CN105190403B - 提高imod的色彩性能 - Google Patents

Abstract

本发明提供用于制作和控制单镜干涉式调制器IMOD的系统、方法和设备，其包含编码于计算机存储媒体上的计算机程序，所述单镜干涉式调制器可为多状态IMOD或模拟IMOD。在一个方面中，IMOD的可移动反射体堆叠或吸收体堆叠可包含至少一个突出部，所述至少一个突出部经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于吸收体层倾斜。所述突出部可经配置以在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。所述吸收体堆叠可包含吸收体层，所述吸收体层具有在红色波长处的较低消光系数值和在蓝色波长处的较高消光系数值。

Description

提高IMOD的色彩性能

优先权主张

本申请案主张标题为“提高IMOD的色彩性能(IMPROVING COLOR PERFORMANCE OFIMODS)”且于2013年3月13日申请的第13/801,134号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及机电系统和装置，且更特定而言涉及用于实施反射显示装置的机电系统。

背景技术

机电系统(EMS)包含多个装置，其具有电及机械元件、激活器、换能器、传感器、例如镜面及光学膜等光学组件及电子器件。EMS装置或元件可以多种尺度制造，包含(但不限于)微尺度及纳米尺度。举例来说，微机电系统(MEMS)装置可包含大小在约一微米到数百微米或以上的范围内的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含大小小于一微米(包含例如小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电及机电装置的其它微机械加工工艺来形成机电元件。

一种类型的EMS装置被称作干涉式调制器(IMOD)。术语IMOD或干涉光调制器是指使用光学干涉吸收的原理选择性地吸收和/或反射光的装置。在一些实施方案中，IMOD显示元件可包含一对导电板，所述导电板中的一者具有高反射率且一者是部分吸收性的。所述对导电板能够在施加适当电信号后即刻进行相对运动。举例来说，一个板可包含沉积于衬底上方、衬底上或由衬底支撑的固定层且另一板可包含通过空气间隙与所述固定层分离的部分吸收薄膜。一个板相对于另一板的位置可改变来自IMOD显示元件的所反射光的光谱。基于IMOD的显示装置具有广泛范围的应用，且预期将其用于提高现有产品并形成新产品，尤其是具有显示能力的产品。

一些IMOD是双稳态IMOD，此是指其可仅在高反射率和低反射率两个位置中配置。在高反射率位置处，双稳态IMOD中的每一像素反射RGB原色中的仅一者。在一些实施方案中，包含此类双稳态IMOD的显示器可并入有三个子像素以显示图像像素。在包含多状态干涉式调制器(MS-IMOD)或模拟IMOD(A-IMOD)的显示装置中，每一像素可具有两个以上位置(或间隙间距)，且像素的反射色彩可由单个IMOD的吸收体堆叠与反射体堆叠之间的间隙间距或“间隙高度”确定。如此，每一像素可反射多种色彩。一些A-IMOD可在大量间隙高度之间以实质上连续方式定位，而MS-IMOD可通常在较少数目个间隙高度中定位。

发明内容

本发明的系统、方法和装置各自具有若干创新方面，所述创新方面中没有单一者单独决定本文中所揭示的所要属性。

本发明中所阐述的目标物的一个创新方面可实施于干涉式调制器(IMOD)中。所述IMOD可包含衬底、安置于所述衬底上的吸收体堆叠和包含金属镜的可移动反射体堆叠和电介质堆叠。所述电介质堆叠可安置于所述吸收体堆叠与所述金属镜之间。与在缺乏所述电介质堆叠的情况下从所述可移动反射体堆叠反射的光相比，所述电介质堆叠可经配置以针对从所述可移动反射体堆叠反射的光减小驻波节点分离，以使得所述IMOD经配置以用于在所述反射体堆叠紧密接近所述吸收体堆叠时反射白色色彩。

所述可移动反射体堆叠可进一步经配置以相对于所述吸收体堆叠在若干个位置之间移动。所述位置中的每一者可与包含用于反射所述白色色彩的白色状态、黑色状态和一或多个其它彩色状态的IMOD色彩状态对应。

所述IMOD可包含连接到所述可移动反射体堆叠或连接到所述吸收体堆叠的第一突出部。所述第一突出部可具有第一高度且可经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体堆叠倾斜。在一些实施方案中，所述第一突出部可经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体堆叠倾斜小于1度。所述第一突出部可经配置以在所述可移动反射体堆叠倾斜时和/或在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。所述第一突出部可连接到所述可移动反射体堆叠的面对所述吸收体层的表面。

所述IMOD可包含至少第二突出部。所述第二突出部可具有不同于所述第一高度的第二高度。在一些实施方案中，所述IMOD可包含多个额外突出部。所述额外突出部可具有变化的高度，所述高度中的至少一些高度可不同于所述第一高度。

在一些实施方案中，所述电介质堆叠可包含高折射率层和低折射率层。所述低折射率层可具有比所述高折射率层的色散低的色散。举例来说，所述低折射率层可至少部分由SiON或SiO₂形成且所述高折射率层可至少部分由TiO₂、ZrO₂或Nb₂O₅形成。

显示装置可包含IMOD。所述显示装置可包含经配置以控制所述显示装置的控制系统。所述控制系统可经配置以处理图像数据。所述控制系统可包含经配置以将至少一个信号发送到所述显示装置的驱动器电路和经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。所述控制系统可包含经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。所述图像源模块可包含接收器、收发器和发射器中的至少一者。所述显示装置可包含经配置以接收输入数据且将所述输入数据传递到所述控制系统的输入装置。

本发明中所阐述的目标物的另一创新方面可实施于涉及控制IMOD的方法中。所述方法可涉及：接收可移动反射体堆叠与吸收体堆叠之间的所施加电压差；响应于所述所施加电压差而将所述可移动反射体堆叠移动到接近所述吸收体堆叠的位置；及通过致使安置于所述可移动反射体堆叠或所述吸收体堆叠上的第一突出部与另一堆叠进行接触而使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体堆叠倾斜小于1度。

在一些实施方案中，所述第一突出部具有第一高度。所述倾斜过程可涉及致使第二突出部与所述可移动反射体堆叠或所述吸收体堆叠进行接触。所述第二突出部可具有第二高度。所述倾斜过程可涉及致使多个额外突出部与所述可移动反射体堆叠或所述吸收体堆叠进行接触。所述多个额外突出部可具有可不同于所述第一高度的变化高度。所述倾斜过程可在IMOD处于白色状态时导致色彩平均。

本发明中所阐述的目标物的另一创新方面可实施于包含衬底和安置于所述衬底上的吸收体堆叠的IMOD中。所述吸收体堆叠可包含吸收体层。所述吸收体层可包含具有在红色波长处的红色消光系数值和在蓝色波长处的蓝色消光系数值的材料。所述蓝色消光系数值可为比所述红色消光系数值高的值。

所述IMOD还可包含经配置以相对于所述吸收体堆叠在若干个位置之间移动的可移动反射体堆叠。所述位置中的每一者可与包含用于反射白色色彩的白色状态、黑色状态和一或多个彩色状态的IMOD色彩状态对应。所述IMOD可经配置以在所述可移动反射体堆叠紧密接近所述吸收体堆叠时反射白色色彩。所述可移动反射体堆叠可包含金属镜和安置于所述吸收体堆叠与所述金属镜之间的电介质堆叠。

所述吸收体堆叠可包含阻抗匹配层。在一些实施方案中，所述阻抗匹配层可包含一对高色散和低色散层。所述低色散层可包含SiO₂和/或SiON。所述高色散材料可包含TiO₂或Si₃N₄。所述吸收体层可至少部分由钒、锗和/或锇形成。

所述IMOD可包含连接到所述可移动反射体堆叠或连接到所述吸收体堆叠的第一突出部。所述第一突出部可具有第一高度且可经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体层倾斜。举例来说，所述第一突出部可经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体堆叠倾斜小于1度。所述第一突出部可经配置以在所述可移动反射体堆叠倾斜时导致色彩平均。所述第一突出部可经配置以在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。在一些实施方案中，所述第一突出部可连接到所述可移动反射体堆叠的面对所述吸收体层的表面。

附图和以下描述中阐述本发明中所描述的标的物的一或多个实施方案的细节。将从所述描述、图式和权利要求书明白其它特征、方面和优点。应注意，下图的相对尺寸可不按比例绘制。

附图说明

图1是描绘IMOD显示装置的一系列显示元件或显示元件阵列中的两个邻近干涉式调制器(IMOD)显示元件的等角视图说明。

图2是说明并入有包含三元件乘以三元件的IMOD显示元件阵列的基于IMOD的显示器的电子装置的系统框图。

图3是说明IMOD显示器或显示元件的制造过程的流程图。

图4A到4E是在制作IMOD显示器或显示元件的过程中的各个阶段的横截面说明。

图5A和5B是包含EMS元件阵列和背板的机电系统(EMS)封装的一部分的示意性部分分解透视图。

图6A到6E展示IMOD可如何经配置以产生不同色彩的实例。

图7展示可包含于IMOD中的层的实例。

图8是展示图7的IMOD的驻波场强度的图。

图9是展示在(u',v')色彩空间中图7的IMOD的白色状态的图表。

图10是针对图7的IMOD展示照度Y和在L*a*b*空间中到D65的距离dE随间隙高度而变的图表。

图11展示经配置以在处于白色状态位置时倾斜的IMOD的实例。

图12是针对图11的IMOD展示照度和dE随镜倾斜角度而变的图表。

图13是概述控制例如图11中所展示的IMOD的IMOD的过程的流程图。

图14是展示IMOD的红色状态光谱的实例的图表。

图15是展示用以产生图14的图表的IMOD的白色状态光谱的图表。

图16是展示钒的消光系数随波长而变的图表。

图17展示具有钒吸收体层的IMOD的实例。

图18是展示类似于图17的IMOD的两个IMOD的红色状态光谱的图表。

图19A和19B是说明包含多个IMOD显示元件的显示装置40的系统框图。

在各个图式中，相同的参考数字和名称指示相同的元件。

具体实施方式

以下描述是针对出于描述本发明的创新方面的目的的某些实施方案。然而，所属领域的技术人员将容易认识到，可以许多不同方式应用本文中的教示。所描述的实施方案可在可经配置以显示图像的任何装置、设备或系统中实施，而不论图像是在运动中(例如，视频)还是静止的(例如，静态图像)，且不论图像为文字的、图形的还是图片的。更确切地说，预期所描述的实施方案可包含在例如(但不限于)以下各者等多种电子装置中或与例如(但不限于)以下各者等多种电子装置相关联：移动电话、具多媒体因特网功能的蜂窝式电话、移动电视接收器、无线装置、智能电话、装置、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持式或便携式计算机、上网本、笔记本计算机、智能本、平板计算机、打印机、复印机、扫描器、传真装置、全球定位系统(GPS)接收器/导航仪、相机、数字媒体播放器(例如，MP3播放器)、便携式摄像机、游戏控制台、腕表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、电子阅读装置(例如，电子阅读器)、计算机监视器、汽车显示器(包含里程表及速度计显示器等)、驾驶舱控制及/或显示器、摄像机景观显示器(例如，车辆中的后视摄像机的显示器)、电子照片、电子布告板或标牌、投影仪、建筑结构、微波、冰箱、立体声系统、盒式记录器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音机、便携式存储器芯片、洗衣机、烘干机、洗衣机/烘干机、停车计时器、包装(例如，机电系统(EMS)应用中，包含微机电系统(MEMS)应用以及非EMS应用)、美观性结构(例如，关于一件珠宝或服装的图像的显示)及多种EMS装置。本文中的教示还可用于非显示器应用中，例如(但不限于)电子切换装置、射频滤波器、传感器、加速度计、陀螺仪、运动感测装置、磁力计、用于消费型电子装置的惯性组件、消费型电子产品的零件、变容器、液晶装置、电泳装置、驱动方案、制造工艺及电子测试装备。因而，所述教示并不希望仅限于图中所描绘的实施方案，而实际上具有广阔的可应用性，如所属领域的技术人员将容易明白的。

本文中所阐述的各种实施方案涉及在IMOD处于白色状态时使其倾斜。在不束缚于任何理论的情况下，据信此倾斜可导致色彩平均。所述IMOD可包含具有至少一个突出部的可移动反射体堆叠或吸收体堆叠，所述至少一个突出部经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体层倾斜。在一些实施方案中，所述吸收体堆叠可包含吸收体层，所述吸收体层具有在红色波长处的较低消光系数值和在蓝色波长处的较高消光系数值。所述吸收体堆叠还可包含阻抗匹配层。

本发明中所阐述的目标物的特定实施方案可经实施以实现以下潜在优点中的一或多者。当IMOD处于白色状态时使所述IMOD倾斜可产生比在不倾斜的情况下的相同IMOD薄膜堆叠的状态较少带绿色的白色状态。此可允许单个IMOD成为能够反射包含色彩白色的两种以上色彩(举例来说，八种或另一数目的色彩)的多状态IMOD(或模拟IMOD)。与涉及混合经着色白色与其它色彩以合成更中性白色的空间递色技术相比，使IMOD倾斜以产生白色状态可在使用较少处理开销和较少电力的同时增大显示照度且减少空间递色噪声。在所述吸收体堆叠中包含具有在红色波长处的较低消光系数值和在蓝色波长处的较高消光系数值的吸收体层可在所述IMOD处于红色状态时产生相对更饱和的红色色彩。

所阐述的实施方案可适用于其的适合EMS或MEMS装置或设备的实例是反射显示装置。反射显示装置可并入可经实施以使用光学干涉原理选择性地吸收和/或反射入射于其上的光的干涉式调制器(IMOD)显示元件。IMOD显示元件可包含部分光学吸收体、可相对于所述吸收体移动的反射体和所述吸收体与所述反射体之间所界定的光学谐振腔。在一些实施方案中，所述反射体可移动到两个或两个以上不同位置，此可改变光学谐振腔的大小且进而影响IMOD的反射率。IMOD显示元件的反射光谱可形成可跨越可见波长移位以产生不同色彩的相当宽的光谱带。可通过改变所述光学谐振腔的厚度来调整光谱带的位置。改变光学谐振腔的一种方式是通过改变反射体相对于吸收体的位置。

图1为描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列显示元件或显示元件阵列中的两个邻近的IMOD显示元件的等角视图说明。IMOD显示装置包含一或多个干涉式EMS(例如，MEMS)显示元件。在这些装置中，干涉式MEMS显示元件可按明亮或黑暗状态来配置。在明亮(“松弛”、“打开”或“接通”等)状态下，显示元件反射大部分入射可见光。相反地，在黑暗(“经激活”、“关闭”或“切断”等)状态下，显示元件反射极少入射可见光。MEMS显示元件可经配置以主要在特定光波长下反射，从而允许除黑白显示器之外，还有彩色显示器。在一些实施方案中，通过使用多个显示元件，可实现原色的不同强度及灰度。

IMOD显示装置可包含可按行及列布置的IMOD显示元件阵列。阵列中的每一显示元件可包含至少一对反射式及半反射层，例如，可移动反射层(即，可移动层，还被称作机械层)及固定的部分反射层(即，静止层)，所述层定位于彼此相距变化的且可控制的距离处以形成空气间隙(还被称作光学间隙、腔或光学谐振腔)。可移动反射层可在至少两个位置之间移动。举例来说，在第一位置(即，经松弛位置)中，可移动反射层可定位于距固定的部分反射层一定距离处。在第二位置(即，经激活位置)中，可移动反射层可定位成更接近部分反射层。从所述两层反射的入射光可取决于可移动反射层的位置及入射光的波长相长地及/或相消地干涉，从而产生每一显示元件的全反射或非反射状态。在一些实施方案中，当显示元件未被激活时，显示元件可能处于反射状态，从而反射可见光谱内的光，且当显示元件被激活时，显示元件可能处于黑暗状态，从而吸收及/或相消地干扰可见光范围内的光。然而，在一些其它实施方案中，IMOD显示元件可在未被激活时处于黑暗状态，且在被激活时处于反射状态。在一些实施方案中，所施加电压的引入可驱动显示元件改变状态。在一些其它实施方案中，所施加电荷可驱动显示元件改变状态。

图1中的阵列的所描绘部分包含呈IMOD显示元件12形式的两个邻近的干涉式MEMS显示元件。在右侧的显示元件12中(如所说明)，可移动反射层14经说明为在靠近、邻近或接触光学堆叠16的经激活位置中。跨越右侧的显示元件12施加的电压V_bias足以移动并维持可移动反射层14处于经激活位置。在左侧的显示元件12(如所说明)中，说明可移动反射层14处于距光学堆叠16一定距离(所述距离可基于设计参数来预定)的经松弛位置，所述光学堆叠包含部分反射层。跨越左侧的显示元件12施加的电压V₀不足以引起可移动反射层14到经激活位置的激活(例如右侧的显示元件12的激活)。

在图1中，一般通过指示入射在IMOD显示元件12上的光13及从左侧的显示元件12反射的光15的箭头来说明IMOD显示元件12的反射性质。可经由透明衬底20朝向光学堆叠16透射入射于显示元件12上的大部分光13。可经由光学堆叠16的部分反射层透射入射于光学堆叠16上的光的一部分，且将经由透明衬底20反射回一部分。可从可移动反射层14朝向(且穿过)透明衬底20反射回光13的透过光学堆叠16的部分。在从光学堆叠16的部分反射层反射的光与从可移动反射层14反射的光之间的干涉(相长及/或相消)将部分确定在装置的观看或衬底侧上从显示元件12反射的光15的波长的强度。在一些实施方案中，透明衬底20可为玻璃衬底(有时被称作玻璃板或面板)。玻璃衬底可为或包含(例如)硼硅酸盐玻璃、碱石灰玻璃、石英、派热克斯玻璃(Pyrex)或其它合适的玻璃材料。在一些实施方案中，玻璃衬底可具有0.3毫米、0.5毫米或0.7毫米的厚度，但在一些实施方案中，玻璃衬底可更厚(例如，数十毫米)或更薄(例如，小于0.3毫米)。在一些实施方案中，可使用非玻璃衬底，例如聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚醚醚酮(PEEK)衬底。在此类实施方案中，非玻璃衬底很可能将具有小于0.7毫米的厚度，但衬底可取决于设计考虑因素而更厚。在一些实施方案中，可使用非透明衬底，例如基于金属箔或不锈钢的衬底。举例来说，基于反向IMOD的显示器(其包含固定反射层及部分透射且部分反射的可移动层)可经配置以从衬底的与图1的显示元件12对置的一侧来观看且可通过非透明衬底来支撑。

光学堆叠16可包含单个层或若干层。所述层可包含以下各层中的一或多者：电极层、部分反射及部分透射层，及透明介电层。在一些实施方案中，光学堆叠16导电、部分透明且部分反射，且可(例如)通过将以上层中的一或多者沉积到透明衬底20上来制造。电极层可由例如各种金属的多种材料(例如，氧化铟锡(ITO))形成。部分反射层可由部分反射的多种材料形成，例如各种金属(例如，铬及/或钼)、半导体及电介质。部分反射层可由一或多个材料层形成，且所述层中的每一者可由单个材料或材料的组合形成。在一些实施方案中，光学堆叠16的某些部分可包含用作部分光学吸收体及电导体两者的单个半透明厚度的金属或半导体，但不同的导电性更好的层或部分(例如，光学堆叠16或显示元件的其它结构的导电层或部分)可用以在IMOD显示元件之间运送信号。光学堆叠16还可包含覆盖一或多个导电层或导电/部分吸收层的一或多个绝缘或介电层。

在一些实施方案中，光学堆叠16的所述层中的至少一些层可经图案化成平行条带，且可形成如下文进一步描述的显示装置中的行电极。如所属领域的技术人员将理解，术语“经图案化”在本文中用以指掩蔽以及蚀刻工艺。在一些实施方案中，高度导电且反射材料(例如，铝(Al))可用于可移动反射层14，且这些条带可形成显示装置中的列电极。可移动反射层14可形成为一或多个经沉积金属层的一系列平行带(与光学堆叠16的行电极正交)以形成沉积于支撑件上的柱状物，例如所说明的柱18，且介入牺牲材料位于柱18之间。当蚀刻掉牺牲材料时，所界定的间隙19或光学腔室可形成于可移动反射层14与光学堆叠16之间。在一些实施方案中，柱18之间的间距可为约1μm到1000μm，而间隙19可大致小于10,000埃

在一些实施方案中，每一IMOD显示元件(不管处于经激活还是经松弛状态)均可被视为通过固定反射层及移动反射层形成的电容器。当未施加电压时，可移动反射层14保持处于机械经松弛状态(如由图1中的左边上的显示元件12所说明)，其中间隙19介于可移动反射层14与光学堆叠16之间。然而，当将电势差(即，电压)施加到选定行及列中的至少一者时，在对应显示元件的行电极与列电极的交叉点处形成的电容器变得带电，且静电力将所述电极牵引在一起。如果施加电压超过阈值，那么可移动反射层14可变形，且在光学堆叠16附近或抵靠光学堆叠16移动。光学堆叠16内的介电层(未图示)可防止短路并控制层14与16之间的分离距离，如通过图1中的右侧的被激活显示元件12所说明。不管所施加的电势差的极性如何，行为可相同。尽管阵列中的一系列显示元件在一些情况下可被称作“行”或“列”，但所属领域的技术人员将容易理解，将一个方向称作“行”及将另一方向称作“列”是任意的。重新申明，在一些定向上，行可被视为列，且列可被视为行。在一些实施方案中，行可被称作“共同”线且列可被称作“片段”线，或反之亦然。此外，显示元件可按正交行及列(“阵列”)均匀地布置，或按非线性配置布置，例如，具有相对于彼此的某些位置偏移(“马赛克”)。术语“阵列”和“马赛克”可指任一配置。因此，尽管显示器被称作包含“阵列”或“马赛克”，但元件本身并不需要在任何情况下正交于彼此而布置，或按均匀分布安置，而是可包含具有不对称形状及不均匀分布的元件的布置。

图2为说明并有基于IMOD的显示器的电子装置的系统框图，所述基于IMOD的显示器包含IMOD显示元件的三元件乘三元件阵列。电子装置包含可经配置以执行一或多个软件模块的处理器21。除执行操作系统之外，处理器21还可经配置以执行一或多个软件应用，包含网络浏览器、电话应用、电子邮件程序或任何其它软件应用。

处理器21可经配置以与阵列驱动器22通信。阵列驱动器22可包含将信号提供到(例如)显示器阵列或面板30的行驱动器电路24及列驱动器电路26。通过图2中的线1-1展示图1中所说明的IMOD显示装置的横截面。尽管为清楚起见，图2说明IMOD显示元件的3×3阵列，但显示器阵列30可含有大量IMOD显示元件，且可在行中具有数目不同于列中的情形的数目个IMOD显示元件，且反之亦然。

图3是说明IMOD显示器或显示元件的制造工艺80的流程图。图4A到4E是用于制造IMOD显示器或显示元件的制造工艺80中的各种阶段的横截面说明。在一些实施方案中，制造工艺80可经实施以制造一或多个EMS装置，例如IMOD显示器或显示元件。此EMS装置的制造还可包含图3中未展示的其它框。工艺80开始于框82，其中在衬底20上形成光学堆叠16。图4A说明形成于衬底20上的此光学堆叠16。衬底20可为透明衬底，例如玻璃或塑料，例如上文相对于图1所讨论的材料。衬底20可具柔性或相对刚性且不弯曲，且可能已经受先前制备过程(例如清洗)以促进光学堆叠16的有效率形成。如上文所讨论，光学堆叠16可具导电性、部分透明性、部分反射性和部分吸收性，且可(例如)通过将具有所要性质的一或多个层沉积到透明衬底20上来制造。

在图4A中，光学堆叠16包含具有子层16a和16b的多层结构，但可在一些其它实施方案中包含更多或更少子层。在一些实施方案中，子层16a和16b中的一者可配置有光学吸收性质和导电性质两者，例如组合的导体/吸收体子层16a。在一些实施方案中，子层16a和16b中的一者可包含钼-铬(钼铬或MoCr)，或包含具有合适的复合折射率的其它材料。此外，子层16a和16b中的一或多者可被图案化为平行条带且可在显示装置中形成行电极。可通过掩蔽和蚀刻工艺或此项技术中已知的另一合适工艺而执行此图案化。在一些实施方案中，子层16a和16b中的一者可为绝缘或电介质层，例如沉积于一或多个下伏金属和/或氧化物层(例如一或多个反射和/或导电层)上的上部子层16b。此外，光学堆叠16可被图案化为形成显示器的行的个别且平行条带。在一些实施方案中，即使子层16a和16b在图4A到4E中展示为略厚，但光学堆叠的子层中的至少一者(例如光学吸收层)可相当薄(例如相对于本发明中所描绘的其它层)。

工艺80在框84处继续，其中在光学堆叠16上形成牺牲层25。因为稍后移除牺牲层25(参阅框90)以形成腔19，所以所得IMOD显示元件中未展示牺牲层25。图4B说明包含形成于光学堆叠16上的牺牲层25的部分制造装置。在光学堆叠16上形成牺牲层25可包含：以经选择以在随后移除之后提供具有所要设计大小的间隙或腔19(还参阅图4E)的厚度沉积二氟化氙(XeF₂)可蚀刻材料(例如钼(Mo)或非晶硅(Si))。可使用例如物理气相沉积(PVD，其包含许多不同技术，例如溅镀)、等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)或旋转涂覆的沉积技术来实施牺牲材料的沉积。

工艺80在框86处继续，其中形成支撑结构，例如支撑柱18。形成支撑柱18可包含：图案化牺牲层25以形成支撑结构孔隙；接着使用例如PVD、PECVD、热CVD或旋转涂覆等沉积方法来将材料(例如聚合物或无机材料，如二氧化硅)沉积到所述孔隙中以形成支撑柱18。在一些实施方案中，形成于牺牲层中的所述支撑结构孔隙可延伸穿过牺牲层25和光学堆叠16两者以抵达下伏衬底20，使得支撑柱18的下端接触衬底20。或者，如图4C中所描绘，形成于牺牲层25中的所述孔隙可延伸穿过牺牲层25，但未延伸穿过光学堆叠16。例如，图4E说明与光学堆叠16的上表面接触的支撑柱18的下端。可通过在牺牲层25上沉积一层支撑结构材料且图案化远离牺牲层25中的孔隙而定位的支撑结构材料的部分而形成支撑柱18或其它支撑结构。所述支撑结构可位于所述孔隙内(如图4C中所说明)，且可至少部分在牺牲层25的一部分上延伸。如上文所提及，牺牲层25和/或支撑柱18的图案化可通过掩蔽和蚀刻工艺而执行，且还可通过替代性图案化方法而执行。

工艺80在框88处继续，其中形成可移动反射层或膜，例如图44中所说明的可移动反射层14。可通过采用包含(例如)反射层(例如铝、铝合金或其它反射材料)沉积的一或多个沉积步骤以及一或多个图案化、掩蔽和/或蚀刻步骤而形成可移动反射层14。可将可移动反射层14图案化为形成(例如)显示器的列的个别且平行条带。可移动反射层14可具导电性且被称作导电层。在一些实施方案中，可移动反射层14可包含多个子层14a、14b和14c，如图4D中所展示。在一些实施方案中，所述子层中的一或多者(例如子层14a和14c)可包含针对其光学性质所选择的高度反射子层，且另一子层14b可包含针对其机械性质所选择的机械子层。在一些实施方案中，所述机械子层可包含电介质材料。因为牺牲层25仍存在于形成于框88处的部分制造的IMOD显示元件中，所以可移动反射层14在此阶段处通常不可移动。含有牺牲层25的部分制造IMOD显示元件在本文中还可称作“未释放的”IMOD。

工艺80在框90处继续，其中形成腔19。可通过使牺牲材料25(框84中所沉积)暴露于蚀刻剂而形成腔19。例如，可通过在有效移除所要量的材料的时间段内使牺牲层25暴露于气态或蒸气蚀刻剂(例如源自固体XeF₂的蒸气)的干式化学蚀刻而移除可蚀刻牺牲材料(例如Mo或非晶Si)。通常，相对于包围腔19的结构而选择性地移除所述牺牲材料。还可使用其它蚀刻方法，例如湿式蚀刻和/或等离子体蚀刻。因为在框90期间移除牺牲层25，所以通常可在此阶段之后移动可移动反射层14。在移除牺牲材料25之后，所得的全部或部分制造IMOD显示元件在本文中可称作“释放的”IMOD。

在一些实施方案中，EMS组件或装置(例如基于IMOD的显示器)的封装可包含可经配置以保护EMS组件免受损害(例如免受机械干扰或潜在损害的物质)的背板(或者称作背板、背部玻璃或凹嵌玻璃)。所述背板还可给较广范围的组件提供结构支撑，所述组件包含(但不限于)驱动器电路、处理器、存储器、互连阵列、蒸气障壁、产品外壳和类似物。在一些实施方案中，使用背板可促进组件的集成且借此减少便携式电子装置的体积、重量和/或制造成本。

图5A及5B为包含EMS元件阵列36及背板92的EMS封装91的一部分的示意性分解部分透视图。图5A展示切掉背板92的两个拐角以更好地说明背板92的某些部分的情形，而图5B展示未切掉拐角的情形。EMS阵列36可包含衬底20、支撑支柱18及可移动层14。在一些实施方案中，EMS阵列36可包含在透明衬底上具有一或多个光学堆叠部分16的IMOD显示元件阵列，且可移动层14可实施为可移动反射层。

背板92可基本上为平面的或可具有至少一个波状表面(例如，背板92可形成有凹部及/或突起)。背板92可由任何合适的材料制成，而不管透明的还是不透明的、导电的还是绝缘的。用于背板92的合适的材料包含(但不限于)玻璃、塑料、陶瓷、聚合物、层合物、金属、金属箔、科伐合金及电镀科伐合金。

如图5A及5B中所展示，背板92可包含一或多个背板组件94a及94b，所述背板组件可部分地或完全地嵌入在背板92中。如图5A中可见，背板组件94a嵌入在背板92中。如图5A及5B中可见，背板组件94b安置在形成于背板92的表面中的凹部93内。在一些实施方案中，背板组件94a及/或94b可从背板92的表面突出。尽管背板组件94b安置在背板92的面向衬底20的一侧上，但在其它实施方案中，背板组件可安置在背板92的对置侧上。

背板组件94a及/或94b可包含一或多个有源或无源电组件，例如晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、开关及/或集成电路(IC)，例如封装的、标准的或离散的IC。可用于各种实施方案中的背板组件的其它实例包含天线、电池及传感器，例如电传感器、触摸传感器、光学传感器或化学传感器，或薄膜沉积装置。

在一些实施方案中，背板组件94a及/或94b可与EMS阵列36的部分电通信。例如迹线、凸块、支柱或通孔等导电结构可形成于背板92或衬底20中的一者或两者上，且可彼此接触或与其它导电组件接触以在EMS阵列36与背板组件94a及/或94b之间形成电连接。举例来说，图5B包含在背板92上的一或多个导电通孔96，所述导电通孔可与从EMS阵列36内的可移动层14向上延伸的电触点98对准。在一些实施方案中，背板92还可包含一或多个绝缘层，其使背板组件94a及/或94b与EMS阵列36的其它组件电绝缘。在其中背板92是由透气材料形成的一些实施方案中，背板92的内表面可涂覆有蒸汽屏层(未图示)。

背板组件94a及94b可包含一或多种干燥剂，所述干燥剂用以吸收可能进入EMS封装91中的任何湿气。在一些实施方案中，可将干燥剂(或其它吸湿性材料，例如吸气剂)与任何其它背板组件分开提供，例如，作为用粘合剂安装到背板92(或形成于背板中的凹部)的薄片。替代地，可将干燥剂集成到背板92中。在一些其它实施方案中，可将干燥剂直接或间接地施加到其它背板组件上，例如，通过喷涂、丝网印刷或任何其它合适的方法。

在一些实施方案中，EMS阵列36及/或背板92可包含机械支座97以维持背板组件与显示元件之间的距离且借此防止那些组件之间发生机械干扰。在图5A及5B中所说明的实施方案中，机械支座97是作为从背板92突出的与EMS阵列36的支撑柱18对准的柱而形成。替代地或另外，可沿着EMS封装91的边缘提供例如轨道或支柱等机械支座。

尽管图5A及5B中未加以说明，但可提供部分地或完全地包围EMS阵列36的密封。所述密封可连同背板92及衬底20一起形成封围EMS阵列36的保护腔。所述密封件可为半气密密封件，例如常规的基于环氧树脂的粘合剂。在一些其它实施方案中，所述密封件可为气密密封件，例如薄膜金属焊接件或玻璃熔块。在一些其它实施方案中，密封件可包含聚异丁烯(PIB)、聚氨基甲酸酯、液体旋涂式玻璃、焊料、聚合物、塑料或其它材料。在一些实施方案中，加固型密封剂可用以形成机械支座。

在替代实施方案中，密封环可包含背板92或衬底20中的一者或两者的延伸部分。举例来说，密封环可包含背板92的机械延伸部(未图示)。在一些实施方案中，密封环可包含单独部件，例如O型环或其它环形部件。

在一些实施方案中，分开地形成EMS阵列36及背板92，之后将其附接或耦合在一起。举例来说，可将衬底20的边缘附接及密封到背板92的边缘，如上文所论述。替代地，可将EMS阵列36及背板92形成及接合在一起以作为EMS封装91。在一些其它实施方案中，可以任何其它合适的方式制造EMS封装91，例如，通过沉积而在EMS阵列36上方形成背板92的组件。

图6A到6E展示单IMOD(IMOD)可如何经配置以产生不同色彩的实例。将多态IMOD(MS-IMOD)和模拟IMOD(A-IMOD)两者视为更广类别的IMOD的实例。

在MS-IMOD中，可通过改变吸收体堆叠与反射体堆叠之间的间隙高度而改变像素的反射色彩。在图6A到6E中，IMOD 600包含反射体堆叠605和吸收体堆叠610。在此实施方案中，吸收体堆叠610具部分反射性和部分吸收性。此处，反射体堆叠605包含至少一个金属反射层，其在本文中还可称作镜射表面或金属反射镜。

在一些实施方案中，吸收体层可由部分吸收且部分反射的层形成。吸收体层可为包含其它层(例如一或多个电介质层、电极层等等)的吸收体堆叠的部分。根据一些这些实施方案，所述吸收体堆叠可包含电介质层、金属层和钝化层。在一些实施方案中，所述电介质层可由SiO₂、SiON、MgF₂、Al₂O₃和/或其它电介质材料形成。在一些实施方案中，所述金属层可由Cr、W、Ni、V、Ti、Rh、Pt、Ge、Co和/或MoCr形成。在一些实施方案中，所述钝化层可包含Al₂O₃或另一电介质材料。

镜射表面可(例如)由反射金属(例如Al、银等等)形成。镜射表面可为包含其它层(例如一或多个电介质层)的反射体堆叠的部分。此些电介质层可由TiO₂、Si₃N₄、ZrO₂、Ta₂O₅、Sb₂O₃、HfO₂、Sc₂O₃、In₂O₃、Sn:In₂O₃、SiO₂、SiON、MgF₂、Al₂O₃、HfF₄、YbF₃、Na₃AlF₆和/或其它电介质材料形成。

在图6A到6E中，展示处于相对于吸收体堆叠610的五个位置处的反射体堆叠605。然而，IMOD 600可在相对于反射体堆叠605的实质上5个以上位置之间移动。例如，在一些A-IMOD实施方案中，可以实质上连续方式改变反射体堆叠605与吸收体堆叠610之间的间隙高度630。在一些此类IMOD 600中，可高度精确地(例如误差为10纳米或更小)控制间隙高度630。虽然在此实例中吸收体堆叠610包含单一吸收体层，但吸收体堆叠610的替代实施方案可包含多个吸收体层。再者，在替代实施方案中，吸收体堆叠610可不具部分反射性。

具有波长λ的入射波将干涉来自反射体堆叠605的其自身反射以产生具有局部峰值和空值的驻波。第一空值是来自反射镜的λ/2且后续空值位于λ/2间隔处。对于所述波长，放置于所述空值位置中的一者处的薄吸收体层将吸收非常少的能量。

首先参考图6A，当间隙高度630实质上等于红色波长的光625(在本文中还称作红色)的一半波长时，将吸收体堆叠610定位于红色驻波干涉图案的空值处。因为吸收体处几乎不存在红光，所以红色波长的光625的吸收几乎为零。在此配置下，相长干涉出现于从吸收体堆叠610反射的红色波长的光与从反射体堆叠605反射的红色波长的光之间。因此，有效地反射具有实质上对应于红色波长的光625的波长的光。包含蓝色波长的光615和绿色波长的光620的其它色彩的光在吸收体处具有高强度场且未因相长干涉而强化。而是，此光实质上由吸收体堆叠610吸收。

图6B描绘呈其中将反射体堆叠605移动成更接近于吸收体堆叠610(或反之亦然)的配置的IMOD 600。在此实例中，间隙高度630实质上等于绿色波长的光620的一半波长。将吸收体堆叠610定位于绿色驻波干涉图案的空值处。因为吸收体处几乎不存在绿光，所以绿色波长的光620的吸收几乎为零。在此配置下，相长干涉出现于从吸收体堆叠610反射的绿光与从反射体堆叠605反射的绿光之间。有效地反射具有实质上对应于绿色波长的光620的波长的光。包含红色波长的光625和蓝色波长的光615的其它色彩的光实质上由吸收体堆叠610吸收。

在图6C中，将反射体堆叠605移动成更接近于吸收体堆叠610(或反之亦然)，使得间隙高度630实质上等于蓝色波长的光615的一半波长。有效地反射具有实质上对应于蓝色波长的光615的波长的光。包含红色波长的光625和绿色波长的光620的其它色彩的光实质上由吸收体堆叠610吸收。

然而，在图6D中，IMOD 600呈其中间隙高度630实质上等于可见范围内的平均色彩的波长的1/4的配置。在此布置中，吸收体位于干涉驻波的强度峰值附近；归因于高场强度以及吸收体堆叠610与反射体堆叠605之间的相消干涉而引起的强吸收导致从IMOD 600反射相对较少的可见光。此配置在本文中可称作“黑色状态”。在一些此类实施方案中，可使间隙高度630大于或小于图6D中所展示的间隙高度以强化可见范围外的其它波长。因此，图6D中所展示的IMOD 600的配置仅提供IMOD 600的黑色状态配置的一个实例。

图6E描绘呈其中吸收体堆叠610紧密接近于反射体堆叠605的配置的IMOD 600。在此实例中，因为吸收体堆叠610实质上邻近于反射体堆叠605，所以间隙高度630可忽略。具有广泛范围的波长的光从反射体堆叠605有效地反射，而不被吸收体堆叠610显著吸收。此配置在本文中可称作“白色状态”。然而，在一些实施方案中，吸收体堆叠610与反射体堆叠605可经分离以减少通过经由可在使所述两个层彼此接近时产生的强电场而带电所引起的粘滞。在一些实施方案中，可将具有约λ/2的总厚度的一或多个电介质层安置于吸收体层的表面和/或镜射表面上。因而，所述白色状态可对应于其中将吸收体层放置于来自反射体堆叠605的镜射表面的驻波的第一空值处的配置。

图7展示可包含于IMOD中的层的实例。在此实例中，IMOD 600的反射体堆叠605可相对于吸收体堆叠610移动。此处，反射体堆叠605包含金属镜705和电介质堆叠710。在此实例中，金属镜705由AlCu形成且具有大约50nm的厚度。然而，金属镜705可由例如Al、银等的其它反射金属形成且可具有不同厚度。一些实施方案可包含非金属镜。电介质堆叠710可包含由TiO₂、Si₃N₄、ZrO₂、Ta₂O₅、Sb₂O₃、HfO₂、Sc₂O₃、In₂O₃、Sn:In₂O₃、SiO₂、SiON、MgF₂、Al₂O₃、HfF₄、YbF₃、Na₃AlF₆和/或其它电介质材料形成的一或多个电介质层。在此实例中，电介质堆叠710包含低折射率层715和高折射率层720。

与高折射率层720相比，低折射率层715具有相对低的折射率。与高折射率层720的色散相比，低折射率层715还可具有相对低的色散。在此实例中，低折射率层715由SiON形成且具有大约80nm的厚度，但其它厚度也是可能的。然而，在其它实施方案中，低折射率层715可由例如SiO₂的其它材料形成且可具有不同厚度。

在此实施方案中，高折射率层720由TiO₂形成且具有大约21nm的厚度，但其它厚度也是可能的。然而，在其它实施方案中，低折射率层715可由例如ZrO₂或Nb₂O₅的其它材料形成且可具有不同厚度。

吸收体堆叠610形成于实质上透明衬底725上。在此实例中，衬底725由玻璃形成。然而，在其它实施方案中，衬底725可由例如塑料、聚合物等一或多种其它实质上透明材料形成。

此处，吸收体堆叠610包含吸收体层730、钝化层735、低色散层740和高色散层745。其它吸收体堆叠610可包含更多或更少的层。在此实施方案中，吸收体层730由MoCr形成且具有大约6nm的厚度，钝化层735由Al₂O₃形成且具有大约11nm的厚度，低色散层740由SiO₂形成且具有大约15nm的厚度，且高色散层745由SiN_x形成且具有大约36nm的厚度。然而，在其它实施方案中，吸收体堆叠610的层可由其它材料形成且可具有不同厚度。在一些实施方案中，层740和745可为阻抗匹配层，例如下文所阐述的阻抗匹配层。

如上文参考图6E所述，其中反射体堆叠605紧密接近吸收体堆叠610的配置对应于IMOD 600的白色状态。白色状态配置的另一实例提供于图7中，其中当突出部750与吸收体堆叠610进行接触时，在反射体堆叠605与吸收体堆叠610之间界定10nm间隙高度630。在此实例中，在本文中可还称为“凹坑”的突出部750已制造于反射体堆叠605的面对吸收体堆叠610的表面上。突出部750或凹坑还可帮助防止反射体堆叠605与吸收体堆叠610之间的粘滞。在替代实施方案中，突出部750中的一或多者可形成于吸收体堆叠610上。一些实施方案可不包含突出部750中的任一者。

图8是针对图7的IMOD展示驻波场强度的图式。在图式800中，表示用于理解IMOD的反射性质的一个模型，蓝色波长的光615、绿色波长的光620和红色波长的光625的驻波场强度叠加于IMOD 600的一个实施方案的层的表示上。

在图8中所展示的实例中，当间隙高度630处于0nm到20nm的范围内时将实现白色状态。通过比较反射体堆叠605中的红色、绿色和蓝色峰值之间的间距与吸收体堆叠610中的峰值(或与图6A到6E中所展示的空气中的驻波的红色、绿色和蓝色峰值之间的间距)，可观察到，电介质堆叠710经配置以减小驻波节点间距。然而，仍不存在其中红色、绿色和蓝色的场强度都处于最小值的吸收体层730的位置。在图8中所展示的实例中，间隙高度630是10nm且吸收体层730位于绿色波长的光620的最小场强度附近。然而，与绿色波长的光620相比，蓝色波长的光615和红色波长的光625的场强度是相对高的。因此，红色和蓝色的吸收比绿色的吸收高(且因此，反射较少的红色和蓝色)；因此，绿色的反射率显著大于红色和蓝色的反射率。因此，白色状态色彩稍微带有绿色。

图9是展示在(u',v')色彩空间中图7的IMOD的白色状态的图表。图表900指示CIE标准光源D65(“D65”)的位置905和位置910，位置910在sRGB色彩空间915内对应于图7的IMOD 600的白色状态。如图表900中所述，对应于IMOD 600的白色状态的位置910在D65的位置905与sRGB色彩空间915的绿色顶点920之间。此指示IMOD 600的白色状态色彩稍微带有绿色。

图10是针对图7的IMOD展示照度Y和在L*a*b*空间中到D65的距离dE随间隙高度而变的图表。图表1000指示照度曲线1005a和dE曲线1010a。对于IMOD设计，最大化照度值且最小化dE值是有利的，以便使得白色状态尽可能白。如dE曲线1010a的局部最小值所展示的最小dE值(39.4)与大约10nm的间隙高度对应。遗憾的是，针对10nm间隙高度的照度值仅为约0.54。最大照度值与25nm的空气间隙对应。然而，在25nm的间隙高度下，dE值为大约55。此不可接受地远离D65的理想白色状态。

稍微带有绿色的白色状态的问题的一种解决方案是施加混合带有绿色的白色与其它色彩以合成更完美白色的像素空间和/或时间递色技术。然而，空间递色技术可减小显示照度且引入空间递色噪声。另外，空间递色技术可消耗额外处理开销(进而使用更多电力)。时间递色还可增大电力消耗。

图11展示经配置以在处于白色状态位置时倾斜的IMOD的实例。图11中的IMOD 600可实质上类似于图7中所展示的IMOD。然而，在此实例中IMOD 600包含至少一个突出部：具有高度1105的突出部750a。突出部750a在反射体堆叠605紧密接近吸收体堆叠610时致使反射体堆叠605相对于吸收体堆叠610倾斜角度在一些实施方案中，角度可小于1度。

因此，此些实施方案可涉及当IMOD 600处于白色状态位置时使反射体堆叠605相对于吸收体堆叠610倾斜。在此实例中，突出部750a致使间隙高度630从突出部750a附近的最大白色状态间隙高度到IMOD 600的相对侧上的最小白色状态间隙高度而变化。当IMOD600处于白色状态位置时白色状态间隙高度的改变导致色彩平均。

一些实施方案可包含额外突出部750，所述突出部中的一些突出部可具有不同于高度1105的高度。图11展示任选的突出部750b、750c和750d，所述突出部中的每一者具有不同于高度1105的高度。在此实例中，突出部750a到750d都形成于反射体堆叠605上。然而，在替代实施方案中，突出部750中的至少一些突出部可形成于吸收体堆叠210上。此外，在图11中所展示的实例中，具有最大高度1105的突出部750定位于IMOD 600的边缘附近。在替代实施方案中，具有最大高度1105的突出部750可定位于另一位置中，举例来说在IMOD 600的中心部分附近。

图12是针对图11的IMOD展示照度和dE随镜倾斜角度而变的图表。图表1200指示在大约0.033度的倾斜角度下获得图11的IMOD 600的最佳性能，所述最佳性能与约33的dE值和约0.59的照度对应。可通过使得图11中所展示的突出部750a在高度上约为40nm而实现此倾斜角度，假定吸收体堆叠610的宽度W为大约70μm。作为参考，在10nm间隙高度下的图7的IMOD的照度和dE在图12中分别通过照度轴上的三角形和正方形指示。通过比较针对大约0.033度的倾斜角度的照度和dE值与针对三角形和正方形的照度和dE值，可看到使可移动反射堆叠倾斜大约0.033度导致dE的大约14％的减小和照度的大约10％的增加。因此，当IMOD 600处于白色状态时白色状态的白度和照度两者都可通过使反射体堆叠605相对于吸收体堆叠610倾斜来提高。

图13是概述控制例如图11中所展示的IMOD的IMOD的过程的流程图。从显示器的单个IMOD的角度描述方法1300。在框1305中，IMOD 600接收可移动反射体堆叠与吸收体堆叠之间的所施加电压差。举例来说，电压差可通过例如图2中所展示和上文所描述的阵列驱动器22施加。电压差可施加于IMOD 600的行电极与列电极之间。在一些此类实例中，金属镜705可对应于这些电极中的一者且吸收体层730可对应于另一电极。

在此实例中，电压差对应于IMOD 600的白色状态配置。因此，框1310涉及响应于所施加电压差而将可移动反射体堆叠移动到接近吸收体堆叠的位置。框1315涉及使可移动反射体堆叠相对于吸收体堆叠倾斜小于1度。在一个实施方案中，可通过安置于可移动反射体堆叠或与另一堆叠进行接触的吸收体堆叠上的第一突出部使可移动反射体倾斜。当IMOD处于白色状态时，框1315的倾斜过程可导致色彩平均。

在一些实施方案中，第一突出部具有第一高度。框1315的倾斜过程可涉及致使第二突出部与可移动反射体堆叠或吸收体堆叠进行接触。第二突出部可具有第二高度。

在一些实施方案中，IMOD 600可包含具有不同于第一高度的变化高度的多个额外突出部。框1315可涉及致使所述多个额外突出部与可移动反射体堆叠或吸收体堆叠进行接触。

如上文所述，在IMOD 600中产生可接受的白色状态可具挑战性。还可难以产生饱和红色色彩。当IMOD配置于一阶红色状态中时，吸收体层730定位于对应红色驻波的最小场强度处。然而，二阶蓝色驻波在吸收体层730的此位置处也是相当弱的，从而导致蓝色光谱的不足吸收。此二阶蓝色泄露反射污染红色光谱且致使其去饱和。

图14是展示IMOD的红色状态光谱的实例的图表。在此实例中，红色状态光谱1405a对应于类似于图7中所展示的IMOD的IMOD 600的一阶红色状态。然而，在此实例中，IMOD600不包含电介质层740或745。如图表1400中所展示，存在从蓝色波长范围的显著反射，此致使红色色彩去饱和。

图15是展示用以产生图14的图表的IMOD的白色状态光谱的图表。如图表1500中所展示，此IMOD的白色状态光谱1505指示从红色波长的显著低的反射。

IMOD的许多实施方案使用MoCr膜作为吸收体层或吸收体堆叠的一部分。红色状态光谱1405a和白色状态光谱1505两者都指示红色光谱中的减小的吸收及同时蓝色光谱中的增加的吸收可提供提高的IMOD性能。然而，MoCr膜的消光系数(k)往往随波长增加(即，MoCr的吸收往往针对红色比针对蓝色大)，有时是相当显著的。

图16是展示钒的消光系数随波长而变的实例的图表。如图表1600中所展示，钒消光系数曲线1605在蓝色波长范围中比在红色波长范围中具有更高的值。因此，本文中所描述的一些IMOD包含至少部分由钒形成的吸收体层730。

图17展示具有钒吸收体层的IMOD的实例。在一些实施方案中，反射体堆叠605可实质上类似于图7中所展示的IMOD 600的反射体堆叠605。在此实例中，金属镜705由AlCu形成且是大约50nm厚。然而，金属镜705可由例如Al、银等其它反射材料形成且可具有不同厚度。电介质堆叠710可包含由TiO₂、Si₃N₄、ZrO₂、Ta₂O₅、Sb₂O₃、HfO₂、Sc₂O₃、In₂O₃、Sn:In₂O₃、SiO₂、SiON、MgF₂、Al₂O₃、HfF₄、YbF₃、Na₃AlF₆和/或其它电介质材料形成的一或多个电介质层。在此实例中，电介质堆叠710包含低折射率层715和高折射率层720。

在此实例中，低折射率层715由SiON形成且具有大约72nm的厚度。然而，在其它实施方案中，低折射率层715可由例如SiO₂的一或多种其它材料形成且可具有不同厚度。此处，高折射率层720由TiO₂形成且具有大约31nm的厚度。然而，在其它实施方案中，高折射率层720可由一或多种其它材料形成且可具有不同厚度。

在一些实施方案中，一或多个突出部750(例如图17中所展示的任选的突出部750a和750c)可形成于反射体堆叠605或吸收体堆叠610上。因此，当反射体堆叠605紧密接近吸收体堆叠610时(例如，当IMOD 600处于白色状态位置时)，突出部750可致使反射体堆叠605相对于吸收体堆叠610倾斜。因此，当IMOD 600处于白色状态位置时，突出部750可导致色彩平均。

吸收体堆叠610包含至少部分由钒形成的吸收体层730。在此实施方案中，钝化层735由Al₂O₃形成且为大约11nm厚，且吸收体层730由钒形成且为大约7.5nm厚。此处，低色散层740由SiO₂形成且为大约27nm厚，而高色散层745由Si₃N₄形成且为大约22nm厚。在其它实施方案中，吸收体堆叠610的元件可由其它材料形成且可具有其它厚度。举例来说，吸收体层730可至少部分由MoCr、锗或锇形成。举例来说，吸收体层730可包含锇或锇合金。低色散层740可至少部分由SiON形成且高色散层745可至少部分由另一类型的SiN_x和/或由TiO₂形成。

在此实例中，低色散层740和高色散层745形成阻抗匹配层1705，其中使低色散层740和高色散层745的色散和/或折射率平衡。当IMOD色彩状态是黑色时，吸收体层730、低色散层740和高色散层745的厚度可经优化以最小化反射，使得实现暗黑色状态。此外，在一些实施方案中，吸收体层730、低色散层740和高色散层745的厚度可经优化以用于提供红色状态色彩的最大色彩饱和。在此实施方案中，由于在吸收体层730的位置处场强度的稍微增大，Si₃N₄层可在白色状态中引入稍微较高的红色吸收。然而，由于红色光谱的较低吸收，此些效应可通过钒吸收体层730减小。

图18是展示类似于图17的IMOD的两个IMOD的红色状态光谱的图表。在图表1800中，红色状态光谱1405b对应于具有由钒形成的吸收体层730的IMOD，而红色状态光谱1405c对应于具有由MoCr形成的吸收体层730的IMOD。如与图14的红色状态光谱1405a相比，红色状态光谱1405b和红色状态光谱1405c两者都指示蓝色波长范围的较少反射和实质上更饱和的红色状态。因此，如与缺乏衬底725与吸收体层730之间的阻抗匹配层1705的IMOD相比，衬底725与吸收体层730之间的阻抗匹配层1705的存在可提高红色反射的饱和。然而，1405b具有处于约630nm波长处的稍微较高和较宽峰值和处于约410nm到430nm波长处的较低泄露，从而指示更明亮且更纯正(较少蓝色污染)的红色色彩。

图19A和19B是说明包含多个IMOD显示元件的显示装置40的系统框图。在一些实施方案中，所述IMOD显示元件可为IMOD显示元件，如本文别处所描述。例如，显示装置40可为智能电话、蜂窝式电话或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其略微改变还说明各种类型的显示装置，例如电视、计算机、平板计算机、电子阅读器、手持式装置和便携式媒体装置。

显示装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48和麦克风46。外壳41可由多种制造工艺中的任一者形成，所述制造工艺包含注射模制和真空成形。另外，外壳41可由多种材料中的任一者制成，所述材料包含(但不限于)：塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合。外壳41可包含可与不同色彩或含有不同标志、图片或符号的其它可移除部分互换的可移除部分(未展示)。

如本文中描述，显示器30可为多种显示器(包含双稳态或模拟显示器)中的任一者。显示器30还可经配置以包含平板显示器(例如等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD)或非平板显示器(例如CRT或其它显像管装置)。另外，显示器30可包含基于IMOD的显示器，如本文中所描述。所述显示器可包含IMOD，例如本文所描述的IMOD。

图19A中示意性地说明显示装置40的组件。显示装置40包含外壳41，且可包含至少部分地封围在其中的额外组件。举例来说，显示装置40包含网络接口27，网络接口27包含可耦合到收发器47的天线43。网络接口27可为可显示于显示装置40上的图像数据的源。因此，网络接口27为图像源模块的一个实例，但处理器21及输入装置48也可充当图像源模块。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波或以其它方式操纵信号)。调节硬件52可连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还可连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29可耦合到帧缓冲器28，且耦合到阵列驱动器22，阵列驱动器22又可耦合到显示器阵列30。显示装置40中的一或多个元件(包含并未在图19A特定描绘的元件)可经配置以充当存储器装置，且经配置以与处理器21通信。在一些实施方案中，电力供应器50可将电力提供到特定显示装置40设计中的实质上所有组件。

网络接口27包含天线43和收发器47以使得显示装置40可经由网络与一或多个装置通信。网络接口27还可具有一些处理能力以减轻(例如)处理器21的数据处理需求。天线43可发射及接收信号。在一些实施方案中，天线43根据IEEE 16.11标准(包含IEEE16.11(a)、(b)或(g))或IEEE 802.11标准(包含IEEE 802.11a、b、g、n及其进一步的实施方案)来发射和接收RF信号。在一些其它实施方案中，所述天线43根据标准来发射和接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，天线43可经设计以接收码分多址(CDMA)、频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)、全球移动通信系统(GSM)，GSM/通用分组无线电服务(GPRS)、增强型数据GSM环境(EDGE)、陆地集群无线电(TETRA)、宽带-CDMA(W-CDMA)、演进数据优化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO版本A、EV-DO版本B、高速分组接入(HSPA)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、演进型高速分组接入(HSPA+)、长期演进(LTE)、AMPS，或用于在无线网络(例如利用3G、4G或5G技术的系统)内通信的其它已知信号。收发器47可预处理从天线43接收到的信号，使得处理器21可接收所述信号并进一步对所述信号进行操纵。收发器47还可处理从处理器21接收到的信号，使得可经由天线43从显示装置40发射所述信号。

在一些实施方案中，收发器47可由接收器取代。另外，在一些实施方案中，网络接口27可由可存储或产生待发送到处理器21的图像数据的图像源取代。处理器21可控制显示装置40的整个操作。处理器21接收例如来自网络接口27或图像源的压缩图像数据的数据，并将所述数据处理成原始图像数据或处理成可容易被处理成原始图像数据的格式。处理器21可将已处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常是指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说，这些图像特性可包含颜色、饱和度和灰度级。

处理器21可包含用以控制显示装置40的操作的微控制器、CPU或逻辑单元。调节硬件52可包含用于将信号发射到扬声器45且用于从麦克风46接收信号的放大器和滤波器。调节硬件52可为显示装置40内的离散组件或可并入于处理器21或其它组件内。

驱动器控制器29可直接从处理器21或从帧缓冲器28获取由处理器21产生的原始图像数据，且可适当地重新格式化原始图像数据以将其高速发射到阵列驱动器22。在一些实施方案中，驱动器控制器29可将原始图像数据重新格式化成具有类光栅格式的数据流，使得其具有适合于跨越显示阵列30而扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将已格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常与系统处理器21相关联以作为独立的集成电路(IC)，但可以许多方式实施这些控制器。举例来说，控制器可作为硬件嵌入处理器21中、作为软件嵌入处理器21中或与阵列驱动器22完全集成于硬件中。

阵列驱动器22可从驱动器控制器29接收经格式化信息且可将视频数据重新格式化成一组平行波形，所述组平行波形每秒多次施加到来自显示器的x-y显示元件矩阵的数百及有时数千(或更多)引线。

在一些实施方案中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示阵列30适合于本文中所述的任何类型的显示器。举例来说，驱动器控制器29可为常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如IMOD显示元件)。另外，阵列驱动器22可为常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如IMOD显示元件驱动器)。另外，显示阵列30可为常规显示阵列或双稳态显示阵列(例如包含IMOD显示元件阵列的显示器)。在一些实施方案中，驱动器控制器29可与阵列驱动器22集成。此实施方案在例如移动电话、便携式电子装置、手表或小面积显示器的高度集成的系统中可为有用的。

在一些实施方案中，输入装置48可经配置以允许(例如)用户控制显示装置40的操作。输入装置48可包含例如QWERTY键盘或电话小键盘的小键盘、按钮、开关、摇杆、触敏屏幕、集成有显示阵列30的触敏屏幕或者压敏或热敏薄膜。麦克风46可配置为显示装置40的输入装置。在一些实施方案中，通过麦克风46的话音命令可用于控制显示装置40的操作。

电力供应器50可包含多种能量存储装置。举例来说，电力供应器50可为可再充电电池，例如，镍镉电池或锂离子电池。在使用可再充电电池的实施方案中，可再充电电池可使用来自(例如)壁式插座或光伏装置或阵列的电力来充电。替代地，可再充电电池可无线地来充电。电力供应器50还可为可再生能源、电容器或太阳能电池，包含塑料太阳能电池或太阳能电池涂料。电力供应器50还可经配置以从壁式插座接收电力。

在一些实施方案中，控制可编程性驻留于可位于电子显示系统中的若干位置中的驱动器控制器29中。在一些其它实施方案中，控制可编程性驻留于阵列驱动器22中。上述优化可实施在任何数目的硬件和/或软件组件中且可以各种配置实施。

如本文所使用，涉及项目列表中的“至少一者”的短语指代那些项目的任何组合，包含单一成员。作为实例，“以下各者中的至少一者：a、b或c”意在涵盖：a、b、c、a-b、a-c、b-c和a-b-c。

可将结合本文中所揭示的实施方案而描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块、电路和算法步骤实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。硬件与软件的此互换性已大致关于其功能性而描述，且在上文所描述的各种说明性组件、块、模块、电路及步骤中进行说明。所述功能性是实施为硬件还是软件取决于特定应用及强加于整个系统的设计约束。

可用通用单芯片或多芯片处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其经设计以执行本文所描述的功能的任何组合来实施或执行用于实施结合本文中所揭示的方面而描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块和电路的硬件和数据处理设备。通用处理器可为微处理器，或任何常规的处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合，例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器的组合、一或多个微处理器与DSP核心的联合，或任何其它此配置。在一些实施方案中，可由专用于给定功能的电路来执行特定步骤及方法。

在一或多个方面中，可以硬件、数字电子电路、计算机软件、固件(包含本说明书中所揭示的结构及其结构等效物)或以其任何组合来实施所描述的功能。本说明书中所述的标的物的实施方案还可实施为一或多个计算机程序(即，计算机程序指令的一或多个模块)，其在计算机存储媒体上被编码以由数据处理设备执行或用以控制数据处理设备的操作。

如果以软件实施，则功能可作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由所述计算机可读媒体进行传输。本文中揭示的方法或算法的步骤可实施于可驻留在计算机可读媒体上的处理器可执行软件模块中。计算机可读媒体包含计算机存储媒体和通信媒体两者，通信媒体包含可经启用以将计算机程序从一个位置传送到另一位置的任何媒体。存储媒体可为可通过计算机存取的任何可用媒体。例如(且不限于)，此计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储器、磁盘存储器或其它磁性存储装置，或可用以存储呈指令或数据结构的形式的所要程序代码且可由计算机存取的任何其它媒体。而且，任何连接可适当地称为计算机可读媒体。如本文中所使用，磁盘和光盘包含压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常磁性地重现数据，光盘使用激光光学地重现数据。以上各者的组合也可包含于计算机可读媒体的范围内。此外，方法或算法的操作可作为代码与指令的一个或任何组合或代码与指令的集合而驻留在机器可读媒体和计算机可读媒体上，所述机器可读媒体和计算机可读媒体可并入到计算机程序产品中。

所属领域的技术人员将易于明白本发明中所描述的实施方案的各种修改，且可在不背离本发明的精神或范围的情况下将本文中所界定的一般原理应用于其它实施方案。因此，本发明无意限于本文中所展示的实施方案，而是将赋予本发明与本文中所揭示的此揭示内容、原理和新颖特征相一致的最广范围。另外，所属领域的技术人员将易于了解，术语“上部”及“下部”有时用以使图式描述简易，且指示与适当定向页上的图式的定向对应的相对位置，且可能不反映(例如)如所实施的IMOD显示元件的适当定向。

在单独实施方案的背景下描述于本说明书中的某些特征还可组合地实施于单一实施方案中。相反，还可在多个实施方案中单独地或以任何适合子组合实施在单一实施方案的背景下所描述的各种特征。再者，虽然特征可在上文中被描述为以某些组合作用且甚至最初被如此主张，但在一些情况下，可从所述组合删除来自所主张的组合的一或多个特征，且所述所主张的组合可针对子组合或子组合的变化。

类似地，虽然图式中以特定次序描绘操作，但所属领域的技术人员将容易认识到，不需要以所展示的特定次序或以连续次序执行此类操作或需要执行全部所说明的操作以实现合意的结果。此外，图式可以流程图的形式示意性地描绘一或多个实例过程。然而，未描绘的其它操作可并入于示意性地说明的实例过程中。举例来说，可在所说明的操作中的任一者之前、之后、同时地或在其之间执行一或多个额外的操作。在某些状况中，多任务处理及并行处理可为有利的。再者，上述实施方案中的各种系统组件的分离不应被理解为全部实施方案中需要此分离，且应了解，所描述的程序组件及系统可一般一起集成在单一软件产品中或封装到多个软件产品中。另外，其它实施方案在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，权利要求书中所叙述的动作可以不同次序执行且仍实现合意的结果。

Claims (34)

1.一种干涉式调制器IMOD，其包括：

衬底；

吸收体堆叠，其安置于所述衬底上；

可移动反射体堆叠，其包含金属镜和电介质堆叠，所述电介质堆叠安置于所述吸收体堆叠与所述金属镜之间，与在缺乏所述电介质堆叠的情况下从所述可移动反射体堆叠反射的光相比，所述电介质堆叠经配置以针对从所述可移动反射体堆叠反射的光减小驻波节点间距，以使得所述IMOD经配置以用于在所述反射体堆叠紧密接近所述吸收体堆叠时反射白色色彩，所述可移动反射体堆叠进一步经配置以相对于所述吸收体堆叠在多个位置之间移动，所述位置中的每一者与包含用于反射所述白色色彩的白色状态、黑色状态和一或多个其它彩色状态的IMOD色彩状态对应；及第一突出部，其连接到所述可移动反射体堆叠或连接到所述吸收体堆叠，

其中所述第一突出部具有第一高度且经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体堆叠倾斜。

2.根据权利要求1所述的IMOD，其中所述第一突出部经配置以在所述可移动反射体堆叠倾斜时导致色彩平均。

3.根据权利要求2所述的IMOD，其中所述第一突出部经配置以在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。

4.根据权利要求1所述的IMOD，其中所述第一突出部连接到所述可移动反射体堆叠的面对吸收体堆叠的表面。

5.根据权利要求1所述的IMOD，其进一步包含具有不同于所述第一高度的第二高度的第二突出部。

6.根据权利要求1所述的IMOD，其进一步包含具有不同于所述第一高度的变化高度的多个额外突出部。

7.根据权利要求1所述的IMOD，其中所述第一突出部经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体堆叠倾斜小于1度。

8.根据权利要求1所述的IMOD，其中所述电介质堆叠包含高折射率层和低折射率层。

9.根据权利要求8所述的IMOD，其中所述低折射率层具有比所述高折射率层的色散低的色散。

10.根据权利要求8所述的IMOD，其中所述低折射率层由SiON或SiO₂形成。

11.根据权利要求8所述的IMOD，其中所述高折射率层由TiO₂、ZrO₂或Nb₂O₅形成。

12.一种包含根据权利要求1所述的IMOD的显示装置。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其进一步包含经配置以控制所述显示装置的控制系统。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述控制系统经配置以处理图像数据。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述控制系统进一步包括：

驱动器电路，其经配置以将至少一个信号发送到所述显示装置的显示器；及

控制器，其经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。

16.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述控制系统进一步包括：

图像源模块，其经配置以将所述图像数据发送到处理器，其中所述图像源模块包含接收器、收发器和发射器中的至少一者。

17.根据权利要求14所述的显示装置，其进一步包括：

输入装置，其经配置以接收输入数据且将所述输入数据传送到所述控制系统。

18.一种干涉式调制器IMOD，其包括：

衬底；

吸收体堆叠，其安置于所述衬底上；

可移动反射体堆叠，其经配置以相对于所述吸收体堆叠在多个位置之间移动，所述位置中的每一者与包含用于反射白色色彩的白色状态、黑色状态和一或多个其它彩色状态的IMOD色彩状态对应，所述IMOD经配置以用于在所述反射体堆叠紧密接近所述吸收体堆叠时反射白色色彩，所述可移动反射体堆叠包含：

金属镜；及

节点间距减小装置，与在缺乏所述节点间距减小装置的情况下从所述可移动反射体堆叠反射的光相比，所述节点间距减小装置用于针对从所述可移动反射体堆叠反射的光减小驻波节点间距；及

倾斜装置，其用于在所述可移动反射体移动接近吸收体层时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体层倾斜。

19.根据权利要求18所述的IMOD，其中所述倾斜装置经配置以在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。

20.根据权利要求18所述的IMOD，其中所述倾斜装置包含连接到所述可移动反射体堆叠或连接到所述吸收体堆叠的第一突出部，所述第一突出部具有第一高度。

21.根据权利要求20所述的IMOD，其中所述倾斜装置包含具有不同于所述第一高度的第二高度的第二突出部。

22.根据权利要求18所述的IMOD，其中所述节点间距减小装置包含高折射率层和低折射率层，且其中所述节点间距减小装置具有比所述高折射率层的色散低的色散。

23.一种控制干涉式调制器IMOD的方法，所述方法包括：

接收可移动反射体堆叠与吸收体堆叠之间的所施加电压差；

响应于所述所施加电压差而将所述可移动反射体堆叠移动到接近所述吸收体堆叠的位置；

通过致使安置于所述可移动反射体堆叠或所述吸收体堆叠上的第一突出部与另一堆叠进行接触而使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体堆叠倾斜小于1度。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述第一突出部具有第一高度，且其中所述倾斜过程涉及致使第二突出部与所述可移动反射体堆叠或所述吸收体堆叠进行接触，所述第二突出部具有第二高度。

25.根据权利要求23所述的方法，其中所述第一突出部具有第一高度，且其中所述倾斜过程涉及致使多个额外突出部与所述可移动反射体堆叠或所述吸收体堆叠进行接触，所述多个额外突出部具有不同于所述第一高度的变化高度。

26.根据权利要求23所述的方法，其中所述倾斜过程在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。

27.一种干涉式调制器IMOD，其包括：

衬底；

吸收体堆叠，其安置于所述衬底上，所述吸收体堆叠包含吸收体层，所述吸收体层包含具有在红色波长处的红色消光系数值和在蓝色波长处的蓝色消光系数值的材料，所述蓝色消光系数值是比所述红色消光系数值高的值；

可移动反射体堆叠，其经配置以相对于所述吸收体堆叠在多个位置之间移动，所述位置中的每一者与包含用于反射白色色彩的白色状态、黑色状态和一或多个彩色状态的IMOD色彩状态对应，所述IMOD经配置以在所述可移动反射体堆叠紧密接近所述吸收体堆叠时反射白色色彩，所述可移动反射体堆叠包含：

金属镜；

电介质堆叠，其安置于所述吸收体堆叠与所述金属镜之间；及

第一突出部，其连接到所述可移动反射体堆叠或连接到所述吸收体堆叠，其中所述第一突出部具有第一高度且经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体层倾斜。

28.根据权利要求27所述的IMOD，其中所述吸收体堆叠包含阻抗匹配层。

29.根据权利要求28所述的IMOD，其中所述阻抗匹配层包含一对高色散和低色散层，所述低色散层包含SiO₂或SiON且所述高色散层包含TiO₂或Si₃N₄。

30.根据权利要求27所述的IMOD，其中所述吸收体层是由钒、锗或锇形成。

31.根据权利要求27所述的IMOD，其中所述第一突出部经配置以在所述可移动反射体堆叠倾斜时导致色彩平均。

32.根据权利要求27所述的IMOD，其中所述第一突出部经配置以在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。

33.根据权利要求27所述的IMOD，其中所述第一突出部连接到所述可移动反射体堆叠的面对所述吸收体层的表面。

34.根据权利要求27所述的IMOD，其中所述第一突出部经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于所述吸收体堆叠倾斜小于1度。