片。
在方法的一种实施方式中，该方法包括另外的用于将接合线布置在光电子半导体芯片和接合面之间的步骤。有利地，由此建立光电子半导体芯片和接合面之间的导电连接。由此第二导体框区段可以用于电接触通过该方法获得的光电子器件的光电子半导体芯片。
附图说明
本发明的上述特性、特征和优点以及其如何实现的方式和方法结合实施例的随后描述变得更清楚和更明白地来理解，所述实施例结合附图来详细地解释。在此，以分别示意性的图：
图1示出光电子器件的壳体本体的一部分的截面；
图2示出在图1的图时间上随后的加工阶段中壳体本体的截面；
图3示出在图2的图时间上随后的加工阶段中壳体本体的截面；
图4示出具有布置在空腔中的光电子半导体芯片的壳体本体的截面；以及
图5示出光电子器件的截面。
具体实施方式
图1示出壳体本体200在其制造期间在未完成的加工阶段中的示意性的截面图。壳体本体200例如可以构成光电子器件的壳体的一部分。例如壳体本体200可以用作发光二极管器件的壳体的部分。光电子器件的壳体也可以被称为封装。
壳体本体200包括塑料体300和嵌入到塑料体300中的导体框400。塑料体300具有电绝缘的塑料材料310。塑料材料310例如可以是环氧化物树脂、热塑性塑料或热固性塑料。导体框400具有导电材料。例如导体框400可以具有铜或铜合金。此外，导体框400可以在其外表面上具有可焊接的涂层。
壳体本体200具有上侧201和与上侧201相对的下侧202。在壳体本体200的上侧201上构造有空腔210。空腔210构成壳体本体200的上侧201上的开口到壳体本体200的上侧201的凹陷。在垂直于图1的截面图的横向方向上，空腔210例如可以具有矩形的或圆盘形的横截面。在垂直方向上，空腔210可以圆柱地构造或如图1中所示圆锥形地扩张。因此空腔210于是具有圆柱形的或截锥体形或平截棱锥体形的体积。但是，空腔210的形状也可以具有更复杂的几何形状。
壳体本体200的塑料体300具有上侧301，该上侧构成壳体本体200的上侧201的一部分。此外，塑料体300具有下侧302，该下侧构成壳体本体200的下侧202的一部分。塑料体300构成壳体本体200的从侧面限制壳体本体200的空腔210的壁。
导体框400包括第一导体框区段410和第二导体框区段420。导体框400的第一导体框区段410和第二导体框区段420躯体上彼此分离并且彼此电绝缘。导体框400的第一导体框区段410和第二导体框区段420彼此间隔地嵌入到塑料体300的塑料材料310中。
导体框400的第一导体框区段410具有芯片容纳面411和与芯片容纳面411相对的第一焊接接触面412。导体框400的第二导体框区段420具有接合面421和与接合面421相对的第二焊接接触面422。第一导体框区段410的芯片容纳面411和第一焊接接触面412以及第二导体框区段420的接合面421和第二焊接接触面422分别至少部分地不通过塑料体300的塑料材料310来覆盖。在图1中所示出的示例中，第一导体框区段410的芯片容纳面411和第二导体框区段420的接合面421部分地通过塑料体300的塑料材料310覆盖并且其余不覆盖。第一导体框区段410的第一焊接接触面412和第二导体框区段420的第二焊接接触面422完全不通过塑料体300的塑料材料310来覆盖。
第一导体框区段410的芯片容纳面411和第二导体框区段420的接合面421的不通过塑料体300的塑料材料310来覆盖的区段在壳体本体200的空腔210的底部区域中构成壳体本体200的上侧201的一部分。第一导体框区段410的第一焊接接触面412和第二导体框区段420的第二焊接接触面422与塑料体300的下侧302齐平地结束并且构成壳体本体200的下侧202的部分。
导体框400的导体框区段410、420借助铸模过程被嵌入到塑料体300的塑料材料310中。导体框400的导体框区段410、420到塑料材料310中的嵌入在此与由塑料材料310构造塑料体300同时进行。铸模过程例如可以是压铸过程或注塑过程。铸模过程可以在铸模工具中进行。
在通过塑料体300和导体框400的所嵌入的导体框区段410、420构成的壳体本体200中，在塑料体300的塑料材料310和导体框400的导体框区段410、420之间形成缝隙220。缝隙220在图1中仅仅示意性地示出。缝隙220沿着塑料体300的塑料材料310和导体框区段410、420之间的边界在壳体本体200的下侧202与壳体本体200的上侧201上的空腔210之间延伸。
导体框区段410、420和塑料体300的塑料材料310之间的缝隙220不必绝对并且不必在所有区域中形成在导体框区段410、420和塑料体300的塑料材料310之间。但是，在制造壳体本体200时总是存在一定的概率，至少一些缝隙220形成在壳体本体200的空腔210区域中的下侧202和上侧201之间。
缝隙220的形成可能由于塑料体300的塑料材料310和导体框400的导体框区段410、420的表面之间的小的粘附所引起。缝隙220也可能由于在用于形成塑料体300的铸模过程之后在脱模过程期间作用到壳体本体200上的机械负荷而形成。在铸模过程之后的去毛刺（去毛刺过程）期间，也可能在导体框400的导体框区段410、420和塑料体300的塑料材料310之间形成缝隙220。
如果在之后的加工步骤中浇注材料被填充到壳体本体200的空腔210中，则浇注材料的一部分可能通过缝隙220流到壳体本体200的下侧202并且推进直至导体框区段410、420的焊接接触面412、422。如果浇注材料在此部分或完全润湿导体框区段410、420的焊接接触面412、422，则这加难或完全阻止焊接接触面412、422利用焊料的润湿并且由此与壳体本体200的焊接连接的制造。在该情况下，壳体本体200和由壳体本体200构造的光电子器件变得不能用了。
出于这些原因，导体框400的导体框区段410、420和塑料体300的塑料材料310之间的缝隙220的密封是必需的。图2示出壳体本体200的相应的加工步骤的示意图，该加工步骤在时间上跟随着壳体本体200的在图1中示出的加工阶段。
为了密封缝隙220，成形塑料体300的塑料材料310。塑料体300的塑料材料310的成形通过施加机械力到塑料材料310上来进行。机械力借助图2中仅示意性示出的印模600来施加到塑料体300的塑料材料310上。
通过施加到塑料体300的塑料材料310上的机械力，塑料体300的塑料材料310被成形为，使得导体框区段410、420和塑料体300的塑料材料之间的缝隙220至少部分地被封闭。
优选地在以下时间点进行塑料材料310的成形，在该时间点塑料材料310被加热并且是可塑变形的。例如并且优选地，塑料材料310的成形可以直接在构造塑料体300之后借助铸模过程并且在塑料材料310的完全冷却和硬化之前进行。塑料材料310的最终硬化也可以在高炉过程中进行。
替代地或附加地，塑料材料310的成形也可以在壳体本体200的去毛刺之后进行。壳体本体200的去毛刺在此可以伴随着塑料体300的塑料材料310的加热和软化。塑料材料310的成形于是优选地在塑料材料310的重新冷却和硬化之前进行。替代地或附加地，但是塑料体300的塑料材料310的成形也可以在加工壳体本体200期间在任意其他时间点进行。在该情况下，位于塑料体300的塑料材料310的成形之前可以进行塑料体300的塑料材料310的加热，以便软化塑料材料310并且使其可塑变形。
如果塑料体300的塑料材料310的成形直接在用于构造塑料体300的铸模过程之后进行，则印模600可以被构造为在铸模过程期间所使用的铸模工具的部分。印模600在此例如可以在铸模工具的模膛的内部中可移动地来布置。于是塑料体300的塑料材料310的成形还在为铸模过程所使用的铸模工具之内来进行，由此由于通过铸模工具施加到塑料体300上的成形力可以实现缝隙220的特别可靠的封闭。
塑料体300的塑料材料310的成形通过经由印模600施加机械力到塑料体300的塑料材料310上来进行。对此，印模600以朝向塑料体300的方向来挤压。
导体框400的导体框区段410、420和塑料体300的塑料材料310之间所形成的缝隙220的特别可靠的密封可以如下实现，即印模600在塑料体300的位于第一导体框区段410的第一焊接接触面412和第二导体框区段420的第二焊接接触面422之间的区域中朝向塑料体300的下侧302来挤压。朝向塑料体300挤压印模600的方向610在此垂直于塑料体300的下侧302来定向。
为了实现缝隙220的特别可靠的密封，也可以将塑料体300的塑料材料310在塑料体300的多个区域中成形。对此，可以借助印模600或借助多个印模施加机械力到塑料体300的不同区域上。例如可以施加机械力到塑料体300的下侧302的多个不同区域上。力到塑料体300的下侧302的不同部分上的施加在此可以同时或依次地进行。
图3示出在时间上塑料体300的塑料材料310的成形之后的加工阶段中壳体本体200的示意性的截面图。通过塑料体300的塑料材料310的成形，导体框400的导体框区段410、420和塑料体300的塑料材料310之间的缝隙220至少部分地被封闭并且现在形成至少部分密封的缝隙225。优选地，所密封的缝隙225被如此密地密封，使得在空腔210的区域中不存在壳体本体200的下侧202和壳体本体200的上侧201之间的连续的连接。
塑料体300可以在已经借助印模600施加机械力到塑料体300的塑料材料310上的区域中具有凹口330。例如凹口330可以在塑料体300的中间地位于第一导体框区段410的第一焊接接触面412和第二导体框区段420的第二焊接接触面422之间的区域中布置在塑料体300的下侧302上。塑料体300也可以具有多个凹口330。但是也能够可以的是，执行塑料体300的塑料材料310的成形，使得没留下可见的凹口330。
图4示出在图3的图时间上随后的加工阶段中壳体本体200的另一示意性的截面图。在壳体本体200的空腔210中布置有光电子半导体芯片500。光电子半导体芯片500例如可以是发光二极管芯片（LED芯片）。
光电子半导体芯片500具有上侧501和与上侧501相对的下侧502。在光电子半导体芯片500的上侧501上布置有光电子半导体芯片500的第一电接触面510。在光电子半导体芯片500的下侧502上布置有第二电接触面520。在第一电接触面510和第二电接触面520之间可以在光电子半导体芯片500上施加电压，以便促使光电子半导体芯片500发射电磁辐射、例如发射可见光。光电子半导体芯片500的电接触面510、520也可以不同于所示的来布置。例如两个电接触面510、520可以布置在光电子半导体芯片500的上侧501或下侧502上。
光电子半导体芯片500在壳体本体200的空腔210的底部区域中被布置在第一导体框区段410的芯片容纳面411上。光电子半导体芯片500的下侧502朝向第一导体框区段410的芯片容纳面411并且借助连接剂540与该容纳面导电连接。由此在光电子半导体芯片500的布置在光电子半导体芯片500的下侧502上的第二电接触面520和第一导体框区段410之间形成导电连接。连接剂540例如可以是焊料或导电的粘结剂。
布置在光电子半导体芯片500的上侧501上的第一电接触面510借助接合线530与第二导体框区段420导电连接。由此在光电子半导体芯片500的第二电接触面520和壳体本体200的第二导体框区段420之间形成导电连接。因此光电子半导体芯片500可以通过壳体本体200的第一焊接接触面412和第二焊接接触面422被加载电压。
也可以使用被构造为倒装芯片的光电子半导体芯片，其中两个电接触面被布置在下侧上。在该情况下，光电子半导体芯片可以布置在第一导体框区段410的芯片容纳面411和第二导体框区段420的接合面421上，使得光电子半导体芯片的电接触面与第一导体框区段410和第二导体框区段420导电连接。于是第二导体框区段420的接合面421也可以被称为第二芯片容纳面。
图5示出在图4的图时间上随后的加工阶段中壳体本体200和布置在壳体本体200的空腔210中的光电子半导体芯片500的另一示意图。在图5的图中，壳体本体200和光电子半导体芯片500构成完成处理的光电子器件100的部分。光电子器件100例如可以是发光二极管器件。
在壳体本体200的空腔210中布置有浇注材料230。光电子半导体芯片500和接合线530在此被嵌入到浇注材料230中。优选地，光电子半导体芯片500和接合线530完全被浇注材料230包围。由此通过浇注材料230保护光电子半导体芯片500和接合线530以免由于外部的机械作用所引起的损坏。浇注材料230可以完全填满壳体本体200的空腔210。但是，浇注材料230也可以仅仅部分地填满壳体本体200的空腔210。
浇注材料230优选地具有对于由光电子半导体芯片500发射的电磁辐射光学上基本透明的材料。例如浇注材料230可以具有硅树脂。浇注材料230此外可以具有被嵌入的发光物质。该发光物质在此可以作为转换波长的发光物质而用于转换由光电子半导体芯片500所发射的电磁辐射的波长。发光物质在该情况下被构造用于吸收具有第一波长的被光电子半导体芯片500发射的电磁辐射并且发射具有第二、典型地更大的波长的电磁辐射。浇注材料230的被嵌入的发光物质例如可以是有机的发光物质或无机的发光物质。发光物质也可以具有量子点。
在将浇注材料230引入到壳体本体200的空腔210中期间，浇注材料230不能通过空腔210中的密封的缝隙225到达壳体本体200的下侧202。由此防止浇注材料230在壳体本体200的下侧202上污染壳体本体200的导体框400的导体框区段410、420的焊接接触面412、422。
光电子器件100例如适合作为用于表面安装的SMD器件。在此，光电子器件100的壳体本体200的第一焊接接触面412和第二焊接接触面422例如可以通过重融焊接（回流焊接）被焊接并且被导电接触。因为由于密封的缝隙225光电子器件100的壳体本体200的焊接接触面412、422不被浇注材料230污染，所以在光电子器件100的焊接期间保证光电子器件100的壳体本体200的焊接接触面412、422的充分润湿。
光电子半导体芯片500的上侧501构成辐射发射面。在运行光电子器件100中，电磁辐射在光电子半导体芯片500的上侧501上被放射并且可以通过浇注材料230到达壳体本体200的上侧201并且在那里被放射。布置在光电子器件100的壳体本体200的空腔210中的浇注材料230在此可以引起电磁辐射的转换。光电子器件100的壳体本体200的空腔210的通过塑料体300的塑料材料310构成的壁可以用作由光电子半导体芯片500发射的电磁辐射的反射器。
本发明借助优选的实施例详细地阐明和描述。尽管如此，本发明不限于所公开的示例。更确切地说，专业人员可以由此导出其他变型方案，而不脱离本发明的保护范围。
附图标记列表
100光电子器件
200壳体本体
201上侧
202下侧
210空腔
220缝隙
225被密封的缝隙
230浇注材料
300塑料体
301上侧
302下侧
310塑料材料
320中间的区域
330凹口
400导体框
410第一导体框区段
411芯片容纳面
412第一焊接接触面
420第二导体框区段
421接合面
422第二焊接接触面
500光电子半导体芯片
501上侧
502下侧
510第一电接触面
520第二电接触面
530接合线
540连接剂
600印模
610方向

Claims (15)

1.用于制造光电子器件（100）的方法，具有以下步骤：
－提供导体框（400）；
－借助铸模过程将导体框（400）嵌入到塑料材料（310）中，以便构成壳体本体（200）；
－成形塑料材料（310），以便至少部分地封闭塑料材料（310）和导体框（400）之间的缝隙（220）。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述成形在铸模过程之后在塑料材料（310）完全硬化之前进行。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中所述成形在壳体本体（200）去毛刺之后进行。
4.根据上述权利要求之一所述的方法，
其中所述成形通过施加机械力到塑料材料（310）上来进行。
5.根据权利要求4所述的方法，
其中所述力借助印模（600）被施加到塑料材料（310）上。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中导体框（400）到塑料材料（310）中的嵌入在铸模工具中进行，其中印模（600）事故铸模工具的一部分。
7.根据上述权利要求之一所述的方法，
其中所述铸模过程是压铸或注塑过程。
8.根据上述权利要求之一所述的方法，
其中提供具有第一导体框区段（410）和第二导体框区段（420）的导体框（400），
其中第一导体框区段（410）和第二导体框区段（420）躯体上彼此分离，
其中第一导体框区段（410）和第二导体框区段（420）空间上间隔地被嵌入到塑料材料（310）中。
9.根据权利要求8所述的方法，
其中塑料材料（310）的成形在第一导体框区段（410）和第二导体框区段（420）之间所布置的区域（320）中进行。
10.根据权利要求4和9所述的方法，
其中提供具有第一焊接接触面（412）的第一导体框区段（410）并且提供具有第二焊接接触面（422）的第二导体框区段（420），
其中第一导体框区段（410）和第二导体框区段（420）被嵌入到塑料材料（310）中，使得第一焊接接触面（412）和第二焊接接触面（422）至少部分地不由塑料材料（310）覆盖地保留，
其中塑料材料（310）的成形通过施加机械力到塑料材料（310）的布置在第一焊接接触面（412）和第二焊接接触面（422）之间的区域上来进行。
11.根据权利要求10所述的方法，
其中提供具有芯片容纳面（411）的第一导体框区段（410），
其中第一导体框区段（410）被嵌入到塑料材料（310）中，使得芯片容纳面（411）至少部分地不由塑料材料（310）覆盖地保留。
12.根据权利要求11所述的方法，
其中所述方法包括以下另外的步骤：
－将光电子半导体芯片（500）布置在芯片容纳面（411）上。
13.根据权利要求11和12之一所述的方法，
其中构造具有与芯片容纳面（411）相邻的空腔（210）的壳体本体（200），其中所述方法包括以下另外的步骤：
－将浇注材料（230）布置在空腔（210）中。
14.根据权利要求11至13之一所述的方法，
其中提供具有接合面（421）的第二导体框区段（420），
其中第二导体框区段（420）被嵌入到塑料材料（310）中，使得接合面（421）至少部分地不由塑料材料（310）覆盖地保留。
15.根据权利要求12和14所述的方法，
其中所述方法包括以下另外的步骤：
－将接合线（530）布置在光电子半导体芯片（500）和接合面（421）之间。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190140352A (ko) * 2018-06-11 2019-12-19 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030067061A1 (en) * 2001-10-10 2003-04-10 Williams Vernon M. Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems
US20070163192A1 (en) * 2003-11-06 2007-07-19 Blake Gmbh & Co. Kg Multi-layer decoupling and sealing system
US20120001310A1 (en) * 2010-06-22 2012-01-05 Panasonic Corporation Package for semiconductor device, and method of manufacturing the same and semiconductor device
US20120001312A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-05 Panasonic Corporation Package for semiconductor device, method of manufacturing the same and semiconductor device
US20120074451A1 (en) * 2010-09-27 2012-03-29 Lite-On Technology Corpration Lead frame structure, a packaging structure and a lighting unit thereof
US20130015488A1 (en) * 2010-04-16 2013-01-17 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and method for fabricating the same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4668175A (en) * 1985-05-23 1987-05-26 Cosden Technology, Inc. Apparatus for forming deep containers
JP3142403B2 (ja) * 1992-12-01 2001-03-07 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置
CA2164302A1 (en) * 1993-10-18 1995-04-27 Jean-Pierre Ibar Method and apparatus for injection molding
JP3572140B2 (ja) * 1996-03-14 2004-09-29 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法
DE69730940T2 (de) * 1996-07-12 2005-03-10 Fujitsu Ltd., Kawasaki Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
JP4366767B2 (ja) * 1999-07-15 2009-11-18 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
DE102004014355B4 (de) * 2004-03-24 2010-07-29 Odelo Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements durch Ur- und Umformen
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
JP2008254275A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 射出成形品と射出成形方法
DE102007060206A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
US20090179315A1 (en) * 2008-01-14 2009-07-16 Armand Vincent Jereza Semiconductor Die Packages Having Solder-free Connections, Systems Using the Same, and Methods of Making the Same
JP2009246116A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Yamaha Corp リードフレーム及びパッケージ本体、パッケージ、半導体装置、並びにマイクロフォンパッケージ
JP2012028744A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
DE102010054591B4 (de) * 2010-12-15 2023-03-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein optoelektronisches Bauelement
TW201312807A (zh) * 2011-07-21 2013-03-16 Cree Inc 光發射器元件封裝與部件及改良化學抵抗性的方法與相關方法
DE102013219063A1 (de) * 2013-09-23 2015-03-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030067061A1 (en) * 2001-10-10 2003-04-10 Williams Vernon M. Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems
US20070163192A1 (en) * 2003-11-06 2007-07-19 Blake Gmbh & Co. Kg Multi-layer decoupling and sealing system
US20130015488A1 (en) * 2010-04-16 2013-01-17 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and method for fabricating the same
US20120001310A1 (en) * 2010-06-22 2012-01-05 Panasonic Corporation Package for semiconductor device, and method of manufacturing the same and semiconductor device
US20120001312A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-05 Panasonic Corporation Package for semiconductor device, method of manufacturing the same and semiconductor device
US20120074451A1 (en) * 2010-09-27 2012-03-29 Lite-On Technology Corpration Lead frame structure, a packaging structure and a lighting unit thereof

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Publication number Publication date
JP2016525277A (ja) 2016-08-22
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