CN105118671A - 一种单体陶瓷电容器 - Google Patents
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Abstract
本发明一种单体陶瓷电容器，包括陶瓷基体、芯片、锡电极和引脚；所述芯片的两侧各设有一片所述锡电极；所述芯片与所述锡电极的高度尺寸相同；所述锡电极的底部设有分叉；所述引脚通过焊接方式连接在所述分叉之间；所述引脚上还设有弯曲部；所述弯曲部的径向尺寸大于引脚上其他部位的径向尺寸；在所述芯片、锡电极、引脚的外部包覆一层陶瓷基体；所述陶瓷基体包覆至引脚上的弯曲部，并将所述弯曲部也包覆在内。通过上述方式，提供一种单体陶瓷电容器，其结构简单，工作稳定性好，结实耐用，尤其是引脚的结构，不仅改变了其原来的焊接连接结构，而且增设了抗外力能力好的弯曲部，提高了整体的耐用程度，增加了结构寿命。
Description
技术领域
本发明涉及电气配件领域，特别是涉及一种单体陶瓷电容器。
背景技术
陶瓷电容器是以陶瓷作为电介质的电容器，现有的陶瓷电容器一般包括陶瓷芯片、引脚及环氧树脂包封层，现有引脚的横截面为圆形。此种结构的陶瓷电容器在生产时，由于横截面为圆形的引脚高度不一，无法进行模压，因此只能单个进行焊接及封装，生产效率较低。而且，引脚在结构连接中通常都是焊接在电极平面上，这样的连接强度不足以适应反复活动的引脚，其连接处所能承受的疲劳强度也是有所限制的，特别是在遇到拉外力的作用下，引脚及其容易脱落，会给结构带来不可修复的损伤。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种单体陶瓷电容器，其设计合理，结构简单，解决了引脚受外力作用下易脱落的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种单体陶瓷电容器，包括陶瓷基体、芯片、锡电极和引脚；所述芯片的两侧各设有一片所述锡电极；所述芯片与所述锡电极的高度尺寸相同；所述锡电极的底部设有分叉；所述引脚通过焊接方式连接在所述分叉之间；所述引脚上还设有弯曲部；所述弯曲部的径向尺寸大于引脚上其他部位的径向尺寸；在所述芯片、锡电极、引脚的外部包覆一层陶瓷基体；所述陶瓷基体包覆至引脚上的弯曲部，并将所述弯曲部也包覆在内。
优选的是，在所述芯片、和锡电极的外部包覆有一层环氧树脂层；所述环氧树脂层的厚度为20~35μm。
优选的是，所述陶瓷基体为烧结形成的外壳体。
本发明的有益效果是：提供一种单体陶瓷电容器，其结构简单，工作稳定性好，结实耐用，尤其是引脚的结构，不仅改变了其原来的焊接连接结构，而且增设了抗外力能力好的弯曲部，提高了整体的耐用程度，增加了结构寿命。
附图说明
图1是本发明一种单体陶瓷电容器的结构剖视图；
图2是锡电极与引脚练级处的结构剖视图；
附图中各部件的标记如下：1、陶瓷基体；2、芯片；3、锡电极；4、引脚；5、分叉；6、弯曲部；7、环氧树脂层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
请参阅附图1和2，本发明实施例包括：
一种单体陶瓷电容器，包括陶瓷基体1、芯片2、锡电极3和引脚4；所述芯片2的两侧各设有一片所述锡电极3；所述芯片2与所述锡电极3的高度尺寸相同；一样的高度尺寸下才不会造成结构之间的间隙，而且能够完整的保护住芯片2。所述锡电极3的底部设有分叉5；所述引脚4通过焊接方式连接在所述分叉5之间；由于常见的引脚4连接多数是在平面上焊接，久而久之的工作后平面焊接的抗疲劳强度会组件减弱，因此引脚4的连接状况就会变得不好。所述引脚上4还设有弯曲部6；所述弯曲部6的径向尺寸大于引脚4上其他部位的径向尺寸；弯曲部6能够起到一定程度的限位作用，而且必须具有较大的承载能力。在所述芯片2、锡电极3、引脚4的外部包覆一层陶瓷基体1；所述陶瓷基体1为烧结形成的外壳体，所述陶瓷基体1包覆至引脚4上的弯曲部6，并将所述弯曲部6也包覆在内。如图所示，这样可以保证结构的稳定性，尤其是在引脚受到较大的外力拉扯下，能够防止结构脱落，提高结构的稳定性。在所述芯片2、和锡电极3的外部包覆有一层环氧树脂层7；所述环氧树脂层7的厚度为20~35μm。环氧树脂层7不仅可以增加连接结构之间的强度，而且还能够起到一定程度的隔热作用。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (3)
1.一种单体陶瓷电容器，其特征在于：包括陶瓷基体、芯片、锡电极和引脚；所述芯片的两侧各设有一片所述锡电极；所述芯片与所述锡电极的高度尺寸相同；所述锡电极的底部设有分叉；所述引脚通过焊接方式连接在所述分叉之间；所述引脚上还设有弯曲部；所述弯曲部的径向尺寸大于引脚上其他部位的径向尺寸；在所述芯片、锡电极、引脚的外部包覆一层陶瓷基体；所述陶瓷基体包覆至引脚上的弯曲部，并将所述弯曲部也包覆在内。
2.根据权利要求1所述的一种单体陶瓷电容器，其特征在于：在所述芯片、和锡电极的外部包覆有一层环氧树脂层；所述环氧树脂层的厚度为20~35μm。
3.根据权利要求1所述的一种单体陶瓷电容器，其特征在于：所述陶瓷基体为烧结形成的外壳体。
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| CN201510543541.3A CN105118671A (zh) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | 一种单体陶瓷电容器 |
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Publications (1)
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| CN105118671A true CN105118671A (zh) | 2015-12-02 |
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| CN201510543541.3A Pending CN105118671A (zh) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | 一种单体陶瓷电容器 |
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2015
- 2015-08-31 CN CN201510543541.3A patent/CN105118671A/zh active Pending
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