CN105300539A - 远程温度感测 - Google Patents
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Abstract
公开了远程温度感测。示例方法包括:基于本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值,其中,所述一对本地电压值的本地电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的电压下降对应;基于本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值,其中,所述一对远程电压值每个与跨所述远程传感器核的远程p-n结的相应的电压下降对应。该示例方法还包括至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度。
Description
技术领域
本公开涉及远程温度感测,并且特别地,涉及使用p-n结的远程温度感测。
背景技术
对于设备和/或系统的操作而言,用以精确地测量温度的能力可能是有益的。在一些示例中,p-n结可以被用于测量温度。由于它们的物理属性,跨p-n结的电压下降可以通过以下的等式(1)与p-n结的温度相关,其中,V T 是跨p-n结的电压下降,K是玻尔兹曼常数(例如,每开尔文温度~1.380*10-23焦耳),T是开尔文温度下的p-n结的绝对温度,q是元电荷(例如,~1.602*10-19库伦),I Bias 是以其对p-n结进行偏置的电流,并且I S 是p-n结的饱和电流。
发明内容
一般而言,本公开针对用于在不要求使用温度不变的电流源的情况下确定远程p-n结的温度的技术。例如,设备可以基于跨远程p-n结的电压下降和跨包括在本地传感器核中的本地p-n结的电压下降来确定包括远程p-n结的远程传感器核的温度。
在一个示例中,一种方法包括:基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值,其中,所述一对本地电压值的第一本地电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且其中,所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应。在该示例中,该方法还包括:基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对远程电压值每个与当以不同的相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应。在该示例中,该方法还包括:至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度。
在另一示例中,一种设备包括:模拟—数字转换器(ADC),被配置为基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值,其中,所述一对本地电压值的第一电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且其中,所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应。在该示例中,所述ADC进一步被配置为基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对混合电压值每个与当以不同的相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应。在该示例中,该设备还包括:一个或更多个处理器,被配置为至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的所述温度。
在另一示例中,一种设备包括:用于基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值的装置,其中,所述一对本地电压值的第一本地电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且其中,所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应。在该示例中,该设备还包括:用于基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值的装置,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对远程电压值每个与当以不同的相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应。在该示例中,该设备还包括:用于至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度的装置。
下面在随附附图和描述中阐述这些和其它示例的细节。根据描述和附图并且根据权利要求,其它特征、目的和优点将是明显的。
附图说明
图1是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性系统的概念图,该示例性系统包括用于确定远程p-n结的温度的设备。
图2是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性模拟—数字转换器(ADC)的概念图,ADC被配置为生成模拟信号的数字表示。
图3是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性系统2C的概念图,示例性系统2C包括用于确定p-n结的温度的设备。
图4是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性系统2D的概念图,示例性系统2D包括用于确定远程p-n结的温度的设备。
图5是图解根据本公开的一个或更多个技术的被配置为确定远程p-n结的温度的设备的示例性操作的流程图。
图6是图解根据本公开的一个或更多个技术的电池的充电电流和温度之间的示例性关系的图线。
图7是图解根据本公开的一个或更多个技术的电池的示例性温度水平的图线。
图8是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性系统的概念图,该示例性系统包括用于确定物理上位于电池附近的远程p-n结的温度的设备。
具体实施方式
一般而言,本公开针对用于确定p-n结的温度的技术。在一些示例中,可能不想要将p-n结定位在使用跨该p-n结的电压下降以确定该p-n结的温度的设备和/或系统附近。换言之,可能想要设备和/或系统确定被远程地定位的p-n结的温度。在一些示例中,为了确定跨远程p-n结的电压下降,设备和/或系统可以引起电流源利用电流对远程p-n结进行偏置。然而,在一些示例中,可能引入误差,因为由电流源输出的电流水平可能依赖于温度。像这样,在一些示例中,温度不变的电流源可能被用于减少误差。然而,在一些示例中,可能不想要要求使用温度不变的电流源。例如,温度不变的电流源可能依赖于带隙基准,带隙基准在一阶中可以提供用于转换的温度不变的基准,二阶曲率效应可能造成可能难以消除的误差。
在一些示例中,与具有良好的一阶特性但是可能难以补偿的大的二阶曲率误差的带隙电压相反,由于PTAT(PositivelyCorrelatedwithAbsoluteTemperature,与绝对温度正相关)基准的不太显著的二阶曲率特性而导致可能想要使用PTAT基准。例如,在数字表示中,可以消除与绝对温度梯度的一阶正相关。
然而,当只使用被远程地定位的p-n结来测量温度时,可能不想要使用PTAT电流。例如,在p-n结被放置在热平衡下的具有稳定的温度的远程感测位置处的情况下,基准电流必须源自包括温度处理部件的设备(例如,芯片)。如果PTAT电流被用于偏置该远程p-n结,则可能引入误差,因为该远程p-n结的本地温度可能不同于该设备。在这样的情境下,针对本地和远程传感器位置之间的变化的差异温度,跨该p-n结所生成的所感测到的电压可能是不同的。
根据本公开的一个或更多个技术,设备可以通过执行使用一个或更多个本地p-n结的本地感测操作、以及使用远程p-n结和至少一个本地p-n结的混合感测操作,从而确定远程p-n结的温度。以该方式,该设备可以抵消由该设备和该远程p-n结之间的任何温度差引入的误差。
图1是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性系统2A的概念图,示例性系统2A包括用于确定远程p-n结的温度的设备。如图1的示例中所图解的那样,系统2A可以包括设备4A和远程传感器核5A。
在一些示例中,系统2A可以包括可以被配置为感测温度的远程传感器核5A。例如并且如图1中所图解的那样,远程传感器核5A可以包括如以上所讨论的那样可以被配置为输出作为温度的函数的电压信号的远程p-n结8A。
在一些示例中,系统2A可以包括可以被配置为确定p-n结的温度的设备4A。例如,设备4A可以被配置为确定远程传感器核5A的远程p-n结8A的温度。如图1中所图解的那样,设备4A可以包括电流源10A、偏置二极管12A、低通滤波器4A、放大器16A、模拟—数字转换器(ADC)18A和温度模块20A。
在一些示例中,设备4A可以包括可以被配置为输出一个或更多个电流的电流源10A。在一些示例中,电流源10A可以被配置为输出多个比率计量的电流(例如,第一电流I和第二电流N*I)。如图1中所图解的那样,电流源10A可以被配置为输出电流中的一个或更多个,从而偏置远程p-n结8A。
在一些示例中,设备4A可以包括可以被配置为减少远程p-n结8A的基极处的噪声的偏置二极管12A。在一些示例中,通过包括偏置二极管12A,与将远程p-n结8A的基极短接到地相比,可以减少远程p-n结8A的基极处的噪声。
在一些示例中,设备4A可以包括低通滤波器14A,低通滤波器14A可以被配置为减少和/或消除由远程p-n结8A生成的电压信号的频率分量。在一些示例中,低通滤波器14A可以具有65kHz的截止频率。
在一些示例中,设备4A可以包括放大器16A,放大器16A可以被配置为充当用于ADC18A的驱动器。在一些示例中,放大器16A可以是斩波稳定的放大器。
在一些示例中,设备4A可以包括可以被配置为确定模拟电压信号的数字表示的ADC18A。例如,ADC18A可以被配置为确定从放大器16A接收到的模拟电压信号的数字表示。在一些示例中,当确定模拟电压信号的数字表示时,ADC18A可以利用由带隙基准19A生成的带隙电压信号作为基准。
在一些示例中,设备4A可以包括可以被配置为确定远程p-n结8A的温度的温度模块20A。如以上所讨论的那样,跨p-n结的电压下降是p-n结的温度、常数(例如,玻尔兹曼常数和元电荷)、p-n结的偏置电流和p-n结的饱和电流的函数。由于p-n结的饱和电流可以作为许多条件(例如,制造、寿命等)的结果而变化,因而当确定p-n结的温度时,可能想要去除对饱和电流的依赖性。像这样,温度模块20A可以被配置为独立于远程p-n结8A的饱和电流而确定远程p-n结8A的温度。作为一个示例,温度模块20A可以基于与当以不同的相应电流水平对远程p-n结进行偏置的同时跨远程p-n结8A的相应的电压下降对应的两个电压值来确定远程p-n结8A的温度。由于远程p-n结8A的饱和电流是晶体管的属性并且将在不同的相应电流水平中的任一电流水平上保持不该变,因而温度模块20A可以根据下面的等式(2)来确定远程p-n结8A的温度,其中,V BE1 是当以第一电流I对远程p-n结8A进行偏置的同时跨远程p-n结8A的电压下降,V BE2 是当以第二电流N·I对远程p-n结8A进行偏置的同时跨远程p-n结8A的电压下降,K是玻尔兹曼常数(例如,每开尔文温度~1.380*10-23焦耳),T是开尔文温度下的远程p-n结8A的绝对温度,q是元电荷(例如,~1.602*10-19库伦),I Bias 是以其对p-n结进行偏置的电流,I S 是远程p-n结8A的饱和电流,并且N是表示第一电流对第二电流的比的整数。求解等式(2)可以针对T得出等式(3)
在操作中,电流源10A可以输出第一电流I以便在第一时间利用第一电流I偏置远程p-n结8A。作为利用第一电流而被偏置的结果,远程p-n结8A可以生成表示第一电压下降(例如,V BE1 )的第一模拟信号。第一模拟信号可以由低通滤波器14A来滤波并且由放大器16A来放大以生成经滤波-经放大的第一模拟信号。ADC18A可以确定表示经滤波-经放大的第一模拟信号的第一数字值并且将第一数字值输出到温度模块20A。
电流源10A可以输出第二电流N·I以便在第二时间利用第二电流N·I偏置远程p-n结8A。作为利用第二电流而被偏置的结果,远程p-n结8A可以生成表示第二电压下降(例如,V BE2 )的第二模拟信号。第二模拟信号可以由低通滤波器14A来滤波并且由放大器16A来放大以生成经滤波-经放大的第二模拟信号。ADC18A可以确定表示经滤波-经放大的第二模拟信号的第二数字值并且将第二数字值输出到温度模块20A。
温度模块20A可以基于第一数字值、第二数字值和第一电流与第二电流之间的比来确定远程p-n结8A的温度。例如,温度模块20A可以根据上面的等式(3)来确定远程p-n结8A的温度。
然而,在一些示例中,作为由带隙基准19A所生成的信号中的不完美的结果,可能减少温度模块20A所确定的温度值的精度。像这样,在一些示例中,当确定p-n结的温度时,可能想要减少或消除带隙基准19A的使用。
图2是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性模拟—数字转换器(ADC)18B的概念图,ADC18B被配置为生成模拟信号的数字表示。在一些示例中,ADC18B可以包括∑-ΔADC,诸如电荷共享∑-ΔADC。如在图2的示例中所图解的那样,ADC18B可以包括第一模拟输入26、第二模拟输入28、数字输出30、放大器32、第一开关34A、第二开关34B、减法器36、积分器38和比较器40。在一些示例(诸如图2的示例)中,ADC18B可以包括一阶滤波器。在一些示例中,ADC18B可以包括更高阶的滤波器,诸如二阶滤波器、三阶滤波器等。
在一些示例中,ADC18B可以包括可以被配置为利用增益α对第一输入2处接收的信号进行放大的放大器32。例如,如果第一输入26处接收的信号是V 26 ,则放大器32可以将αV 26 输出到开关34A。当放大器32在图2中被图解为放大单元时,可以通过如下面进一步详细讨论的各种方法来实现放大器32。
在一些示例中,ADC18B可以包括可以被配置为将第一输入26和第二输入28耦合到加法器36的第一开关34A和第二开关34B(整体上,“开关34”)。在一些示例中,开关34可以被配置为基于比特流42的值来耦合各输入。作为一个示例,开关34B可以被配置为在比特流42的值是第一逻辑值的情况下将第二输入28耦合到减法器36。作为另一示例,开关34A可以被配置为在比特流42的值是第二逻辑值的情况下将第一输入26耦合到加法器36。换言之,用于开关34A的控制信号可以是用于开关34B的控制信号(其可以是比特流42)的反向版本。
在一些示例中,ADC18B可以包括可以被配置为从第二输入值减去第一输入值以确定输出值的减法器36。作为一个示例,减法器36可以从接收自开关34B的第二输入值减去接收自开关34A的第一输入值以确定可以被提供到积分器38的输出值。在一些示例中,如果开关34A是打开的,则第一输入值可以是零。在一些示例中,如果开关34B是打开的,则第二输入值可以是零。
在一些示例中,ADC18B可以包括积分器38,积分器38与开关34和减法器36一起可以被配置为将环路滤波器输出39输出到比较器40的环路滤波器。在一些示例中,ADC18B可以包括可以被配置为基于环路滤波器输出39来确定比特流19的比较器40。在一些示例中,比较器40可以是钟控比较器,钟控比较器被配置为针对时钟信号41的每个周期基于环路滤波器输出39的极性来产生比特流19的比特。在一些示例中,反馈可以被布置以便将积分器38的输出驱动到零。
在操作中,如果时钟信号41的任何给定周期中的比特流42的值是逻辑低值,则开关34A可以闭合并且开关34B可以打开以使得积分器38可以对放大器32的输出减零(即,α·V 26 -0)进行积分。如果时钟信号41的任何给定周期中的比特流42的值是逻辑高值,则开关34A可以打开并且开关34B可以闭合以使得积分器38可以对零减第二输入17B处的信号(即,0-V 28 )进行积分。作为ADC18B中的反馈的结果,到积分器38B的平均输入可以是零。换言之,被放大器32的输出添加的电荷可以被在第二输入28处的信号去除。如果比特流42的平均值是μ,则可以根据下面的等式(4)来表达该电荷平衡,其中,V 26 是第一输入26处的信号,并且V 28 是第二输入29处的信号。
重新布置等式(4)可以得出下面的等式(5)。
换言之,ADC18B可以实现电荷平衡方案以将比特流42确定为第一输入26处的模拟信号和第二输入28处的模拟信号之间的差的数字表示。ADC18B可以经由输出30将比特流42输出到一个或更多个其它部件。附加地,ADC18B被配置为在没有由带隙基准(诸如图1的带隙基准19A)引入的误差的情况下确定比特流42。
图3是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性系统2C的概念图,示例性系统2C包括用于确定p-n结的温度的设备。如在图3的示例中所图解的那样,系统2C可以包括可以被配置为与图1的设备4A类似地执行操作的设备4C。例如,设备4C可以被配置为确定p-n结的温度。对比于设备4A,与远程p-n结相反,设备4C可以被配置为确定本地p-n结的温度。如在图3中图解的那样,设备4C可以包括电流源6C、开关网络8C、ADC18C、温度模块20C和本地传感器核44C。
在一些示例中,设备4C可以包括可以被配置为输出多个不同的电流的电流源6C。在一些示例中,由电流源6C输出的多个电流可以是比率计量的电流,意味着各电流是彼此的整数倍。在一些示例中,电流源6C可以被配置为同时输出多个不同的电流。
在一些示例中,设备4C可以包括可以被配置为将接收到的信号选择性地引导到一个或更多个目的地的开关网络8C。在一些示例中,开关网络8C可以基于一个或更多个控制信号来选择性地引导信号。例如,开关网络8C可以基于第一阶段控制信号50A、第二阶段控制信号50B和比特流42将从电流源6C接收到的电流选择性地引导到第一本地p-n结46A和/或第二本地p-n结46B。
在一些示例中,设备4C可以包括可以被配置为与图2的ADC18B类似地执行操作的ADC18C。例如,ADC18C可以被配置为在没有由带隙基准(诸如图1的带隙基准19A)引入的误差的情况下基于第一模拟输入26和第二模拟输入28处的信号来确定比特流42。如由图3所图解的那样,ADC18C可以包括积分器40、开关52A和开关52B(整体上“开关52”)、开关54A和开关54B(整体上“开关54”)、开关56A和开关56B(整体上“开关56”)、电容器58A和电容器58B(整体上“电容器58”)、电容器60A和电容器60B(整体上“电容器60”)、电容器62A和电容器62B(整体上“电容器62”)以及放大器64。
在一些示例中,开关52-56可以被配置为基于一个或更多个控制信号来打开和闭合。作为一个示例,开关52可以被配置为在比特流42是逻辑低值的情况下闭合并且在比特流42是逻辑高值的情况下打开。以该方式,开关52可以与图2的开关34类似地操作。作为另一示例,开关54可以被配置为在第一阶段控制信号50A是逻辑高值的情况下打开并且在第一阶段控制信号50A是逻辑低值的情况下闭合。作为另一示例,开关56可以被配置为在第二阶段控制信号50B是逻辑高值的情况下打开并且在第二阶段控制信号50B是逻辑低值的情况下闭合。
在一些示例中,电容器58可以具有比电容器60大的电容值。在一些示例中,在比特流42是逻辑高值的情况下不使用电容器58,并且因此,电容器58和电容器60的电容之间的比可以被用于实现图2的放大器32。例如,在电容器58的电容是电容器60的电容的七倍的情况下,可以实现8x的增益。
在一些示例中,设备4C可以包括可以被配置为与图1的温度模块20A类似地执行操作的温度模块20C。例如,温度模块20C可以被配置为确定p-n结的温度。对比于设备温度模块20A,与远程p-n结相反,温度模块20C可以被配置为确定本地p-n结的温度。附加地,温度模块20C可以被配置为确定并输出第一阶段控制信号50A、第二阶段控制信号50B和时钟信号41。
温度模块20C可以输出第一阶段控制信号50A和第二阶段控制信号50B以引起系统2C针对由ADC18C生成的比特流42的每个比特按两阶段来操作。作为一个示例,在针对比特流42的当前比特的第一阶段期间,温度模块20C可以输出作为逻辑高值的第一阶段控制信号50A和作为逻辑低值的第二阶段控制信号50B。作为另一示例,在针对比特流42的当前比特的第二阶段期间,温度模块20C可以输出作为逻辑高值的第二阶段控制信号50B和作为逻辑低值的第一阶段控制信号50A。
在一些示例中,设备4C可以包括可以被配置为与图1的远程传感器核5A类似地执行操作的本地传感器核44C。例如,本地传感器核44C可以被配置为感测温度。然而,对比于被距设备4A远程地定位的远程传感器核5A,本地传感器核44C可以被包括在设备4C内或位于设备4C附近。如图3中所图解的那样,本地传感器核44C可以包括第一本地p-n结46A和第二本地p-n结46B(整体上“本地p-n结46”)以及第一分路开关48A和第二分路开关48B(整体上“分路开关48”)。
分路开关48可以被配置为基于一个或更多个控制信号来选择性地对ADC18C的第一输入26和第二输入28进行分路。作为一个示例,在比特流42和第一阶段控制信号50A都是逻辑高值的情况下,第二分路开关48B可以对第二本地p-n结46B分路以使得跨第二本地p-n结46B的电压下降是零。作为另一示例,在比特流42和第二阶段控制信号50B都是逻辑高值的情况下,第一分路开关48A可以对第一本地p-n结46A分路以使得跨第一本地p-n结46A的电压下降是零。
根据本公开的一个或更多个技术,温度模块20C可以确定本地传感器核44C的p-n结46中的一个或两个的温度。例如,温度模块20C可以通过引起系统2C针对比特流42的每个比特按两阶段来操作,从而确定p-n结46中的一个或两个的温度。作为一个示例,如果比特流42的当前比特是逻辑低值,则温度模块20C可以引起ADC18C对与当利用第一电流对第一本地p-n结46A进行偏置的同时跨第一本地p-n结46A的电压下降和当利用第二电流对第二本地p-n结46B进行偏置的同时跨第二本地p-n结46B的电压下降之间的差对应的ΔV BE 进行积分。作为另一示例,如果比特流42的当前比特是逻辑高值,则温度模块20C可以引起ADC18C对与当利用第三电流对第二本地p-n结46B进行偏置的同时跨第二本地p-n结46B的电压下降对应的V BE 值进行积分。
在一些示例中,温度模块20C可以引起ADC18C按两阶段对ΔV BE 值进行积分。在第一阶段期间,温度模块20C可以输出作为逻辑高值的第一阶段控制信号50A以使得开关网络8C将第一电流引导到第一本地p-n结46A并且将第二电流引导到第二本地p-n结46B并且开关54闭合。在第二阶段期间,温度模块20C可以输出作为逻辑高值的第二阶段控制信号50B以使得开关网络8C将第二电流引导到第一本地p-n结46A并且将第一电流引导到第二本地p-n结46B并且开关56闭合。像这样,在第二阶段期间,温度模块20C可以引起本地p-n结46的偏置电流参照第一阶段而被掉换。因此,贯穿两阶段的环路滤波器输出39的值上的改变可以与2ΔV BE 成比例。附加地,由于在ADC18C对ΔV BE 值进行积分的同时比特流42的当前比特的值为逻辑低,因而在ΔV BE 积分的两阶段期间开关52也是闭合的并且开关48是打开的。
在一些示例中,温度模块20C可以引起ADC18C按两阶段对V BE 值进行积分。在第一阶段期间,温度模块20C可以输出作为逻辑高值的第一阶段控制信号50A以使得开关网络8C将第三电流引导到第一本地p-n结46A并且开关54闭合。附加地,在第一阶段期间分路开关48B也可以闭合,因为当ADC18C对V BE 值进行积分的同时比特流42的当前比特的值也为逻辑高。因此,在第一阶段期间跨输入26和输入28的电压是V BE46A。在第二阶段期间,温度模块20C可以输出作为逻辑高值的第二阶段控制信号50B以使得开关网络8C将第三电流引导到第二本地p-n结46B并且开关56闭合。附加地,在第二阶段期间分路开关48A也可以闭合,因为当ADC18C对V BE 值进行积分的同时比特流42的当前比特的值也为逻辑高。因此,在第二阶段期间跨输入26和输入28的电压是-V BE46B 。像这样,在第二阶段期间,温度模块20C可以引起本地p-n结46的偏置电流参照第一阶段而被换掉。因此,贯穿两阶段的环路滤波器输出39的值上的改变可以与-(V BE46A +V BE46B )成比例以使得可以利用本地p-n结46的平均基极发射电压。附加地,由于当ADC18C对V BE 值进行积分的同时比特流42的当前比特的值为逻辑高,因而在V BE 积分的两阶段期间开关52也是打开的。
在一些示例中,一旦当确定比特流42的下一比特时,温度模块20C就可以执行以上技术。例如,如果比特流42的当前比特为逻辑低,则温度模块20C可以将对应的第一阶段和第二阶段每个执行一次以引起ADC18C对ΔV BE 值进行积分。在一些示例中,当确定比特流42的下一比特时,温度模块20C可以将以上技术执行若干次。例如,如果比特流42的当前比特为逻辑高,则温度模块20C可以将对应的第一阶段和第二阶段每个执行两次以引起ADC18C对V BE 值进行积分两次。在任一情况下,温度模块20C都可以输出作为逻辑高的时钟信号41以引起比较器40确定比特流42的下一比特。
温度模块20C可以重复以上技术中的一些或所有以确定比特流42的多个比特。使用比特流42的所确定的多个比特,温度模块20C可以确定本地p-n结46中的一个或两个的温度。例如,如以上所讨论的那样,如果比特流42的平均值是μ,则温度模块20C可以根据以下的等式(6)-(7)来确定本地p-n结46中的一个或两个的温度,其中ΔV BE 是在比特流42的当前比特为逻辑低的情况下被积分的信号,V BE 是在比特流42的当前比特为逻辑高的情况下被积分的信号,A和B是标度值(scalingvalues)。
如以上所讨论的那样,与本地p-n结相反,可能想要确定远程p-n结的温度。然而,简单地将本地传感器核44C重新定位成距设备4C为远程可能不是想要的。作为一个示例,在由电流源6C输出的电流与绝对温度成比例(PTAT)的情况下,被远程地定位的本地传感器核44C和电流源6C之间的温度上的差可能造成误差。作为另一示例,在由电流源6C输出的电流基于带隙基准的情况下,测量可能被带隙基准的供给电压和制程变异(PVT)不利地影响。
图4是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性系统2D的概念图,示例性系统2D包括用于确定远程p-n结的温度的设备。如图4的示例中所图解的那样,系统2D可以包括设备4D和远程传感器核5D。在一些示例中,设备4D可以被配置为与图1的设备4A和图3的设备4C类似地执行操作。例如,设备4D可以被配置为确定p-n结的温度。对比于设备4A,设备4D可以被配置为在没有由带隙基准引入的误差的情况下确定远程p-n结的温度。对比于设备4C,设备4D可以被配置为确定远程的p-n结的温度。设备4D的示例可以包括但不限制于一个或更多个处理器,一个或更多个处理器包括一个或更多个微处理器、数字信号处理器(DSP)、应用专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或任何其它等价的被集成的或分立的逻辑线路、以及这样的部件的任何组合。如图4中所图解的那样,设备4D可以包括电流源6D、开关网络8D、ADC18D、温度模块20D、本地传感器核44D、多路复用器66以及采样和保持(S&H)70。
在一些示例中,设备4D可以包括可以被配置为与图3的电流源6C类似地执行操作的电流源6D。例如,电流源6D可以被配置为输出多个不同的电流。在一些示例中,由电流源6D输出的多个电流可以是比率计量的电流,意味着各电流是彼此的整数倍。在一些示例中,电流源6D可以被配置为同时输出多个不同的电流。
在一些示例中,设备4D可以包括可以被配置为与图3的开关网络8C类似地执行操作的开关网络8D。例如,开关网络8D可以被配置为将接收到的信号选择性地引导到一个或更多个目的地。在一些示例中,开关网络8D可以基于一个或更多个控制信号来选择性地引导信号。例如,开关网络8D可以基于第一阶段控制信号50A、第二阶段控制信号50B和比特流42将从电流源6D接收到的电流选择性地引导到第一本地p-n结46A第二本地p-n结46B和/或远程p-n结8D。
在一些示例中,设备4D可以包括可以被配置为与图2的ADC18B和/或图3的ADC18C类似地执行操作的ADC18D。例如,ADC18D可以被配置为在没有由带隙基准(诸如图1的带隙基准19A)引入的误差的情况下基于第一模拟输入26和第二模拟输入28处的信号来确定比特流42。
在一些示例中,设备4D可以包括可以被配置为将多个输入中的特定输入选择性地耦合到输出的多路复用器66。在一些示例中,多路复用器66可以基于诸如从温度模块20接收到的控制信号(例如,多路复用器控制信号68)的控制信号来选择性地耦合特定输入。例如,在多路复用器66的多个输入中的第一输入与跨远程p-n结8D的电压下降对应并且该多个输入中的第二输入与跨第一本地p-n结46A的电压下降对应的情况下,多路复用器66可以将跨远程p-n结8D的电压下降或跨第一本地p-n结46A的电压下降选择性地耦合到外部设备,诸如ADC18D的第一输入26。
在一些示例中,设备4D可以包括可以被配置为与图3的本地传感器核44C类似地执行操作的本地传感器核44D。例如,本地传感器核44D可以被配置为感测温度。如图4中所图解的那样,本地传感器核44D可以包括第一本地p-n结46A和第二本地p-n结46B(整体上“本地p-n结46”)以及分路开关49。第一本地p-n结46A和第二本地p-n结46B的示例包括但是不限制于二极管和晶体管等。
分路开关49可以被配置为基于一个或更多个控制信号来对ADC18D的第二输入28选择性地分路。作为一个示例,在比特流42和第一阶段控制信号50A都是逻辑高值的情况下,分路开关49可以对第二本地p-n结46B分路以使得跨第二本地p-n结46B的电压下降和第二输入28处的电压为零。
在一些示例中,设备4D可以包括可以被配置为与图1的温度模块20A和/或图3的温度模块20C类似地执行操作的温度模块20D。例如,温度模块20D可以被配置为确定p-n结的温度。对比于设备温度模块20A,温度模块20D可以被配置为在没有由带隙基准引入的误差的情况下确定远程p-n结的温度。对比于设备4C,设备4D可以被配置为确定远程p-n结的温度。附加地,温度模块20C可以被配置为确定并输出第一阶段控制信号50A、第二阶段控制信号50B、时钟信号41和多路复用器控制信号68。在一些示例中,温度模块20D被配置为通过基于本地p-n结46执行本地感测操作以确定第一值、并且基于远程p-n结8D和本地p-n结46中的一个或两个来执行混合感测操作以确定第二值,从而确定远程p-n结8D的温度。温度模块20D可以被配置为基于第一值和第二值来确定远程p-n结8D的温度。
在一些示例中,系统2D可以包括可以被配置为与图1的远程传感器核5A类似地执行操作的远程传感器核5D。例如,远程传感器核5D可以被配置为感测温度。例如并且如图4中所图解的那样,远程传感器核5D可以包括如以上所讨论的那样可以被配置为输出作为温度的函数的电压信号的远程p-n结8D。远程p-n结8D的示例包括但不限制于二极管和晶体管等。
在一些示例中,系统2D可以包括可以被配置为在第一时间对信号进行采样、保持(例如,存储)该信号的采样并且在第二时间输出该同一信号的S&H70。例如,S&H70可以被配置为例如响应于接收到来自第一阶段控制信号50A的逻辑高信号而对与跨远程p-n结8D的电压下降对应的信号进行采样和存储。S&H70还可以被配置为例如响应于接收到来自第二阶段控制信号50B的逻辑高信号而将所存储的信号输出到多路复用器66。在一些示例中,S&H70可以被配置为从所存储的信号减去信号。作为一个示例,在第一阶段期间,S&H70可以接收并存储第一信号。在第二阶段期间,S&H70可以接收第二信号并通过从所存储的第一信号减去第二信号来确定输出信号。换言之,S&H70可以包括减法器。在一些示例中,S&H70可以被集成到ADC(诸如ADC18D)中。例如,S&H70可以包括存储电容器,存储电容器被配置为例如在第一阶段期间首先存储与当以第一电流对远程p-n结8D进行偏置的同时跨远程p-n结8D的电压成比例的电荷。然后,S&H70的同一电容器可以存储与当以第二电流对远程p-n结8D进行偏置的同时跨远程p-n结8D的电压成比例的电荷并且同时从在第一阶段期间存储的电压减去该电荷。以该方式,S&H70可以作为典型的离散时间∑-ΔADC的第一积分器进行操作,第一积分器只对在第一阶段和第二阶段期间分别生成的两个电压之间的电荷的差进行积分。
根据本公开的一个或更多个技术,温度模块20D可以通过基于本地p-n结46执行本地感测操作以确定第一值、并且基于远程p-n结8D和本地p-n结46中的一个或两个来执行混合感测操作以确定第二值,从而确定远程p-n结8D的温度。在一些示例中,第一值可以与本地p-n结46中的一个或两个的温度对应,并且第二值可以与远程p-n结8D的温度对应。
在一些示例中,温度模块20D可以使用与由温度模块20C使用的技术类似的技术来执行本地感测操作以确定图3的比特流42的平均值。例如,基于比特流42的当前比特的值,温度模块20D可以引起ADC18D对ΔV BElocal 值或V BE 值进行积分。作为一个示例,在比特流42的当前比特的值是逻辑低值的情况下,温度模块20D可以引起ADC18D对ΔV BElocal 值进行积分。在一些示例中,温度模块20D可以引起系统2D通过利用第一电流对第一本地p-n结46A进行偏置并且利用第二电流对第二本地p-n结46B进行偏置来生成ΔV BElocal 值。例如,温度模块20D可以输出阶段控制信号50以使得电流源6D和开关网络8D利用第一电流对第一本地p-n结46A进行偏置并且利用第二电流对第二本地p-n结46B进行偏置。附加地,在本地感测操作期间,温度模块20D可以输出多路复用器控制信号68以便引起多路复用器66将第一本地p-n结46A耦合到第一输入26。因此,因为第一输入26被耦合到第一本地p-n结46A并且第二输入28被耦合到第二本地p-n结46B,所以在比特流42的当前比特的值是逻辑低值的情况下在本地感测操作期间在ADC18D的输入处的电压下降可以是ΔV BElocal 值。
换言之,温度模块20D可以至少基于表示一对本地电压值之间的差的第一Δ电压值(即,ΔV BElocal )来确定与本地传感器核44D的温度对应的第一值,其中,该对本地电压值的第一电压值与跨本地传感器核44D的本地p-n结46中的一个的电压下降对应。在一些示例中,第一值可以是比特流42的在本地感测操作期间生成的部分。例如,如果温度模块20D引起系统2D针对100比特执行本地感测操作,则第一值可以是该100比特的平均值。
在一些示例中,温度模块20D可以引起ADC18D按单个阶段对ΔV BElocal 值进行积分。与通过掉换本地p-n结46的偏置电流而按两阶段对ΔV BElocal 值进行积分相反,温度模块20D可以引起ADC18D在没有掉换各电流的情况下对ΔV BElocal 值进行积分。
在一些示例中,温度模块20D可以使用与由温度模块20C使用的技术类似的技术来执行混合感测操作以确定图3的比特流42的平均值。例如,基于比特流42的值,温度模块20D可以引起ADC18D对两个值中的一个进行积分。然而,在混合感测操作期间,这两个值可以是ΔV BEremote 值和V BE 值(即,与ΔV BElocal 值和V BE 值相对)。在一些示例中,ΔV BEremote 值可以与当利用第四电流对远程p-n结8D进行偏置的同时跨远程p-n结8D的电压下降与当利用第五电流对远程p-n结8D进行偏置的同时跨远程p-n结8D的电压下降之间差对应。在一些示例中,V BE 值可以与当利用第六电流对第一本地p-n结46A进行偏置的同时跨第一本地p-n结46A的电压下降对应。以该方式,温度模块20D可以基于跨本地p-n结的电压下降而针对本地和混合感测操作两者来确定V BE 值。
在一些示例中,温度模块20D可以引起系统2D按两阶段生成ΔV BEremote 值。在第一阶段期间,温度模块20D可以引起电流源6D和开关网络8D利用第四电流(例如,I 4 )对远程p-n结8D进行偏置并且引起S&H70存储当以第四电流对远程p-n结8D进行偏置的同时跨远程p-n结8D的电压下降(即,V8DI4 )的采样。在第二阶段期间,温度模块20D可以引起电流源6D和开关网络8D利用第五电流(例如,I 5 )对远程p-n结8D进行偏置并且引起S&H70从当以第四电流对远程p-n结8D进行偏置的同时跨远程p-n结8D的电压下降(即,V 8DI4 )的所存储的采样减去当以第五电流对远程p-n结8D进行偏置的同时跨远程p-n结8D的电压下降(即,V 8DI5 )以确定ΔV BEremote 值。在一些示例中,第四电流可以是第五电流的比率计量的电流(例如,I 4 =I 5 *N,其中N是整数倍数)。S&H70然后可以将ΔV BEremote 值输出到多路复用器66,多路复用器66可以将ΔV BEremote 值传递到第一输入26。附加地,在一些示例中,在对ΔV BEremote 值进行积分的同时温度模块20D可以引起分路开关49闭合以使得跨第一输入26和第二输入28的电压与ΔV BEremote 值对应。如以上所讨论的那样,温度模块20D可以引起系统2D的部件通过选择性地输出控制信号50和/或多路复用器控制信号68而按不同的阶段操作。
换言之,温度模块20D可以通过基于本地电压值和表示一对远程电压值之间的差(即,ΔV BEremote )的第二Δ电压值来确定与远程p-n结8D的温度对应的第二值,从而执行混合感测操作,其中,本地电压值与跨本地p-n结46中的一个的第二电压下降对应,并且该对混合电压值每个与当以不同的相应电流水平对远程p-n结8D进行偏置的同时跨远程p-n结8D的相应的电压下降对应。在一些示例中,第二值可以是比特流42的在混合感测操作期间生成的部分。例如,如果温度模块20D引起系统2D针对100比特执行混合感测操作,则第二值可以是该100比特的平均值。在一些示例中,温度模块20D可以引起系统2D执行混合感测操作以确定与在本地感测操作期间所确定的相同的量的比特。在一些示例中,温度模块20D可以引起系统2D执行混合感测操作以确定与在本地感测操作期间所确定的不同的量的比特。
在一些示例中,在混合感测操作期间使用的第四电流可以与在本地感测操作期间使用的第一电流类似。在一些示例中,在混合感测操作期间使用的第五电流可以与在本地感测操作期间使用的第二电流类似。在一些示例中,在混合感测操作期间使用的第六电流可以与在本地感测操作期间使用的第三电流类似。
在任何情况下,温度模块20D可以根据下面的等式(8)来确定远程p-n结8D的温度,其中T R 是远程p-n结8D的温度,T L 是本地p-n结46中的一个或两个的温度,μ L 是第一值(例如,由ADC18D在本地感测操作期间确定的比特流42的占空比/平均值),μ R 是第二值(例如,由ADC18D在混合感测操作期间确定的比特流42的占空比/平均值),N L 是第一电流水平对第二电流水平的比,并且N R 是第四电流水平对第五电流水平的比。以该方式,温度模块20D可以在没有由对温度不变的电流源的使用所引入的误差的情况下确定远程p-n结8D的温度。
图5是图解根据本公开的一个或更多个技术的被配置为确定远程p-n结的温度的设备的示例操作的流程图。只为了说明的目的,下面在如图4中所示那样的设备4D的上下文内描述示例操作。
在图4的示例中,设备4D可以基于表示一对本地电压值之间的差的第一Δ电压值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值(502)。在一些示例中,该对本地电压值的第一电压值可以与跨本地传感器核的本地p-n结的电压下降对应。在一些示例中,第一值可以表示由电荷共享∑-ΔADC(例如,ADC18D)在本地感测操作期间生成的比特流的平均值。
设备4D可以基于表示一对混合电压值之间的差的第二Δ电压值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值(504)。在一些示例中,该对混合电压值的第一电压值可以与跨本地传感器核的本地p-n结的电压下降对应,并且该对混合电压值的第二电压值可以与跨远程传感器核的远程p-n结的电压下降对应。在一些示例中,第二值可以表示由电荷共享∑-ΔADC(例如,ADC18D)在混合感测操作期间生成的比特流的平均值。
设备4D然后可以至少基于第一值和第二值来确定远程传感器核的温度(506)。在一些示例中,设备4D可以根据上面的等式(8)来确定远程传感器核的温度。
图6是图解根据本公开的一个或更多个技术的电池的充电电流和温度之间的示例关系的图线。如由图6所图解的那样,图线600包括指示示例电池的温度的横轴、指示该电池的充电电流的纵轴和指示该电池的最大可允许的充电电流的绘图602。在一些示例中,当测量电池的温度时可能引入误差。例如,可以利用+/-2摄氏度精度来确定电池的温度。像这样,如果电池的所确定的温度是40摄氏度,则电池的实际温度可以在38和42摄氏度之间。如由绘图602所图解的那样,电池的最大充电电流可以基于所确定的温度而变化。在一些示例中,为了遵从基于温度的最大充电电流,可能只基于“最差情况”温度来对电池充电。例如,如果电池的所确定的温度是具有+/-2摄氏度精度的40摄氏度,则可能好像电池的温度是38摄氏度那样来确定用于电池的最大充电电流。
如以上所讨论的那样,设备(例如,图4的设备4D)可以利用p-n结来测量温度。例如,设备4D可以利用远程p-n结8D来测量电池的温度。根据本公开的一个或更多个技术,该设备可以减少在测量电池的温度时所引入的误差。以该方式,该设备可以改善电池的所测量的温度的精度以使得“最差情况”温度不像那么低,这可以允许以增加的电流水平对电池充电。以该方式,该设备可以减少对电池充电所需要的时间量。
图7是图解根据本公开的一个或更多个技术的电池的示例温度水平的图线。如由图7所图解的那样,图线700包括指示电池的温度的纵轴。如由图线700所示出的那样,当设备正在运行/操作(例如,从电池抽取电流)时,电池的所确定的温度可以在范围702(例如,从近似地室温/25摄氏度到近似地35摄氏度)内。然而,在一些示例中,当电池正在充电时,电池的温度可以升高到范围702之上并且进入范围704(例如,从近似地35摄氏度到38摄氏度)。
图8是图解根据本公开的一个或更多个技术的示例性系统的概念图,该示例性系统包括用于确定物理上位于电池附近的远程p-n结的温度的设备。如在图8中图解的那样,设备100可以包括系统2D和电池102。如以上所讨论的那样,在一些示例中,系统2D可以包括设备4D(设备4D可以包括温度模块20D)和远程p-n结8D。如在图8中图解的那样,在一些示例中,远程p-n结8D可以被定位在电池102的中心处。以该方式,远程p-n结8D的温度,并且通过关联由温度模块20D确定的温度,可以更加精确地反映电池102的温度。换言之,在远程p-n结8D的温度不同于设备4D的温度的情况下,本公开的技术可以使得设备4D能够更加精确地确定远程p-n结8D的温度。在一些示例中,在远程p-n结8D位于热源(诸如电池102)附近的情况下,远程p-n结8D的温度可能不同于设备4D的温度。
如下的示例可以说明本公开的一个或更多个方面:
示例1.一种方法,包括:基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值,其中,所述一对本地电压值的第一本地电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且其中,所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应;基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对远程电压值每个与当以不同的相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应;以及至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度。
示例2.根据示例1所述的方法,其中,所述第一值是电荷共享∑-Δ模拟—数字转换器(ADC)的第一占空比,所述ADC被配置为生成比特流,并且其中,所述第二值是所述ADC的第二占空比。
示例3.根据示例1-2的任何组合所述的方法,其中,确定所述第二值包括:响应于确定所述比特流的当前比特是第一逻辑值,由所述ADC并且在混合感测操作期间对所述远程?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;响应于确定所述比特流的当前比特是第二逻辑值,由所述ADC并且在所述混合感测操作期间对所述第二本地VBE值进行积分以确定所述比特流的所述下一比特;以及基于由所述ADC在所述混合感测操作期间确定的所述比特流来确定所述ADC的所述第二占空比。
示例4.根据示例1-3的任何组合所述的方法,其中,确定所述第一值包括:响应于确定所述比特流的当前比特是所述第一逻辑值,由所述ADC并且在本地感测操作期间对所述本地?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;响应于确定所述比特流的当前比特是所述第二逻辑值,由所述ADC并且在所述本地感测操作期间对所述第一本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;以及基于由所述ADC在所述本地感测操作期间确定的所述比特流来确定所述ADC的所述第一占空比。
示例5.根据示例1-4的任何组合所述的方法,其中,由所述ADC在所述本地感测操作期间确定的所述比特流包括与由所述ADC在所述混合感测操作期间确定的所述比特流相同的量的逻辑值。
示例6.根据示例1-5的任何组合所述的方法,其中,近似地根据如下等式来确定所述远程p-n结的所述温度:
其中,T R 是所述远程p-n结的温度,T L 是所述本地传感器核的所述温度,μ L 是所述ADC的所述第一占空比,μ R 是所述ADC的所述第二占空比,N L 是在所述本地感测操作期间以其对所述本地传感器核进行偏置的电流水平的比,并且N R 是在所述混合感测操作期间以其对所述远程传感器核进行偏置的电流水平的比。
示例7.根据示例1-6的任何组合所述的方法,进一步包括通过至少以下来确定由所述远程?VBE值表示的所述一对远程电压值:在第一时间将所述一对远程电压值的第一远程电压值确定为当利用第一电流对所述远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的电压下降;以及在第二时间将所述一对远程电压值的第二远程电压值确定为当利用第二电流对所述远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的电压下降。
示例8.根据示例1-7的任何组合所述的方法,进一步包括通过至少以下来确定由所述本地?VBE值表示的所述一对本地电压值:在第一时间将所述一对本地电压值的第一本地电压值确定为当利用第一电流对所述本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地p-n结的电压下降;以及在第二时间将所述一对本地电压值的第二本地电压值确定为当利用第二电流对所述本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地p-n结的电压下降。
示例9.根据示例1-7的任何组合所述的方法,其中,所述本地p-n结是第一本地p-n结,所述方法进一步包括通过至少以下来确定由所述本地?VBE值表示的所述一对本地电压值:将所述一对本地电压值的第一本地电压值确定为当利用第一电流对所述第一本地p-n结进行偏置的同时跨所述第一本地p-n结的电压下降;以及将所述一对本地电压值的第二本地电压值确定为当利用第二电流对所述第二本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地传感器核的第二本地p-n结的电压下降。
示例10.根据示例1-9的任何组合所述的方法,其中,所述远程传感器核的温度不同于所述本地传感器核的温度。
示例11.一种设备,包括:模拟—数字转换器(ADC),被配置为基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值,其中,所述一对本地电压值的第一电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且其中,所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应,其中,所述ADC进一步被配置为基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对混合电压值每个与当以不同相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应;以及一个或更多个处理器,被配置为至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度。
示例12.根据示例11所述的设备,其中,所述ADC是电荷共享∑-ΔADC,所述ADC被配置为生成比特流,并且其中,所述第一值是所述ADC的第一占空比,其中,所述第二值是所述ADC的第二占空比。
示例13.根据示例11-12的任何组合所述的设备,其中,所述ADC被配置为通过至少以下来确定所述第二值:在混合感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是第一逻辑值的情况下对所述远程?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;在所述混合感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是第二逻辑值的情况下对所述第二本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;以及基于在所述混合感测操作期间确定的所述比特流来确定所述第二占空比。
示例14.根据示例11-13的任何组合所述的设备,其中,所述ADC被配置为通过至少以下来确定所述第一值:在本地感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是所述第一逻辑值的情况下对所述本地?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;在所述本地感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是所述第二逻辑值的情况下对所述第一本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;以及基于在所述本地感测操作期间确定的所述比特流来确定所述第一占空比。
示例15.根据示例11-14的任何组合所述的设备,其中,由所述ADC在所述本地感测操作期间确定的所述比特流包括与由所述ADC在所述混合感测操作期间确定的所述比特流相同的量的逻辑值。
示例16.根据示例11-15的任何组合所述的设备,其中,所述一个或更多个传感器被配置为近似地根据如下等式来确定所述远程p-n结的温度:
其中,T R 是所述远程p-n结的温度,T L 是所述本地传感器核的温度,μ L 是所述ADC的所述第一占空比,μ R 是所述ADC的所述第二占空比,N L 是在所述本地感测操作期间以其对所述本地传感器核进行偏置的电流水平的比,并且N R 是在所述混合感测操作期间以其对所述远程传感器核进行偏置的电流水平的比。
示例17.根据示例11-16的任何组合所述的设备,进一步包括:采样和保持(S&H),被配置为通过至少以下来确定所述远程?VBE值:在第一时间将所述一对远程电压值的第一远程电压值确定为当利用第一电流对所述远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的电压下降;在第二时间将所述一对远程电压值的第二远程电压值确定为当利用第二电流对所述远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的电压下降;以及将所述远程?VBE值确定为所述一对远程电压值之间的差。
示例18.根据示例11-17的任何组合所述的设备,进一步包括:采样和保持(S&H),被配置为通过至少以下来确定所述本地?VBE值:在第一时间将所述一对本地电压值的所述第一本地电压值确定为当利用第一电流对所述本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地p-n结的电压下降;在第二时间将所述一对本地电压值的第二本地电压值确定为当利用第二电流对所述本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地p-n结的电压下降;以及将所述本地?VBE值确定为所述一对本地电压值之间的差。
示例19.根据示例11-17的任何组合所述的设备,其中,所述本地p-n结是第一本地p-n结,其中,所述一对本地电压值的所述第一本地电压值与当利用第一电流对所述第一本地p-n结进行偏置的同时跨所述第一本地p-n结的电压下降对应,并且其中,所述一对本地电压值的第二本地电压值与当利用第二电流对所述第二本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地传感器核的第二本地p-n结的电压下降对应。
示例20.根据示例11-19的任何组合所述的设备,其中,所述远程传感器核的温度不同于所述本地传感器核的温度。
示例21.一种设备,包括:用于基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值的装置,其中,所述一对本地电压值的第一本地电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且其中,所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应;用于基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值的装置,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对远程电压值每个与当以不同的相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应;以及用于至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度的装置。
示例22.根据示例21所述的设备,其中,用于确定所述第二值的所述装置包括电荷共享∑-Δ模拟—数字转换器(ADC),所述ADC被配置为生成比特流,并且其中,所述第一值是所述ADC的第一占空比,其中,所述第二值是所述ADC的第二占空比。
示例23.根据示例21-22的任何组合所述的设备,其中,用于确定所述第二值的所述装置包括:用于在混合感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是第一逻辑值的情况下对远程?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特的装置;用于在所述混合感测操作期间并且在所述比特流的所述当前比特是第二逻辑值的情况下对所述第二本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特的装置;以及基于由所述ADC在所述混合感测操作期间确定的所述比特流来确定所述ADC的所述第二占空比的装置。
示例24.根据示例21-23的任何组合所述的设备,其中,用于确定所述第一值的所述装置包括:用于在本地感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是所述第一逻辑值的情况下对所述本地?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特的装置;用于在所述本地感测操作期间并且在所述比特流的所述当前比特是第二逻辑值的情况下对所述第一本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特的装置;以及基于由所述ADC在所述本地感测操作期间确定的所述比特流来确定所述ADC的所述第一占空比的装置。
示例25.根据示例21-24的任何组合所述的设备,其中,所述远程传感器核的温度不同于所述本地传感器核的温度。
可以至少部分地在硬件、软件、固件或其任何组合中实现在本公开中描述的技术。例如,可以在一个或更多个处理器内实现所描述的技术的各个方面,一个或更多个处理器包括一个或更多个微处理器、数字信号处理器(DSP)、应用专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或任何其它等价的被集成的或分立的逻辑线路、以及这样的部件的任何组合。术语“处理器”或“处理线路”可以一般地提及前述逻辑线路中的任何逻辑线路(单独地或与其它逻辑线路组合)或任何其它等价的线路。包括硬件的控制单元还可以执行本公开的技术中的一个或更多个。
可以在同一设备内或在分离的各设备内实现这样的硬件、软件和固件以支持在本公开中描述的各个技术。此外,可以一起或分离地将所描述的单元、模块或部件中的任何实现为分立的但是能共同操作的逻辑设备。将不同的特征描述为模块或单元意图强调不同的功能方面并且不一定暗示这样的模块或单元必须由分离的硬件、固件或软件部件来实现。相反,与一个或更多个模块或单元相关联的功能性可以由分离的硬件、固件或软件部件来执行,或者被集成在共同的或分离的硬件、固件或软件部件内。
本公开中描述的技术还可以被具体化或编码在制造产品中,制造产品包括被编码有指令的计算机可读存储介质。诸如当由一个或更多个处理器执行在计算机可读存储介质中包括的或编码的指令时,在包括被编码的计算机可读存储介质的制造产品中所具体化或所编码的指令可以引起一个或更多个可编程的处理器或其它处理器来实现在此所描述的技术中的一个或更多个。计算机可读存储介质可以包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可编程的只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器、硬盘、光盘ROM(CD-ROM)、软盘、盒式带、磁介质、光介质或其它计算机可读介质。在一些示例中,制造产品可以包括一个或更多个计算机可读存储介质。
在一些示例中,计算机可读存储介质可以包括非暂态介质。术语“非暂态”可以指示该存储介质不被具体化在载波或传播信号中。在某些示例中,非暂态存储介质可以存储能够随着时间改变的数据(例如,在RAM或高速缓冲存储器中)。
已经在本公开中描述了各个方面。这些和其它方面处于如下权利要求的范围内。
Claims (25)
1.一种方法,包括:
基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值,其中,所述一对本地电压值的第一本地电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且其中,所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应;
基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对远程电压值每个与当以不同的相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应;以及
至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一值是电荷共享∑-Δ模拟—数字转换器ADC的第一占空比,所述ADC被配置为生成比特流,并且其中,所述第二值是所述ADC的第二占空比。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,确定所述第二值包括:
响应于确定所述比特流的当前比特是第一逻辑值,由所述ADC并且在混合感测操作期间对所述远程?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;
响应于确定所述比特流的当前比特是第二逻辑值,由所述ADC并且在所述混合感测操作期间对所述第二本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;以及
基于由所述ADC在所述混合感测操作期间确定的所述比特流来确定所述ADC的所述第二占空比。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,确定所述第一值包括:
响应于确定所述比特流的当前比特是所述第一逻辑值,由所述ADC并且在本地感测操作期间对所述本地?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;
响应于确定所述比特流的当前比特是所述第二逻辑值,由所述ADC并且在所述本地感测操作期间对所述第一本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;以及
基于由所述ADC在所述本地感测操作期间确定的所述比特流来确定所述ADC的所述第一占空比。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,由所述ADC在所述本地感测操作期间确定的所述比特流包括与由所述ADC在所述混合感测操作期间确定的所述比特流相同的量的逻辑值。
6.根据权利要求4所述的方法,
其中,近似地根据如下等式来确定所述远程p-n结的温度:
其中,T R 是所述远程p-n结的温度,T L 是所述本地传感器核的温度,μ L 是所述ADC的所述第一占空比,μ R 是所述ADC的所述第二占空比,N L 是在所述本地感测操作期间以其对所述本地传感器核进行偏置的电流水平的比,并且N R 是在所述混合感测操作期间以其对所述远程传感器核进行偏置的电流水平的比。
7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括通过至少以下来确定由所述远程?VBE值表示的所述一对远程电压值:
在第一时间将所述一对远程电压值的第一远程电压值确定为当利用第一电流对所述远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的电压下降;以及
在第二时间将所述一对远程电压值的第二远程电压值确定为当利用第二电流对所述远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的电压下降。
8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括通过至少以下来确定由所述本地?VBE值表示的所述一对本地电压值:
在第一时间将所述一对本地电压值的第一本地电压值确定为当利用第一电流对所述本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地p-n结的电压下降;以及
在第二时间将所述一对本地电压值的第二本地电压值确定为当利用第二电流对所述本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地p-n结的电压下降。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述本地p-n结是第一本地p-n结,所述方法进一步包括通过至少以下来确定由所述本地?VBE值表示的所述一对本地电压值:
将所述一对本地电压值的第一本地电压值确定为当利用第一电流对所述第一本地p-n结进行偏置的同时跨所述第一本地p-n结的电压下降;以及
将所述一对本地电压值的第二本地电压值确定为当利用第二电流对所述第二本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地传感器核的第二本地p-n结的电压下降。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述远程传感器核的温度不同于所述本地传感器核的温度。
11.一种设备,包括:
模拟—数字转换器ADC,被配置为基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值,其中,所述一对本地电压值的第一电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且其中,所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应,
其中,所述ADC进一步被配置为基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对混合电压值每个与当以不同相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应;以及
一个或更多个处理器,被配置为至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度。
12.根据权利要求11所述的设备,其中,所述ADC是电荷共享∑-ΔADC,所述ADC被配置为生成比特流,并且其中,所述第一值是所述ADC的第一占空比,其中,所述第二值是所述ADC的第二占空比。
13.根据权利要求12所述的设备,其中,所述ADC被配置为通过至少以下来确定所述第二值:
在混合感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是第一逻辑值的情况下对所述远程?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;
在所述混合感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是第二逻辑值的情况下对所述第二本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;以及
基于在所述混合感测操作期间确定的所述比特流来确定所述第二占空比。
14.根据权利要求13所述的设备,其中,所述ADC被配置为通过至少以下来确定所述第一值:
在本地感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是所述第一逻辑值的情况下对所述本地?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;
在所述本地感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是所述第二逻辑值的情况下对所述第一本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特;以及
基于在所述本地感测操作期间确定的所述比特流来确定所述第一占空比。
15.根据权利要求14所述的设备,其中,由所述ADC在所述本地感测操作期间确定的所述比特流包括与由所述ADC在所述混合感测操作期间确定的所述比特流相同的量的逻辑值。
16.根据权利要求14所述的设备,
其中,所述一个或更多个传感器被配置为近似地根据如下等式来确定所述远程p-n结的温度:
其中,T R 是所述远程p-n结的温度,T L 是所述本地传感器核的温度,μ L 是所述ADC的所述第一占空比,μ R 是所述ADC的所述第二占空比,N L 是在所述本地感测操作期间以其对所述本地传感器核进行偏置的电流水平的比,并且N R 是在所述混合感测操作期间以其对所述远程传感器核进行偏置的电流水平的比。
17.根据权利要求11所述的设备,进一步包括:
采样和保持S&H,被配置为通过至少以下来确定所述远程?VBE值:
在第一时间将所述一对远程电压值的第一远程电压值确定为当利用第一电流对所述远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的电压下降;
在第二时间将所述一对远程电压值的第二远程电压值确定为当利用第二电流对所述远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的电压下降;以及
将所述远程?VBE值确定为所述一对远程电压值之间的差。
18.根据权利要求11所述的设备,进一步包括:
采样和保持S&H,被配置为通过至少以下来确定所述本地?VBE值:
在第一时间将所述一对本地电压值的所述第一本地电压值确定为当利用第一电流对所述本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地p-n结的电压下降;
在第二时间将所述一对本地电压值的第二本地电压值确定为当利用第二电流对所述本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地p-n结的电压下降;以及
将所述本地?VBE值确定为所述一对本地电压值之间的差。
19.根据权利要求11所述的设备,其中,所述本地p-n结是第一本地p-n结,其中,所述一对本地电压值的所述第一本地电压值与当利用第一电流对所述第一本地p-n结进行偏置的同时跨所述第一本地p-n结的电压下降对应,并且其中,所述一对本地电压值的第二本地电压值与当利用第二电流对所述第二本地p-n结进行偏置的同时跨所述本地传感器核的第二本地p-n结的电压下降对应。
20.根据权利要求11所述的设备,其中,所述远程传感器核的温度不同于所述本地传感器核的温度。
21.一种设备,包括:
用于基于第一本地VBE值和表示一对本地电压值之间的差的本地?VBE值来确定与本地传感器核的温度对应的第一值的装置,其中,所述一对本地电压值的第一本地电压值与跨所述本地传感器核的本地p-n结的第一电压下降对应,并且所述第一本地VBE值与跨所述本地传感器核的所述本地p-n结的第二电压下降对应;
用于基于第二本地VBE值和表示一对远程电压值之间的差的远程?VBE值来确定与远程传感器核的温度对应的第二值的装置,其中,所述第二本地VBE值与跨所述本地p-n结的第三电压下降对应,并且其中,所述一对远程电压值每个与当以不同的相应电流水平对所述远程传感器核的远程p-n结进行偏置的同时跨所述远程p-n结的相应的电压下降对应;以及
用于至少基于所述第一值和所述第二值来确定所述远程传感器核的温度的装置。
22.根据权利要求21所述的设备,其中,用于确定所述第二值的所述装置包括电荷共享∑-Δ模拟—数字转换器ADC,所述ADC被配置为生成比特流,并且其中,所述第一值是所述ADC的第一占空比,其中,所述第二值是所述ADC的第二占空比。
23.根据权利要求22所述的设备,其中,用于确定所述第二值的所述装置包括:
用于在混合感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是第一逻辑值的情况下对远程?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特的装置;
用于在所述混合感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是第二逻辑值的情况下对所述第二本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特的装置;以及
基于由所述ADC在所述混合感测操作期间确定的所述比特流来确定所述ADC的所述第二占空比的装置。
24.根据权利要求23所述的设备,其中,用于确定所述第一值的所述装置包括:
用于在本地感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是所述第一逻辑值的情况下对所述本地?VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特的装置;
用于在所述本地感测操作期间并且在所述比特流的当前比特是第二逻辑值的情况下对所述第一本地VBE值进行积分以确定所述比特流的下一比特的装置;以及
基于由所述ADC在所述本地感测操作期间确定的所述比特流来确定所述ADC的所述第一占空比的装置。
25.根据权利要求21所述的设备,其中,所述远程传感器核的温度不同于所述本地传感器核的温度。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107543626A (zh) * | 2017-07-07 | 2018-01-05 | 芯海科技(深圳)股份有限公司 | 一种无需校准的高精度温度传感器 |
CN108731833A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-11-02 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 一种远端cmos温度测量电路 |
CN108760060A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-11-06 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 一种用于远端cmos温度测量电路的电阻消除电路 |
CN109974878A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-05 | 新唐科技股份有限公司 | 温度感测电路 |
CN110763359A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-07 | 英业达科技有限公司 | 温度感测装置及服务器 |
CN112798125A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-14 | 广东高云半导体科技股份有限公司 | 一种温度传感器、芯片和电子设备 |
CN113108926A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-13 | 江苏银河芯微电子有限公司 | 一种测温装置、方法及远程测温系统 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9716660B2 (en) * | 2014-12-11 | 2017-07-25 | Intel Corporation | Hierarchical enforcement of service flow quotas |
JP6500579B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2019-04-17 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、電子機器及び移動体 |
US10409312B1 (en) * | 2018-07-19 | 2019-09-10 | Analog Devices Global Unlimited Company | Low power duty-cycled reference |
CN112304455A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-02-02 | 上海兆芯集成电路有限公司 | 温度测试系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101019010A (zh) * | 2004-09-15 | 2007-08-15 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 数字温度传感器及其校准 |
CN101782439A (zh) * | 2008-12-31 | 2010-07-21 | 英特尔公司 | 用于温度传感器的比率计 |
CN101871820A (zh) * | 2009-04-22 | 2010-10-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 提供温度与数字码间线性关系的方法 |
CN102356549A (zh) * | 2009-03-18 | 2012-02-15 | Nxp股份有限公司 | 工艺、电压、温度补偿振荡器 |
CN102576686A (zh) * | 2009-07-28 | 2012-07-11 | 天工方案公司 | 加工工艺、电压、以及温度传感器 |
US20130301680A1 (en) * | 2012-05-12 | 2013-11-14 | Feng Qiu | Temperature detection method and device with improved accuracy and conversion time |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8959994B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-02-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thermal sensor with temperature control |
-
2014
- 2014-07-01 US US14/321,581 patent/US20160003683A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-06-30 DE DE102015110463.6A patent/DE102015110463A1/de not_active Withdrawn
- 2015-07-01 CN CN201510375746.5A patent/CN105300539A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101019010A (zh) * | 2004-09-15 | 2007-08-15 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 数字温度传感器及其校准 |
CN101782439A (zh) * | 2008-12-31 | 2010-07-21 | 英特尔公司 | 用于温度传感器的比率计 |
CN102356549A (zh) * | 2009-03-18 | 2012-02-15 | Nxp股份有限公司 | 工艺、电压、温度补偿振荡器 |
CN101871820A (zh) * | 2009-04-22 | 2010-10-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 提供温度与数字码间线性关系的方法 |
CN102576686A (zh) * | 2009-07-28 | 2012-07-11 | 天工方案公司 | 加工工艺、电压、以及温度传感器 |
US20130301680A1 (en) * | 2012-05-12 | 2013-11-14 | Feng Qiu | Temperature detection method and device with improved accuracy and conversion time |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107543626A (zh) * | 2017-07-07 | 2018-01-05 | 芯海科技(深圳)股份有限公司 | 一种无需校准的高精度温度传感器 |
CN109974878A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-05 | 新唐科技股份有限公司 | 温度感测电路 |
CN108731833A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-11-02 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 一种远端cmos温度测量电路 |
CN108760060A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-11-06 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 一种用于远端cmos温度测量电路的电阻消除电路 |
CN110763359A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-07 | 英业达科技有限公司 | 温度感测装置及服务器 |
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PB01 | Publication | ||
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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