CN105261667B - 一种行波结构光探测器芯片及制备方法 - Google Patents
一种行波结构光探测器芯片及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105261667B CN105261667B CN201510733750.4A CN201510733750A CN105261667B CN 105261667 B CN105261667 B CN 105261667B CN 201510733750 A CN201510733750 A CN 201510733750A CN 105261667 B CN105261667 B CN 105261667B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transmission line
- traveling
- waveguide
- wave structure
- photo detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract description 7
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及一种行波结构光探测器芯片及制备方法，本发明中的行波结构光探测器基于一个宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线的框架，用于收集和传输光电二极管单元产生的射频电磁波信号。在不破坏射频传输线基本电极结构的基础上，将多个光电二极管单元串联加载至射频传输线两侧电介质之间，实现射频信号的相干叠加，增大光探测器的响应度。而光信号的输运则通过两侧多重弯曲的光波导，通过倏逝波耦合的方式馈给至多个光电二极管单元，实现光信号的高效率吸收转化。多重弯曲的光波导实现光程可控，减缓光波导传输群速度以匹配传输线传输相速度，避免了相消干涉导致射频信号的反射，使光探测器的整体带宽不受影响。
Description
技术领域
本发明涉及通信应用高速半导体光电器件领域，涉及一种基于宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线框架的行波结构光探测器及制备方法。
背景技术
依照香农信息理论，在恒定信噪比下，模拟信道的信息容量与电磁波的频带宽度成正比；宽带的探测器对于大幅度提升通信容量具有不可或缺的作用。传统的面入射光探测器，由于宽带的需求，光电二极管的本征吸收层需要尽可能地薄，以减少载流子的渡越对器件的带宽限制。然而，尽可能薄的吸收层弱化了光信号的吸收，使得探测器的响应功率不足，亦即，传统面入射式光探测器面临着带宽和响应度之间的矛盾妥协。为解决这一矛盾，人们推出了行波结构的光探测器，利用多个光电二极管单元协同合作，在不影响单个光电二极管带宽的情况下，通过波导倏逝波耦合吸收，极大地提高了光信号的吸收效率，提升了器件的响应度，并克服了带宽和响应度之间的矛盾。
现今成熟的行波探测器芯片，大多采用一体式的器件结构，即器件的有源和无源结构采用相同的化合物半导体体系，以减少晶格失配导致的芯片机械强度稳定性下降，提高芯片加工的良品率。其中，低掺杂浓度、较低折射率的无源波导层一般位于有源吸收层的下方，一方面保持器件上表面平整，以沉积金属形成共面波导传输线；另一方面，下置式的波导结构有利于高度的片上集成，不同器件单元的功能可通过调整有源层的结构以实现，如光放大、光调制和光电转换等。然而，这种一体式的探测器结构存在一定的局限性，其一体式的材料体系中，有源吸收层的折射率和无源光波导的折射率相近，致使行波探测器中光波导的有效群折射率稍大于共面波导传输线的有效模式系数，亦即电传输线的相速度较大于光能量输运的群速度。
为此，现有的解决速度匹配的方法如通过对射频共面波导传输线进行旋转，减少射频信号的相速度以匹配光信号馈给的速度。传输线的旋转可以实现较好的速度匹配，然而也存在着一定的问题，如光信号波矢与射频信号波矢间存在夹角，影响光电转换的效率。而且，旋转的传输线布局混乱，不利于片上的高度集成。除此之外，也有通过增大共面波导传输线的特性阻抗的方式，由此增大传输线的有效模式系数以解决电光速度失配问题；然而增大射频传输线的阻抗不利于射频信号的传输，阻抗失配导致的信号反射降低了器件的响应度。
为解决一体式的行波探测器的局限性，本发明采取异质集成的方式，将低折射率的硅基波导置于化合物半导体吸收层的上方，一方面得益于硅基波导更低的折射率，光的群速度大于射频共面波导传输线的相速度，而本发明创新性地利用共面波导传输线的间隙，通过精确可控的弯曲光波导来实现电光的速度匹配，同时避免了射频传输线布局的混乱；另一方面得益于CMOS硅基工艺的成熟与稳定，降低芯片的研制成本，具有较大的市场潜力。
发明内容
本发明首先提供一种基于宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线框架的行波结构光探测器芯片。
本发明还提供了一种行波结构光探测器芯片的制备方法。
本发明的技术方案如下：
一种基于宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线框架的行波结构光探测器芯片，在传输线两侧电介质之间加载多个光电二极管单元，并在传输线两侧间隙中，采用具有光程可控的多重弯曲光波导的进行光信号馈给。
优选的，共面波导传输线的信号线宽度和间隙的宽度均在5微米至100微米之间。
优选的，光电二极管单元的结面积在20至800平方微米之间。
优选的，通过两侧多重弯曲光波导实现光电二极管单元的光信号馈给；两侧多重弯曲波导的单周期内弯曲次数为1至6次，直线延伸段的长度可调。
优选的，光波导与光电二极管单元之间设有介质缓冲层，介质缓冲层的厚度在500至3000纳米之间；介质的材料是折射率小于光波导的介质材料，如二氧化硅等；
一种行波结构光探测器芯片的制备方法，包括：
a) 在半导体芯片衬底上依次外延生长n型、i型、p型不同电性的半导体层；
b) 依次对p型、i型、n型外延层进行掩膜生长、图形产生、台阶刻蚀，得到阶梯状的光电二极管单元；
c) 在光电二极管单元上依次沉积介质缓冲层和光学波导层；
d) 依次对光学波导层和介质缓冲层进行掩膜生长、图形产生、台阶刻蚀，得到光波导；介质缓冲层上开口也为金属电极蒸镀做准备；
e) 金属蒸镀，形成共面波导传输线。
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：本发明中的行波结构光探测器基于一个宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线的框架，用于收集和传输光电二极管单元产生的射频电磁波信号。在不破坏射频传输线基本电极结构的基础上，将多个光电二极管单元串联加载至射频传输线两侧电介质之间，实现射频信号的相干叠加，增大光探测器的响应度。而光信号的输运则通过两侧多重弯曲的光波导，通过倏逝波耦合的方式馈给至多个光电二极管单元，实现光信号的高效率吸收转化。多重弯曲的光波导实现光程可控，减缓光波导传输群速度以匹配传输线传输相速度，避免了相消干涉导致射频信号的反射，使光探测器的整体带宽不受影响。该探测器芯片具有高速宽带、高响应度、易加工、易于集成的特点，具有高度的应用前景。
附图说明
图1（a）为本发明探测器芯片的整体结构图，图1（b）为对应截面示意图。
图2为本发明中弯曲波导示意图。
图3为本发明探测器芯片的制备方法流程示意图。
具体实施方式
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；
对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
图1（a）为本发明探测器芯片的整体结构图，图1（b）为对应截面示意图，其中1为光波导，2为金属电极，3为介质缓冲层，4为芯片衬底，5为光电二极管单元。
图2为本发明中弯曲波导示意图，是通过光波导1的直波导部分6实现光程调节。
本发明的目的是提供一种宽带、高响应度的行波结构光探测器芯片的结构设计（图1和图2）及制备方法（图3），该方法有望在兼容传统CMOS微加工技术的基础上，较低成本地实现宽带、高响应度光探测器芯片的制作与加工。
本发明提出的行波结构光探测器芯片，基于一个宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线框架，使得探测器可以顺利地传输射频信号，减少了由于阻抗失配导致的射频信号反射，增大了输出的射频信号功率。
本发明所提出的行波结构光探测器芯片，在不破坏射频传输线基本结构框架的基础上，多个（一般为两个以上）光电二极管单元以串联形式加载至传输线两侧的电介质中，通过多光电二极管单元的协作，实现射频信号的相干叠加，增大光探测器的响应度。
本发明所提出的行波结构光探测器芯片，其光信号的输运通过两侧多重弯曲的光波导，经由倏逝波耦合的方式馈给至多个光电二极管单元，通过多个光电二极管单元的逐级吸收，实现高效率的光电转化。
本发明所提出额行波结构光探测器，其两侧多重弯曲的光波导实现光程可控，从而调控沿传输线方向的光的群速度，以匹配传输线上射频电磁波的相速度，避免了相消干涉导致的射频信号反射，使得光探测器的整体带宽不受影响。
本发明是基于一个宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线框架的行波结构光探测器芯片。在上述光探测器的共面波导传输线的基础上，在传输线两侧的间隙中，以串联形式加载多个（一般为两个以上）光电二极管单元（图1）。且上述的多个光电二极管，是通过两侧多重弯曲的光波导，经由倏逝波耦合的方式实现光信号的馈给，且多重弯曲光波导的光程可控（图2）。
如图3所示，为本发明探测器芯片的制备方法流程示意图，具体工艺步骤如下：
a) 在半导体芯片衬底4上依次外延生长n型、i型、p型等不同电性的半导体层。
b) 依次对p型、i型、n型外延层进行掩膜生长、图形产生、台阶刻蚀，得到阶梯状的光电二极管单元5。
c) 在光电二极管单元5上依次沉积介质缓冲层3和光学波导层。
d) 依次对光学波导层和介质缓冲层3进行掩膜生长、图形产生、台阶刻蚀，得到光波导1；介质缓冲层3上开口也为金属电极2蒸镀做准备。
e) 金属蒸镀，形成共面波导传输线。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种基于宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线框架的行波结构光探测器芯片，其特征是，在传输线两侧电介质之间加载多个光电二极管单元，并在传输线两侧间隙中，采用具有光程可控的多重弯曲光波导进行光信号馈给。
2.根据权利要求1所述的行波结构光探测器芯片，其特征是，共面波导传输线中的信号线宽度和间隙的宽度均在5微米至100微米之间。
3.根据权利要求1所述的行波结构光探测器芯片，其特征是，单个光电二极管单元的结面积在20至800平方微米之间。
4.根据权利要求1所述的行波结构光探测器芯片，其特征是，通过两侧多重弯曲光波导实现光电二极管单元的光信号馈给；两侧多重弯曲波导的单周期内弯曲次数为1至6次，直线延伸段的长度可调。
5.根据权利要求1所述的行波结构光探测器芯片，其特征是，光波导与光电二极管单元之间设有介质缓冲层，介质缓冲层的厚度在500至3000纳米之间；介质的材料是折射率小于光波导的介质材料。
6.一种权利要求1-5任一项所述基于宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线框架的行波结构光探测器芯片的制备方法，其特征是，包括：
a) 在半导体芯片衬底上依次外延生长n型、i型、p型不同电性的半导体层；
b) 依次对p型、i型、n型外延层进行掩膜生长、图形产生、台阶刻蚀，得到阶梯状的光电二极管单元；
c) 在光电二极管单元上依次沉积介质缓冲层和光学波导层；
d) 依次对光学波导层和介质缓冲层进行掩膜生长、图形产生、台阶刻蚀，得到光波导；介质缓冲层上开口为金属电极蒸镀做准备；
e) 金属蒸镀，形成共面波导传输线；
且在传输线两侧电介质之间加载多个光电二极管单元，并在传输线两侧间隙中，采用具有光程可控的多重弯曲光波导进行光信号馈给。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510733750.4A CN105261667B (zh) | 2015-10-30 | 2015-10-30 | 一种行波结构光探测器芯片及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510733750.4A CN105261667B (zh) | 2015-10-30 | 2015-10-30 | 一种行波结构光探测器芯片及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105261667A CN105261667A (zh) | 2016-01-20 |
| CN105261667B true CN105261667B (zh) | 2017-09-26 |
Family
ID=55101255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510733750.4A Active CN105261667B (zh) | 2015-10-30 | 2015-10-30 | 一种行波结构光探测器芯片及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105261667B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106549024A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-03-29 | 中山大学 | 一种集成耦合偏振处理的行波光电探测器 |
| CN107942444A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-04-20 | 中山大学 | 一种三维集成光子芯片的层间耦合器 |
| US10802213B2 (en) | 2018-12-27 | 2020-10-13 | Juniper Networks, Inc. | Photodetector with sequential asymmetric-width waveguides |
| CN110364590B (zh) * | 2019-07-09 | 2024-05-10 | 武汉光谷量子技术有限公司 | 一种高增益带宽积的光探测器及其制造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4318981B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2009-08-26 | 三菱電機株式会社 | 導波路型受光素子 |
| CN101614843B (zh) * | 2008-06-25 | 2010-12-08 | 中国科学院半导体研究所 | 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法 |
| JP4782213B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2011-09-28 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路デバイス |
| SG172511A1 (en) * | 2010-01-04 | 2011-07-28 | Sony Corp | A waveguide |
| CN103646997B (zh) * | 2013-12-13 | 2015-11-11 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法 |
| CN104681634B (zh) * | 2015-01-22 | 2018-07-31 | 北京工业大学 | 一种波导耦合型吸收倍增分离雪崩二极管 |
-
2015
- 2015-10-30 CN CN201510733750.4A patent/CN105261667B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105261667A (zh) | 2016-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105261667B (zh) | 一种行波结构光探测器芯片及制备方法 | |
| US9978890B1 (en) | Germanium multi-directional detector | |
| CN105679875B (zh) | 一种波导集成的硅基单光子探测器 | |
| JP3826129B2 (ja) | アバランシェ光検出器 | |
| JP5981086B2 (ja) | 光検出器 | |
| CN105789366B (zh) | 一种硅基混合集成雪崩光电探测器 | |
| CN109786497B (zh) | 单行载流子光电探测器 | |
| CN111211181B (zh) | 一种波导型光电探测器及其制造方法 | |
| CN110896112B (zh) | 波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法 | |
| US20220350090A1 (en) | Photodetector with resonant waveguide structure | |
| JP3477147B2 (ja) | 高パワーで大きいバンド幅の進行波光検出噐 | |
| WO2022041550A1 (zh) | 一种雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| CN109461787A (zh) | 光栅垂直耦合型插指光电探测器 | |
| CN110729373B (zh) | 基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法 | |
| CN111211182A (zh) | 一种波导型光电探测器及其制造方法 | |
| CN109378707A (zh) | 一种硅基可调谐激光器 | |
| CN109075219A (zh) | 光波导集成光接收元件及其制造方法 | |
| CN105428998B (zh) | 外腔窄线宽激光器 | |
| US9406832B2 (en) | Waveguide-coupled MSM-type photodiode | |
| WO2021124441A1 (ja) | 受光デバイス | |
| CN110112250A (zh) | 石墨烯光-电探测器及其制备方法 | |
| CN207369045U (zh) | 一种光接收机 | |
| CN107946383A (zh) | 一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器 | |
| CN106684705A (zh) | 一种基于载流子诱导波导光栅的硅基可调谐激光器 | |
| CN114220881B (zh) | 光电探测器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |