CN105236348A

CN105236348A - 基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法

Info

Publication number: CN105236348A
Application number: CN201510618985.9A
Authority: CN
Inventors: 马晶晶; 欧文; 罗九斌
Original assignee: Jiangsu IoT Research and Development Center
Current assignee: China core Microelectronics Technology Chengdu Co.,Ltd.
Priority date: 2015-09-24
Filing date: 2015-09-24
Publication date: 2016-01-13
Anticipated expiration: 2035-09-24
Also published as: CN105236348B

Abstract

本发明公开了一种基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，该方法以绝缘层上硅晶圆为载体，通过双面光刻、深孔刻蚀，表面旋涂和共晶键合等技术，将晶圆上温度传感器芯片的真空封装和湿度、压力传感器芯片的防尘、防化学粘附的开放式封装整合成一套工艺。其中以绝缘层上硅晶圆的顶层硅作为刻蚀载体制备分子筛用作湿度和压力传感器封装窗口，以阻挡空气中大尺寸的杂质颗粒。通过表面改性技术，将聚四氟乙烯薄膜覆盖于硅分子筛表面进行疏水处理，有效提高表面的抗粘附性能。采用该封装技术的微机电气体传感器，不仅可以应用于复杂化学杂质环境，实现精确的工业过程监测，同时还具有显著的价格和体积优势，适合产业化批量生产。

Description

基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法

技术领域

本发明属于微机电系统（MEMS）制造技术领域，具体涉及到一种温度、湿度和压力多参数微传感器的防尘、防化学杂质粘附的晶圆级封装技术。

背景技术

随着现代工业迈向4.0时代，过程控制在生产中扮演着越来越重要的角色。通常，为了确保生产过程处于受控状态，对直接或间接影响产品质量的参数如温度、湿度、压力、流量、液位、成分、浓度等进行实时检测和控制，使之接近给定值或保持在给定范围内。通过对过程参数的控制，可提高生产效率、减少能耗、降低污染等。然而对于化工、石油、金属冶炼等行业，由于其工作环境存在复杂的化学物质，如粉尘、漆雾、油污、强酸强碱等，容易导致用于检测的传感器表面沾污或“中毒”失效。作为传感器的重要成员，微机电系统（MEMS）气体传感器由于其先天的成本优势和体积优势，已经被广泛的应用于大消费领域。典型的MEMS气体传感器如工业用温度、湿度、压力传感器或消防用甲烷、氢气、二氧化碳、一氧化碳等都是基于成熟的硅加工工艺。然而，对于工业或消防用气体传感器，其气体检测功能只是其中一部分，更重要的是传感器保护，即防止传感器芯片的失效或损坏。因此，为了将MEMS气体传感器应用范围拓展至以上复杂化学环境并保持其成本优势，低成本的保护性封装技术显得尤为重要。对于传感器的保护封装，目前业界主流的方式是采用系统级封装，即将传感器及其电路系统用带有窗口的管壳密闭封装。这一封装方式可以较好的保护整个传感器系统免受外界干扰，但其封装成本较高且体积较大，无法体现MEMS传感器相对传统传感器的优势。在MEMS封装领域，晶圆级封装凭借其低成本和高产出量等优势，已经成为目前最重要发展最快的封装技术。如果能将晶圆级封装和防尘、防沾污的选择性透过技术相结合应用于MEMS气体传感器制造，必将为其应用打开更广阔的空间。鉴于目前尚未有MEMS器件的防尘、防化学物质沾污晶圆级封装相关报道，本发明首次提出一种基于多孔硅分子筛和高分子聚四氟乙烯复合薄膜的温度、湿度和压力复合传感器的晶圆级封装技术。其中多孔硅用于化学杂质的选择性透过，起分子筛的作用；高分子聚四氟乙烯（PTFE）薄膜用于降低传感器表面的张力，起到表面疏水、疏油的抗粘附作用。采用该封装技术的MEMS传感器，不仅可以应用于复杂的化学杂质环境，实现精确的工业过程监测，同时还具有价格和体积优势，适合产业化批量生产。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于绝缘层上硅的温度、湿度和压力多参数微机电传感器的晶圆级真空封装方法，该封装方法具有出色的防尘、防化学物质粘附性能，适用于油漆喷涂、石油化工、金属冶炼等复杂化学环境。该技术与现有的硅加工技术兼容，拓展了MEMS气体传感器的应用领域，同时大大降低了制造成本。

按照本发明提供的技术方案，所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，选择双面抛光的SOI圆片，在其上下表面依次制备氧化硅薄膜和氮化硅薄膜作为后道光刻的硬掩膜；然后在SOI晶圆的上下表面进行双面光刻和刻蚀工艺，其中，在SOI晶圆上表面以顶层硅为载体，刻蚀形成硅分子筛，在SOI晶圆下表面以体硅为载体，刻蚀形成传感器腔体；湿法腐蚀去除上下表面的氧化硅和氮化硅，形成封帽晶圆；在顶层硅分子筛表面通过旋涂工艺或蒸镀工艺，制备一层与硅分子筛的孔隙相对应的PTFE薄膜；最后使用共晶键合工艺，将封帽晶圆和芯片晶圆对准键合完成封装。

所述SOI圆片的规格通常选取顶层硅厚度为50~100um。

所述氧化硅薄膜采用热氧化方法沉积，选取厚度为110~300A。所述氮化硅薄膜采用低压化学气相沉积方法制备，厚度选为1500~3000A。

所述硅分子筛的具体制备方法是：在SOI圆片正面的第一氮化硅薄膜（5）表面通过光刻技术定义多孔图案；通过干法刻蚀技术，将光刻胶定义的多孔图案下的氮化硅和氧化硅去除，形成多孔氮化硅氧化硅硬掩膜；SOI圆片顶层硅（3）的刻蚀采用标准的Bosch气体交换刻蚀工艺，并用O₂气清理刻蚀有机残留物，在硬掩膜未覆盖的地方刻蚀出硅深孔，形成多孔硅。其中，所述氮化硅和氧化硅的刻蚀采用CF₄和CHF₃混合气体，根据具体刻蚀速率增加20%~30%的过刻蚀量；所述Bosch气体交换刻蚀的主刻蚀气体是SF₆和C4F₈混合气体，多孔硅的孔径控制在0.5~10um。

在SOI圆片背面制备所述传感器腔体的方法包括：a、在SOI圆片背面的第二氮化硅薄膜（7）表面，通过光刻技术定义温度传感器的腔体图案；通过干法刻蚀工艺将光刻胶定义的图案下的氮化硅和氧化硅去除，露出SOI圆片背面的体硅（1），形成氮化硅氧化硅硬掩膜；再采用标准的Bosch气体交换刻蚀工艺将硬掩膜暴露出的体硅（1）去除，露出体硅（1）上层的埋层氧化硅（2），从而形成温度传感器腔体（9）；b、在SOI圆片背面的第二氮化硅薄膜（7）表面，通过光刻技术定义湿度和压力传感器的腔体图案；通过干法刻蚀工艺将光刻胶定义的图案下的氮化硅和氧化硅去除，露出SOI圆片背面的体硅（1），形成氮化硅氧化硅硬掩膜；再采用标准的Bosch气体交换刻蚀工艺去除硬掩膜暴露出的体硅（1）和埋层氧化硅（2），形成压力传感器腔体（10）、湿度传感器腔体（11）以及分子筛窗口。其中，所述氮化硅和氧化硅的刻蚀采用CF₄和CHF₃混合气体，通过终点检测技术实现刻蚀的自停止；刻蚀体硅（1）和埋层氧化硅（2）的步骤包括：第一步利用SF₆和C₄F₈混合气体刻蚀体硅（1），第二步利用CF₄和CHF₃混合气体刻蚀埋层氧化硅（2），最后用O₂气清除刻蚀留下的有机残留物；每一步刻蚀都增加20%~30%的过刻蚀量。

制备所述PTFE薄膜所用材料是杜邦公司的TE-3893特氟龙乳液，质量分数是60%，旋涂制备PTFE薄膜之前以1:5的比例进行稀释；PTFE薄膜的制备选择旋涂法，或选择包括物理气相沉积、化学气相沉积在内的镀膜技术。

按照上述方法，通过在SOI晶圆背面多次刻蚀制作传感器腔体，能够形成不同类型、不同尺寸、不同数量MEMS传感器的真空、气密或开放式封装腔体。

本发明具有以下优点：

1.将选择性透过技术和表面改性技术相结合，创造性的在硅分子筛上制备抗粘附薄膜，该复合薄膜不仅能有效过滤大分子化学颗粒，还具有优异的疏水、疏油特性。

2.将传统的系统级封装和先进的晶圆级封装技术结合，将大尺寸、高成本的系统封装替换为晶圆上芯片的批量封装，不仅提高了封装效率，而且大大降低了封装成本。

3.同时实现温度传感器的真空封装和压力、湿度传感器的开放式封装，为多参数传感器的集成制造和封装提供工艺基础。

4.旋涂法制备的PTFE多孔薄膜厚度均匀，通孔率高，附着力高且具有成本优势。

5.整套封装工艺跟MEMS加工工艺兼容，可以整合进MEMS生产线，实现产业化批量生产。

6.采用共晶键合的真空封装技术，工艺温度低，可以有效保护传感器芯片和管壳表面的PTFE薄膜。

附图说明

图1为本发明提供的MEMS传感器晶圆级真空封装工艺流程图.

图2为本发明所采用的SOI晶圆的结构示意图。

图3为在SOI衬底晶圆的双面沉积氧化硅和氮化硅后的剖视图。

图4为正面光刻和深孔刻蚀工艺后圆片上多孔硅的剖视图。

图5为背面光刻和刻蚀工艺后形成的温度传感器腔体剖视图。

图6为背面二次光刻和刻蚀后形成的温度、压力和湿度腔体的剖视图。

图7为湿法腐蚀去除表面氮化硅和氧化硅后的封帽晶圆的结构图。

图8为多孔硅表面制备PTFE薄膜后的剖视图。

图9为晶圆键合工艺中对准步骤示意图。

图10为共晶键合后形成的MEMS传感器封装结构剖视图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

本发明的方法由硅分子筛的制备、封装腔体的形成和金-硅共晶键合三部分组成。其中硅分子筛是通过深孔刻蚀制备的，通过控制分子筛孔径来选择可以透过的颗粒的大小，起到阻挡大分子，通过小分子的选择作用。为了解决硅分子筛表面易粘附灰尘、水汽、油污等化学物质，从而引起分子筛堵塞的问题，本发明对硅分子筛表面进行改性处理，即制备一层疏水、疏油的高分子有机聚合物薄膜——聚四氟乙烯薄膜（PTFE）。该PTFE薄膜不仅具有极小的表面张力和优异的抗腐蚀性能，而且制备工艺简单，可以方便地旋涂或蒸镀在硅分子筛的孔隙上，从而允许传感器与所测环境气体充分接触并保持表面洁净。

本发明选择双面抛光的SOI圆片，在其上下表面制备氧化硅和氮化硅薄膜作为硬掩膜。在SOI晶圆的上下表面进行双面光刻和刻蚀工艺，其上表面以顶层硅为载体，刻蚀形成硅分子筛；其下表面以体硅为载体，刻蚀形成传感器封装腔体。在顶层硅分子筛表面通过旋涂工艺或蒸镀工艺，制备一层与硅分子筛的孔隙相对应的PTFE薄膜，以达到分子筛表面疏水、疏油的目的。最后选择共晶键合工艺，完成封帽晶圆和芯片晶圆的封装。

图1是本发明提供的基于绝缘层上硅的温湿压单芯片MEMS传感器的圆片级真空封装方法流程图，该方法包括：

步骤1：在双面抛光的SOI圆片上下表面分别依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜；

步骤2：正面光刻，在氧化硅/氮化硅掩膜上定义多孔硅图案；

步骤3：正面刻蚀，去除图案下暴露的绝缘层上硅，形成表面多孔硅结构；

步骤4：背面光刻，在氧化硅/氮化硅掩膜上定义温度传感器腔体图案；

步骤5：背面刻蚀，去除图案下暴露的体硅，形成温度传感器密闭腔体；

步骤6：背面二次光刻，在氧化硅/氮化硅掩膜上定义湿度和压力传感器腔体图案；

步骤7：背面二次刻蚀，去除暴露的体硅和埋层氧化硅，形成湿度、压力传感器开放腔体和窗口；

步骤8：湿法腐蚀去除表面氧化硅/氮化硅，形成温湿压传感器封帽晶圆；

步骤9：旋涂法（或蒸镀法）在封帽晶圆多孔硅表面制备PTFE薄膜，形成表面抗粘附层；

步骤10：真空环境下通过金-硅共晶键合实现封帽晶圆和芯片晶圆的真空封装（其中温度传感器真空封装，湿度和压力传感器开放式封装）。

上述方案中，通过SOI晶圆背面多次刻蚀，可以形成不同类型、不同尺寸、不同数量MEMS传感器的真空、气密或开放式封装腔体。

所述SOI圆片的规格选择取决于所需制备硅分子筛的厚度，根据应用环境不同，通常选取顶层硅厚度为50~100um。

所述氧化硅和氮化硅的制备之前需对SOI晶圆进行清洗，清洗化学试剂为SPM，HF溶液和APM组合。

所述氧化硅是采用热氧化方法沉积的，用于缓解下层硅和上层氮化硅之间的应力，通常选取厚度为110~300A。

所述氮化硅是采用低压化学气相沉积方法制备的，以用作深硅刻蚀和体硅刻蚀工艺中的掩膜，其厚度取决于刻蚀硅的深度，通常选为1500~3000A。

所述双面光刻和刻蚀工艺，是指在SOI晶圆正面和反面分别进行图形化定义和刻蚀，将特定的图形转移到正面的顶层硅和背面的体硅上。正面刻蚀多孔硅和背面刻蚀体硅所用的气体都是SF₆和C₄F₈混合气体。

硅分子筛的孔径根据气体传感器的应用环境而定，通常选为0.5~10um。

以下是一个具体实施例。

图2至图10是依照本发明实施例的用于油漆喷涂房的MEMS温湿压传感器防尘、防粘附晶圆级封装的工艺流程，具体如下:

(1)如图2所示，选取双面抛光的SOI晶圆，其中底层体硅1厚度为400um，埋层氧化硅2厚度为150um，顶层硅3’厚度为50um。所述SOI晶圆在沉积薄膜之前需要进行如下三步清洗以去除表面颗粒和有机沾污：第一步采用SPM（浓硫酸+双氧水）清洗600秒，第二步在1:50的氢氟酸溶液中清洗88秒，第三部在APM（NH₄OH:H₂O₂:H₂O=1:2:10）中50℃清洗600秒。

(2)通过热氧化方法在SOI晶圆正面和背面分别制备第一、第二氧化硅薄膜4，6，用以缓冲外层氮化硅和内层硅衬底之间的应力，其厚度为150A。

(3)如图3所示，通过低压化学气相沉积方法在所述第一氧化硅薄膜4表面沉积第一氮化硅薄膜5，在所述第二氧化硅薄膜6表面沉积第二氮化硅薄膜7，第一、第二氮化硅薄膜5，7的厚度为2250A，用作多孔硅和腔体刻蚀的硬掩膜。

（4）在第一氮化硅薄膜5表面通过涂胶、曝光、显影等光刻技术定义多孔图案。通过调节曝光能量或定制不同规格光刻版，可以灵活调节多孔图案的孔径和孔隙大小。

（5）如图4所示，通过干法刻蚀技术，将光刻胶定义的多孔图案下的氮化硅和氧化硅去除，形成多孔氮化硅/氧化硅硬掩膜，用于后道的硅深孔刻蚀工艺。氮化硅/氧化硅的刻蚀是采用CF₄和CHF₃混合气体，根据具体刻蚀速率增加20~30%的过刻蚀。

（6）绝缘层上硅3’的刻蚀采用标准的Bosch气体交换刻蚀工艺，该工艺常用于高深宽比的深孔刻蚀。其主刻蚀气体是SF₆和C4F₈混合气体，并用O₂气清理刻蚀有机残留物。刻蚀形成硅分子筛的孔径8控制在5um左右，与油漆喷涂房中漆雾分子尺寸相当。

（7）在第二氮化硅薄膜7表面，通过涂胶、曝光、显影等光刻技术定义温度传感器的腔体图案。

（8）如图5所示，通过干法刻蚀工艺将光刻胶图案下的氮化硅和氧化硅去除，露出体硅1，所用刻蚀气体是CF₄和CHF₃，刻蚀采用终点检测自停止技术。

（9）同步骤（6），利用Bosch刻蚀工艺，将氮化硅/氧化硅掩膜暴露出的体硅1去除，露出上层埋层氧化硅2，从而形成温度传感器腔体9。

（10）同步骤（7），通过光刻工艺在氮化硅7表面定义湿度和压力传感器的腔体图案。

（11）同步骤（8），通过干法刻蚀技术去除光刻胶图形下的氮化硅和氧化硅，形成氮化硅/氧化硅硬掩膜，所用刻蚀气体是CF₄和CHF₃。

（12）如图6所示，利用Bosch刻蚀工艺去除氮化硅/氧化硅硬掩膜暴露出的体硅1和埋层氧化硅2，形成压力传感器腔体10、湿度传感器腔体11以及分子筛窗口（孔12）。该刻蚀工艺可分为三步：第一步利用SF₆和C₄F₈刻蚀体硅1，第二步利用CF₄和CHF₃刻蚀埋层氧化硅2，最后用O₂清除刻蚀留下的有机残留物。每一步刻蚀都增加20~30%的过刻蚀量，并通过终点检测技术实现刻蚀的自停止。

（13）如图7所示，通过湿法腐蚀工艺，去除晶圆上下表面的氮化硅和氧化硅，该腐蚀工艺主要分为两步：第一步利用85%的磷酸溶液在160℃下漂洗120min，以剥离上下表面的氮化硅；第二步利用HF溶液和NH₄F溶液的混合液漂洗以剥离上下表面的氧化硅。所形成的湿度和压力传感器分子筛窗口孔径约5um，孔隙约10um。

（14）如图8所示，在硅分子筛3表面利用旋涂法制备聚四氟乙烯（PTFE）薄膜14，为了给湿度传感器腔体提供空气交换窗口，要求所制备PTFE薄膜14只覆盖在孔隙13上，以确保孔12不被堵塞。

制备所述PTFE薄膜所用材料是杜邦公司的TE-3893特氟龙乳液。PTFE薄膜的制备可以选择旋涂法，也可以选择物理气相沉积，化学气相沉积等镀膜技术。

旋涂法制备PTFE工艺，采用60%质量分数的PTFE乳液通过去离子水1:5稀释后，滴定在匀胶机上的晶圆上。匀胶机的转速设为1000~3000r/min，旋涂时间50~60s，然后将晶圆放入电热恒温鼓风干燥箱中，烘烤固化温度150~200℃，时间60~80min。

（15）如图9所示，将封帽晶圆和芯片母片16放入光学对准机中完成对准进行共晶键合，其中湿度和压力传感器芯片对应带有分子筛窗口的开放腔体，温度传感器芯片对应密闭的真空腔体，结果如图10所示。共晶键合针对不同的金属焊料15，选择的键合温度为100~300℃，键合压力10~30kN，键合时间30~120min。

实施例中键合工艺采用Au-Si共晶键合，键合压力位10kN，键合时间为60min，键合温度为280℃。

以上可以看到，本发明所述方法以绝缘层上硅晶圆为载体，通过双面光刻、深孔刻蚀，表面旋涂和共晶键合等技术，将晶圆上温度传感器芯片的真空封装和湿度、压力传感器芯片的防尘、防化学粘附的开放式封装整合成一套工艺。其中以绝缘层上硅晶圆的顶层硅作为刻蚀载体制备分子筛用作湿度和压力传感器窗口，以阻挡空气中大尺寸的杂质颗粒。通过表面改性技术，将聚四氟乙烯薄膜覆盖于硅分子筛表面进行疏水处理，有效提高表面的抗粘附性能。采用该封装技术的MEMS气体传感器，不仅可以应用于复杂化学杂质环境，实现精确的工业过程监测，同时还具有显著的价格和体积优势，适合产业化批量生产。

Claims

1.基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征是，选择双面抛光的SOI圆片，在其上下表面依次制备氧化硅薄膜和氮化硅薄膜作为后道光刻的硬掩膜；然后在SOI晶圆的上下表面进行双面光刻和刻蚀工艺，其中，在SOI晶圆上表面以顶层硅为载体，刻蚀形成硅分子筛，在SOI晶圆下表面以体硅为载体，刻蚀形成传感器腔体；湿法腐蚀去除上下表面的氧化硅和氮化硅，形成封帽晶圆；在顶层硅分子筛表面通过旋涂工艺或蒸镀工艺，制备一层与硅分子筛的孔隙相对应的PTFE薄膜；最后使用共晶键合工艺，将封帽晶圆和芯片晶圆对准键合完成封装。

2.根据权利要求1所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，所述SOI圆片的规格选取顶层硅厚度为50~100um。

3.根据权利要求1所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜采用热氧化方法沉积，选取厚度为110~300A。

4.根据权利要求1所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜采用低压化学气相沉积方法制备，厚度选为1500~3000A。

5.根据权利要求1所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，所述硅分子筛的制备方法是：在SOI圆片正面的第一氮化硅薄膜（5）表面通过光刻技术定义多孔图案；通过干法刻蚀技术，将光刻胶定义的多孔图案下的氮化硅和氧化硅去除，形成多孔氮化硅氧化硅硬掩膜；SOI圆片顶层硅（3）的刻蚀采用标准的Bosch气体交换刻蚀工艺，并用O₂气清理刻蚀有机残留物，在硬掩膜未覆盖的地方刻蚀出硅深孔，形成多孔硅。

6.根据权利要求5所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，所述氮化硅和氧化硅的刻蚀采用CF₄和CHF₃混合气体，根据具体刻蚀速率增加20%~30%的过刻蚀量；所述Bosch气体交换刻蚀的主刻蚀气体是SF₆和C4F₈混合气体，多孔硅的孔径控制在0.5~10um。

7.根据权利要求1所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，在SOI圆片背面制备所述传感器腔体的方法包括：a、在SOI圆片背面的第二氮化硅薄膜（7）表面，通过光刻技术定义温度传感器的腔体图案；通过干法刻蚀工艺将光刻胶定义的图案下的氮化硅和氧化硅去除，露出SOI圆片背面的体硅（1），形成氮化硅氧化硅硬掩膜；再采用标准的Bosch气体交换刻蚀工艺将硬掩膜暴露出的体硅（1）去除，露出体硅（1）上层的埋层氧化硅（2），从而形成温度传感器腔体（9）；b、在SOI圆片背面的第二氮化硅薄膜（7）表面，通过光刻技术定义湿度和压力传感器的腔体图案；通过干法刻蚀工艺将光刻胶定义的图案下的氮化硅和氧化硅去除，露出SOI圆片背面的体硅（1），形成氮化硅氧化硅硬掩膜；再采用标准的Bosch气体交换刻蚀工艺去除硬掩膜暴露出的体硅（1）和埋层氧化硅（2），形成压力传感器腔体（10）、湿度传感器腔体（11）以及分子筛窗口。

8.根据权利要求7所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，所述氮化硅和氧化硅的刻蚀采用CF₄和CHF₃混合气体，通过终点检测技术实现刻蚀的自停止；刻蚀体硅（1）和埋层氧化硅（2）的步骤包括：第一步利用SF₆和C₄F₈混合气体刻蚀体硅（1），第二步利用CF₄和CHF₃混合气体刻蚀埋层氧化硅（2），最后用O₂气清除刻蚀留下的有机残留物；每一步刻蚀都增加20%~30%的过刻蚀量。

9.根据权利要求1所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，制备所述PTFE薄膜所用材料是杜邦公司的TE-3893特氟龙乳液，质量分数是60%，旋涂制备PTFE薄膜之前以1:5的比例进行稀释；PTFE薄膜的制备选择旋涂法，或选择包括物理气相沉积、化学气相沉积在内的镀膜技术。

10.根据权利要求1所述基于硅分子筛和聚四氟乙烯复合薄膜的晶圆级封装方法，其特征在于，通过在SOI晶圆背面多次刻蚀制作传感器腔体，能够形成不同类型、不同尺寸、不同数量MEMS传感器的真空、气密或开放式封装腔体。