CN105118673A - 片式陶瓷电容器烧结方法 - Google Patents

片式陶瓷电容器烧结方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105118673A
CN105118673A CN201510569763.2A CN201510569763A CN105118673A CN 105118673 A CN105118673 A CN 105118673A CN 201510569763 A CN201510569763 A CN 201510569763A CN 105118673 A CN105118673 A CN 105118673A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic capacitor
chip ceramic
inorganic material
sintering
sintering method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510569763.2A
Other languages
English (en)
Inventor
何荣喜
张子山
林泳洲
张天然
吴睿鋆
黄晓彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FUJIAN TORCH ELECTRON TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
FUJIAN TORCH ELECTRON TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FUJIAN TORCH ELECTRON TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical FUJIAN TORCH ELECTRON TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201510569763.2A priority Critical patent/CN105118673A/zh
Publication of CN105118673A publication Critical patent/CN105118673A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

本发明涉及片式陶瓷电容器的制造方法,特别涉及片式陶瓷电容器的烧结方法。该种片式陶瓷电容器烧结方法,首先将片式陶瓷电容器生坯放入承烧容器中;接着在承烧容器中填充满无机材料粉末,并将片式陶瓷电容器生坯完全包裹覆盖,该无极材料粉末在片式陶瓷电容器坯体烧结环境下不与片式陶瓷电容器坯体发生反应;最后将承烧容器放入窑炉中烧结,获得片式陶瓷电容器产品。本发明的烧结方法,增强产品在烧结过程中的气氛和温度均衡性避免产品出现开裂,提高产品的质量可靠性;烧结结束后通过振动筛将无机材料粉末与产品完整分离;无机材料粉末不会与产品发生反应,烧结后不会残留任何物质在芯片上,不会影响产品质量可靠性。

Description

片式陶瓷电容器烧结方法
技术领域
本发明涉及片式陶瓷电容器的制造方法,特别涉及片式陶瓷电容器的烧结方法。
背景技术
在制作MLCC电容器过程中,烧结前在承烧板中采用无机粉末将产品包裹覆盖可以避免烧结时因为产品各个部位的升温速率和降温速率的不均衡,芯片的累积烧结应力过大,乃至引起芯片出现开裂现象。一般烧结方式:在承烧板中平铺一定量的芯片数量后进行装炉烧结。
为解决上述问题,申请号为CN201310473290.7的发明专利申请公开了一种平整度高的微波单层陶瓷电容器的制造方法,包括陶瓷生坯成型、烧结、清洗、制备电极层、切割,其特征是所述的烧结是先在单层陶瓷生坯表面均匀地粘附上防粘粉,所述的防粘粉由按重量比的面粉60~65%、玉米粉25~30%、锆粉5~15%所均匀混合构成,然后将多个单层陶瓷生坯垂直堆积在承烧板上后再压上陶瓷板进行烧结,烧结完成后进行清洗分离,获得陶瓷熟坯,通过磁控溅射在陶瓷熟坯表面形成电极,再将带有电极的单层陶瓷熟坯用粘胶粘夹在两片单层陶瓷熟坯中间,用砂轮切割成型,清洗后即可得到平整度极高的微波单层陶瓷电容器。该种方法存在以下问题:一是在承烧板与陶瓷电容器生坯之间留有空隙,在烧结升降温过程有可能因产品的局部区域升降温速率不同,产生温差造成温度不均衡,乃至引起芯片开裂,影响到产品质量可靠性;二是烧结过的陶瓷电容器熟坯还需要通过砂轮进行在此切割,加工难度大、切割过程容易造成产品的损坏;三是防粘粉经高温烧结后损失,无法回收利用。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术的不足,提供一种片式陶瓷电容器烧结方法。
片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于,烧结方法如下:
步骤1,将片式陶瓷电容器生坯放入承烧容器中;
步骤2,在承烧容器中填充满无机材料粉末,并将片式陶瓷电容器生坯完全包裹覆盖,该无极材料粉末在片式陶瓷电容器坯体烧结环境下不与片式陶瓷电容器坯体发生反应;
步骤3,将承烧容器放入窑炉中烧结,获得片式陶瓷电容器产品。
进一步的,步骤1在陶瓷电容器生坯放入前,先将无机材料粉末平铺于承烧容器底面。
进一步的,步骤2所述无机材料粉末的粒度范围为5μm-60μm。
进一步的,步骤2所述无机材料粉末的反应温度大于片式陶瓷电容器坯体的烧结温度至少100℃。
进一步的,无机材料粉末为二氧化锆粉末。
进一步的,无机材料粉末为氧化铝粉末。
进一步的,无机材料粉末为碳化硅粉末。
进一步的,无机材料粉末为氮化硅粉末。
进一步的,步骤3烧结获得片式陶瓷电容器产品后,通过振动筛将二氧化锆粉末与陶瓷电容器产品完整分离。
由上述对本发明的描述可知,与现有技术相比,本发明的片式陶瓷电容器烧结方法具有如下有益效果:本发明采用无机材料粉末作为介质与产品一起烧结,增强产品在烧结过程中的气氛和温度均衡性避免产品出现开裂,提高产品的质量可靠性;烧结结束后通过振动筛将无机材料粉末与产品完整分离;无机材料粉末性能稳定不会与产品发生反应,烧结后不会残留任何物质在芯片上,不会影响产品质量可靠性。
具体实施方式
本发明的片式陶瓷电容器烧结方法,在承烧板中加入无机材料粉末作为烧结介质与产品一起烧结进行,以代替常规使用的空气介质。
具体烧结方法如下:
步骤1,将片式陶瓷电容器生坯放入承烧容器中,陶瓷电容器生坯放入前,先将无机材料粉末平铺于承烧容器底面;
步骤2,在承烧容器中填充满无机材料粉末,并将片式陶瓷电容器生坯完全包裹覆盖,该无极材料粉末在片式陶瓷电容器坯体烧结环境下不与片式陶瓷电容器坯体发生反应,无机材料粉末的反应温度大于片式陶瓷电容器坯体的烧结温度至少100℃,无机材料粉末的粒度范围为5μm-60μm;
步骤3,将承烧容器放入窑炉中烧结,获得片式陶瓷电容器产品,烧结获得片式陶瓷电容器产品后,通过振动筛将无机材料粉末与陶瓷电容器产品完整分离。
具体实施例,对2225规格的产品进行烧结,无机材料粉末可为二氧化锆粉末、氧化铝粉末、碳化硅、氮化硅粉末中的一种或混合物,本实施例中选用二氧化锆粉末:
将二氧化锆粉末平铺在承烧板中;
然后将2225规格的产品置放在二氧化锆粉末上,再用二氧化锆粉末将片式陶瓷电容器生坯完全包裹覆盖;;
将承烧容器放入窑炉中烧结,获得片式陶瓷电容器产品,烧结后的产品合格率为100%;
烧结获得片式陶瓷电容器产品后,通过振动筛将无机材料粉末与陶瓷电容器产品完整分离,二氧化锆粉末性能稳定不会与产品发生反应,烧结后不会残留任何物质在芯片上,不会影响产品质量可靠性。
上述仅为本发明的一个具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护范围的行为。

Claims (9)

1.片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于,烧结方法如下:
步骤1,将片式陶瓷电容器生坯放入承烧容器中;
步骤2,在承烧容器中填充满无机材料粉末,并将片式陶瓷电容器生坯完全包裹覆盖,该无极材料粉末在片式陶瓷电容器坯体烧结环境下不与片式陶瓷电容器坯体发生反应;
步骤3,将承烧容器放入窑炉中烧结,获得片式陶瓷电容器产品。
2.根据权利要求1所述的片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于:步骤1在陶瓷电容器生坯放入前,先将无机材料粉末平铺于承烧容器底面。
3.根据权利要求1所述的片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于:步骤2所述无机材料粉末的粒度范围为5μm-60μm。
4.根据权利要求1或3所述的片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于:步骤2所述无机材料粉末的反应温度大于片式陶瓷电容器坯体的烧结温度至少100℃。
5.根据权利要求1或3所述的片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于:所述无机材料粉末为二氧化锆粉末。
6.根据权利要求1或3所述的片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于:所述无机材料粉末为氧化铝粉末。
7.根据权利要求1或3所述的片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于:所述无机材料粉末为碳化硅粉末。
8.根据权利要求1或3所述的片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于:所述无机材料粉末为氮化硅粉末。
9.根据权利要求1所述的片式陶瓷电容器烧结方法,其特征在于:所述步骤3烧结获得片式陶瓷电容器产品后,通过振动筛将二氧化锆粉末与陶瓷电容器产品完整分离。
CN201510569763.2A 2015-09-09 2015-09-09 片式陶瓷电容器烧结方法 Pending CN105118673A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510569763.2A CN105118673A (zh) 2015-09-09 2015-09-09 片式陶瓷电容器烧结方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510569763.2A CN105118673A (zh) 2015-09-09 2015-09-09 片式陶瓷电容器烧结方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105118673A true CN105118673A (zh) 2015-12-02

Family

ID=54666628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510569763.2A Pending CN105118673A (zh) 2015-09-09 2015-09-09 片式陶瓷电容器烧结方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105118673A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107651967A (zh) * 2017-08-23 2018-02-02 孝感华工高理电子有限公司 一种小直径ptc圆片的烧结方法
CN107833723A (zh) * 2017-12-04 2018-03-23 中国振华集团云科电子有限公司 基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法
CN111540604A (zh) * 2020-05-07 2020-08-14 无锡太湖学院 一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101034635A (zh) * 2007-03-21 2007-09-12 太原科技大学 Al2O3/Cu电触头材料制备工艺
CN103351157A (zh) * 2013-06-26 2013-10-16 沈阳大学 一种控制低温共烧陶瓷基板烧结收缩及变形的工艺
CN104446443A (zh) * 2014-11-21 2015-03-25 天津大学 宽工作温度范围多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
CN104761243A (zh) * 2015-03-26 2015-07-08 上海大学 一种用热固性有机硅树脂结合陶瓷粉末制备陶瓷型芯的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101034635A (zh) * 2007-03-21 2007-09-12 太原科技大学 Al2O3/Cu电触头材料制备工艺
CN103351157A (zh) * 2013-06-26 2013-10-16 沈阳大学 一种控制低温共烧陶瓷基板烧结收缩及变形的工艺
CN104446443A (zh) * 2014-11-21 2015-03-25 天津大学 宽工作温度范围多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
CN104761243A (zh) * 2015-03-26 2015-07-08 上海大学 一种用热固性有机硅树脂结合陶瓷粉末制备陶瓷型芯的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张文峰等: ""埋粉烧结对BaTiO3陶瓷性能的影响"", 《硅酸盐通报》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107651967A (zh) * 2017-08-23 2018-02-02 孝感华工高理电子有限公司 一种小直径ptc圆片的烧结方法
CN107833723A (zh) * 2017-12-04 2018-03-23 中国振华集团云科电子有限公司 基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法
CN111540604A (zh) * 2020-05-07 2020-08-14 无锡太湖学院 一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法
CN111540604B (zh) * 2020-05-07 2022-05-31 无锡太湖学院 一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5972630B2 (ja) 静電チャックの製法
JP5750060B2 (ja) セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法
US9650302B2 (en) Method for producing electrostatic chuck and electrostatic chuck
CN106904950A (zh) 一种低温烧结的95氧化铝陶瓷材料
CN105118673A (zh) 片式陶瓷电容器烧结方法
CN105174972B (zh) 一种玻璃/陶瓷纳米复合材料的制备方法
CN106116595B (zh) 一种隔粘粉及利用该隔粘粉批量烧结片状陶瓷的方法
CN107311666A (zh) 低温共烧陶瓷基板的成型与烧结方法
CN107793128A (zh) 低膨胀陶瓷坯料及其制备方法和应用
CN103242035B (zh) 一种提高惰性瓷球外观质量的方法
CN113999019B (zh) 一种氮化硅陶瓷造粒粉的制备方法
CN110451962B (zh) 一种亚毫米级氧化锆陶瓷球及其制备方法
CN103500655A (zh) 一种平整度高的微波单层陶瓷电容器的制造方法
CN103204682A (zh) 一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法
CN109293342A (zh) 一种锰冶金渣制备多孔陶瓷的方法
CN108276001A (zh) 一种超耐磨碳化钨硬质合金放电等离子体烧结方法
CN107759225A (zh) 一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法
JP5784849B2 (ja) セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法
CN104817323B (zh) 温度稳定型陶瓷电容器介质材料Sr4GdTiNb9O30及其制备方法
JP2005205507A (ja) 真空吸着装置およびその製造方法
CN108178618B (zh) 一种99氧化铝陶瓷及其制备方法
JP2019133951A (ja) 点火プラグ用絶縁体のための合成物、および、点火プラグ用絶縁体を製造する方法
KR102404834B1 (ko) 산화물 소결체, 그 제조 방법 및 스퍼터링 타깃
CN113004043A (zh) 重结晶碳化硅制品等静压成型工艺
CN102515756A (zh) 高性能pzt基压电陶瓷放电等离子体低温烧结及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20151202

RJ01 Rejection of invention patent application after publication