CN105097606A - 一种遮挡盘及反应腔室 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种遮挡盘及反应腔室,该遮挡盘包括旋转分部和本体,旋转分部包括固定端和活动端,固定端与本体的外周壁相连接,且旋转分部沿本体的周向设置,旋转分部的活动端在其自身重力的作用下位于原始位置,原始位置定义为旋转分部的下表面与本体的下表面之间夹角为预设钝角时活动端所在的位置,在使用遮挡盘遮挡被遮挡物时,通过将旋转分部的活动端自原始位置顶起至预设最高位置,以使旋转分部与本体形成可遮挡被遮挡物的遮挡盘。本发明提供的遮挡盘,在存放时的尺寸较小,因而不需要在反应腔室内设置车库放置该遮挡盘,从而可以降低反应腔室的腔室成本,进而可以提高经济效益。
Description
技术领域
本发明属于半导体设备制造技术领域,具体涉及一种遮挡盘及反应腔室。
背景技术
物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,以下简称PVD)设备是应用比较广泛的等离子体加工设备,主要用于在基片等被加工工件的表面上沉积薄膜。PVD方法包括真空蒸镀、溅射镀膜和电弧等离子体镀膜,并且,到目前为止,PVD方法不仅可以沉积金属薄膜,而且可以沉积合金薄膜、化合物薄膜、陶瓷薄膜、半导体薄膜等。
在实际应用中,通常在沉积工艺进行之前,需要对暴露在大气环境中或者停用一段时间的靶材进行清洗工艺(即,将靶材表面上形成的氧化物或者其他杂质清洗掉),以及在完成预设数量的被加工工件之后,需要对反应腔室内的其他部件进行涂覆工艺(即,对反应腔室内其他部件上沉积一层覆盖物),为了防止在清洗工艺和涂覆工艺过程中污染承载被加工工件的承载装置的表面,通常采用遮挡盘对该承载装置的表面进行遮挡。图1为具有遮挡盘的反应腔室的结构示意图。请参阅图1,反应腔室10包括承载装置11、用于驱动承载装置11升降的第一驱动单元12、至少三个顶针13、用于驱动至少三个顶针13升降的第二驱动单元14、用于放置遮挡盘15的车库16、遮挡盘传输装置和遮挡盘检测装置。其中,承载装置11设置在反应腔室10内,用于承载被加工工件或遮挡盘15,每个顶针13自承载装置11的下表面贯穿至承载装置11的上表面,并可在承载装置11内升降;遮挡盘传输装置包括用于承载遮挡盘15的旋转臂17和第三驱动单元18,第三驱动单元18的驱动轴19与旋转臂17的一端相连接,用以驱动该旋转臂17围绕该驱动轴19旋转;遮挡盘检测装置包括四个激光对射传感器(1~4),在该车库16的上下表面相对位置处设置有观察窗20,该四对激光对射传感器(1~4)分别设置在该观察窗20上,具体设置位置如图2所示,每个激光对射传感器具有分别设置在车库16上下表面的观察窗20上的接收端和发射端,当发射端发出的激光束能够到达接收端时,该激光对射传感器不发出信号;当发射端与接收端之间的激光传输路径被物体遮挡时,发射端发出的激光束不能够到达接收端,该激光对射传感器发出信号。
下面详细地介绍该反应腔室的工作过程,具体地,包括以下步骤:步骤S1,当进行清洗工艺或涂覆工艺时,第三驱动单元18驱动旋转臂17旋转,以带动位于旋转臂17上的遮挡盘15旋转至承载装置11的正上方,第二驱动单元14驱动顶针13上升,将位于旋转臂17上的遮挡盘15顶起;步骤S2,第三驱动单元18驱动空载的旋转臂17回转至车库16,且当激光对射传感器1发出信号且激光对射传感器2不发出信号时,则旋转臂17到达安全位置,此时第一驱动单元12驱动承载装置11上升,使得位于顶针13上的遮挡盘15位于承载装置11的上表面上,此时实现遮挡盘15将承载装置11遮挡,因此可以进行清洗工艺或涂覆工艺;步骤S3,在清洗工艺或涂覆工艺完成之后,第一驱动单元12驱动承载装置11下降,使得顶针13将位于承载装置11上表面的遮挡盘15顶起,第三驱动单元18驱动空载的旋转臂17旋转至位于遮挡盘15下方且位于承载装置11上表面上方的位置,第二驱动单元14驱动顶针13下降,使得遮挡盘15位于该旋转臂17上;步骤S4,第三驱动单元18驱动承载有遮挡盘15的旋转臂17回转至车库16,当激光对射传感器(1,2,4)发出信号且激光对射传感器4不发出信号时,则遮挡环15和旋转臂17到达安全位置,此时,第三驱动单元18停止驱动,并可以在该工艺腔室内进行沉积工艺。
然而,采用上述的反应腔室在实际应用中不可避免的会存在以下技术问题:由于遮挡盘15为平板式结构,且尺寸较大,这就需要在反应腔室内设计尺寸较大的车库放置该遮挡盘,因而会导致反应腔室的腔室成本过高。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题,提供了一种遮挡盘及反应腔室,该遮挡盘在存放时的尺寸较小,因而不需要在反应腔室内设置车库放置该遮挡盘,从而可以降低反应腔室的腔室成本,进而可以提高经济效益。
为解决上述问题,本发明提供了一种遮挡盘,所述遮挡盘包括旋转分部和本体,所述旋转分部包括固定端和活动端,所述固定端与所述本体的外周壁相连接,且所述旋转分部沿所述本体的周向设置,所述旋转分部的活动端在其自身重力的作用下位于原始位置,所述原始位置定义为所述旋转分部的下表面与所述本体的下表面之间夹角为预设钝角时所述活动端所在的位置,在使用所述遮挡盘遮挡被遮挡物时,通过将所述旋转分部的活动端自所述原始位置顶起至预设最高位置,以使所述旋转分部与所述本体形成可遮挡所述被遮挡物的遮挡盘。
优选地,在所述旋转分部的下表面上设置有沟槽。
优选地,所述沟槽靠近所述旋转分部的活动端的深度大于靠近所述旋转分部的固定端的深度。
其中,所述沟槽在其所在的所述旋转分部所在平面上的轮廓形状为椭圆形、圆形、四边形或者三角形。
其中,所述旋转分部与所述本体的外周壁通过门栓相连接。
其中,所述预设钝角的范围在120~180度。
本发明还提供一种反应腔室,所述反应腔室内设置有遮挡盘、存放位置、工艺位置、传输装置和检测装置,所述遮挡盘放置在所述存放位置处,所述传输装置用于将所述遮挡盘传输至所述工艺位置或所述存放位置,所述检测装置用于检测所述遮挡盘是否传输至所述存放位置,所述遮挡盘采用本发明提供的上述遮挡盘。
其中,所述检测装置包括第一距离传感器和第二距离传感器,所述第一距离传感器的检测路径包括位于所述存放位置的所述遮挡盘的边界之内的位置;所述第二距离传感器的检测路径包括位于所述存放位置时的所述遮挡盘的边界之外且靠近其边界的位置;所述第一距离传感器和所述第二距离传感器设置为:仅在所述遮挡盘位于预设距离范围内时发出或者不发出信号;所述第一距离传感器或所述第二距离传感器的所述预设距离范围为不小于所述第一距离传感器或所述第二距离传感器与位于所述存放位置的所述遮挡盘之间的距离。
其中,所述传输装置包括承载部和旋转驱动机构,所述承载部用于承载所述遮挡盘,所述旋转驱动机构用于驱动所述承载部围绕其旋转轴旋转,以带动所述遮挡盘旋转至所述工艺位置或所述存放位置。
其中,所述检测装置还包括第三距离传感器,所述第三距离传感器的检测路径上包括位于所述存放位置的遮挡盘外侧的承载该遮挡盘的部分承载部的位置;所述第三距离传感器设置为:仅在部分所述承载部位于预设距离范围内时发出或者不发出信号;所述第三距离传感器的预设距离范围不小于其与位于所述存放位置的遮挡盘外侧的承载所述遮挡盘的部分承载部之间的距离。
其中,所述第一距离传感器、所述第二距离传感器或者所述第三距离传感器为漫反射距离传感器。
其中,还设置有顶针升降装置,所述顶针升降装置包括至少三个顶针和顶针升降单元,所述至少三个顶针用于承载所述遮挡盘;所述顶针升降单元用于驱动所述顶针升降,以使所述顶针将与所述遮挡盘的旋转分部的活动端自所述原始位置顶起至所述预设最高位置,以使所述旋转分部与所述本体形成可遮挡所述被遮挡物的遮挡盘。
其中,在所述旋转分部的下表面上设置有沟槽,所述沟槽的数量和位置与所述顶针的数量和位置一一对应。
本发明具有下述有益效果:
本发明提供的遮挡盘,其包括旋转分部和本体,旋转分部包括固定端和活动端,固定端与本体的外周壁相连接,且旋转分部沿本体的周向设置,旋转分部的活动端在其自身重力的作用下位于原始位置,原始位置定义为该旋转分部的下表面与本体的下表面之间夹角为预设钝角时活动端所在的位置,在使用遮挡盘遮挡被遮挡物时,通过将旋转分部的活动端自原始位置顶起至预设最高位置,以使旋转分部与本体形成可遮挡被遮挡物的遮挡盘。由上可知,该遮挡盘在存放时(即,未被使用时)的尺寸较小,且可实现在不影响遮挡盘使用的前提下可以减小遮挡盘的存放尺寸,因而不需要在反应腔室内设置车库放置该遮挡盘,从而可以降低反应腔室的腔室成本,进而可以提高经济效益。
本发明提供的反应腔室,其采用本发明提供的遮挡盘,可以降低反应腔室的腔室成本,从而可以提高经济效益。
附图说明
图1为具有遮挡盘的反应腔室的结构示意图;
图2为图1所示的反应腔室的俯视图;
图3为本发明实施例提供的遮挡盘在使用时的结构示意图;
图4为图3所示的遮挡盘的仰视图;
图5为本发明实施例提供的遮挡盘在存放时的正视图;
图6为本发明实施例提供反应腔室的结构示意图;以及
图7为图6所示的反应腔室的俯视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明提供的遮挡盘及反应腔室进行详细描述。
图3为本发明实施例提供的遮挡盘在使用时的结构示意图。图4为图3所示的遮挡盘的仰视图。图5为本发明实施例提供的遮挡盘在存放时的正视图。请一并参阅图3、图4和图5,本实施例提供的遮挡盘包括旋转分部21和本体22。其中,旋转分部21包括固定端21a和活动端21b,固定端21a与本体22的外周壁相连接,且旋转分部21沿本体22的周向设置;旋转分部21的活动端21b在其自身重力的作用下位于原始位置,原始位置定义为旋转分部21的下表面与本体22的下表面之间的夹角为预设钝角θ时活动端21b所在的位置(如图5中旋转分部21的活动端21b所在的位置),优选地,预设钝角θ的范围在120~180度;在使用遮挡盘遮挡被遮挡物(例如,承载基片的承载装置的上表面)时,通过将旋转分部21的活动端21b自原始位置顶起至预设最高位置(如图4中旋转分部21的活动端21b所在的位置),以使位于旋转分部21与本体22形成可遮挡被遮挡物的遮挡盘。
具体地,在本实施例中,旋转分部21的数量为2个,且沿本体22的周向间隔设置,原始位置为预设钝角θ为120度时活动端21b所在的位置,预设最高位置为旋转分部21与本体22在同一水平面上时活动端21b所在位置。在实际应用中,旋转分部21的数量可以为1个或3个以上,且旋转分部21沿本体22的周向间隔设置,例如,旋转分部21的数量为1个,该旋转分部21为沿本体22的周向设置的环形结构,环形结构的内周壁作为固定端21a,环形结构的外周壁作为活动端21b。
在本实施例中,旋转分部21的固定端21a与本体22的外周壁通过门栓23相连接,可借助对固定端21a与本体22之间的门栓23的设置,可实现对原始位置和预设最高位置进行设置,即,可实现旋转分部21的下表面与本体22的下表面之间的夹角为预设钝角θ的设置,以及可实现旋转分部21的活动端21b可被顶起的预设最高位置的设置。
为实现将旋转分部21的活动端21b顶起,具体地,遮挡盘设置在反应腔室内,且在反应腔室内还设置有顶针升降装置,顶针升降装置包括至少三个顶针24和顶针升降单元,每个遮挡盘的旋转分部21对应至少一个顶针24,至少三个顶针24用于承载遮挡盘;顶针升降单元用于驱动顶针24升降,以使顶针24将与之对应的旋转分部21的活动端21b自原始位置顶起至预设最高位置,以使旋转分部21与本体22形成可遮挡被遮挡物的遮挡盘。在本实施例中,如图4所示,位于图4左侧的旋转分部21对应两个顶针24,位于图4右侧的旋转分部21对应一个顶针24,借助驱动单元驱动顶针24升降,实现将图4左右两侧的旋转分部21的活动端21b自如图5所在位置顶起至如图4所在位置。
在本实施例中,预设最高位置为旋转分部21与本体22在同一水平面上时活动端21b所在位置,当然,在实际应用中,预设最高位置还可以设置为旋转分部21的活动端21b略低于本体22所在平面时活动端21所在的位置,在这种情况下,也可以通过对门栓23的设置对预设最高位置的设置,因此,可以借助顶针升降单元驱动顶针24升降,实现将每个旋转分部21的活动端21b自原始位置顶起至略低于本体22所在平面的位置,这可以进一步阻挡污染物自每个旋转分部21的下方至被遮挡物上,因而可以进一步遮挡盘对被遮挡物的遮挡效果。
优选地,在旋转分部21的下表面上设置有沟槽25,具体地,沟槽25的数量和位置与顶针24的数量和位置一一对应。具体地,在本实施例中,位于图3和图4中左侧的旋转分部21对应有两个顶针24,因此,对应设置有与顶针24的数量和位置一一对应的两个沟槽25;位于图3和图4中右侧的旋转分部21对应有一个顶针24,因此,对应设置有与顶针24的数量和位置一一对应的一个沟槽25,具体参见图3和图4。
进一步优选地,沟槽25靠近旋转分部21的活动端21b的深度H大于靠近旋转分部21的固定端21a的深度H,这可以防止顶针24与旋转分部21的下表面发生相对滑动,因而可以实现顶针24在该沟槽25内将旋转分部21的活动端21b稳定顶起,从而可以提高遮挡盘的稳定性。
另外优选地,沟槽25在其所在的旋转分部21所在平面上的轮廓形状为椭圆形或圆形,使得顶针24顶端的运动轨迹为平滑的曲线,这可以进一步实现顶针24在该沟槽25内将旋转分部21的活动端21b稳定顶起,从而可以进一步提高遮挡盘的稳定性。当然,在实际应用中,沟槽25在其所在的旋转分部21所在平面上的轮廓形状也可以为四边形或者三角形等其他任意形状。
需要说明的是,在本实施例中,借助顶针升降装置实现将旋转分部21的活动端21b自原始位置顶起至预设最高位置,但是,本发明并不局限于此,在实际应用中,也可以采用其他的升降装置实现将旋转分部21的活动端21b自原始位置顶起至预设最高位置,在此不一一列举。
综上所述,本实施例提供的遮挡盘,其包括旋转分部21和本体22,旋转分部21包括固定端21a和活动端21b,固定端21a与本体22的外周壁相连接,且旋转分部21沿本体22的周向设置,旋转分部21的活动端21b在其自身重力的作用下位于原始位置,原始位置定义为该旋转分部21的下表面与本体22的下表面之间夹角为预设钝角θ时活动端21b所在的位置,在使用遮挡盘遮挡被遮挡物时,通过将旋转分部21的活动端21b自原始位置顶起至预设最高位置,以使旋转分部21与本体22形成可遮挡被遮挡物的遮挡盘。由上可知,该遮挡盘在存放时(即,未被使用时)的尺寸较小,且可实现在不影响遮挡盘使用的前提下可以减小遮挡盘的存放尺寸,因而不需要在反应腔室内设置车库放置该遮挡盘,从而可以降低反应腔室的腔室成本,进而可以提高经济效益。
图6为本发明实施例提供反应腔室的结构示意图。图7为图6所示的反应腔室的俯视图。请一并参阅图6和图7,本实施例提供的反应腔室30内设置有遮挡盘31、存放位置A、工艺位置B、传输装置和检测装置,遮挡盘31放置在存放位置A处,传输装置用于将遮挡盘31传输至工艺位置B或存放位置A,检测装置用于检测遮挡盘31是否传输至存放位置A,并且,遮挡盘31采用上述实施例提供的遮挡盘。
其中,检测装置包括第一距离传感器32和第二距离传感器33,第一距离传感器32的检测路径包括位于存放位置A的遮挡盘31的边界之内的位置;第二距离传感器33的检测路径包括位于存放位置时的遮挡盘31的边界之外且靠近其边界的位置;并且,第一距离传感器32和第二距离传感器33设置为:仅在遮挡盘31位于预设距离范围内时发出或者不发出信号;第一距离传感器32或第二距离传感器33的预设距离范围为不小于第一距离传感器32或第二距离传感器33与位于存放位置A的遮挡盘31之间的距离,这使得第一距离传感器32或第二距离传感器33始终可对位于存放位置A的遮挡盘31进行检测。
具体地,在本实施例中,如图6所示,第一距离传感器32和第二距离传感器33分别设置在反应腔室30的腔室外侧壁上,且在腔室外侧壁上与第一距离传感器32和第二距离传感器33对应的位置处设置有观察窗34,第一距离传感器32和第二距离传感器33通过该观察窗34对遮挡盘31的位置进行检测。另外,第一距离传感器32和第二距离传感器33设置为:仅在遮挡盘31位于预设距离范围内时发出信号,具体地,由于第一距离传感器32的检测路径包括位于存放位置A的遮挡盘31的边界之内的位置,以及第二距离传感器33的检测路径包括位于存放位置时的遮挡盘31的边界之外且靠近其边界的位置,因此,当遮挡盘31位于存放位置A时,遮挡盘31位于第一距离传感器32的检测路径上且位于第一距离传感器32的预设距离内,遮挡盘31不在第二距离传感器33的传输路径上,在这种情况下,第一距离传感器32发出信号,且第二距离传感器33不发出信号。
其中,传输装置包括承载部35和旋转驱动机构36,承载部35用于承载遮挡盘31,且承载部35的表面面积小于与遮挡盘31的本体22下表面面积,这可以使得承载部35在承载遮挡盘31时不会对旋转分部21产生影响,从而可以增加反应腔室的稳定性;旋转驱动机构36用于驱动承载部35围绕其旋转轴37旋转,以带动遮挡盘31旋转至工艺位置B或存放位置A。容易理解,由于借助旋转驱动机构36驱动载部35围绕其旋转轴37旋转,以带动遮挡盘31旋转至工艺位置B或存放位置A,因此可知工艺位置B和存放位置A在同一水平面上。
检测装置还包括第三距离传感器38,第三距离传感器38的检测路径上包括位于存放位置A的遮挡盘31外侧的承载该遮挡盘31的部分承载部35的位置;第三距离传感器38设置为:仅在部分承载部35位于预设距离范围内时发出或者不发出信号;第三距离传感器38的预设距离范围不小于其与位于存放位置A的遮挡盘31外侧的承载遮挡盘31的部分承载部35之间的距离,这使得第三距离传感器38始终可对位于存放位置A的遮挡盘31进行检测。
具体地,在本实施例中,如图6和图7所示,第三距离传感器38设置在反应腔室30的腔室外侧壁上,且在腔室外侧壁上与第三距离传感器38对应的位置处设置有观察窗34,第三距离传感器38通过该观察窗34对遮挡盘31的位置进行检测。另外,第三距离传感器38设置为:仅在部分承载部35位于预设距离范围内时发出信号,具体地,由于第三距离传感器38的检测路径上包括位于存放位置A的遮挡盘31外侧的承载该遮挡盘31的部分承载部35的位置,因此,当遮挡盘31位于存放位置A时,该部分承载部35位于第三距离传感器38的检测路径上且位于第三距离传感器38的预设距离内,在这种情况下,第三距离传感器38发出信号。
在本实施例中,第一距离传感器32、第二距离传感器33或者第三距离传感器38为漫反射距离传感器。当然,在实际应用中,也可以采用其他的可以实现上述功能的距离传感器。
另外,在本实施例中,在反应腔室30还设置有顶针升降装置和基座升降装置。其中,顶针升降装置包括至少三个顶针39和顶针升降单元40,至少三个顶针39用于承载遮挡盘31;顶针升降单元40用于驱动顶针39升降,以使顶针39将旋转分部21的活动端21b自原始位置顶起至预设最高位置,以使旋转分部21与本体22形成可遮挡被遮挡物的遮挡盘;基座升降装置包括基座41和基座升降单元42,基座41用于承载基片或者遮挡盘31,基座升降单元42用于驱动基座41升降。
下面详细地描述本实施例提供的反应腔室的工作过程。初始状态为:遮挡环31位于承载部35上,且位于存放位置A处,顶针升降装置和基座升降装置分别位于工艺位置B的下方,具体地,包括以下步骤:
步骤S1,当进行清洗工艺或涂覆工艺时,旋转驱动机构36驱动承载部35旋转,以带动位于承载部35上的遮挡盘31自存放位置A处旋转至工艺位置B处;
步骤S2,顶针升降单元40驱动顶针39上升,以使顶针39上升将与之对应的旋转分部21的活动端21b自原始位置顶起至预设最高位置,以使旋转分部21与本体22形成平板式的遮挡盘,并继续驱动顶针39上升,以带动遮挡盘31上升至工艺位置B的上方;
步骤S3,旋转驱动机构36驱动空载的承载部35自工艺位置B旋转至存放位置A处,且当第三距离传感器38发出信号时,则承载部35到达安全位置,此时基座升降单元42驱动基座41上升,使得位于顶针39上的遮挡盘31位于基座41的上表面上,此时,可实现遮挡盘31将基座41的上表面(即,被遮挡物)遮挡,因此可以进行清洗工艺或涂覆工艺;
步骤S4,在清洗工艺或涂覆工艺完成之后,基座升降单元42驱动基座41下降至工艺位置B的下方,使得顶针39将位于基座41上表面的遮挡盘31顶起且位于工艺位置B的上方;
步骤S5,旋转驱动机构36驱动空载的承载部35自存放位置A旋转至工艺位置B处,顶针升降单元40驱动顶针39下降,使得遮挡盘31位于该承载部35上;
步骤S6,旋转驱动机构36驱动承载有遮挡盘31的承载部35自工艺位置B旋转至存放位置A处,当第一距离传感器32和第三距离传感器38发出信号且第二距离传感器33不发出信号时,则遮挡环31和承载部35到达安全位置,此时,旋转驱动机构36停止驱动,并可以在该反应腔室30内进行诸如沉积、刻蚀等工艺过程。
由上可知,借助三个距离传感器(第一距离传感器32、第二距离传感器33和第三距离传感器38)就可以实现对遮挡盘31和承载部35的位置进行检测,这与现有技术中借助四个激光对射传感器实现上述功能相比,可以减低传感器的使用数量,从而可以降低生产投入成本,进而可以提高经济效益。
需要说明的是,在本实施例中,借助上述方式设置的距离传感器实现对上述实施例提供的遮挡盘的位置进行检测,但是,本发明并不局限于此,在实际应用中,可以根据实际情况,基于上述设置方式具体设置距离传感器来实现对其他的器件的位置进行检测。
本实施例提供的反应腔室,其采用上述实施例提供的遮挡盘,可以降低反应腔室的腔室成本,从而可以提高经济效益。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的原理和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种遮挡盘,其特征在于,所述遮挡盘包括旋转分部和本体,所述旋转分部包括固定端和活动端,所述固定端与所述本体的外周壁相连接,且所述旋转分部沿所述本体的周向设置,
所述旋转分部的活动端在其自身重力的作用下位于原始位置,所述原始位置定义为所述旋转分部的下表面与所述本体的下表面之间夹角为预设钝角时所述活动端所在的位置,
在使用所述遮挡盘遮挡被遮挡物时,通过将所述旋转分部的活动端自所述原始位置顶起至预设最高位置,以使所述旋转分部与所述本体形成可遮挡所述被遮挡物的遮挡盘。
2.根据权利要求1所述的遮挡盘,其特征在于,在所述旋转分部的下表面上设置有沟槽。
3.根据权利要求2所述的遮挡盘,其特征在于,所述沟槽靠近所述旋转分部的活动端的深度大于靠近所述旋转分部的固定端的深度。
4.根据权利要求3所述的遮挡盘,其特征在于,所述沟槽在其所在的所述旋转分部所在平面上的轮廓形状为椭圆形、圆形、四边形或者三角形。
5.根据权利要求1所述的遮挡盘,其特征在于,所述旋转分部与所述本体的外周壁通过门栓相连接。
6.根据权利要求1所述的遮挡盘,其特征在于,所述预设钝角的范围在120~180度。
7.一种反应腔室,所述反应腔室内设置有遮挡盘、存放位置、工艺位置、传输装置和检测装置,所述遮挡盘放置在所述存放位置处,所述传输装置用于将所述遮挡盘传输至所述工艺位置或所述存放位置,所述检测装置用于检测所述遮挡盘是否传输至所述存放位置,其特征在于,所述遮挡盘采用权利要求1-6任意一项所述的遮挡盘。
8.根据权利要求7所述的反应腔室,其特征在于,所述检测装置包括第一距离传感器和第二距离传感器,所述第一距离传感器的检测路径包括位于所述存放位置的所述遮挡盘的边界之内的位置;所述第二距离传感器的检测路径包括位于所述存放位置时的所述遮挡盘的边界之外且靠近其边界的位置;
所述第一距离传感器和所述第二距离传感器设置为:仅在所述遮挡盘位于预设距离范围内时发出或者不发出信号;
所述第一距离传感器或所述第二距离传感器的所述预设距离范围为不小于所述第一距离传感器或所述第二距离传感器与位于所述存放位置的所述遮挡盘之间的距离。
9.根据权利要求7所述的反应腔室,其特征在于,所述传输装置包括承载部和旋转驱动机构,所述承载部用于承载所述遮挡盘,
所述旋转驱动机构用于驱动所述承载部围绕其旋转轴旋转,以带动所述遮挡盘旋转至所述工艺位置或所述存放位置。
10.根据权利要求9所述的反应腔室,其特征在于,所述检测装置还包括第三距离传感器,所述第三距离传感器的检测路径上包括位于所述存放位置的遮挡盘外侧的承载该遮挡盘的部分所述承载部的位置;
所述第三距离传感器设置为:仅在部分所述承载部位于预设距离范围内时发出或者不发出信号;
所述第三距离传感器的预设距离范围不小于其与位于所述存放位置的遮挡盘外侧的承载所述遮挡盘的部分承载部之间的距离。
11.根据权利要求10所述的反应腔室,其特征在于,所述第一距离传感器、所述第二距离传感器或者所述第三距离传感器为漫反射距离传感器。
12.根据权利要求7所述的反应腔室,其特征在于,还设置有顶针升降装置,所述顶针升降装置包括至少三个顶针和顶针升降单元,所述至少三个顶针用于承载所述遮挡盘;
所述顶针升降单元用于驱动所述顶针升降,以使所述顶针将与所述遮挡盘的旋转分部的活动端自所述原始位置顶起至所述预设最高位置,以使所述旋转分部与所述本体形成可遮挡所述被遮挡物的遮挡盘。
13.根据权利要求12所述的反应腔室,其特征在于,在所述旋转分部的下表面上设置有沟槽,所述沟槽的数量和位置与所述顶针的数量和位置一一对应。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410213271.5A CN105097606B (zh) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | 一种遮挡盘及反应腔室 |
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105097606A true CN105097606A (zh) | 2015-11-25 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105097606B (zh) |
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