CN105116653B - 显示面板 - Google Patents

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CN105116653B CN201510580737.XA CN201510580737A CN105116653B CN 105116653 B CN105116653 B CN 105116653B CN 201510580737 A CN201510580737 A CN 201510580737A CN 105116653 B CN105116653 B CN 105116653B
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Abstract

一种显示面板,包括一栅极驱动器,与所述栅极驱动器连接的若干扫描线以及连接于每一扫描线的若干薄膜晶体管。每一薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接。所述漏极具有一在垂直方向上与所述栅极重叠的重叠部,该重叠部在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器到远离所述栅极驱动器的方向均匀渐增。上述发明显示面板通过改变所述薄膜晶体管的漏极在水平方向上的面积进而改变漏极与栅极重叠的重叠部面积,以对每一像素单元的信号波形进行均匀补偿,从而提升了所述显示面板的画面显示质量。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板,尤其是一种液晶显示面板。
背景技术
随着科技的不断发展,技术的不断提高,显示面板及已大量进入人们的生活生产当中,尤其是液晶显示面板,被广泛的应用于各种便携式电子产品、交通运输工具等。
液晶显示面板通常包括栅极驱动器、源极驱动器及像素单元,像素单元通过扫描线及数据线分别与栅极驱动器和源极驱动器连接。但信号在传输过程中会产生衰减,特别是在较大尺寸的显示面板中,距离栅极驱动器越远的像素单元的信号波形衰减更为明显,严重影响显示面板的显示效果。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种具有良好显示性能的显示面板。
一种显示面板,包括一栅极驱动器,与所述栅极驱动器连接的若干扫描线以及连接于每一扫描线的若干薄膜晶体管,每一薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述漏极具有一在垂直方向上与所述栅极重叠的重叠部,该重叠部在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器到远离所述栅极驱动器的方向均匀渐增。
一种显示面板,包括一源极驱动器,与所述源极驱动器连接的若干数据线以及连接于每一数据线的若干薄膜晶体管,每一薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述薄膜晶体管的漏极具有一在垂直方向上与所述栅极重叠的重叠部,该重叠部在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器到远离所述栅极驱动器的方向均匀渐增。
一种显示面板,包括一驱动器,与所述驱动器连接的若干数据线及扫描线,以及连接于每一数据线及扫描线的若干薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极具有一在垂直方向上与所述栅极重叠的重叠部,该重叠部在水平方向上的面积沿靠近所述驱动器到远离所述驱动器的方向均匀渐增,其中,所述该驱动器包括源极驱动器与栅极驱动器至少其中之一。
上述发明显示面板通过改变所述薄膜晶体管的漏极在水平方向上的面积进而改变漏极与栅极重叠的重叠部面积,以对每一像素单元的信号波形进行均匀补偿,从而提升了所述显示面板的画面显示质量。
附图说明
图1为本发明显示面板的电路结构示意图。
图2为本发明第一实施方式薄膜晶体管阵列的部分结构示意图。
图3为图2中III区域的局部放大图。
图4为本发明第二实施方式薄膜晶体管阵列的部分结构示意图。
图5为本发明第三实施方式薄膜晶体管阵列的部分结构示意图。
图6为图5中VI区域的局部放大图。
图7为本发明第四实施方式薄膜晶体管阵列的部分结构示意图。
主要元件符号说明
显示面板 100
栅极驱动器 10
源极驱动器 20
扫描线 31
数据线 32
像素电极 33
薄膜晶体管 200
栅极 201
源极 202
漏极 203
外侧面 2030
第一侧面 2021
第二侧面 2022
漏极凹部 2031
源极凸部 2025、2029
源极凹部 2026、2028
漏极凸部 2035
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述:
请参考图1,本发明显示面板100包括薄膜晶体管阵列及所述薄膜晶体管阵列的驱动器,所述驱动器包括栅极驱动器10、源极驱动器20,所述薄膜晶体管阵列包括若干扫描线31、若干数据线32、若干像素电极33及若干薄膜晶体管200。所述扫描线31与所述栅极驱动器10连接,以传输扫描信号。所述数据线32与所述源极驱动器20连接,以传输所述源极驱动器20产生的数据信号。
所述薄膜晶体管200包括栅极201、源极202及漏极203,所述栅极201与所述扫描线31相连接,所述源极202与所述数据线32相连接,所述漏极203与像素电极33相连接。
请一并参考图2及图3,图2及图3为本发明第一实施方式之薄膜晶体管阵列的部分结构示意图,在图2中,仅绘出该薄膜晶体管阵列中连接同一扫描线31的同行阵列。所述薄膜晶体管200的漏极203具有一在垂直方向上与所述栅极201重叠的重叠部(图未示)。所述重叠部为具有至少一漏极凹部2031的条形结构,且所述至少一漏极凹部2031的总面积沿靠近所述栅极驱动器10到远离所述栅极驱动器10的方向递减,使得所述重叠部的面积沿靠近所述栅极驱动器10到远离所述栅极驱动器10的方向均匀渐增。该漏极203的重叠部包括一外侧面2030,所述源极202大致呈U形,该重叠部设置在所述U形的开口处,该源极202包括一面向所述漏极203外侧面2030的一第一侧面2021及一背向所述漏极203的一第二侧面2022。该漏极203进一步包括一与该像素电极33连接的连接部,该连接部与该重叠部连通设置。
在本实施例中,该至少一漏极凹部2031的数量为二,且分别设置于与源极202之U形二相对臂的正对的所述漏极203的外侧面2030上。所述漏极凹部2031为由所述漏极203的外侧面2030向内凹陷的凹坑。
本实施方式中,所述这些漏极凹部2031均靠近所述栅极驱动器10设置,所述这些漏极凹部2031的内缩深度L应小于0.5微米,对应的所述漏极203的水平宽度M不小于4.3微米,以确保所述薄膜晶体管200的沟道性能。较佳的,所述漏极凹部2031的内缩深度L为0.2微米。另外,本实施方式通过在所述薄膜晶体管200的漏极203上设置漏极凹部2031以改变所述薄膜晶体管200的漏极203与栅极201重叠的重叠部面积,进而对每一像素单元的信号波形进行均匀补偿。其他实施方式中,所述漏极凹部2031在水平方向上的面积可根据补偿的需要来灵活调节。需要说明的是,由于所述漏极凹部2031在水平方向上的面积实际上很小,对显示面板100开口率不会产生影响。可变更地,所述漏极凹部2031的数量可根据需要变更。所述漏极凹部2031亦可为设置在重叠部内部的缺口,通过改变凹口的大小达成所述漏极凹部2031在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器10到远离所述栅极驱动器10的方向均匀递减的效果。
如图4所示,为本发明第二实施方式的薄膜晶体管阵列的部分结构示意图,后续的描述中与第一实施方式相同的元件采用相同的元件标号,且第二实施方式与第一实施方式的薄膜晶体管阵列的结构相同之处重复描述,后续仅描述不同之处。在本发明第二实施方式中,为保障所述薄膜晶体管200源极202与漏极203之间的沟道宽度一致,在所述源极202的第一侧面2021上设置一与所述漏极凹部2031对应的源极凸部2025。所述源极凸部2025为所述源极202的第一侧面2021向外延伸的凸起。为确保源极202的横切面积不变,在所述源极202的第二侧面2022上设置一与所述源极凸部2025对应的源极凹部2026。同样的,所述源极凹部2026是所述源极202的第二侧面2022向内凹陷的凹坑。同一薄膜晶体管200的漏极凹部2031、源极凸部2025以及源极凹部2026在水平方向上的面积相同。
请一并参考图5及图6,本发明第三实施方式的薄膜晶体管阵列的部分结构示意图,后续的描述中与第一实施方式相同的元件采用相同的元件标号,且第三实施方式与第一实施方式的薄膜晶体管阵列的结构相同之处重复描述,后续仅描述不同之处。在本发明第三实施方式中,为对每一像素单元的信号波形进行补偿,在所述漏极203的外侧面2030上设置至少有一漏极凸部2035,以取代漏极凹部。所述重叠部为具有至少一漏极凸部2035的条形结构,且所述至少一漏极凸部2035的总面积沿靠近所述栅极驱动器10到远离所述栅极驱动器10的方向递增,使得所述重叠部的面积沿靠近所述栅极驱动器10到远离所述栅极驱动器10的方向均匀渐增。所述漏极凸部2035由所述漏极203的外侧面2030向外延伸的凸起。所述漏极凸部2035在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器10到远离所述栅极驱动器10的方向均匀递增,使得所述重叠部的面积沿靠近所述栅极驱动器10到远离所述栅极驱动器10的方向均匀渐增。本实施方式中,所述这些漏极凸部2035均远离所述栅极驱动器10设置,所述这些漏极凸部2035的增补高度N应小于为0.5微米,以确保所述薄膜晶体管200的沟道性能。较佳的,所述漏极凸部2035的增补高度N为0.2微米。同样的,所述漏极凸部2035在水平方向上的面积可根据需要补偿的需要来灵活调节,另外,由于所述漏极凸部2035在水平方向上的面积实际上很小,对显示面板100开口率不会产生影响。
其他实施方式中,若所述显示面板100过大,单一的漏极凹部2031或漏极凸部2035均不能满足补偿需求,可以将本发明的第一实施方式与第三实施方式相结合。具体为,在靠近所述栅极驱动器10的漏极203的外侧面2030上设置漏极凹部2031,并在远离所述栅极驱动器10的漏极203的外侧面2030上设置漏极凸部2035,以满足大尺寸显示面板100的补偿需求。
请参考图7,为本发明第四实施方式的薄膜晶体管阵列的部分结构示意图,后续的描述中与第一及第三实施方式相同的元件采用相同的元件标号,且第四实施方式与第一、三实施方式的薄膜晶体管阵列的结构相同之处重复描述,后续仅描述不同之处。在本发明第四实施方式中,为保障所述薄膜晶体管200源极202与漏极203之间的沟道宽度一致,在所述源极202的第一侧面2021上设置一与所述漏极凸部2035对应的源极凹部2028。所述源极凹部2028是所述源极202的第一侧面2021向内凹陷的凹坑。为确保源极202的横切面积不变,在所述源极202的第二侧面2022上设置一与所述源极凹部2028对应的源极凸部2029。同样的,所述源极凸部2029是所述源极202的第二侧面2022向外延伸的凸起。同一薄膜晶体管200的漏极凸部2035、源极凹部2028以及源极凸部2029在水平方向上的面积相同。
上述实施例均以栅极驱动器10及连接同一扫描线31的薄膜晶体管200进行说明,可以理解的是,上述方法同样适用于源极驱动器20及连接同一数据线32的薄膜晶体管200。具体的,所述重叠部的面积沿靠近所述源极驱动器20到远离所述源极驱动器20的方向均匀渐增设置。
本发明显示面板100通过改变所述薄膜晶体管200的漏极203与栅极201重叠的重叠部面积,进而对每一像素单元的信号波形进行均匀补偿,提升了所述显示面板100的画面显示质量。

Claims (17)

1.一种显示面板,包括一栅极驱动器,与所述栅极驱动器连接的若干扫描线以及连接于每一扫描线的若干薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极,每一薄膜晶体管的所述栅极与所述扫描线连接,所述漏极具有一在垂直方向上与所述栅极重叠的重叠部,所述重叠部呈一条形,所述源极呈U形,该重叠部位于所述U形源极的开口处,所述漏极包括一外侧面,所述源极包括一面向所述漏极外侧面的一第一侧面及一背向所述漏极的一第二侧面,所述漏极的外侧面上设置有至少一漏极凹部,所述源极的第一侧面上设置一与所述漏极凹部对应的源极凸部,所述源极的第二侧面上设置一与所述源极凸部对应的源极凹部,同一薄膜晶体管的所述漏极凹部、所述源极凸部以及所述源极凹部在水平方向上的面积相同,所述至少一漏极凹部在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器到远离所述栅极驱动器的方向均匀递减,使该重叠部在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器到远离所述栅极驱动器的方向均匀渐增。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述至少一漏极凹部的数量为二,所述二漏极凹部分别设置于与U形源极之二相对臂的正对的所述漏极的外侧面上。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于:所述漏极凹部为由所述漏极的外侧面向内凹陷的凹坑。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于:每一薄膜晶体管的漏极凹部均靠近所述栅极驱动器设置。
5.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于:所述漏极凹部的内缩深度小于0.5微米,对应的所述漏极的水平宽度不小于4.3微米。
6.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于:所述漏极凹部的内缩深度为0.2微米。
7.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于:所述源极凸部为所述源极的第一侧面向外延伸的凸起。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于:所述源极凹部为所述源极的第二侧面向内凹陷的凹坑。
9.一种显示面板,包括一栅极驱动器,与所述栅极驱动器连接的若干扫描线以及连接于每一扫描线的若干薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极,每一薄膜晶体管的所述栅极与所述扫描线连接,所述漏极具有一在垂直方向上与所述栅极重叠的重叠部,所述重叠部呈一条形,所述源极呈U形,该重叠部位于所述U形源极的开口处,所述漏极包括一外侧面,所述源极包括一面向所述漏极外侧面的一第一侧面及一背向所述漏极的一第二侧面,所述漏极的外侧面上设置有至少一漏极凸部,所述源极的第一侧面上设置一与所述漏极凸部对应的源极凹部,所述源极的第二侧面上设置一与所述源极凹部对应的源极凸部,同一薄膜晶体管的所述漏极凸部、所述源极凹部以及所述源极凸部在水平方向上的面积相同,所述至少一漏极凸部在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器到远离所述栅极驱动器的方向均匀递增,使该重叠部在水平方向上的面积沿靠近所述栅极驱动器到远离所述栅极驱动器的方向均匀渐增。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于:所述至少一漏极凸部为由所述漏极的外侧面向外延伸的凸起。
11.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于:每一薄膜晶体管的漏极凸部均远离所述栅极驱动器设置。
12.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于:所述至少一漏极凸部的增补高度小于0.5微米。
13.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于:所述至少一漏极凸部的增补高度为0.2微米。
14.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于:所述源极凹部为所述源极的第一侧面向内凹陷的凹坑。
15.如权利要求14所述的显示面板,其特征在于:所述源极凸部为所述源极的第二侧面向外延伸的凸起。
16.一种显示面板,包括一源极驱动器,与所述源极驱动器连接的若干数据线以及连接于每一数据线的若干薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极,每一薄膜晶体管的所述源极与所述数据线连接,所述薄膜晶体管的漏极具有一在垂直方向上与所述栅极重叠的重叠部,所述重叠部呈一条形,所述源极呈U形,该重叠部位于所述U形源极的开口处,所述漏极包括一外侧面,所述源极包括一面向所述漏极外侧面的一第一侧面及一背向所述漏极的一第二侧面,所述漏极的外侧面上设置有至少一漏极凹部或漏极凸部,所述源极的第一侧面上设置一与所述漏极凹部对应的源极凸部或与所述漏极凸部对应的源极凹部,所述源极的第二侧面上设置一与所述源极凸部对应的源极凹部或与所述源极凹部对应的源极凸部,同一薄膜晶体管的所述漏极凹部、所述第一侧面上的源极凸部以及所述第二侧面上的源极凹部或同一薄膜晶体管的所述漏极凸部、所述第一侧面上的源极凹部以及所述第二侧面上的源极凸部在水平方向上的面积相同,所述至少一漏极凹部在水平方向上的面积沿靠近所述源极驱动器到远离所述源极驱动器的方向均匀递减或所述至少一漏极凸部在水平方向上的面积沿靠近所述源极驱动器到远离所述源极驱动器的方向均匀递增,使该重叠部在水平方向上的面积沿靠近所述源极驱动器到远离所述源极驱动器的方向均匀渐增。
17.一种显示面板,包括一驱动器,与所述驱动器连接的若干数据线或扫描线,以及连接于每一数据线及扫描线的若干薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极,所述薄膜晶体管的所述漏极具有一在垂直方向上与所述栅极重叠的重叠部,其中,所述驱动器包括源极驱动器与栅极驱动器至少其中之一,所述重叠部呈一条形,所述源极呈U形,该重叠部位于所述U形源极的开口处,所述漏极包括一外侧面,所述源极包括一面向所述漏极外侧面的一第一侧面及一背向所述漏极的一第二侧面,所述漏极的外侧面上设置有至少一漏极凹部或漏极凸部,所述源极的第一侧面上设置一与所述漏极凹部对应的源极凸部或与所述漏极凸部对应的源极凹部,所述源极的第二侧面上设置一与所述源极凸部对应的源极凹部或与所述源极凹部对应的源极凸部,同一薄膜晶体管的所述漏极凹部、所述第一侧面上的源极凸部以及所述第二侧面上的源极凹部或同一薄膜晶体管的所述漏极凸部、所述第一侧面上的源极凹部以及所述第二侧面上的源极凸部在水平方向上的面积相同,所述至少一漏极凹部在水平方向上的面积沿靠近所述驱动器到远离所述驱动器的方向均匀递减或所述至少一漏极凸部在水平方向上的面积沿靠近所述驱动器到远离所述驱动器的方向均匀递增,使该重叠部在水平方向上的面积沿靠近所述驱动器到远离所述驱动器的方向均匀渐增。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106356378B (zh) 2016-09-26 2023-10-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法
CN106647079B (zh) * 2017-01-16 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的驱动方法、制备方法和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6482674A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Casio Computer Co Ltd Thin film transistor
CN101140396A (zh) * 2006-09-08 2008-03-12 三星电子株式会社 液晶显示器装置
CN101556959A (zh) * 2008-04-10 2009-10-14 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及液晶显示装置
CN101957530A (zh) * 2009-07-17 2011-01-26 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
WO2012046632A1 (ja) * 2010-10-06 2012-04-12 シャープ株式会社 アレイ基板及び当該アレイ基板を用いた表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7650015B2 (en) * 1997-07-22 2010-01-19 Image Processing Technologies. LLC Image processing method
KR100606963B1 (ko) * 2000-12-27 2006-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그의 제조방법
KR101256663B1 (ko) * 2005-12-28 2013-04-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그의 제조 및 구동방법
JP4567028B2 (ja) * 2006-09-26 2010-10-20 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド マルチタッチ感知機能を有する液晶表示装置とその駆動方法
JP2009105390A (ja) * 2007-10-05 2009-05-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
CN101706637B (zh) * 2009-04-03 2011-07-13 深超光电(深圳)有限公司 高显示质量的画素电极结构
TWI469123B (zh) * 2012-08-09 2015-01-11 Au Optronics Corp 顯示面板
KR102128969B1 (ko) * 2014-02-17 2020-07-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6482674A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Casio Computer Co Ltd Thin film transistor
CN101140396A (zh) * 2006-09-08 2008-03-12 三星电子株式会社 液晶显示器装置
CN101556959A (zh) * 2008-04-10 2009-10-14 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及液晶显示装置
CN101957530A (zh) * 2009-07-17 2011-01-26 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
WO2012046632A1 (ja) * 2010-10-06 2012-04-12 シャープ株式会社 アレイ基板及び当該アレイ基板を用いた表示装置

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