CN105093657A - 显示基板及其制造方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制造方法和显示装置。该显示基板包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的黑矩阵、色阻和阻挡层，所述阻挡层位于所述黑矩阵和所述色阻的上方，所述阻挡层用于阻挡所述色阻和/或所述黑矩阵产生的粒子以避免产生的粒子扩散到与所述显示基板相对的对置基板。本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置的技术方案中，阻挡层位于黑矩阵和色阻的上方，阻挡层可阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子，避免了产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板，从而避免了进行性Zara的产生。

Description

显示基板及其制造方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置。
背景技术
液晶显示装置可包括相对设置的彩膜基板和阵列基板。彩膜基板包括衬底基板和位于衬底基板之上的黑矩阵和色阻，色阻包括R、G或者B，色阻的材料为树脂。
进行性小亮点(Zara)是目前液晶显示装置的光取向(PhotoAlignment，简称：OA)工艺的一个很严重的品质问题，其严重影响了产品的画面品质。进行性Zara在电学检测和模组检测过程中检出率较低，且具有进行性，从而造成客户端严重的品质问题，进而造成终端市场严重的品质问题。究其原因主要是OA工艺中进行高温加热时，彩膜基板中的色阻的树脂材料因高温发生变性，从而造成微小的粒子扩散到阵列基板表面，经过一定时间后，逐步积聚产生进行性Zara。因为该不良具有进行性，所以叫做进行性Zara。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置，用于避免进行性Zara的产生。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的黑矩阵、色阻和阻挡层，所述阻挡层位于所述黑矩阵和所述色阻的上方，所述阻挡层用于阻挡和/或所述黑矩阵所述色阻产生的粒子以避免产生的粒子扩散到与所述显示基板相对的对置基板。
可选地，还包括：保护层；
所述保护层位于所述阻挡层之上。
可选地，所述阻挡层的材料为透明金属氧化物。
可选地，所述阻挡层的厚度为至
可选地，所述阻挡层的材料为透明无机非金属材料。
可选地，所述阻挡层的厚度为至
为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，包括：相对设置的对置基板和上述显示基板。
可选地，所述显示基板为彩膜基板，所述对置基板为高级超维场转换阵列基板或者平面转换阵列基板。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板的制造方法，包括：
在衬底基板的上方形成黑矩阵和色阻；
在所述衬底基板的上方形成阻挡层，所述阻挡层位于所述黑矩阵和所述色阻的上方，所述阻挡层用于阻挡所述色阻和/或所述黑矩阵产生的粒子以避免产生的粒子扩散到与所述显示基板相对的对置基板。
为实现上述目的，本发明提供了，还包括：
在所述衬底基板的上方形成保护层，所述保护层位于所述阻挡层之上。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置的技术方案中，阻挡层位于黑矩阵和色阻的上方，阻挡层可阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子，避免了产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板，从而避免了进行性Zara的产生。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
图3a为实施例三中形成黑矩阵和色阻的示意图；
图3b为实施例三中形成阻挡层的示意图；
图3c为实施例三中形成保护层的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图，如图1所示，该显示基板包括：衬底基板11和位于衬底基板11上方的黑矩阵12、色阻13和阻挡层14，阻挡层14位于黑矩阵12和色阻13的上方，阻挡层14用于阻挡色阻13和/或黑矩阵12产生的粒子以避免产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板。
本实施例中，若在高温加热时仅有色阻13产生粒子，则阻挡层14用于阻挡色阻13产生的粒子以避免色阻13产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板；若在高温加热时仅有黑矩阵12产生粒子，则阻挡层14用于阻挡黑矩阵12产生的粒子以避免黑矩阵12产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板；若在高温加热时色阻13和黑矩阵12均产生粒子，则阻挡层14用于阻挡色阻13产生的粒子和黑矩阵12产生的粒子以避免色阻13产生的粒子和黑矩阵12产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板。
本实施例中，色阻13可包括红色色阻R、绿色色阻G或者蓝色色阻B，则衬底基板11上形成的多个色阻13包括红色色阻R、绿色色阻G和蓝色色阻B。在实际应用中，色阻13还可以为其它颜色的色阻，此处不再一一列举。
可选地，该显示基板还可以包括保护层15。保护层15位于阻挡层14之上。
可选地，阻挡层14的材料为透明金属氧化物。例如：该金属氧化物可包括ITO或者IZO。当阻挡层14的材料为透明金属氧化物时，阻挡层14的厚度为至
可选地，阻挡层14的材料为透明无机非金属材料。例如：该透明无机非金属材料可包括PVX。当阻挡层14的材料为透明无机非金属材料时，阻挡层14的厚度为至
可选地，该显示装置还可以包括隔垫物16。隔垫物16位于保护层15之上。
本实施例中，相对设置的显示基板和对置基板形成显示装置，其中，显示基板为彩膜基板，则对置基板为阵列基板。
本实施例中，色阻13的材料为有机材料，例如：树脂。
当对显示装置进行OA工艺中的高温加热时，色阻13的材料发生变性，产生微小的粒子，微小的粒子向对置基板扩散。由于色阻13上方形成有阻挡层14，该阻挡层14对微小的粒子起到阻挡的作用，从而避免了色阻13产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板。当对显示装置进行OA工艺中的高温加热时，黑矩阵12的材料发生变性，产生微小的粒子，微小的粒子向对置基板扩散。由于黑矩阵12上方形成有阻挡层14，该阻挡层14对微小的粒子起到阻挡的作用，从而避免了黑矩阵12产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板。
本实施例提供的显示基板的技术方案中，阻挡层位于黑矩阵和色阻的上方，阻挡层可阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子，避免了产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板，从而避免了进行性Zara的产生，进而提高了产品的品质。由于阻挡层可以阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子，因此采用本实施例的方案可提高高温加热工艺的温度，即增加高温加热工艺的工艺范围(Margin)。
本发明实施例二提供了一种显示装置，该显示装置包括：相对设置的对置基板和显示基板。
其中，显示基板为彩膜基板，则对置基板为阵列基板。该阵列基板可以为高级超维场转换(ADvancedSuperDimensionSwitch，简称：ADS)阵列基板或者平面转换(In-Plane-Switching，简称：IPS)阵列基板。
本实施例提供的显示装置的技术方案中，阻挡层位于黑矩阵和色阻的上方，阻挡层可阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子，避免了产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板，从而避免了进行性Zara的产生，进而提高了产品的品质。由于阻挡层可以阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子，因此采用本实施例的方案可提高高温加热工艺的温度，即增加高温加热工艺的工艺范围(Margin)。
图2为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图，如图2所示，该方法包括：
步骤101、在衬底基板的上方形成黑矩阵和色阻。
图3a为实施例三中形成黑矩阵和色阻的示意图，如图3a所示，步骤101具体可包括：
步骤1011、在衬底基板11的上方形成黑矩阵材料层，对黑矩阵材料层进行构图工艺形成黑矩阵12。
步骤1012、在衬底基板11的上方形成色阻材料层，对色阻材料层进行构图工艺形成色阻13。
本实施例中，色阻13可包括红色色阻R、绿色色阻G或者蓝色色阻B，衬底基板11上形成有多个色阻13，该多个色阻13包括红色色阻R、绿色色阻G或者蓝色色阻B。则步骤1012包括：
步骤1012a、在衬底基板11的上方形成红色色阻材料层，对红色色阻材料层进行构图工艺形成红色色阻R。
步骤1012b、在衬底基板11的上方形成绿色色阻材料层，对绿色色阻材料层进行构图工艺形成绿色色阻G。
步骤1012c、在衬底基板11的上方形成蓝色色阻材料层，对蓝色色阻材料层进行构图工艺形成蓝色色阻B。
步骤102、在衬底基板的上方形成阻挡层，阻挡层位于黑矩阵和色阻的上方，阻挡层用于阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子以避免产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板。
图3b为实施例三中形成阻挡层的示意图，如图3b所示，在衬底基板11的上方形成阻挡层14，该阻挡层14覆盖整个衬底基板11，从而位于黑矩阵12和色阻13之上。
步骤103、在衬底基板的上方形成保护层，保护层位于阻挡层之上。
图3c为实施例三中形成保护层的示意图，如图3c所示，在衬底基板11的上方形成保护层15，该保护层15覆盖整个衬底基板11，从而位于阻挡层14之上。
步骤104、在衬底基板的上方形成隔垫物，隔垫物位于保护层之上。
如图1所示，在衬底基板11的上方形成隔垫物16，隔垫物16位于阻挡层15之上。
本实施例提供的显示基板的的制造方法制造的显示基板中，阻挡层位于黑矩阵和色阻的上方，阻挡层可阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子，避免了产生的粒子扩散到与显示基板相对的对置基板，从而避免了进行性Zara的产生，进而提高了产品的品质。由于阻挡层可以阻挡色阻和/或黑矩阵产生的粒子，因此采用本实施例的方案可提高高温加热工艺的温度，即增加高温加热工艺的工艺范围(Margin)。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的黑矩阵、色阻和阻挡层，所述阻挡层位于所述黑矩阵和所述色阻的上方，所述阻挡层用于阻挡所述色阻和/或所述黑矩阵产生的粒子以避免产生的粒子扩散到与所述显示基板相对的对置基板。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：保护层；
所述保护层位于所述阻挡层之上。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层的材料为透明金属氧化物。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层的厚度为至
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层的材料为透明无机非金属材料。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层的厚度为至
7.一种显示装置，其特征在于，包括：相对设置的对置基板和权利要求1至6任一所述的显示基板。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为彩膜基板，所述对置基板为高级超维场转换阵列基板或者平面转换阵列基板。
9.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的上方形成黑矩阵和色阻；
在所述衬底基板的上方形成阻挡层，所述阻挡层位于所述黑矩阵和所述色阻的上方，所述阻挡层用于阻挡所述色阻和/或所述黑矩阵产生的粒子以避免产生的粒子扩散到与所述显示基板相对的对置基板。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述衬底基板的上方形成保护层，所述保护层位于所述阻挡层之上。
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PB01 Publication
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20151125

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