CN105269979A - 用于确定发光元件阵列芯片的缺陷的图像形成装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种图像形成装置，包括：多个发光元件阵列芯片，包括发光元件阵列和转移元件阵列；以及控制驱动器，其向所述多个发光元件阵列芯片施加信号。所述控制驱动器包括测量从所述多个发光元件阵列芯片输出的信号的检验端子，并且所述控制驱动器通过分析在检验端子处测量的信号来确定所述多个发光元件阵列芯片中的任何一个是否有缺陷。

Description

用于确定发光元件阵列芯片的缺陷的图像形成装置

相关申请

本申请要求于2014年7月7日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2014-0084620号的权益，其公开通过引用整体合并于此。

技术领域

一个或多个示范性实施例涉及确定发光元件阵列芯片中的任何一个是否有缺陷的图像形成装置。

背景技术

使用发光元件阵列芯片的图像形成装置从个人计算机(PC)接收打印数据并且通过使用发光元件形成图像。当发光元件发光时，在图像形成装置中的光导鼓上形成静电潜像。此后，打印图像通过显影过程、转印(transfer)过程、和定影过程输出。

包括在所述发光元件阵列芯片当中的发光元件阵列芯片可能有缺陷。有缺陷发光元件阵列芯片的发光元件可能不发光，从而导致错误。也就是说，打印数据不被打印在纸上。

发明内容

一个或多个示范性实施例包括确定发光元件阵列芯片中的任何一个是否有缺陷的图像形成装置。

另外的方面将在下面的详细描述中被阐述，并且将从所述描述中部分地变得清楚，或者可以通过实践所呈现的示范性实施例而习得。

根据一个或多个示范性实施例，一种图像形成装置包括：多个发光元件阵列芯片，包括发光元件阵列和转移元件阵列；以及控制驱动器，其向多个发光元件阵列芯片施加信号。控制驱动器包括测量从多个发光元件阵列芯片输出的信号的检验端子，并且控制驱动器通过分析在检验端子处测量的信号来确定多个发光元件阵列芯片中的任何一个是否有缺陷。

根据一个或多个示范性实施例，一种图像形成装置包括：多个发光元件阵列芯片，包括发光元件阵列和转移元件阵列；以及控制驱动器，其向发光元件阵列芯片施加信号。包括在多个发光元件阵列芯片中的发光元件阵列并联连接，并且控制驱动器通过分析从并联连接的发光元件阵列输出的信号来确定发光元件阵列中的任何一个是否有缺陷。

附图说明

从以下结合附图的对示范性实施例的描述中，这些和/或其它方面将变得清楚和更加容易理解，其中：

图1是示出通过使用发光元件阵列芯片输出图像的示范性过程的示图；

图2是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图3是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图4A和图4B是示出从控制驱动器输出的信号或者由控制驱动器测量的信号的定时图；

图5是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图6是示出根据示范性实施例的图像形成装置的结构的示图；

图7是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图8A和图8B是示出图7的图像形成装置的操作的定时图；

图9是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图10A和图10B是示出图9的图像形成装置的操作的定时图；

图11是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置的结构的示图；

图12是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图13是示出图12的图像形成装置的一部分的电路图；

图14是示出图12的图像形成装置的操作的定时图；

图15是示出图12的图像形成装置的操作的定时图；

图16是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置的示图；

图17是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置的示图；

图18A和图18B是示出确定发光元件阵列芯片中的任何一个是否有缺陷的方法的示图；

图19是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置的示图；

图20A和图20B是示出确定发光元件阵列芯片中的任何一个是否有缺陷的方法的示图；

图21是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图22是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图23是示出二极管和下拉电阻器之间的连接关系的示图；

图24是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图25是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图26是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图27是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；

图28是示出根据示范性实施例的图像形成装置的示图；以及

图29是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置的示图。

具体实施方式

因为本发明构思允许各种改变和大量实施例，因此特定实施例将被示出在附图中并且在所撰写的描述中被详细描述。然而，这并不意图被用来将本发明构思限制在特定的实践模式，并且将理解，不脱离精神和技术范围的改变、等同、和替代被包含在本发明构思中。在描述中，当认为对相关领域的某些详细说明将不必要地模糊本发明构思的本质时，省略该详细说明。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个关联的列出的项目的任何以及全部的组合。当诸如“……中的至少一个”的表达位于一列元素之后时，将修改整列元素而不是修改该列的单个元素。

虽然诸如“第一”、“第二”等等的术语可以被用来描述各种组件，但是这样的组件不可被限制在上述术语。以上术语仅仅被用来将一个组件与另一个组件区分开。

在本说明书中使用的术语仅仅用来描述特定实施例，并且并不意图被用来限制本发明构思。以单数使用的表达包含复数的表达，除非其在上下文中具有清楚地不同的含义。在本说明书中，将理解，诸如“包括”、“具有”、和“包含”的术语意图被用来指示本说明书中公开的特征、数字、步骤、动作、组件、部分、或者它们的组合的存在，并且不意图被用来排除一个或多个其它特征、数字、步骤、动作、组件、部分、或者它们的组合可能存在或者可能被添加的可能性。

将参考附图详细描述本发明构思的示范性实施例。附图中的相似的参考标号表示相似的元素，因此它们的描述将不被重复。

图1是示出通过使用发光元件阵列芯片输出图像的示范性过程的示图。参考图1，当从个人计算机(PC)50接收到打印数据时，图像形成装置可以执行用于输出图像的操作。

图像形成装置可以通过使用发光元件在光导鼓300上形成静电潜像，并且通过包括充电(electrification)1、曝光2、显影3、转印4、定影5的显影过程、转印过程、和定影过程来输出图像。

图像形成装置可以包括控制驱动器110、芯片阵列120、透镜阵列200、和光导鼓300。

控制驱动器110可以根据从PC50接收的打印数据控制芯片阵列120。芯片阵列120可以包括多个发光元件阵列芯片。控制驱动器110可以分别地(separately)控制发光元件阵列芯片。

透镜阵列200可以按光导鼓300的轴向(即，主扫描方向)排列。已经穿过透镜阵列200的光可以在光导鼓300的表面上形成图像。

光导鼓300可以被曝光而形成静电潜像。显影器(未示出)可以将形成在光导鼓300上的静电潜像显影。

图2是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图2，图像形成装置100包括控制驱动器110和多个发光元件阵列芯片125。

控制驱动器110确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。控制驱动器110确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷，确定发光元件阵列芯片125中的哪一个有缺陷，以及确定在发光元件阵列芯片125中哪个发光元件或者哪个转移元件(transferelements)有缺陷。

控制驱动器110包括检验端子，其测量从发光元件阵列芯片125输出的信号，分析在检验端子处测量的信号，并且确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。下面将详细描述可以由控制驱动器110执行的确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷的方法。

控制驱动器110包括输出信号的端子和接收信号的端子。换句话说，控制驱动器110包括输出用于控制转移元件或者发光元件的信号的端子、以及从转移元件或者发光元件接收信号的端子。控制驱动器110可以包括用于确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷的至少一个检验端子。

控制驱动器110接收打印数据并且根据所接收的打印数据操作。控制驱动器110从包括在图像形成装置100中的主板(mainboard)或者中央处理单元(CPU)接收打印数据，并且根据所接收的打印数据控制发光元件的导通/关断。打印数据是表示将被形成的图像的数据。

控制驱动器110可以是由至少一个处理器运行的软件。可替换地，控制驱动器110可以是诸如控制驱动器的硬件。

发光元件阵列芯片125中的每一个包括转移元件阵列和发光元件阵列。转移元件阵列包括多个转移元件，而发光元件阵列包括多个发光元件。转移元件可以顺序地导通和关断发光元件。转移元件和发光元件可以一对一匹配。发光元件的发光条件可以根据转移元件的状态来确定。为了让发光元件发光，与发光元件相对应的转移元件必须处于备用状态(standbystate)。当转移元件处于备用状态时，发光元件的导通/关断可以根据输入到发光元件的数据信号来确定。当开始信号被输入转移元件时，转移元件可以根据转移信号(transfersignal)顺序地进入备用状态。

发光元件阵列芯片125从控制驱动器110接收信号并且根据所接收的信号操作。发光元件阵列芯片125可以由控制驱动器110分别地控制。

发光元件阵列芯片125可以并联连接。发光元件阵列芯片125的数据线可以并联连接，并且转移元件阵列中的最后的转移元件的门极(gate)可以并联连接。

图3是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图3，图像形成装置100可以确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。图像形成装置100可以将数据信号分别地施加到发光元件阵列芯片125，并且通过分析在连接至发光元件阵列芯片125中的每一个的检验端子(Φi(n)_chk)处测量的信号来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。

发光元件可以是发光晶闸管，并且转移元件可以是转移晶闸管(transferthyristor)。晶闸管具有PNPN结(PNPNjunction)并且包括门极。例如，发光元件阵列芯片125中的每一个可以包括256个晶闸管。T1到T256指代转移晶闸管，而L1到L256指代发光晶闸管。D1到D256指代连接至转移晶闸管的二极管。G1到G256指代转移晶闸管的门极。当预定电平或者更高电平的电压被施加在晶闸管的门极时，因为晶闸管的击穿电压被降低，因此晶闸管的操作电压被降低。因此，通过将电压施加在晶闸管的门极，晶闸管可以通过更低的驱动电压来操作。

转移晶闸管根据开始信号和转移信号(Φ1信号和Φ2信号)来进入操作状态。例如，当开始信号被施加在转移晶闸管T1的门极G1并且转移信号(Φ1信号)被施加在转移晶闸管T1时，转移晶闸管T1进入操作状态。

当转移晶闸管T1处于操作状态时，发光晶闸管L1进入发光状态。转移晶闸管T1的门极G1等于发光晶闸管L1的门极。因此，当转移晶闸管T1进入操作状态时，发光晶闸管L1也进入操作状态。当发光晶闸管L1处于操作状态时，发光晶闸管L1根据输入到端子Φi的数据信号来发光。

通过重复上述过程，转移晶闸管T1到T256顺序地进入操作状态，发光晶闸管L1到L256也进入操作状态，并且发光晶闸管L1到L256顺序地发光或者不发光。

图3中示出的图像形成装置100的端子将在下面被描述。Φ1是指输出用于控制奇数的转移元件的信号的端子，而Φ2是指输出用于控制偶数的转移元件的信号的端子。Φs是指输出用于控制转移元件的操作开始时间的信号的端子。Φi(n)是指连接至第n个发光元件阵列芯片125并且输出数据信号的端子。控制驱动器110包括n个端子Φi(n)。Φi(n)_chk是指连接至发光元件阵列芯片125当中的第n个发光元件阵列芯片和所述发光元件的数据线的检验端子。控制驱动器110包括n个检验端子Φi(n)_chk。Φi(n)_chk和Φi(n)并联连接。Φi_(n)是指连接至第n个发光元件的阴极的节点。Vga是指地。

图像形成装置100包括缓冲器320和电阻器310。缓冲器320连接在控制驱动器110和发光元件阵列芯片125之间，并且连接在Φi(n)_chk和所述发光元件阵列芯片125的数据线之间。并且，电阻器310可以被提供在Φi(n)和所述发光元件阵列芯片125的数据线之间，并且连接至Φi(n)和所述发光元件阵列芯片125的数据线。缓冲器320可以分别地连接至发光元件阵列芯片125中的每一个。缓冲器320可以将数据线的电压输出到检验端子。形成在环形电路中的电阻器310可以在电流流过时降低电压。因此，数据线的电压可以基于环形电路是否形成而改变，检验端子可以测量数据线的电压，并且控制驱动器110可以通过分析在检验端子处测量的电压来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。

发光元件阵列芯片125中的每一个连接至控制驱动器110。Φi(n)是指连接至第n个发光元件阵列芯片125的端子，而Φi_(n)是指第n个发光元件阵列芯片125的数据线。

控制驱动器110通过分析在检验端子(Φi(n)_chk)处测量的信号来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。具体地，控制驱动器110可以分析在Φi(n)_chk处测量的电压，并从而确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。有缺陷的发光元件阵列芯片是指具有至少一个不发光的发光元件的发光元件阵列芯片。可能存在两种发光元件不能发光的情况。第一，发光元件可能因为该发光元件自身有缺陷而不能发光。第二，发光元件可能因为连接至该发光元件的转移元件有缺陷而不能发光。当转移元件有缺陷时，电压不被供应给发光元件的门极，并且因此，即使当数据信号被施加在该发光元件时该发光元件也不操作。

控制驱动器110通过分析在检验端子处测量的电压电平来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。例如，当所有发光元件阵列芯片125都正常时，在检验端子处测量的电压电平为高。当发光元件阵列芯片125中的至少一个有缺陷时，在检验端子Φi(n)_chk处测量的一些电压电平为低。

控制驱动器110可以在数据信号被施加时经由检验端子测量电压，并且当检测到低电平信号时，控制驱动器110可以确定发光元件阵列芯片125中的至少一个有缺陷。并且，控制驱动器110可以确定检测到低电平信号的时间点，从而确定有缺陷的发光元件或者有缺陷的转移元件。

图4A和图4B是示出从控制驱动器110输出的信号或者由控制驱动器110测量的信号的定时图。参考图4A和图4B，图像形成装置100可以根据在检验端子处测量的电压来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。图4A是所有发光元件阵列芯片125都正常的示例的定时图，而图4B是发光元件阵列芯片125中的一些有缺陷的示例的定时图。

控制驱动器110可以经由Φ1和Φ2输出转移信号。控制驱动器110可以经由Φs输出开始信号。控制驱动器110可以经由Φi(n)输出数据信号。

经由端子Φs输出的开始信号被施加一次，以便开始发光元件阵列芯片125的操作。

转移信号可以具有两个交替的电势。当第一电压是高电平电压时，第二电压是低电平电压。经由Φ1输出的第一转移信号是被施加在奇数的转移元件的信号，而经由Φ2输出的第二转移信号是被施加在偶数的转移元件的信号。第一和第二转移信号具有两个交替的电势(即，高电平和低电平)，并且在具有高电平和具有低电平之间交替。第一和第二转移信号重叠预定时间。第一和第二转移信号重叠预定时间，从而转移元件可以在前一转移元件的操作结束之前进入备用状态。

为了确定发光元件阵列芯片125的缺陷，控制驱动器110输出使得所有发光元件发光的信号。具体地，控制驱动器110可以经由Φi(n)输出数据信号以使得所有发光元件发光。

在图4A中，控制驱动器110检测到与发光元件相关的检验信号为高。换句话说，在Φi(n)_chk处测量的检验信号为高。因此，控制驱动器110可以确定发光元件阵列芯片125正常。

在图4B中，控制驱动器110可以检测到一些发光元件的检验信号为低。换句话说，控制驱动器110可以检测到在Φi(n)_chk处测量的电压为低。图4B示出了第四发光元件或者第四转移元件有缺陷的示例。因为在第四发光元件本来应该已经发光的时间点处在Φi(n)_chk处测量的信号为低，所以控制驱动器110可以确定第四发光元件或者第四转移元件有缺陷。

将参考第一发光元件L1描述发光元件阵列芯片125的操作。当从Φi(n)输出的数据信号的电压为高(3.3V)并且施加在第一发光元件L1的阳极的电压是3.3V时，相等的电压被施加在第一发光元件L1的全部两侧，因此电流不流动。换句话说，没有形成从Φi(n)到第一发光元件L1的阳极的环形电路。因此，数据线(Φi_(n))的电压等于从Φi(n)施加的信号(3.3V)，并且与数据线(Φi_(n))的电压相等的电压(3.3V)被施加在检验端子(Φi(n)_chk)。当控制驱动器110检测到施加在检验端子(Φi(n)_chk)的电压为3.3V时，控制驱动器110可以确定该电压为高电平电压。

当从Φi(n)输出的数据信号的电压为低(0V)并且施加在第一发光元件L1的阳极的电压为3.3V时，电流流过第一发光元件L1。换句话说，形成了从Φi(n)到第一发光元件L1的阳极的环形电路。因此数据线(Φi_(n))的电压是大约1.8V，其比从Φi(n)施加到第一发光元件L1的阳极的电压(3.3V)低大约1.5V。因此，与数据线的电压相等的电压(大约1.8V)被施加在检验端子(Φi(n)_chk)。当控制驱动器110检测到施加在检验端子(Φi(n)_chk)的电压是1.8V时，控制驱动器110可以确定该电压为高电平电压，并且可以因而确定发光元件或者转移元件正常。

当发光元件(L1)或者转移元件(T1)有缺陷时，从Φi(n)输出的数据信号的电压为低(0V)，并且施加在第一发光元件L1的阳极的电压为3.3V，并且因此电流不流过第一发光元件L1。换句话说，不形成从Φi(n)到第一发光元件L1的阳极的环形电路。因此，数据线(Φi_(n))的电压等于从Φi(n)施加的信号的电压(0V)，并且与Φi(n)的电压相等的电压(0V)被施加在检验端子(Φi(n)_chk)。当控制驱动器110检测到施加在检验端子(Φi(n)_chk)的电压为0V时，控制驱动器110可以确定该电压为低电平电压，并且确定该发光元件或者转移元件有缺陷。

根据以上方法，图像形成装置100不仅仅可以确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷，并且还可以确定有缺陷的发光元件或者有缺陷的转移元件。

图5是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图5，图像形成装置100包括比较单元520而不是缓冲器320。图5的图像形成装置100的操作与图3的图像形成装置100的操作相同，除了比较单元520的操作之外。电阻器510可以提供在Φi(n)和发光元件阵列芯片125的数据线之间，并且连接至Φi(n)和发光元件阵列芯片125的数据线。

比较单元520可以将通过比较数据线的电压和阈值而获得的比较结果输出到控制驱动器110的检验端子。可以关于施加在发光元件的阴极的电压和发光元件的电压降(voltagedrop)来确定阈值。例如，当3.3V的电压被施加在发光元件的阴极并且发光元件的电压降为1.5V时，阈值可以被确定为1.8V或者更低。

比较单元520可以将比较结果输出为1或者0。例如，如果数据线的电压大于阈值，则比较单元520可能向控制驱动器110输出1，而如果不，则可以向控制驱动器110输出0。

图6是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的结构的示图。参考图6，发光元件阵列127可以并联连接并且连接至检验端子(Φchk)。图像形成装置100可以通过分析经由检验端子输出的电压来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。具体地，图像形成装置100可以通过施加使得发光元件阵列芯片125当中只有将被检验的发光元件阵列芯片操作的信号，来分别地确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。

图7是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图7，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括晶体管710。图像形成装置100包括连接至发光元件的阴极的下拉电阻器720。晶体管710的基极可以连接至发光元件的阴极，并且晶体管710的发射极并联连接至检验端子(Φi_chk)。下拉电阻器720可以连接至节点730。下拉电阻器720可以以和“或”门相同的方式工作。因此，当从发光元件阵列芯片125当中的将被检验的发光元件阵列芯片输出高电平信号并且从发光元件阵列芯片125当中的剩余的发光元件阵列芯片输出低电平信号时，在检验端子处测量的信号为高。

单一检验端子(Φi_chk)被包括在控制驱动器110中。控制驱动器110可以分析在检验端子处测量的电压以确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷并且确定哪个转移元件或者哪个发光元件有缺陷。

控制驱动器110可以施加使得发光元件阵列芯片125当中仅仅将被检验的发光元件阵列芯片操作的信号。控制驱动器110可以仅仅向发光元件阵列芯片125当中的将被检验的发光元件阵列芯片施加信号。因此，控制驱动器110可以经由检验端子Φi_chk监视将被检验的发光元件阵列芯片125的数据线的电压。

晶体管710可以只在发光元件正常时操作。因为晶体管710的基极连接至数据线，晶体管710可以只在数据线的电压为高时操作。当所有的发光元件正常时数据线的电压维持高电平，但是当任何一个发光元件有缺陷时数据线的电压维持低电平。例如，当发光元件有缺陷时，数据信号为低，因此不形成环形电路。结果，数据线的电压也维持低电平。因此，当与发光元件阵列芯片相对应的数据线的电压为低时，控制驱动器110可以确定该发光元件阵列芯片有缺陷，并且基于所述数据线的电压被测量为低的时间点来确定发光元件有缺陷。

图8A和图8B是示出图7的图像形成装置100的操作的定时图。图8A是发光元件阵列芯片125当中的第三发光元件阵列芯片正常的示例的定时图，而图8B是包括在发光元件阵列芯片125当中的第三发光元件阵列芯片中的第四发光元件和第254发光元件有缺陷的示例的定时图。

参考图8A，控制驱动器110检验发光元件阵列芯片125当中的第三发光元件阵列芯片的操作。控制驱动器110可以施加使得仅仅第三发光元件阵列芯片操作的信号。控制驱动器110向除了第三发光元件阵列芯片之外的发光元件阵列芯片125施加低电平数据信号。因此，除了第三发光元件阵列芯片之外的发光元件阵列芯片125的发光元件不操作。控制驱动器110经由Φs输出开始信号并且经由Φ1和Φ2输出转移信号。因为第三发光元件阵列芯片将被检验，因此控制驱动器110经由Φi(3)施加数据信号以使得包括在第三发光元件阵列芯片中的发光元件全部发光。控制驱动器110向除了Φi(3)之外的Φi(1)到Φi(n)施加低电平数据信号。因此，高电平电压在Φi(3)_chk处测量，并且低电平电压在除了Φi(3)_chk之外的Φi(1)_chk到Φi(n)_chk处测量。并联连接的晶体管710以及下拉电阻器720以和“或”门相同的方式工作。当Φi(1)_chk到Φi(n)_chk的信号被施加在晶体管710中的每一个时，因为Φi(3)_chk的高电平电压，在Φi_chk处测量到高电平电压。

参考图8B，控制驱动器110可以施加与图8A中相同的信号。然而，因为图8B示出包括有缺陷的发光元件的示例，所以在检验端子处测量的信号的电平不同于图8A的在检验端子处测量的信号的电平。在第三发光元件阵列芯片的第四和第254发光元件发光的时间点处，在Φi(3)_chk处测量到低电平电压，并且在除了Φi(3)_chk之外的Φi(1)_chk到Φi(n)_chk处测量到低电平电压。因此，因为Φi(1)_chk到Φi(n)_chk的电压全部为低，所以也可以在Φi_chk处测量到低电平电压。控制驱动器110可以确定在Φi_chk处测量到低电平电压的时间点处的发光元件有缺陷。

图9是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图9，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括晶体管910。图像形成装置100包括连接至发光元件的阴极的上拉电阻器920。晶体管910的基极连接至发光元件的阴极，并且晶体管910的集电极并联连接。Φi(n)_chk指示发光元件阵列芯片125当中的第n发光元件阵列芯片的晶体管910的集电极。晶体管910的集电极连接至检验端子(Φi_chk)，并且上拉电阻器920连接至节点930。晶体管910和上拉电阻器920以和“与”门相同的方式工作。

控制驱动器110可以仅仅向将被检验的发光元件阵列芯片125施加数据信号，并且向除了将被检验的发光元件阵列芯片125之外的发光元件阵列芯片125施加低电平信号。因此，除了将被检验的发光元件阵列芯片125之外的发光元件阵列芯片125的晶体管910不操作，并且将被检验的发光元件阵列芯片125的晶体管910根据发光元件和转移元件是否正常来操作。当包括在发光元件阵列芯片125中的发光元件全部正常时，晶体管910操作并且电流从Vcc流到晶体管910。因此，在检验端子(Φi_chk)处检测到低电平电压。可替换地，当包括在将被检验的发光元件阵列芯片125中的至少一个发光元件有缺陷时，晶体管910不操作，并且电流不从Vcc流到晶体管910。因此，在检验端子Φi_chk处检测到高电平电压。

图10A和图10B是示出图9的图像形成装置100的操作的定时图。图10A是发光元件阵列芯片125当中的第三发光元件阵列芯片正常的示例的定时图，而图10B是包括在发光元件阵列芯片125当中的第三发光元件阵列芯片中的第四发光元件和第254发光元件有缺陷的示例的定时图。

参考图10A，控制驱动器110检验第三发光元件阵列芯片的操作。控制驱动器110施加使得仅仅第三发光元件阵列芯片操作的信号。控制驱动器110向除了第三发光元件阵列芯片之外的发光元件阵列芯片125施加高电平数据信号。具体地，控制驱动器110向除了Φi(3)之外的Φi(1)到Φi(n)施加高电平数据信号。因此，除了第三发光元件阵列芯片之外的发光元件阵列芯片125的发光元件和晶体管910不操作，并且在除了Φi(3)_chk之外的Φi(1)_chk到Φi(n)_chk处测量到高电平电压。

因为第三发光元件阵列芯片将被检验，因此控制驱动器110经由Φi(3)施加数据信号，以使得包括在第三发光元件阵列芯片中的发光元件全部发光。因为当第三发光元件阵列芯片正常时连接至第三发光元件阵列芯片的晶体管910操作，所以在Φi(3)_chk处测量到低电平电压。然而，除了Φi(3)_chk处的电压之外的Φi(1)_chk到Φi(n)_chk处的电压具有高电平。因此，并联连接的上拉电阻器920和晶体管910以和“与”门相同的方式工作，并且因此在Φi_chk处测量到低电平电压。

参考图10B，控制驱动器110可以施加与图10A中相同的信号。然而，因为图10B示出包括有缺陷的发光元件的示例，所以在检验端子处测量的信号的电平不同于图10A的在检验端子处测量的信号的电平。在第三发光元件阵列芯片的第四发光元件和第254发光元件发光的时间点，在Φi(3)_chk处测量到高电平电压，并且在除了Φi(3)_chk之外的Φi(1)_chk到Φi(n)_chk处测量到高电平电压。因此，因为Φi(1)_chk到Φi(n)_chk的电压全部具有高电平，所以在Φi_chk处也测量到高电平电压。控制驱动器110可以确定在Φi_chk处测量到高电平电压的时间点的发光元件有缺陷。

图11是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置100的结构的示图。参考图11，图像形成装置100可以确定多个转移元件阵列126中的任何一个是否有缺陷。在根据图11中示出的实施例的图像形成装置100中，多个转移元件阵列126并联连接至检验端子(Φchk)。并联连接的转移元件阵列126可以连接至上拉电阻器、二极管和上拉电阻器、或者晶体管和上拉电阻器。将参考图12到图20详细描述实施例。

图12是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图12，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括二极管1210。图像形成装置100包括上拉电阻器1220，其连接至转移元件阵列126之一的最后的二极管D256。二极管1210的阴极可以连接至最后的二极管D256的阴极，并且二极管1210的阳极可以连接至上拉电阻器1220。节点1240可以连接至检验端子(Φs_chk)、二极管1210的阳极、和上拉电阻器1220。

图像形成装置100可以通过分析在单一检验端子(Φs_chk)处测量的电压来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。具体地，图像形成装置100可以确定发光元件阵列芯片125之一有缺陷。也就是说，图像形成装置100可以确定发光元件阵列芯片125之一包括有缺陷的转移元件。在发光元件阵列芯片125当中的包括至少一个有缺陷的转移元件的第n发光元件阵列芯片中，在预定时间点从节点1240输出低电平信号。当图像形成装置100检测到低电平信号时，图像形成装置100可以确定发光元件阵列芯片125之一有缺陷并且包括有缺陷的转移元件。

Φs(n)_chk1230表示第n发光元件阵列芯片125的最后的二极管D256的阴极。转移元件阵列126在节点1240处并联连接。连接至节点1240的上拉电阻器1220以和“与”门相似的方式工作。换句话说，只有当从连接至节点1240的Φs(1)_chk到Φs(n)_chk输出的全部信号都是高电平电压时，才在检验端子处测量到高电平电压。当从选自Φs(1)_chk到Φs(n)_chk的至少一个节点输出低电平电压时，在检验端子处测量到低电平电压。

当在检验端子处测量到低电平电压时，控制驱动器可以确定发光元件阵列芯片125当中的至少一个发光元件阵列芯片有缺陷。将参考图14详细描述确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷的方法。

图13是示出图12的图像形成装置100的一部分的电路图。参考图13，Φs(1)_chk表示发光元件阵列芯片125当中的第一发光元件阵列芯片的最后的二极管D256的阴极，Φs(2)_chk表示第二发光元件阵列芯片125的最后的二极管D256的阴极，而Φs(n)_chk表示发光元件阵列芯片125当中的第n发光元件阵列芯片的最后的二极管D256的阴极。Φs(1)_chk到Φs(n)_chk连接至发光元件阵列芯片125的各自的二极管1210，它们是反向的(inverse)二极管。

上拉电阻器1220可以以和“与”门相同的方式工作。当Vcc是高电平电压并且Φs(1)_chk到Φs(n)_chk的电压的电平全部为高时，具有相同幅度的电压被施加在二极管1210的两侧，因此电流不流动。因此，在Φs_chk处测量到高电平电压。然而，当选自Φs(1)_chk到Φs(n)_chk的至少一个节点的电压电平为低时，电流流向低电平节点。因此，在Φs_chk处测量到低电平电压。

图14是示出图12的图像形成装置100的操作的定时图。图14是发光元件阵列芯片125全部正常的示例的定时图。控制驱动器110可以向转移元件阵列126输出开始信号。开始信号被顺序地从二极管Ds转移到二极管D1至D256。控制驱动器110可以根据开始信号的定时，经由Φ1和Φ2输出转移信号。

因为发光元件阵列芯片125全部正常，所以在开始信号被施加在第256个二极管D256的时间点处，每个Φs(n)_chk的电压都是高。因此，在Φs_chk处也测量到高电平电压，并且控制驱动器110确定发光元件阵列芯片125全部正常。

图15是示出图12的图像形成装置100的操作的定时图。具体地，图15是示出为了确定发光元件阵列芯片125当中的第一发光元件阵列芯片是否有缺陷而施加的信号和测量的信号的定时图。

为了检验第一发光元件阵列芯片，控制驱动器110可以针对发光元件阵列芯片125当中的第二到第n个发光元件阵列芯片将开始信号维持在高电平。控制驱动器110向第一发光元件阵列芯片输入单脉冲信号作为开始信号。

当高电平电压被施加在第二到第n个发光元件阵列芯片中的每一个的第256个二极管时，Φs(2)_chk到Φs(n)_chk的电压也具有高电平。在检验端子处测量的电压的电平可以根据Φs(1)_chk的电压的电平而变化。当Φs(1)_chk的电压电平为高时，在检验端子处测量的电压电平也为高。当Φs(1)_chk的电压电平为低时，在检验端子处测量的电压电平也为低。因此，控制驱动器110可以根据在检验端子处测量的电压电平而确定第一发光元件阵列芯片的转移元件是正常的还是有缺陷的。在图15中，因为Φs(1)_chk的电压电平为高，在检验端子处测量的电压电平也为高。

图16是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置100的示图。图像形成装置100通过分析在单一检验端子(Φs_chk)测量的电压来确定发光元件阵列芯片125之一是否有缺陷。当发光元件阵列芯片125之一有缺陷时，图像形成装置100确定发光元件阵列芯片125中的哪一个是有缺陷的。

参考图16，图像形成装置100可以包括上拉电阻器1610，而不包括反向二极管。虽然图12的图像形成装置100包括作为反向二极管的二极管1210，但是图16的图像形成装置100仅仅包括上拉电阻器1610。虽然只包括上拉电阻器1610，但是图16的图像形成装置100以与图12的图像形成装置100相同的方式操作。因此，图12的描述也应用在图16的描述中。

图17是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置100的示图。图像形成装置100可以通过分析在单一检验端子(Φs_chk)处测量的电压来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个确定有缺陷。当发光元件阵列芯片125之一有缺陷时，图像形成装置100确定发光元件阵列芯片125中的哪一个有缺陷。具体地图像形成装置100确定包括有缺陷的转移元件的发光元件阵列芯片125。

参考图17，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个可以包括连接至发光元件阵列的晶体管1710。图像形成装置100可以包括上拉电阻器1720。晶体管1710中的每一个的基极连接至最后的转移元件的门极G256。晶体管1710的集电极并联连接至上拉电阻器1720。

控制驱动器110可以通过向发光元件阵列芯片125当中的将被检验的发光元件阵列芯片施加开始信号来确定发光元件阵列芯片125当中的发光元件阵列芯片包括有缺陷的转移元件。为了确定第一发光元件阵列芯片是否有缺陷，控制驱动器110不向第二到第n个发光元件阵列芯片施加开始信号。控制驱动器110仅仅向第一发光元件阵列芯片施加开始信号。当包括在第一发光元件阵列芯片中的转移元件全部正常时，高电平电压被传递到晶体管1710的基极。因此，晶体管1710操作，并且电流从Vcc流到晶体管1710的发射极。因此，节点1730的电压为低，并且在检验端子处检测到低电平电压。

可替换地，当选自包括在第一发光元件阵列芯片中的转移元件的至少一个转移元件有缺陷时，电压不被传递到晶体管1710的基极，因此，晶体管1710不操作。电流不从Vcc流到晶体管1710，因此，节点1730的电压可以是Vcc的电压。因此，在检验端子处测量到高电平电压。

图18A和图18B是示出确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷的方法的示图。

图18A是展示测试发光元件阵列芯片125当中的第一发光元件阵列芯片的示例的表格。因为开始信号不被施加在第二到第n发光元件阵列芯片，因此第二到第n发光元件阵列芯片的转移元件不操作。

在一种情况下，第二到第n发光元件阵列芯片中的每一个的最后的转移元件的门极G256的电压为低，并且第一发光元件阵列芯片的最后的转移元件的门极G256的电压也为低。在这种情况下，在检验端子处测量到高电平电压，并且第一发光元件阵列芯片有缺陷。当选自包括在第一发光元件阵列芯片中的转移元件的至少一个转移元件有缺陷时，开始信号不被传递到最后的转移元件，并且因此，第一发光元件阵列芯片的最后的转移元件的门极G256的电压为低。

在另一种情况下，第二到第n发光元件阵列芯片中的每一个的最后的转移元件的门极G256的电压为低，并且第一发光元件阵列芯片的最后的转移元件的门极G256的电压为高。在这种情况下，在检验端子处测量到低电平电压，并且第一发光元件阵列芯片正常。当第一发光元件阵列芯片的转移元件全部正常时，第一发光元件阵列芯片的最后的转移元件的门极G256的电压为高。

图18B示出晶体管1710和上拉电阻器1720之间的连接关系。晶体管1710中的每一个的基极连接至最后的转移元件的门极G256。晶体管1710的集电极并联连接至节点1730。上拉电阻器1720和Φs_chk连接至节点1730。

图19是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置100的示图。图像形成装置100包括下拉电阻器1920。发光元件阵列芯片125中的每一个包括晶体管1910，而晶体管1910中的每一个的基极连接至最后的转移元件的门极G256。晶体管1910的发射极并联连接并且连接至下拉电阻器1920。

图19的图像形成装置100类似于图17的图像形成装置100那样来确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷。然而，晶体管1910的连接形式与图17的图像形成装置100的晶体管1710的连接形式相反。因此，由图19的图像形成装置100执行的基于在检验端子处测量的电压的电平来确定发光元件阵列芯片125是正常的还是有缺陷的方法与由图17的图像形成装置100执行的方法相反。

图20A和图20B是示出确定发光元件阵列芯片125中的任何一个是否有缺陷的方法的示图。

图20A是展示测试发光元件阵列芯片125当中的第一发光元件阵列芯片的示例的表格。因为开始信号不被施加在第二到第n发光元件阵列芯片，因此第二到第n发光元件阵列芯片的转移元件不操作。

假设第二到第n发光元件阵列芯片中的每一个的最后的转移元件的门极G256的电压为低，并且第一发光元件阵列芯片的最后的转移元件的门极G256的电压也为低。在这种情况下，在检验端子处测量到低电平电压，并且第一发光元件阵列芯片是有缺陷的。当选自包括在第一发光元件阵列芯片中的转移元件的至少一个转移元件有缺陷时，第一发光元件阵列芯片的最后的转移元件的门极G256的电压为低。

在一种情况下，第二到第n发光元件阵列芯片中的每一个的最后的转移元件的门极G256的电压为低，并且第一发光元件阵列芯片的最后的转移元件的门极G256的电压为高。在这种情况下，在检验端子处测量到高电平电压，并且第一发光元件阵列芯片正常。当包括在第一发光元件阵列芯片中的转移元件全部正常时，第一发光元件阵列芯片的最后的转移元件的门极G256的电压为高。

图20B示出晶体管1910和下拉电阻器1920之间的连接关系。晶体管1910中的每一个的基极连接至最后的转移元件的门极G256。晶体管1910的发射极并联连接至节点1930。下拉电阻器1920和Φs_chk连接至节点1930。

图21是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图21，图像形成装置100包括连接至发光元件阵列127的缓冲器2110。并且，图像形成装置100包括连接至转移元件阵列126的上拉电阻器2120。在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括二极管2130。因此，图像形成装置100可以确定发光元件和转移元件中是否存在缺陷。

因为图21的图像形成装置100是图3中示出的图像形成装置100和图12中示出的图像形成装置100的组合，因此，缺陷是通过使用与参考图3和图12描述的方法相同的方法来确定的。

图22是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图22，图像形成装置100包括连接至发光元件阵列127的缓冲器2210，并且转移元件阵列126中的每一个包括下拉电阻器2220。转移元件阵列126并联连接。因为下拉电阻器2220连接至Vga，下拉电阻器2220以和“或”门相同的方式工作。控制驱动器110可以只向发光元件阵列芯片125当中的将被检验的发光元件阵列芯片施加信号，并且在第256个转移元件T256操作时，经由检验端子测量电压。如果在检验端子处测量到高电平电压，则被施加信号的发光元件阵列芯片125是正常的，并且如果没有在检验端子处测量到高电平电压，则被施加信号的发光元件阵列芯片125是有缺陷的。

确定发光元件的缺陷的方法与参考图3描述的方法相同。

图23是示出二极管和下拉电阻器2220之间的连接关系的示图。二极管连接在检验端子(Φs_chk)和发光元件阵列芯片125中的每一个的最后的转移元件之间。下拉电阻器2220连接在并联连接至检验端子的二极管之间。当转移元件阵列126正常时，高电平电压被施加在n个端子Φs(1)_chk到Φs(n)_chk。例如，当第一发光元件阵列芯片的转移元件阵列126正常时，开始信号从第一转移元件传递到第256个转移元件，并且当开始信号被传递到第256个转移元件时，高电平电压被施加在端子Φs(1)_chk。当高电平电压被施加在端子Φs(1)_chk时，电流经过连接至Φs(1)_chk的二极管流到下拉电阻器2220。因此，在Φs_chk处测量到高电平电压。

可替换地，当第一发光元件阵列芯片的转移元件阵列126有缺陷时，开始信号的传递在有缺陷的转移元件处停止，并且因此，在开始信号本来应该已经被传递到第256个转移元件的时间点处，低电平电压被传递到Φs(1)_chk(即，电压不被施加)。当Φs(1)_chk接收到低电平电压时，电流不从Φs(1)_chk流到下拉电阻器2220。因此，在Φs_chk处测量到低电平电压。

图24是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图24，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括连接至发光元件阵列的晶体管2410和连接至转移元件阵列的二极管2430。下拉电阻器2420连接至发光元件阵列芯片125的各个晶体管2410，而上拉电阻器2440连接至发光元件阵列芯片125的各个二极管2430。

因为图24的图像形成装置100是图7中示出的图像形成装置100和图12中示出的图像形成装置100的组合，因此，缺陷是通过使用与参考图7和图12描述的方法相同的方法来确定的。

图25是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图25，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括连接至发光元件阵列的晶体管2510和连接至转移元件阵列的晶体管2530。下拉电阻器2520连接至发光元件阵列芯片125的各个晶体管2510，而上拉电阻器2540连接至发光元件阵列芯片125的各个晶体管2530。

因为图25的图像形成装置100是图7中示出的图像形成装置100和图17中示出的图像形成装置100的组合，因此，缺陷是通过使用与参考图7和图17描述的方法相同的方法来确定的。

图26是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图26，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括连接至发光元件阵列的晶体管2610和连接至转移元件阵列的晶体管2630。下拉电阻器2620连接至发光元件阵列芯片125的各个晶体管2610，而下拉电阻器2640连接至发光元件阵列芯片125的各个晶体管2630。

因为图26的图像形成装置100是图7中示出的图像形成装置100和图19中示出的图像形成装置100的组合，因此，缺陷是通过使用与参考图7和图19描述的方法相同的方法来确定的。

图27是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图27，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括连接至发光元件阵列的晶体管2710和连接至转移元件阵列的二极管2730。上拉电阻器2720连接至发光元件阵列芯片125的各个晶体管2710，而上拉电阻器2740连接至发光元件阵列芯片125的各个二极管2730。

因为图27的图像形成装置100是图9中示出的图像形成装置100和图12中示出的图像形成装置100的组合，因此，缺陷是通过使用与参考图9和图12描述的方法相同的方法来确定的。

图28是示出根据示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图28，在图像形成装置100中，发光元件阵列芯片125中的每一个包括连接至发光元件阵列的晶体管2810和连接至转移元件阵列的晶体管2830。上拉电阻器2820连接至发光元件阵列芯片125的各个晶体管2810，而上拉电阻器2840连接至发光元件阵列芯片125的各个晶体管2830。

因为图28的图像形成装置100是图9中示出的图像形成装置100和图17中示出的图像形成装置100的组合，因此，缺陷是通过使用与参考图9和图17描述的方法相同的方法来确定的。

虽然以上未描述，但是检测转移元件是否有缺陷的方法和检测发光元件是否有缺陷的方法的各种组合可以被理解。

图29是示出根据另一个示范性实施例的图像形成装置100的示图。参考图29，控制驱动器110可以包括缓冲器2920和电阻器2910。虽然图3示出了图像形成装置100的缓冲器320和电阻器310连接在控制驱动器110和发光元件阵列芯片125之间，但是图29示出了图像形成装置100的缓冲器2920和电阻器2910被包括在控制驱动器110中。图29的图像形成装置100与图3的图像形成装置100相同，除了控制驱动器110包括缓冲器2920和电阻器2910之外。

虽然图29中未示出，但是控制驱动器110不仅可以包括缓冲器2910，还可以包括比较单元、晶体管、二极管、上拉电阻器、或者下拉电阻器。

如上所述，根据以上示范性实施例中的一个或多个，图像形成装置可以从多个发光元件阵列芯片中确定有缺陷的发光元件阵列芯片。图像形成装置可以确定转移元件或者发光元件是否有缺陷。图像形成装置可以向转移元件或者发光元件施加信号，分析从该转移元件或者发光元件输出的信号的幅度，从而确定有缺陷的发光元件阵列芯片。

这里描述的设备可以包括：处理器；存储器，用于存储程序数据和运行程序数据；永久性存储单元，诸如硬盘驱动；通信端口，用于处理与外部设备的通信；以及用户接口设备，包括触摸板、按键、按钮、等等。当涉及软件模块或算法时，这些软件模块可以作为可在处理器上运行的程序指令或者计算机可读代码而存储在计算机可读介质上。计算机可读记录介质的示例包括磁存储介质(例如，ROM、软盘、或者硬盘)和光记录介质(例如，CD-ROM、或DVD)。计算机可读记录介质还能够分布在网络耦合的计算机系统上，从而计算机可读代码以分布式方式来存储和运行。这个介质可以被计算机读取，存储在存储器中，以及被处理器运行。

本发明构思可以通过功能块组件和各种处理步骤来描述。这样的功能块可以通过被配置为执行指定功能的任意数量的硬件和/或软件组件来实现。例如，本发明构思可以利用可以在一个或多个微处理器或者其它控制设备的控制下执行各种功能的各种集成电路(IC)组件，例如，存储元件、处理元件、逻辑元件、查找表等等。类似地，在使用软件编程或者软件元素来实施元件的情况下，本发明构思可以利用任何编程或者脚本语言(诸如C、C++、Java、汇编语言等等)、利用以数据结构、对象、过程、子程序、或者其它编程元素的任何组合实施的各种算法来实施。功能方面可以以运行在一个或多个处理器上的算法实施。另外，本发明构思可以利用用于电子配置、信号处理和/或控制、数据处理等等的许多传统技术。词语“机制”、“元素”、“装置”、和“配置”被广泛地使用，而不限于机械的或者物理的实施例，而是能够包括结合处理器的软件子程序等等。

这里示出和描述的特定实施例是本发明构思的说明性例子，而不被打算用来以任何方式限制本发明构思的范围。为了简短起见，传统的电子、控制系统、软件开发、和系统的其它功能方面可以不详细描述。另外，所呈现的各个附图中示出的连接线、或者连接器被打算用来表示各种元件之间的示范性功能关系和/或者物理或逻辑耦合。应该注意到，在实践的设备中，可以存在许多替换性或者额外的功能关系、物理连接、或者逻辑连接。

在描述本发明构思的上下文中(尤其是在所附权利要求的上下文中)对术语“一”和“该”以及相似的指示物的使用将被解释为包含单数和复数两者。另外，这里对数值范围的列举仅仅是意图用来充当逐一提及落入该范围的每个分离的值的简写方法，除非这里另有陈述，否则每个分离的值就好像它在这里被逐一地列举一样地合并在本说明书中。并且，这里描述的所有方法的步骤可以以任何合适的次序执行，除非这里另有陈述或者另外被上下文清楚地反驳。本发明构思不限于所描述的步骤次序。对这里提供的任何及所有示例或者示范性语言(例如，“诸如”)的使用，仅仅意图用来更好地阐明本发明构思，而不是对本发明构思的范围加以限制，除非另有声明。对本领域普通技术人员而言，大量的修改和适配将是非常清楚的，而不会脱离精神和范围。

Claims (13)

1.一种图像形成装置，包括：

多个发光元件阵列芯片，包括发光元件阵列和转移元件阵列；以及

控制驱动器，其向所述多个发光元件阵列芯片施加信号；

其中，所述控制驱动器包括测量从所述多个发光元件阵列芯片输出的信号的检验端子，并且

所述控制驱动器通过分析在所述检验端子处测量的信号来确定所述多个发光元件阵列芯片中的任何一个是否有缺陷。

2.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，电阻器连接在所述发光元件阵列的数据信号输入端子和所述发光元件阵列的数据线之间，并且

缓冲器连接在所述检验端子和所述发光元件阵列的数据线之间。

3.如权利要求2所述的图像形成装置，其中，所述控制驱动器向所述数据线施加数据信号，以使得包括在所述发光元件阵列中的所有发光元件发光，并且当响应于所施加的数据信号而在所述检验端子处测量的信号为低时，确定所述发光元件阵列芯片之一有缺陷。

4.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，电阻器连接在所述发光元件阵列的数据信号输入端子和所述发光元件阵列的数据线之间，并且

比较单元连接在检验端子和所述发光元件阵列的数据线之间。

5.如权利要求4所述的图像形成装置，其中，所述比较单元将阈值与从所述数据线测量的电压进行比较，并且向所述检验端子输出比较的结果。

6.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述多个发光元件阵列芯片中的每一个包括连接至所述发光元件阵列的数据线的晶体管，并且

所述晶体管的发射极并联连接，并且所述发射极中的每一个连接至检验端子和下拉电阻器。

7.如权利要求6所述的图像形成装置，其中，所述控制驱动器施加使得包括在第一发光元件阵列芯片中的所有发光元件发光的数据信号，并且施加使得除了第一发光元件阵列芯片之外的发光元件阵列芯片不操作的数据信号，以及

当响应于所述数据信号而在所述检验端子处测量的信号为低时，确定第一发光元件阵列芯片有缺陷。

8.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述多个发光元件阵列芯片中的每一个包括连接至所述发光元件阵列的数据线的晶体管，并且

所述晶体管的集电极并联连接，并且所述集电极中的每一个连接至检验端子和上拉电阻器。

9.如权利要求8所述的图像形成装置，其中，所述控制驱动器施加使得包括在第一发光元件阵列芯片中的所有发光元件发光的数据信号，并且施加使得除了第一发光元件阵列芯片之外的发光元件阵列芯片不操作的数据信号，以及

当响应于所述数据信号而在所述检验端子处测量的信号为高时，确定第一发光元件阵列芯片有缺陷。

10.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，包括在所述转移元件阵列中的最后的转移元件的门极并联连接，并且

所述图像形成装置还包括连接在检验端子和门极之间的上拉电阻器。

11.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述转移元件阵列中的每一个包括二极管，

所述二极管的阴极连接至所述转移元件阵列的最后的二极管的阴极，并且

所述二极管的阳极连接至检验端子和上拉电阻器。

12.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述转移元件阵列中的每一个包括晶体管，

所述晶体管的基极连接至所述转移元件阵列的最后的转移元件的门极，并且

所述晶体管的集电极连接至检验端子和上拉电阻器。

13.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述转移元件阵列中的每一个包括晶体管，

所述晶体管的基极连接至所述转移元件阵列的最后的转移元件的门极，并且

所述晶体管的发射极连接至检验端子和下拉电阻器。