CN105301892A - 基于oled/olec发光原理制作实时掩膜版的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了基于OLED/OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法，采用该方法能够实现无需更换掩膜实现多掩膜套印、精度高、精度可调、灰度可控制；底层为基板，在基板上通过传统光刻技术、印刷技术和刻蚀技术制作透明阳极阵列，在透明阳极阵列上通过旋镀、平镀等方法制作空穴注入层；待空穴注入层干透后，通过有机长链分子材料印刷技术或者有机小分子材料蒸镀技术制作有机发光层；在有机发光层上通过旋镀、平镀等方法制作电子传输层；在电子传输层干透后，通过金属蒸镀技术或金属溅射技术制作阴极阵列，此阵列的排列方向与透明阳极阵列排列方向相垂直；最后在整个OLED掩膜版阴极阵列上覆盖一层密封膜。
Description
技术领域
本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种基于OLED/OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法。
背景技术
掩膜版是光刻过程中经常使用的一种工具。传统掩膜版是以石英玻璃为基底，在其上有金属部分及镂空部分，镂空部分形成图形。曝光时光线通过镂空部分照射到光刻胶上，达到将图形刻在光刻胶上的目的。曝光后的光刻胶再经过显影、定影、蒸镀、刻蚀等动作，最终在基板上形成所需的图案。在印刷工艺过程中，制版是整个过程中耗时最长、工艺最复杂、成本最高的环节，实现精确制版是高质量印刷的关键。传统的掩膜版因为使用的是金属材料，通常为铬或其合金，一经制作便无法再更改，如需制作不同的图案，就需要不同的掩膜版。如果需要大量生产具有不同图形的产品，就需要大量制作掩膜版，生产成本很高，生产周期也相对较长。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了基于OLED(OrganicLightEmittingDiode)/OLEC(OrganicLight-emittingElectrochemicalCell)发光原理制作实时掩膜版的方法，具有自发光的特性。采用该方法可以克服传统掩膜版不能灵活生产的弊端，以实现无需更换掩膜实现多掩膜套印、精度高、且精度可调节、灰度可控制，解决了现有技术的弊端。
实施本发明的具体方案如下：
一种基于OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法，其具体制作步骤如下：
第一步，底层为基板，在所述基板上通过传统光刻技术、印刷技术和刻蚀技术制作透明阳极阵列；
第二步，在所述透明阳极阵列上通过有机长链分子材料印刷技术制作有机发光层，针对不同波段敏感的光刻胶的掩膜版，发光层选择相应的有机发光材料制作；
第三步，在所述有机发光层上通过金属蒸镀技术或金属溅射技术制作阴极阵列，所述阵列的排列方向与透明阳极阵列排列方向相垂直；
第四步，在整个OLEC掩膜版阴极阵列上覆盖一层密封膜。
进一步地，所述基板的材料为石英玻璃或硅，石英玻璃具有双面透明的特点，硅具有单向透明的特点，根据不同需求选择不同的材质。
进一步地，所述透明阳极阵列的材料为ITO、ZnO或含有掺杂AI、掺杂Ga、掺杂Sc、AI-Sc共掺杂元素的ZnO。
进一步地，所述OLED/OLEC实时掩膜版在基底外侧和密封膜外侧通过静电的方式分别粘结两层用于防污的薄膜，当薄膜出现污染物时，可立即对其进行更换。
进一步地，根据所需掩膜版的图案，通过实时动态编程控制，在所述掩膜版上显示该图案，当一个像素点的两个电极同时被选通时，此像素点为亮点，反之，当一个像素点的两个电极同时未被选通或只有一极被选通时，此像素点为暗点。
一种基于OLED发光原理制作实时掩膜版的方法，其具体制作步骤如下：
第一步，底层为基板，在所述基板上通过传统光刻技术、印刷技术和刻蚀技术制作透明阳极阵列；
第二步，在所述透明阳极阵列上通过旋镀、平镀方法制作空穴注入层；
第三步，待所述空穴注入层干透后，通过有机长链分子材料印刷技术或有机小分子材料蒸镀技术制作有机发光层，针对不同波段敏感的光刻胶的掩膜版，发光层选择相应的有机发光材料制作；
第四步，在所述有机发光层上通过旋镀、平镀方法制作电子传输层；
第五步，待所述电子传输层干透后，通过金属蒸镀技术或金属溅射技术制作阴极阵列，所述阵列的排列方向与透明阳极阵列排列方向相垂直；
第六步，在整个OLED掩膜版阴极阵列上覆盖一层密封膜。
进一步地，所述基板的材料为石英玻璃或硅。
进一步地，所述透明阳极阵列的材料为ITO、ZnO或含有掺杂AI、掺杂Ga、掺杂Sc、AI-Sc共掺杂元素的ZnO。
进一步地，所述OLED/OLEC实时掩膜版在基底外侧和密封膜外侧通过静电的方式分别粘结两层用于防污的薄膜。
进一步地，根据所需掩膜版的图案，通过实时动态编程控制，在所述掩膜版上显示该图案，当一个像素点的两个电极同时被选通时，此像素点为亮点，反之，当一个像素点的两个电极同时未被选通或只有一极被选通时，此像素点为暗点。
有益效果：
(1)采用基于OLED/OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法，该方法可以克服传统掩膜版不能灵活生产的弊端，以实现无需更换掩膜实现多掩膜套印、精度高、且精度可调节、灰度可控制，解决了现有技术的弊端。
(2)通过制作可编程控制的高分辨率OLED/OLEC平板，选择合适的发光材料，使其发射波长与光刻胶的敏感波长匹配，通过将需要刻的图案通过编程控制显示在OLED/OLEC平板上，平板相应像素点发光，其他像素不发光，从而达到将所需图形曝光在光刻胶上的目的。
附图说明
图1为本发明实施例1OLEC实时掩膜版结构图；。
图2为本发明实施例2OLED实时掩膜版结构图。
具体实施方式
下面结合附图并举实施例，对本发明进行详细描述。
本发明提供了一种基于OLED/OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法。
实例1：成像控制器在附图中并未画出，图1中仅对掩膜版结构进行详述。底层为基板，材料可以为石英玻璃或硅等；在基板上通过传统光刻技术、印刷技术和刻蚀技术制作透明阳极阵列，材料可以是ITO或其他新型透明电极材料；在阳极阵列上通过有机长链分子材料印刷技术制作有机发光层，通过选择不同的有机发光材料可以制作试用于不同波段敏感的光刻胶的掩膜版；在有机发光层上通过金属蒸镀技术或金属溅射技术制作阴极阵列，此阵列的排列方向与透明阳极阵列排列方向相垂直；最后在整个OLEC掩膜版阴极阵列上覆盖一层密封膜，从而保护有机材料不受空气中H2O、O2等氧化。
工作过程中，成像控制器将所需曝光的图案显示在OLEC掩膜版上，当一个像素点的两个电极同时被选通时，此像素点为亮点，反之，当两个电极同时未被选通或只有一极被选通时，此像素点为暗点。光刻胶位于掩膜版基板一侧，即接近透明阳极一侧，从而将亮像素点发射的光传递到光刻胶上，从而达到曝光的目的。进一步地，所述掩膜版的图案通过实时动态编程控制，图案为任何OLED/OLEC平板能够显示的图案。
实例2：成像控制器在附图中并未画出，图1中仅对掩膜版结构进行详述。底层为基板，材料可以为石英玻璃或硅等；在基板上通过传统光刻技术、印刷技术和刻蚀技术制作透明阳极阵列，材料可以是ITO或其他新型透明电极材料；在透明阳极阵列上通过旋镀、平镀等方法制作空穴注入层；在空穴注入层干透后，通过有机长链分子材料印刷技术或者有机小分子材料蒸镀技术制作有机发光层，通过选择不同的有机发光材料可以制作试用于不同波段敏感的光刻胶的掩膜版；在有机发光层上通过旋镀、平镀等方法制作电子传输层；在电子传输层干透后，通过金属蒸镀技术或金属溅射技术制作阴极阵列，此阵列的排列方向与透明阳极阵列排列方向相垂直；最后在整个OLED掩膜版阴极阵列上覆盖一层密封膜，从而保护有机材料不受空气中H2O、O2等氧化。
工作过程中，成像控制器将所需曝光的图案显示在OLED掩膜版上，当一个像素点的两个电极同时被选通时，此像素点为亮点，反之，当两个电极同时未被选通或只有一极被选通时，此像素点为暗点。光刻胶位于掩膜版基板一侧，即接近透明阳极一侧，从而将亮像素点发射的光传递到光刻胶上，从而达到曝光的目的。进一步地，所述掩膜版的图案通过实时动态编程控制，图案为任何OLED/OLEC掩膜版能够显示的图案。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，其具体制作步骤如下：
第一步，底层为基板，在所述基板上通过传统光刻技术、印刷技术和刻蚀技术制作透明阳极阵列；
第二步，在所述透明阳极阵列上通过有机长链分子材料印刷技术制作有机发光层，针对不同波段敏感的光刻胶的掩膜版，发光层选择不同的有机发光材料制作；
第三步，在所述有机发光层上通过金属蒸镀技术或金属溅射技术制作阴极阵列，所述阵列的排列方向与透明阳极阵列排列方向相垂直；
第四步，在整个OLEC掩膜版阴极阵列上覆盖一层密封膜。
2.如权利要求1所述一种基于OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，所述基板的材料为石英玻璃或硅。
3.如权利要求1所述一种基于OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，所述透明阳极阵列的材料为ITO、ZnO或含有掺杂AI、掺杂Ga、掺杂Sc、AI-Sc共掺杂元素的ZnO。
4.如权利要求1所述一种基于OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，所述OLEC实时掩膜版在基底外侧和密封膜外侧通过静电的方式分别粘结两层用于防污的薄膜。
5.如权利要求1所述一种基于OLEC发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，根据所需掩膜版的图案，通过实时动态编程控制，在所述掩膜版上显示该图案，当一个像素点的两个电极同时被选通时，此像素点为亮点，反之，当一个像素点的两个电极同时未被选通或只有一极被选通时，此像素点为暗点。
6.一种基于OLED发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，其具体制作步骤如下：
第一步，底层为基板，在所述基板上通过传统光刻技术、印刷技术和刻蚀技术制作透明阳极阵列；
第二步，在所述透明阳极阵列上通过旋镀、平镀方法制作空穴注入层；
第三步，待所述空穴注入层干透后，通过有机长链分子材料印刷技术或有机小分子材料蒸镀技术制作有机发光层，针对不同波段敏感的光刻胶的掩膜版，发光层选择不同的有机发光材料制作；
第四步，在所述有机发光层上通过旋镀、平镀方法制作电子传输层；
第五步，待所述电子传输层干透后，通过金属蒸镀技术或金属溅射技术制作阴极阵列，所述阵列的排列方向与透明阳极阵列排列方向相垂直；
第六步，在整个OLED掩膜版阴极阵列上覆盖一层密封膜。
7.如权利要求6所述一种基于OLED发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，所述基板的材料为石英玻璃或硅。
8.如权利要求6所述一种基于OLED发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，所述透明阳极阵列的材料为ITO、ZnO或含有掺杂AI、掺杂Ga、掺杂Sc、AI-Sc共掺杂元素的ZnO。
9.如权利要求6所述一种基于OLED发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，所述OLED实时掩膜版在基底外侧和密封膜外侧通过静电的方式分别粘结两层用于防污的薄膜。
10.如权利要求6所述一种基于OLED发光原理制作实时掩膜版的方法，其特征在于，根据所需掩膜版的图案，通过实时动态编程控制，在所述掩膜版上显示该图案，当一个像素点的两个电极同时被选通时，此像素点为亮点，反之，当一个像素点的两个电极同时未被选通或只有一极被选通时，此像素点为暗点。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112725730A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 常州高光半导体材料有限公司 | 一种oled蒸镀用金属掩膜版制作方法 |
| CN112750969A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-05-04 | 歌尔科技有限公司 | 一种显示方法、显示组件及电子设备 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1758818A (zh) * | 2004-08-30 | 2006-04-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于激光转写的施主基板及制造有机发光显示器的方法 |
| CN101162314A (zh) * | 2007-08-16 | 2008-04-16 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 显示器件、制备其用掩膜板及该显示器件的制备方法 |
| CN101661217A (zh) * | 2008-08-28 | 2010-03-03 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 可编程光罩及其使用方法和该光罩的用途 |
| CN101963762A (zh) * | 2009-07-23 | 2011-02-02 | 胡亦宁 | 一种原位合成基因芯片的制作装置 |
| CN201867584U (zh) * | 2010-11-26 | 2011-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版 |
| CN103105738A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-05-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种曝光方法及曝光采用的掩膜版 |
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2015
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1758818A (zh) * | 2004-08-30 | 2006-04-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于激光转写的施主基板及制造有机发光显示器的方法 |
| CN101162314A (zh) * | 2007-08-16 | 2008-04-16 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 显示器件、制备其用掩膜板及该显示器件的制备方法 |
| CN101661217A (zh) * | 2008-08-28 | 2010-03-03 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 可编程光罩及其使用方法和该光罩的用途 |
| CN101963762A (zh) * | 2009-07-23 | 2011-02-02 | 胡亦宁 | 一种原位合成基因芯片的制作装置 |
| CN201867584U (zh) * | 2010-11-26 | 2011-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版 |
| CN103105738A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-05-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种曝光方法及曝光采用的掩膜版 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112725730A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 常州高光半导体材料有限公司 | 一种oled蒸镀用金属掩膜版制作方法 |
| CN112750969A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-05-04 | 歌尔科技有限公司 | 一种显示方法、显示组件及电子设备 |
| CN112750969B (zh) * | 2021-01-25 | 2023-12-26 | 歌尔科技有限公司 | 一种显示方法、显示组件及电子设备 |
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