CN105185865A - 太阳能电池的后加工设备 - Google Patents

太阳能电池的后加工设备 Download PDF

Info

Publication number
CN105185865A
CN105185865A CN201510481460.5A CN201510481460A CN105185865A CN 105185865 A CN105185865 A CN 105185865A CN 201510481460 A CN201510481460 A CN 201510481460A CN 105185865 A CN105185865 A CN 105185865A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor substrate
section
solar cell
light source
source unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510481460.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105185865B (zh
Inventor
李敬秀
崔珉浩
朴相昱
李真荧
郭界永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trina Solar Co Ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN105185865A publication Critical patent/CN105185865A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105185865B publication Critical patent/CN105185865B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

公开了一种太阳能电池的后加工设备。后加工设备执行包括用于对包括半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时提供光至太阳能电池的主时段的后加工操作。后加工设备包括用于执行主时段的主区段。主区段包括用于提供热至半导体基板的第一热源单元以及用于提供光至半导体基板的光源单元。第一热源单元和光源单元位于主区段中。光源单元包括由等离子体发光系统(PLS)构成的光源。

Description

太阳能电池的后加工设备
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池的后加工设备，并且更具体地说，涉及基于晶体半导体基板的太阳能电池的后加工设备。
背景技术
近年来，已经预见诸如石油和煤炭的现有能源的枯竭，从而对替代现有能源的另选能源的关注随之增长。在这种另选能源当中，利用半导体装置将光伏能量转换成电能的太阳能电池被关注为下一代电池。
太阳能电池可以通过形成基于设计的不同层和电极来制造。不同层和电极的设计可以确定太阳能电池的效率。必须解决太阳能电池的低效率，以便商品化太阳能电池。为此，太阳能电池的不同层和电极被设计成，使得可以最大化太阳能电池的效率，并且，执行各种加工过程以最大化太阳能电池的效率。因此，必须提供一种能够最大化太阳能电池的效率的太阳能电池的后加工设备。
发明内容
因此，本发明的实施方式鉴于上述问题而做出，并且本发明实施方式的一目的是，提供一种能够缩减太阳能电池的输出损耗的太阳能电池的后加工设备。
根据本发明的一个方面，通过提供这样的一种后加工设备可以实现以上和其他目的，所述后加工设备执行包括用于对具有半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时向所述太阳能电池提供光的主时段的后加工操作，所述后加工设备包括：主区段，所述主区段用于执行所述主时段，其中所述主区段包括，用于向所述半导体基板提供热量的第一热源单元以及用于向所述半导体基板提供光的光源单元，所述第一热源单元和所述光源单元位于所述主区段中，并且所述光源单元包括由等离子体发光系统PLS构成的光源。
附图说明
根据下面结合附图的详细描述，将更清楚地明白本发明的实施方式的上述和其它目的、特征以及其它优点，其中：
图1是示出利用根据本发明一实施方式的太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的一实施例的截面图；
图2是示出根据本发明一实施方式的、图1所示太阳能电池的正面的平面图；
图3是示出根据本发明一实施方式的太阳能电池的制造方法的流程图；
图4A至4G是示出根据本发明一实施方式的、图3所示太阳能电池的制造方法的截面图；
图5是示出根据本发明该实施方式的太阳能电池的制造方法的后加工操作的主加工工序的时间与温度之间的关系的图形；
图6是示出根据本发明该实施方式的、基于在太阳能电池的制造方法的后加工操作下的温度与光强度之间的关系的氢的状态的图形；
图7是示出根据本发明该实施方式的、基于在太阳能电池的制造方法的后加工操作下的光强度与加工时间之间的关系的氢的状态的图形；
图8是示出根据本发明该实施方式的、利用太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的另一实施例的截面图；
图9是示出根据本发明该实施方式的、利用太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的又一实施例的截面图；
图10是示出在本发明的实验例中展示相同输出损耗的温度和光强度线的图形；
图11是示出在本发明的实验例中展示相同输出损耗的光强度和加工时间线的图形；
图12是示出根据本发明的实施方式的太阳能电池的后加工设备的结构的图；
图13是示出根据本发明的实施方式的修改例的太阳能电池的后加工设备的结构的图；
图14是示出根据本发明的实施方式的应用于图13的太阳能电池的后加工设备的工作台的示例的图；
图15是示出根据本发明的实施方式的应用于图13的太阳能电池的后加工设备的工作台的示例的图；
图16是示出根据本发明的实施方式的另一修改例的太阳能电池的后加工设备的结构的图；
图17是示出根据本发明的实施方式的另一修改例的太阳能电池的后加工设备的结构的图；以及
图18是示出能够应用于根据本发明的实施方式的另一修改例的太阳能电池的后加工设备的光源单元的结构的图。
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式进行详细说明，其示例在附图中进行了例示。然而，应当明白，本发明不应受限于这些实施方式，而是可以按不同方式进行修改。
在图中，为清楚和简要说明本发明的实施方式，省略了对不涉及本描述的部件的例示，并且贯穿本说明书用相同标号指定相同或相似的部件。另外，在图中，为了更清楚说明，诸如厚度、宽度等的部件尺寸被扩大或缩小，并由此，本发明实施方式的厚度、宽度等不限于图中的例示。
在整个说明书中，当一部件被称为“包括”另一部件时，只要不存在特别不一致的描述，该部件都不应被理解为排除其它部件，而是该部件可以包括至少一个其它部件。另外，应当明白，当诸如层、膜、区域或基板的部件被称为“处于另一部件之上”时，其可以直接处于该另一部件之上，或者还可以存在插入部件。另一方面，当诸如层、膜、区域或基板的部件被称为“直接处于另一部件之上”时，这意指其间不存在插入部件。
下面，参照附图，对根据本发明一实施方式的太阳能电池的的后加工设备进行详细描述。对利用包括由根据本发明该实施方式的太阳能电池的后加工设备执行的后加工操作的用于制造太阳能电池的方法所制造的太阳能电池的实施例进行描述，首先，将对包括后加工操作的太阳能电池的制造方法进行描述，接着将对太阳能电池的后加工设备进行描述。
图1是示出根据本发明一实施方式的、利用太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的一实施例的截面图，而图2是示出图1所示太阳能电池的正面的平面图。图2主要示出了半导体基板和电极。
参照图1，根据该实施方式的太阳能电池100包括：包括基极区10的半导体基板110、第一导电类型的第一导电区20、第二导电类型的第二导电区30、连接至第一导电区20的第一电极42、以及连接至第二导电区30的第二电极44。太阳能电池100还可以包括电介质膜，如第一钝化膜22和防反射膜24。下面，对太阳能电池100进行更详细描述。
半导体基板110可以由晶体半导体形成。例如，半导体基板110可以由单晶半导体(例如，单晶硅)或多晶半导体(例如，多晶硅)形成。具体来说，半导体基板110可以由单晶半导体(例如，单晶半导体晶片、更具体地说，单晶硅晶片)形成。在半导体基板110由如上所述单晶半导体(例如，单晶硅)形成的实例中，太阳能电池100可以是单晶半导体太阳能电池(例如，单晶硅太阳能电池)。因为太阳能电池100是基于由如上所述展示高结晶度并由此展示低缺陷性的晶体半导体形成的半导体基板110，所以太阳能电池100可以展示优异的电气特性。
半导体基板110的前表面和/或后表面可以被纹理化，以使半导体基板110的前表面和/或后表面具有凹凸形状。例如，该凹凸形状可以是形成在半导体基板110的(111)表面处的锥体形状，具有不规则尺寸。在该凹凸形状如上所述通过纹理化而形成在半导体基板110的前表面处的实例中，半导体基板110的表面粗糙度可以增加，结果入射在半导体基板110的前表面上的光的反射率可以减小。从而，到达由基极区10和第一导电区20所形成的pn结的光的量可以增加，从而可以最小化太阳能电池100的光损耗。在本发明该实施方式中，该凹凸形状形成在半导体基板110的前表面处以降低入射光的反射率，而该凹凸形状未形成在半导体基板110的后表面处以增加入射光的反射率。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，凹凸形状可以形成在半导体基板110的前表面和后表面两者处，或者凹凸形状可以不形成在半导体基板110的前表面或者后表面处。
半导体基板110的基极区10可以是具有掺杂浓度相对较低的第二导电掺杂剂的第二导电基极区10。例如，与第一导电区20相比，基极区10可以更远离半导体基板110的前表面而更靠近半导体基板的后表面。另外，与第二导电区30相比，基极区10可以更靠近半导体基板110的前表面而更远离半导体基板的后表面。然而，本发明的实施方式不限于此。基极区10可以不同地定位。
基极区10可以由具有第二导电掺杂剂的晶体半导体形成。例如，基极区10可以由具有第二导电掺杂剂的单晶半导体(例如，单晶硅)或多晶半导体(例如，多晶硅)形成。具体来说，基极区10可以由具有第二导电掺杂剂的单晶半导体(例如，单晶半导体晶片、更具体地说，单晶硅晶片)形成。
第二导电类型可以是n型或p型。在基极区10具有n型的实例中，基极区10可以由掺杂有V族元素(如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)，或锑(Sb))的单晶半导体或多晶半导体形成。另一方面，在基极区10是p型的实例中，基极区10可以由掺杂有III族元素(如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)或铟(In))的单晶半导体或多晶半导体形成。然而，本发明的实施方式不限于此。基极区10和第二导电掺杂剂可以由不同材料形成。
例如，基极区10可以是p型的。在这种情况下，包括在第二电极44中的材料可以扩散到半导体基板110中，以在焙烧(firing)第二电极44的操作时形成第二导电区30。结果，可以省略用于形成第二导电区30的附加掺杂工序，由此，简化太阳能电池100的制造工序。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，基极区10和第二导电区30可以是p型的，而第一导电区20可以是n型的。
第一导电类型的第一导电区20(其与基极区10的第二导电类型相反)可以形成在半导体基板110的前表面处。第一导电区20可以与基极区10一起形成pn结，以构成用于通过光电转换来生成载流子的发射极区。
在本发明该实施方式中，第一导电区20可以是构成半导体基板110的一部分的掺杂区。在这种情况下，第一导电区20可以由具有第一导电掺杂剂的晶体半导体形成。例如，第一导电区20可以由具有第一导电掺杂剂的单晶半导体(例如，单晶硅)或多晶半导体(例如，多晶硅)形成。具体来说，第一导电区20可以由具有第一导电掺杂剂的单晶半导体(例如，单晶半导体晶片、更具体地说，单晶硅晶片)形成。在第一导电区20如上所述构成半导体基板110的一部分的实例中，可以改进第一导电区20与基极区10之间的结特性。
然而，本发明的实施方式不限于此。例如，第一导电区20可以与半导体基板110分离地形成在半导体基板110上，下面，将参照图9对其进行更详细描述。
第一导电类型可以是p型或n型。在第一导电区20为p型的实例中，第一导电区20可以由掺杂有III族元素(如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)或铟(In))的单晶半导体或多晶半导体形成。另一方面，在第一导电区20为n型的实例中，第一导电区20可以由掺杂有V族元素(如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)或锑(Sb))的单晶半导体或多晶半导体形成。然而，本发明的实施方式不限于此。可以将不同材料用作第一导电掺杂剂。
在该图中，第一导电区20被示出为具有总体均匀掺杂浓度的均质结构。然而，本发明的实施方式不限于此。在本发明另一实施方式中，第一导电区20可以具有选择性结构，下面，将参照图8对其进行详细描述。
第二导电类型的第二导电区30(其与基极区10的第二导电类型相同，具有比基极区10更高掺杂浓度的第二导电掺杂剂)可以形成在半导体基板110的后表面处。第二导电区30可以形成后表面场，以构成用于防止或减小因在半导体基板110的表面(更精确地讲，半导体基板110的后表面)处的复合而造成的载流子损耗的后表面场区。
在本发明该实施方式中，第二导电区30可以是构成半导体基板110的一部分的掺杂区。在这种情况下，第二导电区30可以由具有第二导电掺杂剂的晶体半导体形成。例如，第二导电区30可以由具有第二导电掺杂剂的单晶半导体(例如，单晶硅)或多晶半导体(例如，多晶硅)形成。具体来说，第二导电区30可以由具有第二导电掺杂剂的单晶半导体(例如，单晶半导体晶片、更具体地说，单晶硅晶片)形成。在第二导电区30如上所述构成半导体基板110的一部分的实例中，可以改进第二导电区30与基极区10之间的结特性。
然而，本发明的实施方式不限于此。例如，第二导电区30可以与半导体基板110分离地形成在半导体基板110上，下面，将参照图9对其进行更详细描述。
第二导电类型可以是n型或p型。在第二导电区30为n型的实例中，第二导电区30可以由掺杂有V族元素(如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)，或锑(Sb))的单晶半导体或多晶半导体形成。另一方面，在第二导电区30为p型的实例中，第二导电区30可以由掺杂有III族元素(如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)，或铟(In))的单晶半导体或多晶半导体形成。然而，本发明的实施方式不限于此。可以将不同材料用作第二导电掺杂剂。第二导电区30的第二导电掺杂剂可以由和基极区10的第二导电掺杂剂相同的材料或者与基极区10的第二导电掺杂剂不同的材料形成。
在本发明该实施方式中，第二导电区30被示出为具有总体均匀掺杂浓度的均质结构。然而，本发明的实施方式不限于此。在本发明另一实施方式中，第二导电区30可以具有选择性结构或局部结构，下面，将参照图8对其进行详细描述。
在本发明该实施方式中，形成在半导体基板110处的第一导电区20和第二导电区30掺杂有第一导电掺杂剂和第二导电掺杂剂，而基极区10掺杂有第二导电掺杂剂。结果，该掺杂剂遍布半导体基板110分布。这时，任何特定掺杂剂都可能与半导体基板110中的不同材料或元素化合，以致降低太阳能电池100的特性。例如，在半导体基板110具有硼(B)作为掺杂剂的实例中，硼(B)可以与氧(O)起反应，以形成B-O化合物。这种B-O化合物可以极大地缩减载流子的寿命，由此，降低太阳能电池100的特性。特别地讲，在将硼(B)用作包括在基极区10中的第二导电剂，并由此基极区10是p型的实例中，大量的B-O化合物可以在半导体基板110的大面积上分布，由此，极大地降低太阳能电池100的特性。
在本发明该实施方式中，因此，可以执行后加工操作(ST50)(参见图3)，以使不产生可以降低太阳能电池100的特性的任何化合物(例如，上述B-O化合物)，来防止太阳能电池100的特性降低或劣化，下面，将在描述制造太阳能电池100的方法时，对其进行更详细描述。
半导体基板110可以具有大约200μm或以下的厚度T1。如果半导体基板110的厚度T1大于200μm，则可能难于遍布半导体基板110来展示通过执行后加工操作(ST50)所获取的效果。例如，半导体基板110可以具有100μm至200μm的厚度T1。如果半导体基板110的厚度T1小于100μm，则因为半导体基板110的厚度T1不足以执行光电转换，所以太阳能电池100的效率可能减小，并且太阳能电池100的机械特性可能不足。然而，本发明的实施方式不限于此。半导体基板110的厚度T1可以不同地改变。
第一钝化膜22和防反射膜24顺序地形成在半导体基板110的前表面上，更精确地在形成在半导体基板110上的第一导电区20上形成，并且第一电极42与第一钝化膜22和防反射膜24接触地形成在第一导电区20处(即，经由贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成的开孔102)。
除了与第一电极42相对应的开孔102以外，第一钝化膜22和防反射膜24可以遍布半导体基板110的前表面形成。
第一钝化膜22与第一导电区20接触地形成，以钝化存在于第一导电区20的表面上或第一导电区20的体(bulk)中的缺陷。钝化缺陷可以去除少数载流子的复合地点，其可以增加太阳能电池100的开路电压Voc。防反射膜24缩减入射在半导体基板110的前表面上的光的反射率。通过缩减入射在半导体基板110的前表面上的光的反射率，到达由基极区10和第一导电区20所形成的pn结的光的量可以增加，从而可以增加太阳能电池100的短路电流Isc。如上所述，第一钝化膜22和防反射膜24可以增加太阳能电池100的开路电压和短路电流，由此，改进太阳能电池100的效率。
第一钝化膜22可以由不同材料形成。例如，第一钝化膜22可以由包括氢的电介质材料形成。在第一钝化膜22如上所述包括氢的实例中，第一钝化膜22可以起作用以钝化半导体基板110的表面，而且另外，充当用于在后加工操作(ST50)时向半导体基板110的表面提供氢或者将氢供应到半导体基板110的体中的氢源。
例如，第一钝化膜22可以包括1020ea/cm3至1022ea/cm3的氢。第一钝化膜22的氢含量被限制于这样一范围，即，第一钝化膜22可以在第一钝化膜22钝化半导体基板110的表面时和在后加工操作(ST50)时有效地充当氢源。然而，本发明的实施方式不限于此。第一钝化膜22的氢含量可以不同地改变。
例如，第一钝化膜22可以包括：包括氢的氮化硅(SiNx：H)、包括氢的氮氧化硅(SiOxNy：H)、包括氢的碳化硅(SiCx：H)或者包括氢的氧化硅(SiOx：H)。然而，本发明的实施方式不限于此。第一钝化膜22可以包括不同的其它材料。
第一钝化膜22可以具有50nm至200nm的厚度。如果第一钝化膜22的厚度小于50nm，则钝化效果可能不足，并且后加工操作(ST50)处的氢扩散效果可能不足。另一方面，如果第一钝化膜22的厚度大于200nm，则加工时间可能增加，同时效果未极大改进，并且太阳能电池100的厚度可能增加。然而，本发明的实施方式不限于此。第一钝化膜22的厚度可以不同地改变。
防反射膜24可以由不同材料形成。例如，防反射膜24可以具有单膜结构或多层膜结构，其根据从由包括氢的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、MgF2、ZnS、TiO2以及CeO2所构成的组中选择的至少一种形成。例如，防反射膜24可以包括氮化硅。
在本发明该实施方式中，接触地形成在半导体基板110中的防反射膜24包括氢，以使防反射膜24可以有效地起作用来钝化半导体基板110的表面，并且充当氢源。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，仅防反射膜24可以包括氢，或者防反射膜24和第一钝化膜22都可以包括氢。在防反射膜24包括氢的实例中，防反射膜24的材料、氢含量、厚度等可以等于或类似于第一钝化膜22。
而且，在本发明该实施方式中，第一钝化膜22(其是设置在半导体基板110的前表面上的电介质膜)包括氢，以使第一钝化膜22可以在后加工操作(ST50)时供应氢。这是因为短波长光容易入射在半导体基板110的前表面上，从而可以高度生成不希望的化合物(例如，上述B-O化合物)，而在将氢供应给半导体基板110的前表面时有利地防止或减小生成不希望化合物。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，形成在半导体基板110的前表面和/或后表面上的电介质膜可以包括氢，以使电介质膜可以在后加工操作(ST50)时供应氢。
另外，在本发明上述实施方式中，包括第一钝化膜22和防反射膜24两者。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，在从第一钝化膜22与防反射膜24之间选择的任一个未设置的状态下，从第一钝化膜22与防反射膜24之间选择的另一个可以执行反射预防功能和钝化功能两者。在另一实施例中，除了第一钝化膜22和防反射膜24以外，还可以将不同膜形成在半导体基板110的前表面上。各种其它修改例也是可以的。
第一电极42贯穿第一钝化膜22和防反射膜24连接至第一导电区20(即，经由贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成的开孔102)。第一电极42可以由不同材料形成，以使第一电极42可以具有不同形状。下面，参照图2，对第一电极42的形状进行描述。
第二电极44形成在半导体基板110的后表面上，更精确地在形成在半导体基板110的第二导电区30上形成。在本发明该实施方式中，第二电极44遍布半导体基板110的后表面形成，以使光可以被半导体基板110的后表面反射。在这种情况下，到达半导体基板110的后表面的光被反射至半导体基板110的内部，由此，改进光的使用效率。这时，第二电极44可以接触地形成在半导体基板110的后表面或第二导电区30处。
在本发明该实施方式中，包括在第二电极44中的材料可以扩散到半导体基板110中，以在焙烧第二电极44的操作时形成第二导电区30。结果，可以省略用于形成第二导电区30的附加掺杂工序，由此，简化太阳能电池100的制造工序。另外，可以防止或减小破坏半导体基板110或者半导体基板110的缺陷，其可能在通过掺杂形成第二导电区30的工序发生。
下面，参照图2，对第一电极42的平坦形状进行详细描述。
参照图2，第一电极42可以包括按均匀节距设置的多个指状电极42a，以使该指状电极42a彼此隔开。在该图中，指状电极42a被例示为彼此平行，而且另外，平行于半导体基板110的边缘。然而，本发明的实施方式不限于此。第一电极42还可以包括沿相交指状电极42a的方向形成的至少一个汇流条电极42b，以相交指状电极42a。可以仅设置一个汇流条电极42b，或者可以如图2所示设置按比指状电极42a更大的节距设置的多个汇流条电极42b。在这种情况下，每一个汇流条电极42b的宽度可以大于每一个指状电极42a的宽度。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，每一个汇流条电极42b的宽度可以等于或小于每一个指状电极42a的宽度。
当按截面观看时，第一电极42的指状电极42a和汇流条电极42b可以贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成。即，可以贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成开孔102，以使开孔102对应于指状电极42a和汇流条电极42b。在另一实施例中，可以贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成第一电极42的指状电极42a，而第一电极42的汇流条电极42b可以形成在第一钝化膜22和防反射膜24上。在这种情况下，可以贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成开孔102，以使开孔102对应于指状电极42a，而不对应于汇流条电极42b。
太阳能电池100可以被加工成，防止或减小如前所述在后加工操作(ST50)时生成可以降低太阳能电池100的特性的任何化合物，下面，将在描述太阳能电池100的制造方法时，对其进行更详细描述。
图3是示出根据本发明一实施方式的、太阳能电池的制造方法的流程图，而图4A至4G是示出图3所示太阳能电池的制造方法的截面图。图3和图4A至4G所示太阳能电池的、与参照图1和2描述的太阳能电池100相同的那些部分将不进行详细描述。下面，仅对图3和4A至4G所示太阳能电池的、与参照图1和2描述的太阳能电池100不同的那些部分进行更详细描述。
参照图3，根据本发明该实施方式的太阳能电池100的制造方法包括：半导体基板制备操作(ST10)、导电区形成操作(ST20)、电介质膜形成操作(ST30)、电极形成操作(ST40)以及后加工操作(ST50)。电极形成操作(ST40)可以包括形成第一电极层和第二电极层的操作(ST42)和焙烧操作(ST44)。后加工操作(ST50)可以包括：氢扩散工序(ST52)、预先热处理工序(ST54)以及主加工工序(ST56)。焙烧操作(ST44)和氢扩散工序(ST52)可以同时执行。参照图4A至4G，对根据本发明该实施方式的太阳能电池100的制造方法进行详细描述。
首先，如图4A中所示，在半导体基板制备操作(ST10)下制备包括具有第二导电掺杂剂的基极区10的半导体基板110。例如，在本发明该实施方式中，半导体基板110可以由具有p型掺杂剂(具体来说，硼(B))的硅基板(例如，硅晶片)形成。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，基极区10除了硼或n型掺杂剂以外还可以具有p型掺杂剂。
这时，半导体基板110的前表面和/或后表面可以纹理化，以使半导体基板110的前表面和/或后表面具有凹凸形状(不规则或纹理化形状)。半导体基板110的表面可以利用湿法纹理(wettexturing)或干法纹理(drytexturing)来纹理化。在湿法纹理中，半导体基板110在纹理溶液中浸泡。湿法纹理具有的优点在于，加工时间较短。另一方面，在干法纹理中，半导体基板110的表面利用金刚石格栅或激光器来切割。在干法纹理中，凹凸形状被均匀形成。然而，加工时间较长，并且半导体基板110可能受损。另选的是，半导体基板110可以利用反应离子蚀刻(RIE)等来被纹理化。如上所述，半导体基板110可以利用不同方法来纹理化。
例如，半导体基板110的前表面可以纹理化，以使半导体基板110的前表面具有凹凸形状，而半导体基板110的后表面可以是镜地状(mirror-ground)，以使具有比半导体基板110的前表面低的表面粗糙度。然而，本发明的实施方式不限于此。半导体基板110可以具有不同的其它结构。
随后，如图4B中所示，在导电区形成操作(ST20)下，将导电区形成在半导体基板110处。更具体地说，在本发明该实施方式中，在导电区形成操作下，将第一导电区20形成在半导体基板110的前表面处，而在焙烧第二电极44的随后操作下，形成第二导电区30(参见图4E)，其将置于半导体基板110的后表面处。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，在导电区形成操作下，可以形成第一导电区20和/或第二导电区30。在这种情况下，第二导电区30可以利用与形成第一导电区20的方法相同或相似的方法形成，下面，对其进行描述。
第一导电区20可以通过利用不同的方法(如离子注入、热扩散以及激光掺杂)掺入掺杂剂来形成。在另一实施例中，具有第一导电掺杂剂的附加层可以形成在半导体基板110上，以形成第一导电区20。
随后，如图4C所示，在电介质膜形成操作(ST30)下，将电介质膜形成在半导体基板110的前表面上或第一导电区20上。
更具体地说，将第一钝化膜22和防反射膜24形成在第一导电区20上。在本发明该实施方式中，不将电介质膜置于半导体基板110的后表面处。另选的是，可以将另一电介质膜(例如，第二钝化膜)置于半导体基板110的后表面处。在该操作下，还可以将电介质膜形成在半导体基板110的后表面处。在这种情况下，电介质膜还可以利用与形成第一钝化膜22和防反射膜24的方法相同或相似的方法形成在半导体基板110的后表面上，下面，对其进行描述。
第一钝化膜22和/或防反射膜24可以利用不同方法(如真空沉积、化学气相沉积、旋涂法、丝网印刷以及喷涂法)形成。
在本发明该实施方式中，第一钝化膜22可以由包括氢的电介质材料形成。结果，第一钝化膜22可以起作用以利用氢钝化半导体基板110的表面，而且另外，充当用于在后加工操作(ST50)下将氢供应至半导体基板110的氢源。
随后，如图4D和4E所示，在电极形成步骤(ST40)下，形成第一电极42和第二电极44，下面，对其进行更详细描述。
首先，如图4D所示，通过印刷(例如，丝网印刷)将用于形成第一电极和第二电极的膏剂涂敷到电介质膜(如第一钝化膜22和防反射膜24)或者半导体基板110上，以在形成第一电极层和第二电极层的操作(ST42)下，形成第一电极层420和第二电极层440。第一电极层420和第二电极层440可以利用不同的其它方法或工序来形成。
随后，如图4E所示，在焙烧操作(ST44)下，将第一电极层420和第二电极层440焙烧，以形成第一电极42和第二电极44。
在焙烧期间，通过烧穿或激光焙烧接触，贯穿电介质膜(如第一钝化膜22和防反射膜24)形成开孔102，从而将第一电极层420连接至(例如，接触)第一导电区20。在如上所述使用烧穿或激光焙烧接触的实例中，在焙烧期间形成开孔102。结果，不必执行形成开孔102的附加工序。
另外，构成第二电极44的材料(例如，铝)可以扩散至半导体基板110的后表面，以在半导体基板110处形成第二导电区30。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，第二导电区30可以如前所述形成在导电区形成操作(ST20)下。
例如，在焙烧操作(ST44)下，温度(具体来说，峰值温度)可以是700℃至800℃，并且加工时间可以是5秒钟至20秒钟。这些条件被限制于加工时间可以最小化同时充分实现焙烧的范围。然而，本发明的实施方式不限于此。另外，焙烧操作(ST44)可以利用由紫外线灯产生的热来执行。然而，本发明的实施方式不限于此。还可以使用不同的其它方法。
如上所述，在本发明该实施方式中，电极形成操作(ST40)包括焙烧操作(ST44)。焙烧操作(ST44)可以是后加工操作(ST50)的一部分，其随后将执行。即，焙烧操作(ST44)和后加工操作(S50)的一部分可以同时执行，下面，将在描述后加工操作(S50)时对其进行更详细描述。
然而，本发明的实施方式不限于此。电极形成操作(ST40)可以不包括焙烧操作(ST44)。例如，可以贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成开孔102，开孔102可以利用诸如电镀和沉积的不同方法填充导电材料，以形成第一电极，而第二电极44可以利用诸如电镀、沉积以及印刷的不同方法形成。另外，第一电极42和第二电极44可以利用不同的其它方法形成。
随后，执行后加工操作(S50)，以通过钝化半导体基板110，后加工包括半导体基板110的太阳能电池100。更具体地说，执行后加工操作(S50)，以防止降低太阳能电池100的特性，其可能因在半导体基板110的表面处或半导体基板110的体中产生的特定化合物而造成。例如，在半导体基板110包括硼的实例中，当将光供应至半导体基板110时，B-O化合物可以容易地在半导体基板110中产生。这种B-O化合物可以极大地缩减载流子的寿命，由此，降低太阳能电池100的特性。在本发明该实施方式中，因此，执行后加工操作(S50)，以使可以降低太阳能电池100的特性的特定化合物(例如，B-O化合物)不在半导体基板110中产生(如上所述)，由此，改进太阳能电池100的特性。
在其中在后加工操作(S50)之后在高温下热处理半导体基板110的实例中，通过后加工操作(S50)获取的效果可能降低或消失。为此，后加工操作(S50)可以在太阳能电池100的制造方法的后半部分中执行。具体来说，后加工操作(S50)可以与焙烧操作(ST44)同时执行，或者在焙烧操作(ST44)之后执行，其按相对较高温度执行。例如，后加工操作(S50)的一部分可以与焙烧操作(ST44)同时执行，而后加工操作(S50)的其余部分可以在焙烧操作(ST44)之后执行。另选的是，后加工操作(S50)的整个部分可以在焙烧操作(ST44)之后执行。结果，通过后加工操作(S50)获取的效果不会降低或消失。下面，对后加工操作(S50)进行更详细描述。
后加工操作(S50)包括主加工工序(ST56)，其能够通过热处理半导体基板连同向半导体基板供应光来抑制产生降低太阳能电池100的特性的化合物，并且产生不会恶劣地或不利地影响太阳能电池100的特性的化合物(例如，B-H化合物)。另外，后加工操作(S50)还可以包括氢扩散工序(ST52)和/或预先热处理工序(ST54)，其在主加工工序(S56)之前执行，以改进主加工工序(ST56)的效果。在本发明该实施方式中，氢扩散工序(ST52)、预先热处理工序(ST54)以及主加工工序(ST56)顺序地执行，以最大化后加工操作(S50)的效果。下面，氢扩散工序(ST52)、预先热处理工序(ST54)以及主加工工序(ST56)将加以详细描述。
首先，在氢扩散工序(ST52)下，在半导体基板110中扩散氢。在氢扩散工序(ST52)下，半导体基板110在高温下被热处理，在该高温下，氢在半导体基板110中深度地扩散。
这时，氢可以从不同氢源供应至半导体基板110。例如，可以将半导体基板110置于氢环境下的炉子中，以使氢环境下的氢可以供应到半导体基板110中。在这种情况下，氢环境下的氢是氢源。另选的是，在其中形成在半导体基板110上的电介质膜(即，第一钝化膜22和防反射膜24)包括氢的实例中，来自电介质膜的氢可以通过热处理供应到半导体基板110中。在这种情况下，电介质膜中的氢是氢源。
在本发明该实施方式中，电介质膜，具体来说，接触半导体基板110的第一钝化膜22包括氢，并该氢被供应到半导体基板110中。在第一钝化膜22如上被用作氢源的实例中，不需要提供用于形成氢环境的工序或设备。另外，第一钝化膜22可以充当一种用于在半导体基板110中进一步加速氢扩散的覆盖膜。
氢扩散工序(ST52)可以在400℃至800℃(更具体地说，400℃至700℃)的温度下执行5秒钟至20分钟(更具体地说，1分钟至20分钟)。如果氢扩散工序(ST52)的温度低于400℃或者加工时间少于5秒钟，则氢扩散不能充分实现。另一方面，如果氢扩散工序(ST52)的温度大于800℃或者加工时间大于20分钟，则加工成本和时间增加，由此，降低生生产率。换句话说，氢可以在上面限定的温度和时间范围内有效地扩散在半导体基板110中，由此实现高生生产率。考虑到加工成本和生生产率，氢扩散工序(ST52)的温度可以为400℃至700℃。另一方面，考虑到氢扩散，加工时间可以是1分钟至20分钟。然而，本发明的实施方式不限于此。氢扩散工序(ST52)的温度和加工时间可以不同地改变。
这时，可以使用能够均匀保持氢扩散工序(ST52)的温度的不同热源单元。例如，可以将紫外线灯或电阻加热型加热器用作热源单元。然而，本发明的实施方式不限于此。可以使用不同的其它热源单元。
氢扩散工序(ST52)的温度和加工时间可以等于、类似于电极形成操作(ST40)的焙烧操作的温度和加工时间，或者与电极形成操作(ST40)的焙烧操作的温度和加工时间交叠。另外，在氢扩散工序(ST52)和焙烧操作(ST44)使用的热源单元可以彼此相同或相似。从而，氢扩散工序(ST52)可以与焙烧操作(ST44)同时执行。即，如图4E所示，氢扩散可以在焙烧操作(ST44)实现，而不需要另外执行氢扩散工序(ST52)。因为氢扩散工序(ST52)未另外执行，所以该工序可以简化，并且加工成本可以缩减。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，氢扩散工序(ST52)可以在焙烧操作(ST44)之后，作为分离操作执行。
随后，如图4F所示，可以执行预先热处理工序(ST54)，以热处理半导体基板110，使得半导体基板110中扩散的氢可以与半导体基板110中的不同材料和元素起反应，以生成包括氢的化合物。具体来说，氢可以与半导体基板110的掺杂剂化合。例如，在半导体基板110包括硼作为掺杂剂的实例中，可以生成氢和硼彼此化合的B-H化合物。
在预先热处理工序(ST54)下，仅执行热处理，而不需另外向半导体基板供应光，从而不生成B-O化合物，而是生成B-H化合物。如上所述，在预先热处理工序(ST54)下，不供应光。即使在供应自然光的实例中，该光也具有大约100mW/cm2的光强度，其低于主加工工序(ST56)的光强度。然而，本发明的实施方式不限于此。可以改变预先热处理工序(ST54)的光强度。
预先热处理工序(ST54)的温度可以为100℃至300℃，其低于氢扩散工序(ST52)的温度。如前所述，执行预先热处理工序(ST54)，以生成B-H化合物。如果预先热处理工序(ST54)的温度低于100℃，则不提供用于B-H化合的能量，从而B-H化合物不能令人满意地生成。另一方面，如果预先热处理工序(ST54)的温度大于300℃，则氢化合优于B-H化合。结果，会生成氢化合物，而B-H化合物会分解。因此，在预先热处理工序(ST54)的温度为100℃至300℃的实例中，可以通过预先热处理工序(ST54)生成大量的B-H化合物。
预先热处理工序(ST54)的加工时间可以为1分钟至30分钟。如果预先热处理工序(ST54)的加工时间少于1分钟，则可能难于充分生成希望的B-H化合物。另一方面，如果预先热处理工序(ST54)的加工时间大于30分钟，则加工时间可能增加，而通过预先热处理获取的效果未极大改进，由此，降低生生产率。然而，本发明的实施方式不限于此。可以改变预先热处理工序(ST54)的加工时间。
在B-H化合物如上所述通过预先热处理工序(ST54)生成的实例中，在氢与硼(B)(其是半导体基板110的掺杂剂)化合的状态下，氢存在于半导体基板110的表面附近或半导体基板110中。具体来说，大量的B-H化合物存在于半导体基板110的表面附近。结果，氢进入半导体基板110中的扩散距离和时间可以在主加工工序(ST56)(其随后将执行)下缩减。
随后，如图4G所示，在其中在主加工工序(ST56)下将光供应给半导体基板110的状态下，半导体基板110在高于室温的温度下进行热处理。在其中在主加工工序(ST56)下将光供应给半导体基板110的实例中，即使在载流子从光注入的较短时间期间，氢也不会处于氢稳定的H+状态，而会处于氢不稳定的H0或H-状态。因为处于H0或H-状态的氢不稳定，所以氢的状态可以在预定时间之后转换成氢稳定的H+状态。
因为通过光生成的处于H0或H-状态的氢的扩散速度更大于处于H+状态的氢的扩散速度，所以氢可以在半导体基板110中快速扩散。从而，氢均匀分布在半导体基板110中，从而氢起作用，以去除半导体基板110中的缺陷，或者防止或减少在半导体基板110中生成不希望的化合物。例如，在其中处于H0或H-状态的氢在半导体基板110中扩散并接着转换成氢稳定的H+状态的实例中，生成B-H化合物，由此防止或减少生成B-O化合物。即，因发射至半导体基板110的光而可能在开始主加工工序(ST56)时生成的B-O化合物可以被分解，以生成B-H化合物。此后，B-H化合物通常在半导体基板110中占优势，从而，不生成B-O化合物。如上所述，在半导体基板110的表面处分布的B-H化合物可以在半导体基板110中均匀分布，由此，防止或减小在半导体基板110中生成不希望的B-O化合物。
在本发明该实施方式中，必需基于其间的预定关系来设置温度、光强度以及时间，以将处于H+状态的氢转换成处于H0或H-状态的氢，并且具体定义该关系，以最大化主加工工序(ST56)的效果。即，如果尽管按均匀温度向半导体基板供应光，但未设置预定光强度和/或加工时间，则氢处于氢稳定的H+状态。只有在设置预定光强度和/或加工时间时，氢的状态才可以转换成H0或H-状态。
这时，可以执行主加工工序(ST56)，以具有如图5所示的时间-温度图形。图5是示出根据本发明该实施方式的、太阳能电池的制造方法的后加工操作的主加工工序的时间与温度之间的关系的图形。
即，如图5所示，主加工工序(ST56)可以包括具有用于氢转换的温度(更具体地说，峰值温度)的主时段(ST562)。主加工工序(ST56)还可以包括用于将温度从室温增加至主时段的温度的温度上升时段(ST561)，该温度上升时段(ST561)在主时段(ST562)之前执行，和用于将温度降低至室温的冷却时段(ST563)，该冷却时段(ST563)在主时段(ST562)之后执行。因此，在主加工工序(ST56)期间，可以防止发生因温度急剧变化而造成的问题，并且可以稳定地实现希望反应。
在本发明该实施方式中，主加工工序(ST56)的温度意指实际上实现氢转换的主时段(ST562)的温度。主加工工序(ST56)的光强度可以意指主时段(ST562)的光强度，主加工工序(ST56)的加工时间可以意指实际上实现氢转换的主时段(ST562)的加工时间。
必需的是，主加工工序(ST56)的温度足以将处于H+状态的氢转换成处于H0或H-状态的氢，并且分解可能因供应的光而产生的B-O化合物。例如，主加工工序(ST56)的温度可以为100℃至800℃。如果主加工工序(ST56)的温度低于100℃，则热能少于为分解B-O化合物所需的能量，从而因供应的光而产生的B-O化合物可能幸存。另一方面，如果主加工工序(ST56)的温度大于800℃，则加工成本因高温而增加。然而，本发明的实施方式不限于此。
首先，在对主加工工序(ST56)的光强度与时间之间的关系进行描述之前，对用于将处于H+状态的氢转换成处于H0或H-状态的氢的主加工工序(ST56)的温度与光强度之间的关系进行描述。
图6是示出根据本发明该实施方式的、基于在太阳能电池的制造方法的后加工操作下的温度与光强度之间的关系的氢的状态的图形。
温度与光强度之间的关系基于这样的事实来分析，即，用于氢转换所需的光强度的最小值Imin根据主加工工序(ST56)的温度T改变。该结果如图6所示获取。可以从图6看出，光强度的最小值Imin随着主加工工序(ST56)的温度T增加而增加。因此，在本发明该实施方式中，每温度T的光强度的最小值Imin用方程1表示。
<方程1>
Imin＝1750-31.8·T+(0.16)·T2
其中，T的单位是℃，而Imin的单位是mW/cm2。
因此，在主加工工序(ST56)的温度T具有均匀值的假定下，仅在与热处理同时供应的光的光强度I等于或大于光强度的最小值Imin的实例中，氢的状态才可以转换成H0或H-状态。出于参考目的，在温度T为100℃至800℃的实例中，光强度的最小值Imin可以是1.7×102mW/cm2至7.871×104mW/cm2。
从而，要基于主加工工序(ST56)的温度T来供应的光的光强度I可以满足方程2的条件。
<方程2>
1750-31.8·T+(0.16)·T2≤I
其中，T的单位是℃，而I的单位是mW/cm2。
因此，在满足方程2的光的光强度I按主加工工序(ST56)的特定温度T提供的实例中，处于H+状态的氢可以转换成处于H0或H-状态的氢。这时，如果光强度I过高，则难于获取光的光强度I的希望值。光强度I可以具有处于主加工工序(ST56)的温度T的范围内的值105mW/cm2。从而，要基于主加工工序(ST56)的温度T提供的光强度I可以满足方程3的条件。
<方程3>
1750-31.8·T+(0.16)·T2≤I≤105
其中，T的单位是℃，而I的单位是mW/cm2。
温度T的上述范围和满足方程3的温度T和光强度I的范围大约对应于图6中用A指示的区域。
光强度与加工时间之间的关系基于这样的事实来分析，即，用于氢转换所需的加工时间的最小值Pmin(为将处于H+状态的氢转换成处于H0状态的氢所需的最小加工时间)根据主加工工序(ST56)的光强度I改变。该结果如图7所示获取。图7是示出根据本发明该实施方式的、基于在太阳能电池的制造方法的后加工操作下的光强度与加工时间之间的关系的氢的状态的图形。
如图7所示，加工时间的最小值Pmin随着光强度I的增加而减小。即，在光强度I较高的实例中，需要相对较短的加工时间。另一方面，在光强度I较低的实例中，需要相对较长的加工时间。在本发明该实施方式中，基于光强度I的加工时间的最小值Pmin近似地对应于方程4至7。在光强度I为5×104mW/cm2或以上的实例(如方程7所示)中，最小加工时间极大地减少，从而难于执行算术计算。另外，难于在减少的加工时间内执行该工序。为此，假定加工时间的最小值Pmin对于上述光强度I来说是均匀的。
<方程4>
1.7×102≤I＜103，和Pmin＝13000-(31.7)·I+(0.02)·(I)2
<方程5>
103≤I＜104，和Pmin＝1030-(0.25)·I+(1.5×10-5)·(I)2
<方程6>
104≤I≤5×104，和Pmin＝35.5-(0.0012)·I+(10-8)·(I)2
<方程7>
5×104≤I≤105，和Pmin＝0.5
其中，I的单位是mW/cm2，而Pmin的单位是秒(秒)。
因此，当主加工工序(ST56)的光强度I具有均匀值时，在主加工工序(ST56)的加工时间P等于或大于加工时间的最小值Pmin的实例中，氢的状态可以有效地转换成H0或H-状态。从而，基于光强度I的主加工工序(ST56)的加工时间P可以满足方程8至11中的任一个。
<方程8>
1.7×102≤I＜103，和13000-(31.7)·I+(0.02)·(I)2≤P
<方程9>
103≤I＜104，和1030-(0.25)·I+(1.5×10-5)·(I)2≤P
<方程10>
104≤I≤5×104，和35.5-(0.0012)·I+(10-8)·(I)2≤P
<方程11>
5×104≤I≤105，和0.5≤P
其中，Imin的单位是mW/cm2，而P的单位是秒(秒)。
因此，在满足方程8至11的加工时间P期间，在利用主加工工序(ST56)的光强度I执行该工序的实例中，可以将处于H+状态的氢转换成处于H0或H-状态的氢。这时，如果加工时间P过长，则生生产率降低。为此，主加工工序(ST56)的加工时间P可以具有值10000秒钟或以下。从而，基于光强度I的主加工工序(ST56)的加工时间P可以满足方程12至15中的任一个。
<方程12>
1.7×102≤I＜103，和13000-(31.7)·I+(0.02)·(I)2≤P≤10000
<方程13>
103≤I＜104，和1030-(0.25)·I+(1.5×10-5)·(I)2≤P≤10000
<方程14>
104≤I≤5×104，和35.5-(0.0012)·I+(10-8)·(I)2≤P≤10000
<方程15>
5×104≤I≤105，和0.5≤P≤10000
满足方程12至15的光强度I和加工时间P的范围大约对应于图7中用B指示的区域。
如上所述，在本发明该实施方式中，主加工工序(ST56)的温度T和光强度I的范围被限定成实现氢转换。另外，加工时间P的范围还被限定成有效实现氢转换。从而，可以有效防止半导体基板110的特性降低，其可能在向半导体基板110发射光时在半导体基板110中而造成。
如上所述，在本发明该实施方式中，后加工操作(ST50)包括按温度T和光强度I的预定范围执行的主加工工序(ST56)，由此防止在半导体基板110中生成可以降低太阳能电池100的特性的不希望的化合物(例如，B-O化合物)，而相反，在半导体基板110中生成包括氢的化合物(例如，B-H化合物)。从而，可以防止因不希望的化合物而降低太阳能电池100的特性。这时，主加工工序(ST56)的加工时间P可以被限定至一预定范围，以更有效地防止生成不希望的化合物。
另外，还可以在主加工工序(ST56)之前，执行用于扩散氢的氢扩散工序(ST52)和/或用于生成包括氢的化合物(例如，B-H化合物)的预先热处理工序(ST54)，以进一步改进后加工操作(ST50)的效果。
在上面的描述中，半导体基板110的基极区10包括硼(B)。另选的是，第一导电区20可以包括硼(B)。即使在半导体基板110不包括硼(B)的实例中，也可以在半导体基板110中生成包括氢的化合物(例如，B-H化合物)，由此，改进太阳能电池100的特性。
另外，可以应用根据本发明该实施方式的太阳能电池100的制造方法，来制造包括具有晶体结构的半导体基板110的太阳能电池100。下面，参照图8和9，对这种太阳能电池100进行详细描述。与根据本发明先前实施方式的太阳能电池相同或相似的部分可以等同地应用至本发明的下列实施方式，并由此，省略了其详细描述。
图8是示出根据本发明该实施方式的、利用太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的另一实施例的截面图。
参照图8，根据本发明该实施方式的太阳能电池被设置成，使得第二钝化膜32形成在半导体基板110的后表面上，并且第二电极44贯穿第二钝化膜32(例如，经由开孔104)连接至第二导电区30。
除了与第二电极44相对应的开孔104以外，第二钝化膜32可以大致遍布半导体基板110的后表面形成。第二钝化膜32与第二导电区30接触地形成，以钝化存在于第二导电区30的表面上或第二导电区30的体中的缺陷。钝化缺陷可以去除少数载流子的复合地点，其可以增加太阳能电池100的开路电压Voc。
第二钝化膜32可以由不同材料形成。例如，第二钝化膜32可以由包括氢的电介质材料形成。在第二钝化膜32如上所述包括氢的实例中，第二钝化膜32可以起作用以钝化半导体基板110的表面，而且另外，充当用于在后加工操作(ST50)时向半导体基板110的表面提供氢或者将氢供应到半导体基板110的体中的氢源(参见图3)。
例如，第二钝化膜32可以包括1020ea/cm3至1022ea/cm3的氢。第二钝化膜32的氢含量被限制于这样一范围，即，第二钝化膜32可以在第二钝化膜32钝化半导体基板的表面时和在后加工操作(ST50)时有效地充当氢源。然而，本发明的实施方式不限于此。第二钝化膜32的氢含量可以不同地改变。
例如，第二钝化膜32可以包括：包括氢的氮化硅(SiNx：H)、包括氢的氮氧化硅(SiOxNy：H)、包括氢的碳化硅(SiCx：H)或者包括氢的氧化硅(SiOx：H)。然而，本发明的实施方式不限于此。第二钝化膜32可以包括不同的其它材料。
如上所述，在本发明该实施方式中，形成在半导体基板110的前表面处的第一钝化膜22和形成在半导体基板110的后表面处的第二钝化膜32充当后加工操作(ST50)时的氢源，由此，使后加工操作(ST50)的效果加倍。
然而，本发明的实施方式不限于此。第二钝化膜32可以包括不同的材料。另选的是，仅第二钝化膜32可以包括氢，而第一钝化膜22可以不包括氢。另外，除了第二钝化膜32以外，还可以将不同膜形成在半导体基板110的后表面上。各种其它修改例也是可以的。
第二电极44经由贯穿第二钝化膜32形成的开孔104电连接至第二导电区30。第二电极44可以由不同材料形成，以使第二电极44可以具有不同形状。
例如，第二电极44可以具有与先前参照图1和2描述的第一电极42相同或相似的平坦形状。从而，半导体基板110具有光入射在半导体基板110的前表面和后表面两者上的双面结构。结果，用于光电转换的光的量增加，由此，改进太阳能电池100的效率。第二电极44的指状电极和汇流条电极的宽度和节距可以等于或不同于第一电极42的指状电极42a和汇流条电极的42b的宽度和节距。
在另一实施例中，第二电极44可以贯穿第二钝化膜32形成，并且可以经由开孔104连接至半导体基板110的后表面或第二导电区30。在这种情况下，半导体基板10的后表面未被纹理化。即，不在半导体基板10的后表面处形成凹凸形状。从而，光可以被遍布第二钝化膜32形成的第二电极44有效地反射。各种其修改例也是可以的。
在本发明该实施方式中，不仅第一导电区20具有选择性结构，而且第二导电区30也具有选择性结构。
即，第一导电区20可以包括与第一电极42相邻地(例如，接触地)形成的第一部分20a，和形成在未放置第一电极42的区域处的第二部分20b。第一部分20a具有相对较高的掺杂剂浓度和相对较大的结深度。从而，第一部分展示相对较低的电阻。另一方面，与第一部分20a相比，第二部分20b具有更低的掺杂剂浓度和更小的结深度。从而，第二部分20b展示比第一部分20a更高的电阻。
如上所述，在本发明该实施方式中，具有相对较低电阻的第一部分20a可以形成在与第一电极42相邻的部分处，以缩减与第一电极42的接触电阻。另外，具有相对较高电阻的第二部分20b可以形成在第一电极42之间的、与光入射的光接收区域相对应的部分处，以构成浅发射极。从而，可以改进太阳能电池100的电流密度。即，在本发明该实施方式中，第一导电区20可以具有选择性结构，由此，最大化太阳能电池100的效率。
另外，第二导电区30可以包括与第二电极44相邻地(例如，接触地)形成的第一部分30a，和形成在未放置第二电极44的区域处的第二部分30b。第一部分30a具有相对较高的掺杂剂浓度和相对较大的结深度。从而，第一部分30a展示相对较低的电阻。另一方面，与第一部分30a相比，第二部分30b具有更低的掺杂剂浓度和更小的结深度。从而，第二部分30b展示比第一部分30a更高的电阻。
如上所述，在本发明该实施方式中，具有相对较低电阻的第二部分30a可以形成在与第二电极44相邻的部分处，以缩减与第二电极44的接触电阻。另外，具有相对较高电阻的第二部分30b可以形成在第二电极44之间的、与光入射的区域相对应的部分处，以防止空穴与电子之间的复合。从而，可以改进太阳能电池100的电流密度。即，在本发明该实施方式中，第二导电区30可以具有选择性结构，由此，最大化太阳能电池100的效率。
然而，本发明的实施方式不限于此。第一导电区20和/或第二导电区30可以具有如图1所示的均质结构。另选的是，第二导电区30可以具有不包括第二部分30b而仅包括第二部分30a的局部结构。
图9是示出根据本发明该实施方式的、利用太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的又一实施例的截面图。
参照图9，根据该实施方式的太阳能电池被设置成，使得导电区20和30与半导体基板110分离地形成在半导体基板110上，并且具有与半导体基板110不同的晶体结构。从而，半导体基板110可以不包括导电区20和30，而是仅包括基极区10。
更具体地说，可以将第一隧道化层52形成在半导体基板110的前表面上，而可以将第一导电区20置于第一隧道化层52上。
第一隧道化层52可以改进半导体基板110的前表面的钝化特性，并且所生成的载流子可以因隧道效应而平滑发送。第一隧道化层52可以包括能够使载流子隧道化的不同材料，如氮化物、半导体以及导电聚合物。例如，第一隧道化层52可以包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶半导体(例如，本征非晶硅)以及本征多晶半导体(例如，本征多晶硅)。在第一隧道化层52包括本征非晶半导体的实例中，半导体基板110可以容易地利用简单制造工序来制造，因为第一隧道化层52展示了与半导体基板110相似的特性，由此，更有效地改进半导体基板110的表面特性。从而，可以防止可能在半导体基板110的表面处产生的表面复合，由此，改进半导体基板110的钝化特性。
可以将第一隧道化层52遍布半导体基板110的前表面形成。从而，可以钝化半导体基板110的整个前表面，并且可以容易地形成第一隧道化层52而不需要构图。
为了充分实现隧道效应，第一隧道化层52可以具有5nm或以下的厚度。具体来说，第一隧道化层52可以具有0.5nm至5nm(例如，1nm至4nm)的厚度。如果第一隧道化层52的厚度大于5nm，则隧道化不能令人满意地实现，从而，太阳能电池100不能操作。另一方面，如果第一隧道化层52的厚度小于0.5nm，则难于按第一隧道化层52具有希望质量的方式形成第一隧道化层52。为了进一步改进隧道效应，第一隧道化层52可以具有1nm至4nm的厚度。然而，本发明的实施方式不限于此。第一隧道化层52的厚度可以不同地改变。
第一导电类型的第一导电区20(其与半导体基板110或基极区10的导电类型相反)可以形成在第一隧道化层52上。第一导电区20可以与半导体基板110或基极区10一起形成pn结(例如，pn隧道结)，以构成用于通过光电转换来生成载流子的发射极区。
与半导体基板110分离地形成在第一隧道化层52上的第一导电区20可以具有不同于半导体基板110的晶体结构。即，第一导电区20可以包括：非晶半导体(例如，非晶硅)、微晶体半导体(例如，微晶体硅)或者多晶半导体(例如，多晶硅)，其可以利用诸如沉积的各种方法容易地形成在第一导电区20上。从而，第一导电区20可以由具有第一导电掺杂剂的非晶半导体(例如，非晶硅)、微晶体半导体(例如，微晶体硅)或者多晶半导体(例如，多晶硅)形成。第一导电掺杂剂可以在形成半导体层以形成第一导电区20时被包括在半导体层中，或者可以在形成半导体层之后利用不同掺杂方法(如热扩散、离子注入以及激光掺杂)包括在半导体层中。
类似的是，可以将第二隧道化层54形成在半导体基板110的后表面上，而可以将第二导电区30置于第二隧道化层54上。第二隧道化层54的材料和厚度类似于第一隧道化层52的材料和厚度，并由此，省略了其详细描述。第二导电区30的材料和晶体结构除了第二导电区30具有第一导电掺杂剂以外，其余与第一导电区20相同或相似，并由此，省略了其详细描述。
在本发明该实施方式中，第一透明导电层421可以形成在第一电极42与第一导电区20之间，而第二透明导电层441可以形成在第二电极44与第二导电区30之间。
在隧道化层52和54形成在半导体基板110的前表面上，并接着如上所述将导电区20和30形成在隧道化层52和54的实例中，可以极大地改进半导体基板110的钝化特性。另外，可以缩减昂贵的半导体基板110的厚度，由此，缩减制造成本。而且，可以在低加工温度下制造太阳能电池100。然而，因为导电区20和30的结晶度相对较低，所以载流子迁移率相对较低。在本发明该实施方式中，因此，第一透明导电层421形成在第一电极42与第一导电区20之间，而第二透明导电层441形成在第二电极44与第二导电区30之间，由此，在载流子沿水平方向移动时缩减电阻。
第一透明导电层421可以遍布第一导电区20形成，其可以意指不仅第一透明导电层421可以覆盖第一导电区20的全部，没有空的空间或空的区域，而且第一透明导电层421不形成在第一导电区20的一部分处。在第一透明导电层421遍布第一导电区20形成的实例中，载流子可以容易地经由透明导电层421到达第一电极42，由此，缩减沿水平方向的电阻。
因为第一透明导电层421可以遍布第一导电区20形成，所以第一透明导电层421可以由透光材料形成。即，第一透明导电层421可以由用于容易地移动载流子同时透射光的透明导电材料形成。从而，即使在第一透明导电层421遍布第一导电区20形成的实例中，也不阻挡光的透射。例如，第一透明导电层421可以包括铟锡氧化物(ITO)或碳纳米管(CNT)。然而，本发明的实施方式不限于此。第一透明导电层421可以包括不同的其它材料。
第二透明导电层441的材料和形状可以类似于第一透明导电层421的材料和形状，并由此，省略了其详细描述。
可以在第一透明导电层421上放置具有开孔102的防反射膜24，经由该开孔，第一电极42连接至第一透明导电层421。防反射膜24可以包括具有比第一透明导电层421更低的折射率的电介质材料。在如上所述将具有比第一透明导电层421更低的折射率的防反射膜24形成在第一透明导电层421上的实例中，第一透明导电层421和防反射膜24可以充当双重防反射膜。另外，在防反射膜24包括电介质材料的实例中，防反射膜24可以在形成第一电极42时用作掩模层，以使具有一图案。另外，防反射膜24还可以充当用于保护第一透明导电层421的保护层。
在本发明该实施方式中，防反射膜24包括氢。在这种情况下，防反射膜24可以充当后加工操作(ST50)下的氢源。防反射膜24的材料可以与先前参照图1描述的第一钝化膜22或防反射膜24的材料相同或相似，而且防反射膜24的氢含量可以与先前参照图1描述的第一钝化膜22的氢含量相同或相似。
在上面的描述和图中，置于半导体基板110的前表面上的防反射膜24被例示为包括氢。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，电介质膜(例如，图1所示第二钝化膜32或附加防反射膜)还可以置于半导体基板110的后表面上，而置于半导体基板110的后表面上的电介质膜可以包括氢。
包括基极区10的半导体基板110可以是具有硼的p型。在这种情况下，可以因通过后加工操作(ST50)而获取的效果来极大地改进太阳能电池100的特性。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，半导体基板110可以具有不同的掺杂剂，或者可以是n型。即使在这种情况下，也可以实现通过后加工操作(ST50)而获取的效果。
下面，参照实验例，对本发明的实施方式进行更详细描述。仅提供该实验例，以更详细地描述本发明的实施方式，并由此不限制本发明的实施方式。
实验例
具有如图1所示结构的太阳能电池利用包括具有硼的p型基极区的半导体基板来制造。这时，钝化膜包括大约1020ea/cm3的氢，并且在电极焙烧操作下，峰值温度为700℃，而加工时间为10秒钟。在电极焙烧操作下，同时执行氢扩散工序。
随后，在大约200℃的温度下执行预先热处理工序达5分钟。当在200℃至700℃的温度范围和104mW/cm2至8×104mW/cm2的光强度范围内改变温度、光强度以及时间时，针对多个太阳能电池执行主加工工序，以测量每一个太阳能电池的输出损耗。基于太阳能电池的所测量输出损耗值，如图10所示映射展示相同输出损耗的温度和光强度，如图11所示映射展示相同输出损耗的光强度和时间。
在图10中，示出了互连指示相同输出损耗的点的虚线L1、L2、L3、L4以及L5。该输出损耗按L5、L4、L3、L2以及L1的次序缩减。另外，在300℃、400℃、500℃、600℃以及700℃温度下，根据方程1计算的光强度的最小值Imin被示出为四边形点，而互连四边形点的线被示出为实线。在图11中，示出了互连指示相同输出损耗的点的虚线L11、L12、L13。该输出损耗按L13、L12以及L11的次序缩减。
参照图10，可以看出，只有在按均匀温度供应具有预定光强度或以上的光时，才可以缩减太阳能电池的输出损耗，并且还必需随着温度的增加来增加光强度，以便缩减太阳能电池的输出损耗。还可以看出，在光强度大于如示出为每一个温度下的四边形点的实例中，输出损耗缩减。从而，可以看出，在按根据通过本发明的实施方式限定的方程的温度和光强度执行主加工工序的实例中，可以实际上缩减太阳能电池的输出损耗。
参照图11，可以看出，在光强度较高的实例中，即使在短加工时间期间执行主加工工序，也可以极大地缩减输出损耗。这与在本发明的实施方式中限定的时间-光强度方程一致。
可以由根据本发明的实施方式的太阳能电池的后加工设备200(下文中简称为“后加工设备”)执行太阳能电池100的制造方法的后加工操作(ST50)(参见图3)的至少主加工处理(ST56)(参见图3)。下文中，将详细描述根据本发明的实施方式的后加工设备200。
图12是示意性示出了根据本发明的实施方式的太阳能电池的后加工设备的结构的示意图。
参照图12，根据该实施方式的太阳能电池的后加工设备200基本上包括主区段220，主区段220具有光源单元222以及用于对半导体基板110(参见图1)或包括半导体基板110的太阳能电池100执行主时段(ST562)(参见图5)的第一热源单元224。用于执行温度上升时段(ST561)(参见图5)的温度上升区段210可以位于主区段220之前，并且用于执行冷却时段(ST563)的冷却区段230可以位于主区段220之后。
在本发明的该实施方式中，温度上升区段210、主区段220和冷却区段230顺序地设置。在其中太阳能电池100放置在传送单元(诸如传送带202)上的状态下，传送带202可以移动以使得放置在传送带202上的太阳能电池100顺序地穿过温度上升区段210、主区段220和冷却区段230。因此，在温度上升区段210中对太阳能电池100执行温度上升时段(ST561)的处理。随后，在主区段220中对太阳能电池100执行主时段(ST562)的处理。接着，在冷却区段230中对太阳能电池100执行冷却时段(ST563)的处理。
传送带202可以具有其中太阳能电池100可以稳定地放置在传送带202上的各种结构和机制。例如，传送带202可以具有网格结构，其中光和热量可以更有效地提供至太阳能电池100，并且太阳能电池100可以维持在均匀温度下。在示例中，图14中所示的工作台204可以扩展以构成传送带202。下文中将参照图14更详细描述工作台204的形状。然而，本发明的实施方式不限于此。传送带202可以具有各种结构。
例如，传送带202可以具有50mm/min至1000mm/min的移动速度。在该移动速度下，太阳能电池100可以移动而不会对太阳能电池100冲击或损伤，并且可以在所需时间期间对太阳能电池100执行温度上升时段的处理、主时段(ST562)的处理、以及冷却时段(ST563)的处理。
然而，本发明的实施方式不限于此。可以不同地改变传送带202的移动速度。例如，在其中附加的热源单元216位于温度上升区段210中以加速温度提高的情形中，传送带202的移动速度可以增大。另选地，在其中温度上升区段210、主区段220或冷却区段230的尺寸较大并且因此甚至当传送带202移动速度高时在足够时间期间可以执行处理的情形中，传送带202的移动速度可以增大。另一方面，在其中温度上升区段210、主区段220或冷却区段230的尺寸较小的情形中，传送带202的移动速度可以减小以使得可以在足够时间期间执行处理。此外，在温度上升区段210、主区段220和冷却区段230中传送带202的移动速度可以相互不同。各种其他修改例也是可能的。
在其中如上所述使用传送带202基于直线式的处理(in-lineprocess)在温度上升区段210、主区段220和冷却区段230中执行处理的情形中，能够由于连续处理而增大输出。在本发明的该实施方式中，传送带202用作用于直线式的处理的传送装置的示例。然而，本发明的实施方式不限于此。可以使用能够执行直线式的处理的各种结构和机制。
如上所述，在本发明的该实施方式中，执行使用传送带的直线式的处理。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，后加工设备200可以具有批处理结构，其中在太阳能电池100不移动、即太阳能电池100固定在特定位置处的状态下可以执行处理，将参照图13至图16详细描述。
下文中，将详细描述其中执行了主加工处理(ST56)的基本处理(即主时段(ST562))的主区段220，并且随后将详细描述温度上升区段210和冷却区段230。
如之前所述，在主时段(ST562)中，在其中具有均匀光强度的光提供至太阳能电池100的状态下在均匀温度下加热处理太阳能电池100(或半导体基板110)。为此，主区段220包括：用于将具有均匀光强度的光提供至太阳能电池100的光源单元222；以及用于在均匀温度下加热太阳能电池10的热源单元(或第一热源单元)224。
光源单元222用于将具有均匀光强度的光提供至太阳能电池100。如前所述，在主时段(ST562)中需要具有1.7×102mW/cm2至105mW/cm2光强度的光。因此，光源单元222可以提供具有1.7×102mW/cm2至105mW/cm2光强度的光。
此时，可以使用调整光源单元222的光强度的各种方法以提供具有主时段(ST562)所需光强度的光。也就是说，能够调整构成了光源单元222的光源222a和222b的数目、种类和输出，或者改变光源222a和222b与太阳能电池100之间的距离。
在本发明的该实施方式中，包括光源222a和222b的光源单元222可以向太阳能电池100提供足够量的光。然而，本发明的实施方式不限于此。在其中不需要具有高光强度的光的情形中，可以仅提供光源222a和222b的一个。
此外，在本发明的该实施方式中，光源222a和222b的每一个可以由用于基于等离子发射提供光的等离子体发光系统(PLS)而构成。在等离子体发光系统中，采用特定气体填充灯泡，电磁波、诸如由磁控管产生的微波、或者入射束施加至灯泡以离子化灯泡中的气体(即产生等离子体)，并且光从等离子体发出。
等离子体发光系统并未使用作为传统发光系统的组件的电极、灯丝和汞。因此，等离子体发光系统是环境友好的，并且展现了半永久的寿命。此外，等离子体发光系统具有非常优良的光通量维护系数。为此，甚至当基于超级光通量而长时间使用等离子体发光系统时，光质量的改变是小的。此外，等离子体发光系统展现出高热阻，并且因此具有高热稳定性。因此，等离子体发光系统可以用于其中热源单元224所处的空间中。此外，等离子体发光系统可以发出具有足够光强度的光。例如，诸如发光二极管的另一光源展现低热阻，结果其难以将发光二极管与热源单元224一起使用，并且发光二极管仅发射具有低光强度的光。此外，等离子体发光系统可以发射在整个可见光波长之上几乎均匀连续的光。因此，等离子体发光系统可以提供类似于太阳光的光。在本发明的该实施方式中，铟(In)和溴(Br)的化合物可以用作填充等离子体发光系统灯泡的气体。在该情形中，等离子体发光系统可以具有比其中硫用作填充等离子体发光系统灯泡气体的情形更类似于太阳光的光谱。在其中提供了具有类似于太阳光光谱的光的情形中，能够在类似于太阳光的那些条件下执行主加工处理(ST56)，由此通过主加工处理(ST56)有效地防止可以由太阳光引起的输出损耗。
在本发明的该实施方式中，位于光源222a和222b的每一个的正表面(即发光表面)上的覆盖基板223可以包括包括具有不同折射率的材料基底基板223a和位于基底基板223a上的多个层223b。
基底基板223a可以由具有足够强度以保护光源222a和222b的光透射材料形成。例如，基底材料223a可以由玻璃形成。
通过堆叠具有不同折射率的层而配置的层223b可以阻挡不需要的光。例如，层223b可以由具有不同折射率的氧化物材料形成。在该情形中，层223b可以阻挡具有小于600nm(具体的，400nm至600nm)并且大于1000nm波长的光。可以采用层223b的各种材料和堆叠结构，只要层223b可以阻挡具有小于600nm(具体的，400nm至600nm)并且大于1000nm波长的光。
在附图中，层223b示出为位于基底基板223a的外表面处。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，层223b可以位于基底基板223a的内表面处。另选地，层223b可以位于基底基板223a的内表面以及外表面两者处。
在本发明的该实施方式中，覆盖基板223的外表面(即覆盖基板223的与太阳能电池100相对的表面)可以是平坦的。结果，光可以通过覆盖基板223均匀地提供至太阳能电池100以使得光可以均匀地分布在太阳能电池100之上。另一方面，在外面使用通用等离子体发光系统的光源。为此原因，凹型覆盖基板通常用于改进光的直线性。
因此，从光源222a和222b发射至太阳能电池100的光可以具有600nm至1000nm的波长。在其中如上所述阻挡了从光源222a和222b发射的光的紫外光部分的情形中，能够最小化当紫外光发射至太阳能电池100时可以引起的钝化膜22(参见图1)和/或32(参见图8)的钝化特性的降低。此外，在其中阻挡了从光源222a和222b发出的光的红外光部分的情形中，能够最小化从光源222a和222b提供至太阳能电池100的热量。另一方面，在其中光源222a和222b向太阳能电池100发射红外光的情形中，光源222以及热源单元224可以向太阳能电池100提供热量，结果会难以将太阳能电池100维持在所需温度下。因此在本发明的该实施方式中，能够最大地防止光源单元222影响太阳能电池100的温度，以使得可以由热源单元224独立的控制太阳能电池100的温度。
在本发明的该实施方式中，构成了光源222a和222b的每一个的覆盖基板223可以阻挡一部分光，以使得可以仅向太阳能电池100提供对于主时段(ST562)光的有效部分。因此，能够通过该简单结构最大化主时段(ST562)的效果。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，滤光器可以布置在光源222a和222b与太阳能电池100之间以用于阻挡一部分光。
在本发明的该实施方式中，使用光源222a和222b，它们各自包括等离子体发光系统。因此，能够稳定地向太阳能电池100提供具有所需光强度的光。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，在主区段220中光源222a和222b的一个可以由等离子体发光系统构成，而光源222a和222b的另一个可以由另一类型的光源构成。各种其他修改例也是可能的。
在主区段220中，热源单元224可以向太阳能电池100提供合适的热量以使得太阳能电池100具有所需温度。可以应用热源单元224的各种机制、结构和形状。
在本发明的该实施方式中，包括多个热源224a和224b的热源单元224可以向太阳能电池100提供足够量的热量。然而，本发明的实施方式不限于此。可以考虑热源224a和224b的结构、机制和形状以及太阳能电池100的热处理温度而仅提供热源224a和224b的一个。
例如，构成热源单元224的热源224a和224b的每一个可以是紫外灯。在示例中，热源224a和224b的每一个可以是卤素灯。在另一示例中，盘管式加热器可以用作热源224a和224b的每一个。在其中紫外灯、诸如卤素灯用作热源224a和224b的每一个的情形中，能够比其中使用盘管式加热器的情形更快地升高太阳能电池100的温度。另一方面，在其中盘管式加热器用作热源224a和224b的每一个的情形中，能够减小设备成本。
在本发明的该实施方式中，热源单元224可以与太阳能电池100或其上放置了太阳能电池100的传送带202间隔开，以使得热源单元224可以以其中热源单元224在主区段220中通过辐射加热空气的环境加热方式而加热太阳能电池100。结果，能够最小化由热源单元224所引起的对太阳能电池100的损伤以及从太阳能电池100的局部部分产生的热。例如，在其中热源单元224的每个热源224a和224b是紫外灯的情形中，钝化膜22和32的钝化特性可以由从热源224a和224b发出的紫外光而降低。此外，在其中热源单元224的热源224a和224b直接相互接触的情形中，由于处理误差，热源224a和224b可以局部地加热太阳能电池100，结果一部分太阳能电池100可以加热至不希望的温度。
然而，本发明的实施方式不限于此。例如，可以通过传导而不是环境加热来加热太阳能电池100，下文中将参照图13详细描述。
如上所述，在主时段(ST562)中，在其中从光源单元222提供光并且从热源单元224提供热量的状态下加热处理太阳能电池100以使得太阳能电池100维持在均匀温度下。在本发明的该实施方式中，光源单元222和热源单元224可以在其中光源单元222和热源单元224相互分离的状态下向太阳能电池100提供光和热量。也就是说，构成光源单元222的光源222a和222b彼此相邻，以及构成热源单元224的热源224a和224b彼此相邻，以使构成光源222的光源222a和222b与构成热源单元224的热源224a和224b彼此间隔开。在该状态下，光源单元222和热源单元224可以向太阳能电池100提供光和热量，由此最小化了光源单元222与热源单元224的相互影响。
例如，在主区段220中，光源单元222可以位于太阳能电池100的一侧处，并且热源单元224可以位于太阳能电池100的另一侧处(例如，在与太阳能电池100的一侧相对的太阳能电池100的另一侧处)。结果，可以在其中最小化了光源单元222与热源单元224之间的干扰的状态下从光源单元222和热源单元224有效地向太阳能电池100提供光和热量。
在示例中，光源单元222可以位于太阳能电池100的上侧(即传送带202的上侧)，以及热源单元224可以位于太阳能电池100的下侧(即传送带202的下侧)。在其中光源单元222位于传送带202的下面的情形中，传送带202阻挡了从光源单元222发出的一部分光，结果光并未有效地提供至太阳能电池100。另一方面，在其中热源单元224位于传送带202的下面的情形中，能够通过环境加热向太阳能电池100提供足够热量。因此在本发明的该实施方式中，光源单元222位于太阳能电池100或传送带202的上侧，并且热源单元224位于太阳能电池100或传送带202的下面。然而，本发明的实施方式不限于此。光源单元222和热源单元224的位置可以改变。
位于主区段220之前的温度上升区段210是用于执行主加工处理(ST56)的温度上升时段(ST561)的区段。也就是说，温度上升区段210是用于在主加工处理(ST56)的主时段(ST562)所需温度下预备加热太阳能电池100的区段。为此，温度上升区段210包括用于向太阳能电池100提供热量的热源单元(或第二热源单元)214。
温度上升区段210的热源单元214可以位于与主区段220的热源单元224相同侧(例如下面)。在其中温度上升区段210的热源单元214与主区段220的热源单元224如上所述位于一侧处的情形中，可以简化后加工设备200的结构。然而，本发明的实施方式不限于此。温度上升区段210的热源单元214和主区段220的热源单元224可以各种不同的修改。
在温度上升区段210中，热源单元214可以向太阳能电池100提供合适的热量以使得太阳能电池100可以预备加热至所需温度。可以应用热源单元214的各种机制、结构和形状。
在本发明的该实施方式中，包括多个热源214a和214b的热源单元214可以向太阳能电池100提供足够的热量。然而，本发明的实施方式不限于此。考虑到热源214a和214b的结构、机制和形状以及太阳能电池100的加热处理温度，可以仅提供热源214a和214b的一个。
例如，构成热源单元214的热源214a和214b的每一个可以是紫外灯。在示例中，热源214a和214b的每一个可以是卤素灯。在另一示例中，盘管式加热器可以用作热源214a和214b的每一个。在紫外灯、诸如卤素灯用作每个热源214a和214b的情形中，能够比使用盘管式加热器的情形更快速地提高太阳能电池100的温度。另一方面，在其中盘管式加热器用作热源214a和214b的每一个的情形中，能够减小设备成本。
在本发明的该实施方式中，热源单元214可以与太阳能电池100或其上放置了太阳能电池100的传送带202间隔开，以使得热源单元214可以以其中在温度上升区段210中热源单元214通过辐射加热空气的环境加热方式加热太阳能电池100。结果，能够最小化由热源单元214所引起的对太阳能电池100的损伤以及由太阳能电池100的局部部分产生热量。
温度上升区段210可以还包括位于与热源单元214相对侧处(例如，太阳能电池100或传送带202的上侧)的附加的热源单元216。在其中热源单元214和附加的热源单元216如上所述在温度上升区段210中太阳能电池100的相对侧处向太阳能电池100提供热量的情形中，能够提高太阳能电池100的温度上升速度。附加的热源单元216可以与温度上升区段210的入口相邻，太阳能电池100通过入口被引入温度上升区段210中。结果，温度上升区段210中太阳能电池100的温度上升速度可以增大，由此改进了生产率。
可以应用附加的热源单元216的各种机制、结构和形状。在本发明的该实施方式中，附加的热源单元216包括一个热源。然而，本发明的实施方式不限于此。考虑到附加的热源单元216的结构、机制和形状以及太阳能电池100的加热处理温度，附加的热源单元216可以包括多个热源。
此外，附加的光源(或第一附加的光源)212也可以位于温度上升区段210中。当需要在主区段220中所执行的主时段(ST562)中提供大量光时或者当需要增大主时段(ST562)的处理时间时，可以提供温度上升区段210的附加的光源212，以执行与温度上升区段210中主时段(ST562)相同的处理。也就是说，如果需要，可以使用温度上升区段210的一部分用作主区段210，下文中当描述划分壁单元240时将更详细描述。
附加的光源212可以在其中附加的光源212与主区段220相邻的状态下位于温度上升区段210中，以使得温度上升区段210的一部分可以易于用作主区段220。参照图5，与主时段(ST562)相邻的温度上升时段(ST561)的一部分具有等于或者类似于主时段(ST562)的温度。因此，温度上升区段210的一部分可以用作主区段220。
可以应用附加的光源212的各种机制、结构和形状。例如，附加的光源212可以由与光源单元222的光源222a和222b相同的等离子体发光系统构成，并且可以具有与光源单元222的每个光源222a和222b等同或类似的结构。在本发明的该实施方式中，提供了一个附加的光源212。然而，本发明的实施方式不限于此。考虑到每个附加的光源212的结构、机制和形状以及所需的光强度，可以提供多个附加的光源212。
然而，附加的光源212并非是必须的。因为光并未基本必须地在温度上升区段210中执行的温度上升时段(ST561)提供至太阳能电池100，因此，温度上升区段210可以仅执行温度上升时段(ST561)而并未提供附加的光源212。
用于划分或者限定温度上升区段210和主区段220的划分壁单元240可以位于温度上升区段210与主区段220之间。划分壁单元240用于防止在温度上升时段(ST561)中可以由位于温度上升区段210中从主区段220提供至太阳能电池100的光所引起的不希望化合物的产生。
可以应用划分壁单元240的各种结构。例如，划分壁单元240可以是用于物理地划分温度上升区段210和主区段220的结构(例如金属板或电介质板)。可以安装划分壁单元240以使得划分壁单元240可以向上和向下移动。当需要在主区段220中所执行的主时段(ST562)中提供较大量的光时或者当需要增大主时段(ST562)的处理时间时，因此，划分壁单元240可以向上移动以使得温度上升区段210的附加的光源212可以执行与温度上升区段210中的主时段(ST562)相同的处理。当不需要使用附加的光源212时，划分壁单元240可以向下移动以防止将光从主区段220引至温度上升区段210。
位于主区段220之后的冷却区段230是用于执行主加工处理(ST56)的冷却时段(ST563)的区段。也就是说，冷却区段230是用于冷却已经经过主加工处理(ST56)的主时段(ST562)的太阳能电池100的区段。为此原因，冷却区段230不包括热源单元。
太阳能电池100可以由空气缓慢地冷却，或者使用附加的冷却设备更快速地冷却。然而，本发明的实施方式不限于此。可以应用各种用于冷却的结构。
附加的光源232也可以位于冷却区段230中。当需要在主区段220中所执行的主时段(ST562)中提供较大量的光时或者当需要增大主时段(ST562)的处理时间时，可以提供冷却区段230的附加的光源232以在冷却区段230中执行与主时段(ST562)相同的处理。也就是说，冷却区段230的一部分如果需要的话可以用作主区段220。在附加的光源232与主区段220相邻以使得冷却区段230的一部分可以易于用作主区段220的状态下，附加的光源232可以位于冷却区段230中。
可以应用附加的光源232的各种机制、结构和形状。例如，附加的光源232可以由与光源单元222的光源222a和222b的每一个相同的等离子体发光系统构成，并且可以具有与光源单元222的光源222a和222b中的每一个等同或类似的结构。在本发明的该实施方式中，提供了一个附加的光源232。然而，本发明的实施方式不限于此。考虑到每个附加的光源212的结构、机制和形状以及所需的光强度，可以提供多个附加的光源212。
然而，附加的光源232并非是必须的。因为并非必须基本地在冷却区段230中执行的冷却时段(ST563)中向太阳能电池100提供热量，因此，冷却区段230可以仅执行冷却时段(ST563)而不提供附加的光源232。
划分壁单元也可以位于主区段220与冷却区段230之间。该划分壁单元可以具有等同于或者类似于位于温度上升区段210与主区段220之间的划分壁单元的结构。然而，因为即使当光引入冷却区段230中时太阳能电池100较少受影响，主区段220和冷却区段230之间可以不具有划分壁单元。结果，能够简化后加工设备200的结构。
在本发明的该实施方式中，气帘组件252、254、256和258可以安装在限定在温度上升区段210、主区段220和冷却区段230之间的至少一个界面处。例如，气帘组件252、254、256和258的每一个可以具有条形，具有通过其提供空气的多个空气注入孔洞。然而，本发明的实施方式不限于此。可以应用气帘组件252、254、256和258的各种结构和机制。
在本发明的该实施方式中，第一气帘组件252可以位于温度上升区段210的入口处，第二气帘组件254可以位于温度上升区段210与主区段220之间，第三气帘组件256可以位于主区段220与冷却区段230之间，并且第四气帘组件258可以位于冷却区段230的出口处。第二气帘组件254可以安装在位于温度上升区段210与主区段220之间的划分壁单元240处。另选地，第二气帘组件254可以与划分壁单元240分开地安装。在其中划分壁单元设置在主区段220与冷却区段230之间的情形中，第三气帘组件256也可以安装在划分壁单元处。另选地，第三气帘组件256可以与划分壁单元分开地安装。各种其他修改例也是可能的。
第一气帘组件252可以位于温度上升区段210的入口处以用于阻挡外部空气以防止后加工设备200的热量损失。第二气帘组件254可以划分温度上升区段210和主区段220，以用于防止温度上升区段210与主区段220之间在热量和光方面的干扰。第三气帘组件256可以划分主区段220和冷却区段230以用于防止主区段220和冷却区段230之间在热量和光方面的干扰。第四气帘组件258可以位于冷却区段230的出口处，以用于阻挡外部空气并且辅助太阳能电池100冷却。
如上所述，在本发明的该实施方式中，提供了第一至第四气帘组件252、254、256和258。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，可以仅提供第一至第四气帘组件252、254、256和258的一个。此外，可以在与第一至第四气帘组件252、254、256和258不同的位置处进一步地提供一个或多个附加的气帘组件。
下文中，将详细描述具有上述结构的后加工设备200的操作。将经过后加工操作(S50)的主加工处理(ST56)的太阳能电池100放置在传送带202上，并且随后传送带202顺序地移动穿过温度上升区段210、主区段220和冷却区段230。在温度上升区段210中，由热源单元214预备加热太阳能电池100至主时段(ST562)所需的温度。在主区段220中，光源单元222向太阳能电池100发射光，并且热源单元224向太阳能电池100提供热量以钝化半导体基板110的表面或者半导体基板110的体(例如，H+转换为H0或者H-，以产生B-H化合物)。在冷却区段230中，冷却太阳能电池100。
在主区段220中，光源单元222发射具有主时段(ST562)所需光强度的光，并且光源单元224将太阳能电池100维持在主时段(ST562)所需的温度下。此外，可以调整传送带202的移动速度以使得太阳能电池100可以停留在主区段220中达所需处理时间。结果，可以基于满足公式1至15的条件的热处理温度、光强度与处理时间，对太阳能电池100执行主加工处理(ST56)。
也就是说，在根据本发明该实施方式的后加工设备200中，可以稳定并有效地执行用于提供热量和光两者的后加工操作(S50)的主加工处理(ST56)，用以后加工半导体基板110或者包括半导体基板110的太阳能电池，维持后加工操作(S50)的主加工处理(ST56)所需的温度、光强度和处理时间，以最大化主加工处理(ST56)的效果。
后加工设备200可以以其中在电极形成操作(ST40)之后后加工太阳能电池100的独立方式来后加工太阳能电池100(参见图3)。另选地，后加工设备200可以顺序地执行电极形成操作(ST40)(具体的，焙烧操作(ST44)和/或氢扩散处理(ST52))和预备加热处理加工(ST54)的一部分或全部。另选地，后加工设备200可以控制光源单元22以及热源单元214和224的操作，以使得电极形成操作(ST40)(具体的，焙烧操作(ST44)和/或氢扩散处理(ST52))以及预备加热处理加工(ST54)的一部分或全部均在后加工设备200中执行。各种其他修改例也是可能的。
在本发明的上述实施例中，执行了使用传送带202的直线式的处理，并且在温度上升区段210和主区段220中使用环境加热。然而，本发明的实施方式不限于此。下文中，将参照图13详细描述后加工设备200的修改例。
图13是示意性示出了根据本发明的实施方式的修改例的太阳能电池的后加工设备的结构的示意图。图14是示出了应用于图13中所示太阳能电池的后加工设备的工作台的示例的示意图。图14的(a)是示意性示出了工作台的平视图，图14的(b)是示出了第一部分和第二部分的局部立体图，并且图14的(c)是示出了在其中太阳能电池位于第一部分和第二部分上的状态下的局部立体图。等同于或者类似于根据本发明之前实施例的后加工设备的部分可以等同的适用于本发明的以下实施例，并且因此将省略对其详细描述。
如图13中所示，在该修改例中，温度上升区段210、主区段220和冷却区段230中没有传送带，并且在太阳能电池100固定的状态下执行处理。当处理完成时，太阳能电池100可以由工人或者传输装置(诸如工作梁杆)移动。也就是说，太阳能电池100可以在其中太阳能电池100位于温度上升区段210中的状态下而预备加热。当预备加热处理完成时，位于温度上升区段210中的太阳能电池100可以移动至主区段220中。当在主区段220中完成了处理时，位于主区段220中的太阳能电池100可以移动至冷却区段230中。
也就是说，在本发明的该实施方式中，后加工设备200具有批处理结构，其中，在太阳能电池100固定的状态下执行处理。在如上所述在太阳能电池100固定的状态下执行处理的情形中，能够容易的调整并维持温度上升区段210、主区段220和冷却区段230所需的光强度和热能，并且易于调整处理时间。此外，可以在处理期间最小化与外部环境的干扰，由此改进处理的均匀性。此外，可以省略传送带，由此减小设备成本。
在本发明的该实施方式中，温度上升区段210、主区段220和冷却区段230都位于一个腔室208中。在其中温度上升区段210、主区段220和冷却区段230如上所述都位于一个腔室208中的情形中，可以最小化用于温度上升区段210、主区段220和冷却区段230的安装空间。
例如，用于支撑太阳能电池100的支撑台206可以位于温度上升区段210、主区段220和冷却区段230中。支撑台206可以具有不会妨碍热能从热源单元214和224提供至太阳能电池100的材料或结构。然而，本发明的实施方式不限于此。可以提供用于固定太阳能电池100的另一结构来替代支撑台206。
太阳能电池100可以单独地放置在支撑台206上并且单独地移动。另选地，如图14中所示，多个太阳能电池100可以放置在工作台(盘)204上，并且随后工作台204可以放置在支撑台206上。在该情形中，能够同时移动大量太阳能电池100，由此改进处理效率。
在本发明的该实施方式中，太阳能电池100可以在其中最小化了与位于工作台204上侧的光源单元222的干扰以及与位于工作台204下面的热源单元214和224的干扰的状态下放置在工作台204上。
例如，工作台204可以包括形成了工作台204外边缘的框架部分204a，沿一个方向以均匀间隔延伸的多个第一部分204b，以及沿与第一部分204b交叉的方向以均匀间隔延伸的多个第二部分204c。
第一部分204b和第二部分204c在框架部分204a中相互交叉。结果，工作台204具有矩阵或网格结构。更具体地，由两个相邻的第一部分204b和两个相邻的第二部分204c限定了空间S(例如，四边形空间)。空间S的侧面由第一部分204b和第二部分204c阻挡。因此，空间S可以形成为当从上方查看时为封闭开口的形状。在附图中，第一部分204b和第二部分204c示出为各自具有笔直形状并且相互耦合。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，第一部分204b和第二部分204c可以具有包括一个层的单一结构。各种其他修改例也是可能的。
在本发明的该实施方式中，每个太阳能电池100的边缘放置在两个相邻的第一部分204b和两个相邻的第二部分204c上。也就是说，每个太阳能电池100的垂直宽度可以小于两个相邻的第一部分204b的宽度，以及每个太阳能电池100的水平宽度可以小于两个相邻的第二部分204c的宽度。因此，空间S的面积小于每个太阳能电池100的面积，结果每个太阳能电池100的边缘放置在第一部分204b和第二部分204c之上。也就是说，每个太阳能电池100放置在由两个相邻的第一部分204b和两个相邻的第二部分204c所限定的空间S之上而完全覆盖了空间S。结果，来自位于工作台204的下侧的热源单元214和224的热能可以通过空间S有效地传输至太阳能电池100。另一方面，来自工作台204的上侧的光源单元222的光可以被工作台204和太阳能电池100阻挡，结果防止热源单元214和224受到来自光源单元222的光的影响。因此，能够防止由于光源单元222与热源单元214和224之间的干扰而导致的太阳能电池100的温度均匀性的降低。
在如图14所示的实施例中，每个太阳能电池100的边缘放置在第一部分204b和第二部分204c之上。然而，本发明的实施方式不限于此。工作台204可以具有用于固定太阳能电池100的各种结构。在另一修改例中，如图15中所示，每个太阳能电池100的垂直宽度可以等于两个相邻的第一部分204b的宽度，并且每个太阳能电池100的水平宽度可以等于两个相邻的第二部分204c的宽度。此外，突出部P可以对于每个空间S从第一部分204b和第二部分204c向内突出以使得每个太阳能电池100放置在突出部P上。结果，除了对应于突出部P之外的太阳能电池100的区域的大部分可以放置在空间C之上，由此有效地实现了热传输。如图15的(a)所示，突出部P可以位于在每个空间S的四个角落上的第一部分204b和第二部分204c处。另选地，如图15的(b)中所示，突出部P可以在每个空间S的四边的中间部分上位于第一部分204b和第二部分204c上。可以不同地改变突出部P的位置和数目。
返回参照图14，多个空间S可以由第一部分204b和第二部分204c限定。因此，对应数目的太阳能电池100可以放置在工作台204上。例如，可以沿一个方向(例如水平方向)形成10至20个空间S，并且可以沿与上述方向交叉的另一方向(例如垂直方向)形成10至20个空间S。结果，可以在每个工作台204上形成100至400个空间S。因此，可以在一个工作台204上同时处理100至400个太阳能电池100，由此简化了处理并且实现了大规模制造。
工作台204的强度可以通过提供框架部分204a而增大，由此改进了工作台204的结构稳定性。例如，框架部分204a的宽度可以大于第一部分204b和第二部分204c的宽度，以进一步增加工作台204的强度。然而，本发明的实施方式不限于此。框架部分204a的宽度可以不同的改变。此外，可以省略框架部分204a以简化工作台204的结构。
在本发明的该实施方式中，框架部分204a的材料可以不同于第一部分204b和第二部分204c。例如，框架部分204a的材料可以具有比第一部分204b和第二部分204c更高的强度。在该情形中，工作台204的强度可以增大。此外，第一部分204b和第二部分204c的材料可以具有比框架部分204a更高的导热率。在该情形中，可以不妨碍热量从热源单元214和224传输至太阳能电池100。例如，框架部分204a可以由不锈钢(SUS)制成，并且第一部分204b和第二部分204c可以由铝制成。然而，本发明的实施方式不限于此。框架部分204a以及第一部分204b和第二部分204c可以由各种其他材料制成。
图16是示意性示出了根据本发明的实施方式的另一修改例的太阳能电池的后加工设备的结构的示意图。等同于或类似于根据本发明的实施方式的之前实施例的后加工设备的那些部分可以同样适用于本发明的以下实施例，并且将省略对其详细描述。
参照图16，在本发明的该实施方式中，后加工设备200在其中温度上升区段210、主区段220和冷却区段230具有单独的空间的状态下具有批处理结构。因此，能够容易的调整并维持温度上升区段210、主区段220和冷却区段230所需的光强度和热能，以及容易的调整处理时间。此外，可以在处理期间最大化与外部环境的干扰，由此改进处理的均匀性。此外，可以不提供传送带，由此减少设备成本。
然而，本发明的实施方式不限于此。例如，温度上升区段210和主区段220可以连续的分布，以使得可以基于直线式的处理执行处理，并且冷却区段230可以具有单独的结构。在另一示例中，温度上升区段210可以具有单独的结构，并且主区段220和冷却区段230可以连续的放置，以使得可以基于直线式的处理执行处理。在另一示例中，温度上升区段210和主区段220可以在其中温度上升区段210和主区段220位于一个腔室中的状态下具有批处理结构，并且冷却区段230可以具有单独的结构。在又一示例中，温度上升区段210可以具有单独的结构，并且主区段220和冷却区段230可以具有批处理结构，在其中主区段220和冷却区段230位于一个腔室中的状态下。各种其他修改例也是可能的。
在本发明的该实施方式中，可以在其中工作台204与温度上升区段210的热源单元214或者主区段220的热源单元224接触的状态下预备加热或者加热处理其上放置了太阳能电池100的工作台204。结果，热量通过传导从工作台204传输至太阳能电池100。
在热量从工作台204如上所述通过传导传输至太阳能电池100的情形中，能够在短时间内加热太阳能电池100。此外，在其中太阳能电池100固定在温度上升区段210和主区段220中的状态下执行处理。因此，能够通过调整太阳能电池100停留在温度上升区段210或主区段220中的时间而容易地调整光和热提供至太阳能电池100的时间。此外，能够以所需处理时间执行处理而不增大温度上升区段210和主区段220的尺寸。
在附图中，温度上升区段210示出为包括用于通过辐射执行环境加热以改进加热效率的附加的热源单元216。然而，本发明的实施方式不限于此。可以不提供附加的热源单元216。各种其他修改例也是可能的。
然而，本发明的实施方式不限于此。例如，可以在其中工作台204与温度上升区段210的热源单元214或者主区段220的热源单元224间隔开的状态下预备加热或加热处理其上放置了太阳能电池100的工作台204。在该情形中，热量通过辐射传输至太阳能电池100。因此，能够稳定地提供热量至太阳能电池100同时最小化了对太阳能电池100的可能损伤。
图17是示意性示出了根据本发明的实施方式的另一修改例的太阳能电池的后加工设备的结构的示意图。
参照图17，在本发明的该实施方式中，后加工设备200可以包括多个后加工单元，每一个后加工单元包括温度上升区段210、主区段220以及冷却区段230。例如，包括温度上升区段210、主区段220和冷却区段230的一个后加工单元可以位于包括温度上升区段210、主区段220和冷却区段230的另一后加工单元之上。也就是说，多个后加工单元可以沿垂直方向放置以具有多级结构，由此改进生产率同时最小化安装空间。
图17中所示后加工设备200的每个后加工单元具有与图13中所示后加工设备200相同的结构。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，图17中所示后加工设备200的每个后加工单元具有与图12或图16中所示后加工设备200相同的结构。各种其他修改例也是可能的。
图18是示意性示出了根据本发明的实施方式的又一修改例的适用于太阳能电池的后加工设备的光源单元的结构的示意图。
参照图18，在本发明的该实施方式中，覆盖基板223的外表面(即覆盖基板223的与太阳能电池100相对的表面(参见图12))可以是朝向太阳能电池100外凸的。结果，可以穿过覆盖基板223更均匀地向太阳能电池100提供光，以使得光可以更均匀地分布在太阳能电池100之上。覆盖基板223的外表面可以是各种凸型。例如，覆盖基板223可以包括向外凸起的基底基板223a(参见图12)、以及位于基底基板223a上、具有不同折射率的多个层223b(参见图12)。结果，覆盖基板223可以是向外凸起的。各种其他修改例也是可能的。另一方面，在外部使用通用等离子体发光系统的光源。为此原因，向外凹型的覆盖基板通常用于改进光的直线性。
如从以上说明书明显的，根据本发明的实施方式的后加工设备能够稳定地和有效地执行用于提供热和光两者的后加工操作，以便于后加工太阳能电池并且维持后加工操作所需的温度、光强度和处理时间，由此最大化主加工处理的效果。
上述特征、构造、效果等被包括在本发明的实施方式中的至少一个中，而不应受限于仅一个实施方式。另外，如在每一个实施方式中例示的特征、构造、效果等可以针对如通过本领域技术人员将它们彼此组合或修改的其它实施方式来实现。由此，与这些组合和修改有关的内容应被视为包括在如附属权利要求书中公开的本发明的范围和精神中。
相关申请的交叉引用
本申请要求保护2014年6月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0073575号的优先权权益，其公开通过引用并入于此。

Claims (20)

1.一种太阳能电池的后加工设备，所述后加工设备执行包括用于对具有半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时向所述太阳能电池提供光的主时段的后加工操作，所述后加工设备包括：
主区段，所述主区段用于执行所述主时段，
其中所述主区段包括用于向所述半导体基板提供热量的第一热源单元以及用于向所述半导体基板提供光的光源单元，所述第一热源单元和所述光源单元位于所述主区段中，并且
所述光源单元包括由等离子体发光系统PLS构成的光源。
2.根据权利要求1所述的后加工设备，其中，由所述光源提供至所述半导体基板的光具有600nm至1000nm的波长。
3.根据权利要求1所述的后加工设备，其中，所述光源在其发光表面处设置有覆盖基板，所述覆盖基板包括基底基板和位于所述基底基板上的多个层，所述多个层包括具有不同折射率的氧化物。
4.根据权利要求1所述的后加工设备，其中，所述光源单元和所述第一热源单元在所述光源单元和所述第一热源单元彼此间隔开的状态下分别向所述半导体基板提供光和热。
5.根据权利要求1所述的后加工设备，所述后加工设备还包括：
温度上升区段，所述温度上升区段用于执行用于预备加热所述半导体基板的温度上升时段，所述温度上升时段在所述主时段之前执行，
其中，所述温度上升区段包括用于预备加热所述半导体基板的第二热源单元，所述第二热源单元位于所述温度上升区段中。
6.根据权利要求5所述的后加工设备，所述后加工设备还包括附加的热源单元，所述附加的热源单元位于所述温度上升区段的入口处，使得所述附加的热源单元与所述第二热源单元相对。
7.根据权利要求1所述的后加工设备，所述后加工设备还包括冷却区段，所述冷却区段用于执行用于冷却所述半导体基板的冷却时段，所述冷却时段在所述主时段之后执行。
8.根据权利要求1所述的后加工设备，所述后加工设备还包括：
温度上升区段，所述温度上升区段用于执行用于预备加热所述半导体基板的温度上升时段，所述温度上升时段在所述主时段之前执行；
冷却区段，所述冷却区段用于执行用于冷却所述半导体基板的冷却时段，所述冷却时段在所述主时段之后执行；以及
传送带，所述传送带穿过所述温度上升区段、所述主区段以及所述冷却区段，并且所述太阳能电池放置在所述传送带上，
其中，基于直线式的处理来执行所述温度上升时段、所述主时段以及所述冷却时段。
9.根据权利要求8所述的后加工设备，所述后加工设备还包括划分壁单元，所述划分壁单元位于限定在所述温度上升区段与所述主区段之间的用于划分所述温度上升区段和所述主区段的空间、以及限定在所述主区段与所述冷却区段之间的用于划分所述主区段与所述冷却区段的空间的至少一个空间处。
10.根据权利要求8所述的后加工设备，其中，所述温度上升区段和所述冷却区段中的至少一个还包括与所述主区段相邻的附加的光源。
11.根据权利要求8所述的后加工设备，所述后加工设备还包括：
气帘组件，所述气帘组件位于所述温度上升区段的入口、限定在所述温度上升区段与所述主区段之间的空间、限定在所述主区段与所述冷却区段之间的空间、以及所述冷却区段的出口的至少一个处。
12.根据权利要求1所述的后加工设备，所述后加工设备还包括：
温度上升区段，所述温度上升区段用于执行用于预备加热所述半导体基板的温度上升时段，所述温度上升时段在所述主时段之前执行；以及
冷却区段，所述冷却区段用于执行用于冷却所述半导体基板的冷却时段，所述冷却时段在所述主时段之后执行，
其中，所述温度上升区段、所述主区段以及所述冷却区段具有在所述太阳能电池固定的状态下执行处理的批处理结构。
13.根据权利要求1所述的后加工设备，其中，所述太阳能电池放置在传送带或工作台上，并且
所述传送带或所述工作台具有网格结构。
14.根据权利要求1所述的后加工设备，其中，所述主区段具有100℃至800℃的温度，并且所述主区段具有满足公式1的温度与光强度以及满足公式2至5的光强度与处理时间，
<公式1>
1750-31.8·T+(0.16)·T2≤I≤105
<公式2>
1.7×102≤I＜103，并且13000-(31.7)·I+(0.02)·(I)2≤P≤10000
<公式3>
103≤I＜104，并且1030-(0.25)·I+(1.5×10-5)·(I)2≤P≤10000
<公式4>
104≤I≤5×104，并且35.5-(0.0012)·I+(10-8)·(I)2≤P≤10000
<公式5>
5×104≤I≤105，并且0.5≤P≤10000
其中，T是所述主区段的温度(℃)，I是所述主区段的光强度(mW/cm2)，并且P是所述主区段的处理时间(秒)。
15.一种太阳能电池的后加工设备，所述后加工设备执行包括用于对包括半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时向所述太阳能电池提供光的主时段的后加工操作，所述后加工设备包括：
主区段，所述主区段用于执行所述主时段，
其中，所述主区段包括用于向所述半导体基板提供热的第一热源单元以及用于向所述半导体基板提供光的光源单元，所述第一热源单元和所述光源单元位于所述主区段中，并且
所述光源单元和所述第一热源单元在所述光源单元和所述热源单元彼此间隔开的状态下分别向所述半导体基板提供光和热。
16.根据权利要求15所述的后加工设备，其中，所述光源单元包括多个光源，
所述第一热源单元包括多个热源，
所述多个光源彼此相邻，
所述多个热源彼此相邻，并且
所述多个光源和所述多个热源彼此间隔开。
17.根据权利要求15所述的后加工设备，其中，
所述光源单元位于所述半导体基板的一侧，并且
所述第一热源单元位于所述半导体基板的另一侧。
18.根据权利要求17所述的后加工设备，其中，所述光源单元位于所述半导体基板的上侧，并且
所述第一热源单元位于所述半导体基板的下侧。
19.一种太阳能电池的后加工设备，所述后加工设备执行包括用于对包括半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时向所述太阳能电池提供光的主时段的后加工操作，所述后加工设备包括：
主区段，所述主区段用于执行所述主时段；
温度上升区段，所述温度上升区段用于执行用于预备加热所述半导体基板的温度上升时段，所述温度上升时段在所述主时段之前执行；以及
冷却区段，所述冷却区段用于执行用于冷却所述半导体基板的冷却时段，所述冷却时段在所述主时段之后执行，
其中，所述主区段包括用于向所述半导体基板提供热的第一热源单元以及用于向所述半导体基板提供光的光源单元，所述第一热源单元和所述光源单元位于所述主区段中，并且
所述温度上升区段包括用于预备加热所述半导体基板的第二热源单元，所述第二热源单元位于所述温度上升区段中。
20.根据权利要求19所述的后加工设备，其中，基于直线式的处理执行所述温度上升时段、所述主时段以及所述冷却时段，或者
所述温度上升区段、所述主区段和所述冷却区段中的至少一个具有批处理结构。
CN201510481460.5A 2014-06-17 2015-06-17 太阳能电池的后加工设备 Active CN105185865B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0073575 2014-06-17
KR1020140073575A KR20150144585A (ko) 2014-06-17 2014-06-17 태양 전지의 후처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105185865A true CN105185865A (zh) 2015-12-23
CN105185865B CN105185865B (zh) 2017-06-23

Family

ID=53432932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510481460.5A Active CN105185865B (zh) 2014-06-17 2015-06-17 太阳能电池的后加工设备

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10109511B2 (zh)
EP (1) EP2958153B1 (zh)
JP (1) JP6139600B2 (zh)
KR (1) KR20150144585A (zh)
CN (1) CN105185865B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039542A (zh) * 2016-01-14 2017-08-11 Lg电子株式会社 太阳能电池
TWI626756B (zh) * 2016-03-23 2018-06-11 三菱電機股份有限公司 太陽電池及太陽電池之製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160005915A1 (en) * 2014-07-03 2016-01-07 Sino-American Silicon Products Inc. Method and apparatus for inhibiting light-induced degradation of photovoltaic device
US9780252B2 (en) * 2014-10-17 2017-10-03 Tp Solar, Inc. Method and apparatus for reduction of solar cell LID
US10443941B2 (en) 2015-05-20 2019-10-15 Illinois Tool Works Inc. Light annealing in a cooling chamber of a firing furnace
KR102591880B1 (ko) * 2015-12-18 2023-10-24 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지의 제조 방법
JP6430468B2 (ja) 2015-12-18 2018-11-28 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池の製造方法
CN108604619A (zh) * 2016-02-22 2018-09-28 应用材料意大利有限公司 用于处理太阳能电池基板的设备、用于处理太阳能电池基板的系统和用于处理太阳能电池基板的方法
TW201742259A (zh) * 2016-05-16 2017-12-01 昱晶能源科技股份有限公司 氫化太陽能電池之方法及其裝置
CN107393971A (zh) * 2016-05-16 2017-11-24 昱晶能源科技股份有限公司 回复太阳能电池模块的效率的方法及其可携式装置
KR101912772B1 (ko) * 2016-12-26 2019-01-14 주식회사 한화 광기전력 소자 제조 장치 및 제조 방법
CN106887475B (zh) * 2017-03-03 2019-07-05 广东爱旭科技股份有限公司 P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法
CN107425080B (zh) * 2017-03-03 2019-11-15 广东爱康太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法
US11588071B2 (en) * 2018-10-24 2023-02-21 Newsouth Innovations Pty Limited Method for improving the performance of a heterojunction solar cell
DE102019111061A1 (de) * 2019-04-29 2020-10-29 Meyer Burger (Germany) Gmbh Herstellungsverfahren von Silizium-Heterojunction-Solarzellen mit Stabilisierungsschritt und Fertigungslinienabschnitt für den Stabilisierungsschritt
CA3178341A1 (en) 2020-07-10 2022-01-13 Adare Pharmaceuticals, Inc. Swellable oral pharmaceutical compositions
DE102021004175B3 (de) * 2021-08-13 2022-12-01 Singulus Technologies Aktiengesellschaft Abstandsvorrichtung für Heizsystem zum Aufheizen von großflächigen Substraten, Heizsystem und Aufheizverfahren

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504323A (en) * 1980-09-12 1985-03-12 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Method for annealing semiconductors with a planar source composed of flash discharge lamps
US20020067918A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-06 Camm David Malcolm Heat-treating methods and systems
CN101053061A (zh) * 2004-09-28 2007-10-10 英特尔公司 闪光灯退火装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010031229A1 (en) * 1998-10-20 2001-10-18 Spjut Reed E. UV-enhanced, in-line, infrared phosphorous diffusion furnace
WO2000070666A1 (fr) * 1999-05-14 2000-11-23 Tokyo Electron Limited Technique de traitement et dispositif correspondant
KR100492606B1 (ko) 2002-12-30 2005-06-03 엘지전자 주식회사 무전극 조명기기의 배광 장치
US7220936B2 (en) * 2004-07-30 2007-05-22 Ut-Battelle, Llc Pulse thermal processing of functional materials using directed plasma arc
JP2006185974A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Kyocera Corp 焼成炉、及びこれを用いた被処理体の焼成方法、並びに太陽電池素子の製造方法
EP1886339A4 (en) * 2005-06-03 2008-08-27 Csg Solar Ag METHOD AND DEVICE FOR HYDROGENATING THIN FILM SILICON ON GLASS
KR100748529B1 (ko) 2005-09-23 2007-08-13 엘지전자 주식회사 무전극 조명기기의 고온 운전형 무전극 전구 및 이를구비한 무전극 조명기기
DE102006047472A1 (de) * 2006-10-05 2008-04-10 Fhr Anlagenbau Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur oberflächennahen Behandlung von flächigen Substraten
US8410712B2 (en) 2008-07-09 2013-04-02 Ncc Nano, Llc Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds
KR101002661B1 (ko) * 2008-08-12 2010-12-20 삼성모바일디스플레이주식회사 인라인 열처리 설비 및 이를 사용한 기판 열처리 방법
KR101055037B1 (ko) 2010-01-18 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US8907258B2 (en) 2010-04-08 2014-12-09 Ncc Nano, Llc Apparatus for providing transient thermal profile processing on a moving substrate
KR101129038B1 (ko) 2010-04-26 2012-03-27 주식회사 테라세미콘 인라인 기판처리 장치
KR101137700B1 (ko) 2010-09-01 2012-04-25 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법
TWI435391B (zh) 2010-09-16 2014-04-21 Dainippon Screen Mfg 閃光熱處理裝置
US20130189635A1 (en) * 2012-01-25 2013-07-25 First Solar, Inc. Method and apparatus providing separate modules for processing a substrate
US20130257270A1 (en) * 2012-04-03 2013-10-03 Nanometrics Incorporated Plasma lamp ignition source
KR102102873B1 (ko) 2012-05-21 2020-04-22 뉴사우스 이노베이션즈 피티와이 리미티드 실리콘 태양 전지의 개선된 수소화 공정
KR101335161B1 (ko) 2012-06-18 2013-11-29 (주)원우시스템즈 개량된 태양전지 품질 측정 방법 및 장치
CN202808935U (zh) 2012-09-21 2013-03-20 蚌埠玻璃工业设计研究院 一种改善非晶硅薄膜光致衰退效应的装置
US20140213016A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Applied Materials, Inc. In situ silicon surface pre-clean for high performance passivation of silicon solar cells

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504323A (en) * 1980-09-12 1985-03-12 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Method for annealing semiconductors with a planar source composed of flash discharge lamps
US20020067918A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-06 Camm David Malcolm Heat-treating methods and systems
CN101053061A (zh) * 2004-09-28 2007-10-10 英特尔公司 闪光灯退火装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039542A (zh) * 2016-01-14 2017-08-11 Lg电子株式会社 太阳能电池
CN107039542B (zh) * 2016-01-14 2019-12-24 Lg电子株式会社 太阳能电池
TWI626756B (zh) * 2016-03-23 2018-06-11 三菱電機股份有限公司 太陽電池及太陽電池之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10109511B2 (en) 2018-10-23
JP2016005003A (ja) 2016-01-12
US20190035655A1 (en) 2019-01-31
US20150364351A1 (en) 2015-12-17
EP2958153A1 (en) 2015-12-23
JP6139600B2 (ja) 2017-05-31
CN105185865B (zh) 2017-06-23
KR20150144585A (ko) 2015-12-28
EP2958153B1 (en) 2019-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105185865A (zh) 太阳能电池的后加工设备
JP6219886B2 (ja) 太陽電池の製造方法
US10461213B2 (en) Method of manufacturing solar cell
KR20130036258A (ko) 혼성 확산 및 이온 주입 공정에 의해서 제조된 선택적 이미터 태양전지
KR20120111378A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101360658B1 (ko) 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
KR102320551B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법
KR101089992B1 (ko) 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
KR101864275B1 (ko) 태양 전지의 후처리 장치
JP2008244166A (ja) 太陽電池素子の製造方法
CN107039540B (zh) 制造太阳能电池的方法
KR101917300B1 (ko) 실리콘 양자점 정밀제어 및 활성화에 의한 광활성층 및 이의 제조방법
TWI506808B (zh) 製造太陽能電池的方法及太陽能電池
KR20120063732A (ko) 태양전지의 전면전극 치밀화 방법
Chunlan et al. The effect of emitter profile on laser doped multicrystalline silicon selective emitter cells
KR20160142169A (ko) 태양 전지의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20151223

Assignee: Hanhua thinksin Co.,Ltd.

Assignor: LG ELECTRONICS Inc.

Contract record no.: X2022990000645

Denomination of invention: Post-processing equipment for solar cells

Granted publication date: 20170623

License type: Common License

Record date: 20220914

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221101

Address after: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province

Patentee after: Shangrao Jingke Green Energy Technology Development Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG ELECTRONICS Inc.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100

Patentee after: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co.,Ltd.

Address before: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100

Patentee before: Shangrao Jingke Green Energy Technology Development Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240305

Address after: 213031 No. 2 Tianhe Road, Changzhou Tianhe Photovoltaic Industrial Park, Xinbei District, Changzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: TRINA SOLAR Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100

Patentee before: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co.,Ltd.

Country or region before: China