CN105164774A - 太阳能电池模块及其制备方法 - Google Patents

太阳能电池模块及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105164774A
CN105164774A CN201380075678.XA CN201380075678A CN105164774A CN 105164774 A CN105164774 A CN 105164774A CN 201380075678 A CN201380075678 A CN 201380075678A CN 105164774 A CN105164774 A CN 105164774A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
battery cell
solar battery
photoactive layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380075678.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105164774B (zh
Inventor
李光熙
姜洪葵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kwangiu Science & Technology Inst
Gwangju Institute of Science and Technology
Original Assignee
Kwangiu Science & Technology Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kwangiu Science & Technology Inst filed Critical Kwangiu Science & Technology Inst
Publication of CN105164774A publication Critical patent/CN105164774A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105164774B publication Critical patent/CN105164774B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
    • H01G9/2081—Serial interconnection of cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供太阳能电池模块及其制备方法。太阳能电池模块包括：基板；以及多个太阳能电池单元，位于上述基板上，包括第一电极、第二电极及位于上述第一电极和上述第二电极之间的光活性层，上述第二电极的至少一部分位于相邻的太阳能电池单元的光活性层上，在上述第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极之间设有导电通道。因此，可提供除电极之外的所有层全部形成薄膜结构的太阳能电池模块。并且，可提供增加各太阳能电池单元的活性区域来提高模块效率的太阳能电池模块。

Description

太阳能电池模块及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池模块及其制备方法，更详细地，涉及在构成太阳能电池模块的个别太阳能电池单元之间的相对电极之间形成导电通道，来使个别太阳能电池单元之间串联的结构及性能得到改善的太阳能电池模块及其制备方法。
背景技术
随着有机太阳能电池的单位元件(或单元，cell)效率增加至足以商用化的程度，目前正在活跃地进行着对连续地连接太阳能电池单元的有机太阳能电池模块的研究。
并且，由于可进行有机物的溶液工序的优点，因而在制备有机太阳能电池模块的过程中导入印刷工序来制备廉价的有机太阳能电池模块的研究尤其受人瞩目。
最为普遍使用的现有的有机太阳能电池模块为依次层叠在基板(Substrate)上图案化的第一电极、图案化的第一电荷输送层(空穴输送层或电子输送层)、图案化的光活性层(Activelayer)、图案化的第二电荷输送层(电子输送层或空穴输送层)及图案化的第二电极的形态。
在现有的有机太阳能电池模块中，为了连续地连接各太阳能电池单元的相反单元，需要稍微移动(Shift)各层来形成薄膜。此时，若各太阳能电池单元自身所具有的相对电极相接触，则无法作为模块来工作。
因此，现有的有机太阳能电池模块不仅需要使第一电极及第二电极图案化，而且还需要使第一电荷输送层、光活性层及第二电荷输送层图案化，而这意味着第一有机太阳能电池单元的第一电极和第二有机太阳能电池单元的第二电极在没有其他层的障碍的状态下相接触。
然而，在制备这种现有模块的过程中，由于需要一边逐渐移动各个层，一边使薄膜图案化，因此在制备这种图案化薄膜时，需要用于校正(Align)薄膜的高度的图案化技术，使得模块的制备变得困难，最终可增加有机太阳能电池模块的价格。
并且，随着这种图案化工序的数量增加，减少作为各太阳能电池单元的第一电极和第二电极的重叠部分的活性区域(ActiveArea：实际上可产生电能的区域)，并增加作为电极未重叠部分的非活性区域(InactiveArea)。
因此，具有在整个太阳能电池面积中因增加死区(DeadZone：实际上不能够产生电能的区域)而导致减少太阳能电池模块效率的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明所要解决的技术问题在于，提供不需要用于校正薄膜的高度的图案化技术的太阳能电池模块。
本发明所要解决的再一技术问题在于，提供增加各太阳能电池单元的活性区域，来提高模块效率的太阳能电池模块。
本发明所要解决的另一技术问题在于，提供这种太阳能电池模块的制备方法。
技术方案
为了解决上述问题，本发明的一实施方式提供太阳能电池模块。这种太阳能电池模块可包括：基板；以及多个太阳能电池单元，位于上述基板上，包括第一电极、第二电极及位于上述第一电极和上述第二电极之间的光活性层。此时，上述第二电极的至少一部分可位于相邻的太阳能电池单元的光活性层上，可在上述第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极之间设有导电通道。
这种导电通道可位于第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极之间的层的内部。
并且，为了引导导电通道的有效形成，光活性层的内部还可包括纳米结构体。
为了实现上述问题，本发明的另一实施方式提供太阳能电池模块的制备方法。
这种太阳能电池模块的制备方法可包括：在基板上形成隔开配置的多个第一电极的步骤；在形成有上述第一电极的基板上全部形成光活性层的步骤；在上述光活性层上形成隔开配置的多个第二电极，来形成多个太阳能电池单元，并使上述第二电极的至少一部分位于相邻的太阳能电池单元的光活性层上的步骤；以及向上述第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极施加电场来形成导电通道的步骤。
有益效果
根据本发明，与现有的太阳能电池模块不同，本发明可提供具有在除电极之外的所有层全部形成薄膜的结构的太阳能电池模块。
因此，可提供减少图案化工序所需的非活性区域，增加各太阳能电池单元的活性区域，来提高模块效率的太阳能电池模块。
并且，可提供不需要用于校正薄膜的高度的图案化技术的太阳能电池模块的制备方法。
本发明的技术效果不局限于以上所提及的内容，并且本发明所属技术领域的普通技术人员可通过以下记载来明确地理解未提及的其他技术效果。
附图说明
图1为表示本发明一实施例的太阳能电池模块的剖视图。
图2为表示本发明再一实施例的太阳能电池模块的剖视图。
图3至图5为根据工序步骤表示本发明一实施例的太阳能电池模块的制备方法的剖视图。
图6为本发明的制备例1的太阳能电池模块的电流-电压曲线图。
图7为本发明的制备例2的太阳能电池模块的电流-电压曲线图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施例进行详细说明如下。
本发明允许多种修改及变形，并以附图形式例示出其特定实施例，以下进行详细说明。然而，本发明并非局限于已公开的特殊形态，本发明包括与由发明要求保护范围定义的本发明的思想一致的所有修改、等同及代替技术方案。
可以理解的是，当提及到层、区域或基板等要素存在于另一结构要素“上(on)”时，上述要素可直接存在于另一要素上或可在它们之间存在中间要素。
需要理解的是，虽然第一、第二等术语可用于说明多个要素、成分、区域、层和/或地区，但这些要素、成分、区域、层和/或地区并不局限于这种术语。
图1为表示本发明一实施例的太阳能电池模块的剖视图。
参照图1，太阳能电池模块包括：基板100；以及多个太阳能电池单元，位于上述基板100上，包括第一电极200、第二电极600及位于第一电极200和第二电极600之间的光活性层400。
此时，本发明的特征在于，第二电极600的至少一部分位于相邻的太阳能电池单元的光活性层400上，在第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200之间设有导电通道700。
另一方面，以第一电极的区域为基准来区分各太阳能电池单元。并且，将各太阳能电池单元的第一电极和第二电极重叠的部分定义为活性区域，将上述太阳能电池单元的第一电极和相邻的太阳能电池单元的第二电极重叠的部分定义为连接区域(connectivearea)。
并且，在整个太阳能电池模块中，除各太阳能电池单元的活性区域之外的区域被定义为非活性区域。
另一方面，本发明还可包括位于第一电极200及光活性层400之间的第一电荷输送层300。并且，本发明还可包括位于光活性层400及第二电极600之间的第二电荷输送层500。只是，根据情况，可省略第一电荷输送层300或第二电荷输送层500。
基板100可以为选自玻璃、石英(quartz)、Al2O3或SiC等透明无机物基板或选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，polyethyleneterephthlate)、聚醚砜(PES，polyethersulfone)、聚苯乙烯(PS，polystyrene)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethylenenaphthalate)或聚芳酯(PAR，polyarylate)等透明有机物基板。
多个第一电极200位于基板100上。此时，多个第一电极200可以以相互隔开的方式配置于基板100上。
这种第一电极200可根据配置于第一电极200上的电荷输送层300的种类来执行负极(cathode)或正极(anode)的作用。
例如，在上述第一电极200上配置空穴输送层作为电荷输送层300的情况下，上述第一电极200可执行用于收集在光活性层400中产生的空穴的正极的作用。
并且，在第一电极200上配置电子输送层作为电荷输送层300的情况下，第一电极200可执行用于收集在光活性层400中产生的电子的负极的作用。
优选地，这种第一电极200为具有透明性的物质，用于透光。例如，第一电极200可由碳纳米管(CNT)、石墨烯等碳同素异形体、氧化铟锡(ITO)、掺杂的ZnO、MgO等透明性导电性氧化物(TCO)构成。
并且，可使用聚乙炔(polyacetylene)、聚苯胺(polyaniline)、聚噻吩(polythiophene)、多吡咯(polypyrrole)等导电性高分子物质，可以为了改善这些物质的电导率而追加进行蒸镀或由墨水印刷的金属网格配线。
第一电荷输送层300位于第一电极200上。这种第一电荷输送层300可全部位于多个第一电极200所处的基板100上。即，第一电荷输送层300不需要如以往的用于串联各太阳能电池单元之间的图案化工序。
这种第一电荷输送层300起到捕捉从光活性层400分离的电子或空穴来向第一电极200输送的功能。
这种第一电荷输送层300可以为空穴输送层或电子输送层。
在第一电荷输送层300为空穴输送层的情况下，这种空穴输送层可以为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、聚对苯乙炔(polyhiophenylenevinylene)、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)、聚对苯撑乙烯(poly-p-phenylenevinylene)及它们的衍生物。只是，上述空穴输送层并不局限于此，可使用能够增加与空穴输送层相接触的第一电极200的功函数的多种形态的有机物。并且，可使用以p-形掺杂的作为金属氧化物半导体的氧化钼、氧化钒或氧化钨等。
在第一电荷输送层300为电子输送层的情况下，这种电子输送层可为富勒烯(C60、C70、C80)或作为富勒烯衍生物的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯(PCBM，[6、6]-phenyl-C61butyricacidmethylester)(PCBM(C60)、PCBM(C70)、PCBM(C80))。只是，上述电子输送层并不局限于此，可使用能够减少与上述电子输送层相接触的第一电极200的功函数的多种形态的有机物。并且，可使用以n-形掺杂的作为金属氧化物半导体的氧化钛(TiOx)或氧化锌(ZnO)等。
光活性层400位于第一电荷输送层300上。这种光活性层400可全部位于第一电荷输送层300上。即，本发明的光活性层400与以往的光活性层不同，不需要用于串联各太阳能电池单元之间的图案化工序。另一方面，在省略第一电荷输送层300的情况下，光活性层400可全部位于多个第一电极200所处的基板100上。
这种光活性层400执行吸收向太阳能电池照射的光，并形成激发态下的电子空穴对，即，激子(exiton)的作用。
这种光活性层400可以为电子供体物质和电子受体物质的本体异质结结构或双层(bilayer)结构。
电子供体物质可包含用于吸收光的有机物。例如，电子供体物质可以为包含聚-3-己基噻吩(poly-3-hexylthiophene，P3HT)、聚-3-辛基噻吩(poly-3-octylthiophene，P3OT)、聚对苯撑乙烯(poly-p-phenylenevinylene，PPV)、聚(9、9'-二辛基芴)(poly(9、9'-dioctylfluorene))、聚(2-甲氧基，5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基(poly(2-methoxy、5-(2-ethyle-hexyloxy)-1、4-phenylenevinylene，MEH-PPV)或聚(2-甲基，5-(3'，7'-二甲基辛基氧基))-1，4-亚苯基亚乙烯基(poly(2-methyl、5-(3'、7'-dimethyloctyloxy))-1、4-phenylenevinylene，MDMO-PPV)等及它们的变形物的共轭高分子或包含CuPc、ZnPc等的有机单分子。
并且，上述电子受体物质可以为包含富勒烯(C60、C70、C80)或作为富勒烯衍生物的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯(PCBM，[6、6]-phenyl-C61butyricacidmethylester)(PCBM(C60)、PCBM(C70)、PCBM(C80))、碳纳米管或石墨烯的有机物，也可以为包含ZnO、TiO2、SnO2等金属氧化物的无机物。然而，上述电子受体物质并不局限于此，上述电子受体物质可使用能够从光活性化的电子供体物质接收电子的多种物质。
在这种光活性层400内部还可包括纳米结构体410。这种纳米结构体410可包含金属纳米粒子、金属纳米丝、碳纳米管或石墨烯。例如，光活性层400还可包含银纳米粒子。
这种纳米结构体410起到在第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极300之间引导导电通道700的有效形成的作用。
例如，连接各太阳能电池单元的相对电极并施加电场(ElectricField)，由此可在相邻的太阳能电池单元的相对电极之间形成导电通道700。此时，位于相邻的太阳能电池单元的相对电极之间的光活性层400的内部还可包括纳米结构体410，从而可引导导电通道700的更有效的形成。
进而，这种纳米结构体410可使在为了形成导电通道700而施加强电场时所产生的器件破坏的问题最小化。
第二电荷输送层500位于光活性层400上。这种第二电荷输送层500可全部位于光活性层400上。即，与以往不同，第二电荷输送层500不需要用于串联太阳能电池单元之间的图案化工序。
这种第二电荷输送层500执行捕捉从光活性层400分离的电子或空穴来向第二电极600输送的功能。
这种第二电荷输送层500可以为空穴输送层或电子输送层。此时的空穴输送层或电子输送层可以使用与上述第一电荷输送层300的空穴输送层或电子输送层相同的物质。
多个第二电极600位于第二电荷输送层500上。此时的多个第二电极600可隔开配置于第二电荷输送层500上。
因此，可形成包括第一电极200a、200b、200c、第二电极600a、600b、600c及位于第一电极200a、200b、200c及第二电极600a、600b、600c之间的第一电荷输送层300、光活性层400及第二电荷输送层500的多个太阳能电池单元。
另一方面，第二电极600的至少一部分可位于相邻的太阳能电池单元的第二电荷输送层500上。例如，第二电极600b的一部分可位于上述太阳能电池单元的第二电荷输送层500上，一部分可位于相邻的太阳能电池单元的第二电荷输送层500上。
结果，这意味着第二电极600b的至少一部分与相邻的太阳能电池单元的第一电极200a形成重叠部分。
像这样，形成第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200重叠的部分，从而可通过向第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200进行电后处理，来在第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200之间形成导电通道700。
另一方面，在省略第二电荷输送层500的情况下，第二电极600的至少一部分可位于相邻的太阳能电池单元的光活性层400上。
这种第二电极600可根据第二电荷输送层500的种类来执行负极或正极的作用。
例如，在第二电荷输送层500为空穴输送层的情况下，第二电极600执行捕捉在光活性层产生的空穴的正极的作用，在第二电荷输送层500为电子输送层的情况下，第二电极600执行捕捉在光活性层产生的电子的负极的作用。
这种第二电极600可以为选自Al、Au、Cu、Pt、Ag、W、Ni、Zn或Ti及它们的合金中的一种金属电极。并且，上述第二电极600可以为聚乙炔(polyacetylene)、聚苯胺(polyaniline)、聚噻吩(polythiophene)、聚吡咯(polypyrrole)等高分子物质。
上述第一电极200和第二电极600可对换使用。例如，可配置金属电极作为第一电极200，此时，在配置作为第二电极600的具有透明性的导电膜的情况下，可用作从上部吸收光的太阳能电池。
导电通道700位于第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200之间。因此，导电通道700对第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200进行电连接。
此时，导电通道可位于第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200之间的层的内部。
例如，如图所示，导电通道700a可位于第二电极600b和相邻的太阳能电池单元的第一电极200a之间的层的内部。即，导电通道700可贯通第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极600之间的层。
例如，在第一电荷输送层300、光活性层400及第二电荷输送层500依次位于第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200之间的情况下，导电通道700可贯通这种第一电荷输送层300、光活性层400及第二电荷输送层500。只是，导电通道700并不局限于此，导电通道700可以仅形成于光活性层400的内部。
作为另一例，在位于第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200之间的光活性层400的情况下，导电通道700可位于这种光活性层400的内部。
图2为表示本发明再一实施例的太阳能电池的剖视图。
参照图2，本发明一实施例的太阳能电池模块可包括基板100及由多个光活性层400层叠的层叠型太阳能电池单元。
这除了重复层叠第一电荷输送层300、光活性层400及第二电荷输送层500之外，与图1所述的内容相同。
这是因为本发明为并不对除电极之外的所有层进行图案化的结构，而是全部形成薄膜的结构，因此，在将这种方式适用于层叠型太阳能电池的情况下，可在提高模块效率方面实现极大化。
图3至图5为根据工序步骤表示本发明一实施例的太阳能电池模块的制备方法的剖视图。
参照图3，本发明形成多个第一电极200，上述多个第一电极200构成隔开配置于基板100上的各太阳能电池单元。
这种第二电极600可利用金属油墨或导电物质等，通过热蒸镀、溅射法或印刷法等多种方法来形成。
例如，可利用溅射法将氧化铟锡全部涂敷于基板100上，并通过以恒定间隔蚀刻上述氧化铟锡来形成多个第一电极200。
之后，在形成有多个第一电极200的基板100上全部形成第一电荷输送层300、光活性层400及第二电荷输送层500。根据情况，可省略第一电荷输送层300或第二电荷输送层500。
根据需要，这种第一电荷输送层300及第二电荷输送层500可适当选择如槽模印刷、丝网印刷、喷墨印刷、照相凹版印刷或胶版印刷等溶液工序(solutionprocess)来执行。
并且，根据需要，光活性层400可适当选择如槽模印刷、丝网印刷、喷墨印刷、照相凹版印刷、胶版印刷、刮刀涂敷、刀刃涂敷、浸渍涂敷、溅射涂敷等涂敷或印刷工序来执行，也可执行如蒸镀等工序。
因此，当形成第一电荷输送层300、光活性层400及第二电荷输送层500时，不需要额外的图案化工序，因此，具有可使工序简单化的优点。
并且，由于图案化数量的减少，可使图案化所需的非活性区域最小化。
另一方面，此时的光活性层400还可包括纳米结构体410。这种纳米结构体410可包含金属纳米粒子、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯。例如，光活性层400还可包含银纳米粒子。
像这样，光活性层400还可包括纳米结构体，从而可以更加有效地引导导电通道700的形成。进而，可使在为了形成导电通道700而施加强的电场时所产生的器件破坏问题最小化。
之后，在光活性层400上形成隔开配置的多个第二电极600来形成多个太阳能电池单元。
这种第二电极600可利用金属油墨或导电物质等，通过热蒸镀、溅射法或印刷法等多种方法来形成。
例如，可利用金属膜在光活性层400上热蒸镀Al来进行图案化，从而形成多个第二电极600。
此时，第二电极600的至少一部分可位于相邻的太阳能电池单元的第一电极200上。
因此，如图所示，形成有第二电极600b的至少一部分与相邻的太阳能电池单元的第一电极200a重叠的部分。
参照图4及图5，向第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200施加电场来形成导电通道700。例如，可向第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极之间施加编程电压或规定的高电压来形成导电通道。
这可以被说明为在向相邻的太阳能电池单元之间的相对电极施加反偏压(reversebias)来回升恒定电压的情况下，在有机物的内部形成导电性丝。这与电击穿(electricalbreakdown)原理类似。因此，以这种方式形成的导电性丝可被说明为导电通道。
例如，如图5所示，可在位于第二电极600和相邻的太阳能电池单元的第一电极200之间的第一电荷输送层300、光活性层400及第二电荷输送层500的内部形成有导电通道700。
因此，在没有第一电荷输送层300、光活性层400及第二电荷输送层500的图案化工序的情况下，可利用这种电后处理来执行太阳能电池单元之间的串联。
进而，减少图案数量来将用于太阳能电池单元之间串联的面积最小化，从而可使太阳能电池模块的非活性区域最小化。结果，可增加太阳能电池模块的几何填充因子(GeometricFillFactor)来增加太阳能电池模块的效率。
制备例1
制备本发明一实施例的太阳能电池模块样品。
首先，利用溅射(Sputter)在玻璃基板上的前部面涂敷氧化铟锡电极，并以恒定间隔蚀刻上述氧化铟锡电极来进行图案化，从而形成隔开配置的三个第一电极，通过旋涂在这种第一电极所处的玻璃基板上涂敷聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)来全部形成第一电荷输送层。
并且，在第一电荷输送层上旋涂共轭聚合物(ConjugatedPolymer)作为电子供体和PC70BM混合物PTB:PC70BM作为电子受体来全部形成光活性层。
之后，利用金属膜在光活性层上真空热蒸镀铝电极来进行图案化，从而形成隔开配置的三个第二电极，来形成三个的太阳能电池。此时，第二电极的至少一部分位于相邻的太阳能电池单元的光活性层上。
以这种方式制备的太阳能电池模块的第一电荷输送层和光活性层在太阳能电池单元的相对电极所重叠的连接区域中位于氧化铟锡电极和铝电极之间。
之后，在一太阳能电池单元的铝电极连接(+)电压，在与一太阳能电池单元相邻的太阳能电池单元的氧化铟锡电极连接(–)电压后施加电场，并利用绝缘破坏现象来在铝电极和氧化铟锡电极之间形成导电通道。
即，连接相邻的太阳能电池单元之间的相对电极，并施加电场来形成导电通道，从而进行太阳能电池单元之间的串联。
实验例1
对通过制备例1来制备的太阳能电池模块的电流-电压曲线进行分析。
图6为本发明的制备例1的太阳能电池模块的电流-电压曲线图。
参照图6，开路电压(OpenCircuitVoltage，Voc)为1.9V，短路电流密度(Jsc)为2.7mA/cm2。并且，占空因素(FF，FillFactor)为0.37，光转换效率(Efficiency)为1.9％。
因此，可知由于光活性物质的单一太阳能电池单元中的Voc为0.63V，三个太阳能电池单元串联，因而电压为1.9V。因此，可知有效进行太阳能电池单元之间的串联。
制备例2
制备本发明一实施例的太阳能电池模块样品。
除了在光活性层内少量添加银纳米粒子，并在这种光活性层上形成TiOx层作为第二电荷输送层之外，以与上述制备例1相同的方式制备太阳能电池模块。
实验例2
对通过制备例2来制备的太阳能电池模块的电流-电压曲线进行分析。
图7为本发明的制备例2的太阳能电池模块的电流-电压曲线图。
表1
Voc(V) Jsc(mA/cm2) FF ηA(％) ηM(％)
施加电场之前 0.68 3.53 0.29 0.70 0.63
施加电场之后 2.07 4.82 0.62 6.19 5.57
上述表1为对通过制备例2来制备的太阳能电池模块的电流-电压曲线进行分析的表。
参照图7及表1，ηA为仅考虑活性区域的效率，而ηM作为太阳能电池模块的效率，是ηA乘以活性区域/总面积(TotalArea)的值。
因此，可知施加电场来形成导电通道后最终完成的太阳能电池模块具有5.57％的极高光转换效率。
因此，可知向光活性层内添加银纳米粒子，从而更加有效地引导导电通道来进行串联。
如上所述，本发明的太阳能电池模块不需要除电极之外的层的图案化工序，因而减少图案化数量，来使图案化所需要的非活性区域最小化，从而可提高几何填充因子，并增加太阳能电池模块的效率。
另一方面，本发明仅为了更容易理解在本说明书和图中公开的实施例而提出特定例，而上述特定例并不局限本发明的范围。对于本发明所属技术领域的普通技术人员而言，除上述公开的实施例之外，可实施基于本发明的技术思想的其他变形例是显而易见的。
附图标记的说明
100：基板200、200a、200b、200c：第一电极
300：第一电荷输送层400：光活性层
410：纳米结构体500：第二电荷输送层
600、600a、600b、600c：第二电极
700、700a、700b、700c：导电通道

Claims (14)

1.一种太阳能电池模块，其包括：
基板；以及
多个太阳能电池单元，位于所述基板上，包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极和所述第二电极之间的光活性层，
所述第二电极的至少一部分位于相邻的太阳能电池单元的光活性层上，
在所述第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极之间设有导电通道。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，
所述导电通道位于第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极之间的层的内部。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，
向第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极施加电场来形成所述导电通道。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，
所述光活性层全部位于所述第一电极所处的基板上。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，
所述光活性层为电子供体物质和电子受体物质的本体异质结结构。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，
在所述光活性层的内部还包括纳米结构体。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池模块，其特征在于，
所述纳米结构体包含金属纳米粒子、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述太阳能电池单元还包括：
第一电荷输送层，其位于所述第一电极及所述光活性层之间。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述太阳能电池单元还包括：
第二电荷输送层，其位于所述光活性层及所述第二电极之间。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，
所述太阳能电池单元为层叠有多个光活性层的层叠型太阳能电池单元。
11.一种太阳能电池模块的制备方法，其包括：
在基板上形成间隔配置的多个第一电极的步骤；
在形成有所述第一电极的基板上全部形成光活性层的步骤；
在所述光活性层上形成间隔配置的多个第二电极，来形成多个太阳能电池单元，并使所述第二电极的至少一部分位于相邻的太阳能电池单元的光活性层上的步骤；以及
向所述第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极施加电场来形成导电通道的步骤。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池模块的制备方法，其特征在于，
所述导电通道形成于所述第二电极和相邻的太阳能电池单元的第一电极之间的层的内部。
13.根据权利要求11所述的太阳能电池模块的制备方法，其特征在于，
所述光活性层还包括纳米结构体。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池模块的制备方法，其特征在于，
所述纳米结构体包含金属纳米粒子、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯。
CN201380075678.XA 2013-04-15 2013-12-27 太阳能电池模块及其制备方法 Active CN105164774B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0040876 2013-04-15
KR1020130040876A KR101440607B1 (ko) 2013-04-15 2013-04-15 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
PCT/KR2013/012267 WO2014171615A1 (ko) 2013-04-15 2013-12-27 태양전지 모듈 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105164774A true CN105164774A (zh) 2015-12-16
CN105164774B CN105164774B (zh) 2017-12-05

Family

ID=51731527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380075678.XA Active CN105164774B (zh) 2013-04-15 2013-12-27 太阳能电池模块及其制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10468546B2 (zh)
KR (1) KR101440607B1 (zh)
CN (1) CN105164774B (zh)
WO (1) WO2014171615A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666426A (zh) * 2018-06-30 2018-10-16 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种钙钛矿太阳能电池模块及其制备方法
CN112789728A (zh) * 2019-02-18 2021-05-11 爱普施恩有限公司 太阳能电池层压

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101539959B1 (ko) * 2015-01-06 2015-07-30 성안기계 (주) 유기 태양 전지 제조 방법
JP6076392B2 (ja) * 2015-03-09 2017-02-08 株式会社東芝 太陽電池モジュールおよびその製造方法
WO2017164690A1 (ko) * 2016-03-25 2017-09-28 코오롱인더스트리 주식회사 유기태양전지 및 이의 제조방법
KR102113536B1 (ko) * 2017-03-20 2020-05-21 코오롱인더스트리 주식회사 반투명 유기 태양전지 모듈
EP3493274A1 (de) * 2017-12-04 2019-06-05 Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Dünnschichtsolarmodul mit verbessertem shunt-widerstand
JP2019165073A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 株式会社リコー 太陽電池モジュール
KR102638380B1 (ko) * 2021-11-04 2024-02-19 고려대학교 산학협력단 태양전지 및 이를 포함하는 태양전지 모듈

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101232058A (zh) * 2007-01-26 2008-07-30 财团法人工业技术研究院 透光型薄膜太阳能电池模块及其制造方法
US20100065099A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-18 General Electric Company Monolithically connected photovoltaic devices on flexible substrates
CN101842934A (zh) * 2007-11-02 2010-09-22 日本化药株式会社 染料敏化太阳能电池模块
WO2012106360A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-09 EncoreSolar, Inc. Monolithic integration of super-strate thin film photovoltaic modules

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3483038A (en) * 1967-01-05 1969-12-09 Rca Corp Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same
US4517403A (en) * 1983-05-16 1985-05-14 Atlantic Richfield Company Series connected solar cells and method of formation
US7777128B2 (en) * 2004-06-01 2010-08-17 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module architecture
GB0519599D0 (en) * 2005-09-26 2005-11-02 Imp College Innovations Ltd Photovoltaic cells
US7235736B1 (en) 2006-03-18 2007-06-26 Solyndra, Inc. Monolithic integration of cylindrical solar cells
JP2009533857A (ja) * 2006-04-13 2009-09-17 チバ ホールディング インコーポレーテッド 太陽電池
JP2007317868A (ja) 2006-05-25 2007-12-06 Honda Motor Co Ltd カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法
US20080178924A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Solasta, Inc. Photovoltaic cell and method of making thereof
JP4975528B2 (ja) 2007-06-25 2012-07-11 パナソニック株式会社 集積形太陽電池
US20100236607A1 (en) * 2008-06-12 2010-09-23 General Electric Company Monolithically integrated solar modules and methods of manufacture
FR2954856B1 (fr) * 2009-12-30 2012-06-15 Saint Gobain Cellule photovoltaique organique et module comprenant une telle cellule
KR20120001045A (ko) * 2010-06-29 2012-01-04 코오롱인더스트리 주식회사 유기 태양 전지
KR101258185B1 (ko) * 2011-07-22 2013-04-25 광주과학기술원 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101815284B1 (ko) * 2011-09-27 2018-01-05 건국대학교 산학협력단 태양전지 모듈의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지 모듈

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101232058A (zh) * 2007-01-26 2008-07-30 财团法人工业技术研究院 透光型薄膜太阳能电池模块及其制造方法
CN101842934A (zh) * 2007-11-02 2010-09-22 日本化药株式会社 染料敏化太阳能电池模块
US20100065099A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-18 General Electric Company Monolithically connected photovoltaic devices on flexible substrates
WO2012106360A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-09 EncoreSolar, Inc. Monolithic integration of super-strate thin film photovoltaic modules

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666426A (zh) * 2018-06-30 2018-10-16 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种钙钛矿太阳能电池模块及其制备方法
CN112789728A (zh) * 2019-02-18 2021-05-11 爱普施恩有限公司 太阳能电池层压
CN112789728B (zh) * 2019-02-18 2024-04-12 爱普施恩有限公司 太阳能电池层压

Also Published As

Publication number Publication date
CN105164774B (zh) 2017-12-05
KR101440607B1 (ko) 2014-09-19
WO2014171615A1 (ko) 2014-10-23
US10468546B2 (en) 2019-11-05
US20160118522A1 (en) 2016-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105164774B (zh) 太阳能电池模块及其制备方法
KR101258185B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
Larsen-Olsen et al. Roll-to-roll processed polymer tandem solar cells partially processed from water
KR100986159B1 (ko) 에너지 전환 효율이 향상된 유기 태양전지 및 이의 제조방법
KR101557587B1 (ko) 유기태양전지 및 이의 제조방법
US20100018581A1 (en) Large area solar cell
US20130333739A1 (en) Photovoltaic modules
KR102264457B1 (ko) 인쇄된 광전지 모듈 제조 방법
JP5573372B2 (ja) 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2011124494A (ja) 有機薄膜太陽電池モジュール
KR101364461B1 (ko) 유기태양전지 모듈 및 이의 제조방법
CN115867056A (zh) 有机太阳能电池模组及其制备方法
Guo et al. Efficient cascade multiple heterojunction organic solar cells with inverted structure
Lee et al. New series connection method for bulk-heterojunction polymer solar cell modules
Wan et al. The design and realization of large-scale patterned organic solar cells in series and parallel configurations
KR101564969B1 (ko) 유기태양전지 모듈 구조 및 그 제조방법
KR102171394B1 (ko) 유기태양전지 모듈
KR20170141407A (ko) 유기 태양전지 및 이의 제조 방법
KR20160080591A (ko) 유기태양전지의 제조방법
CN108028319A (zh) 柔性元件及其制造方法
JP2011258978A (ja) 有機薄膜太陽電池モジュール
Sagawa Future Power of Plastic Solar Cells for Zero–CO 2 Emission Society
KR20170113233A (ko) 유기태양전지 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant