CN105082364B - 层叠式空心圆柱雕刻加工工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，包括以下步骤：1)开料，利用开料设备以内弧为标准进行非等厚加工；2)粗磨，利用粗磨设备以外弧为标准使外弧同半径；3)修切弦长，利用切割设备将圆弧板多余的弦长切除；4)修切高度，利用切割设备将圆弧板多余的高度切除；5)试拼；6)雕刻加工，首先使圆弧板外弧面的四个外弦端点处于同一水平高度，然后采用雕刻机进行雕刻加工；7)试拼修磨，将雕刻好的圆弧板按照雕刻图案的展开图进行试拼，并对试拼的相邻两圆弧板进行修磨过渡处理；8)打磨抛光，对雕刻好的圆弧板进行打磨抛光，打磨抛光后圆弧板的光泽度低于哑光。与现有技术相比，本发明具有生产效率高、拼装效果好的特点。
Description
技术领域
本发明涉及建筑材料加工领域，尤其涉及一种层叠式空心圆柱雕刻加工工艺。
背景技术
目前，在空心圆柱的雕刻上，通常有以下两种实现方式，一种是围绕着空心圆柱四周雕刻，加工效率低，且只适用于尺寸较小的产品。另一种是先加工一块块的圆弧板，再将圆弧板组成空心圆柱；但多块圆弧板拼装时普遍存在拼装缝隙明显，产品质量差的缺陷。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种生产效率高、拼装效果好的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺。
为达到以上目的，本发明采用如下技术方案。
层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
1)开料，以内弧为标准，利用开料设备进行非等厚加工，并在既定高度、弦长的基础上预留30-40mm的余量进行开料，获得待拼接的各圆弧板。
2)粗磨，对照标准模板利用粗磨设备对各圆弧板进行粗磨，粗磨时以外弧为标准，使外弧同半径；粗磨后，外弧最大半径比标准半径(加工单上的半径)大2mm，以避免后续雕刻加工过程中出现漏刻。
3)修切弦长，利用切割设备将圆弧板多余的弦长切除；所述切割设备包括底模和两个刀片；所述底模内空，将内空的尖角切除使底模成V型；所述圆弧板的外弧面与底模的V型面接触，并在圆弧板的外弧面与底模的V型面之间设有防刮伤垫层；以避免圆弧板的外弧面被底模刮伤，影响雕刻图案的美观。具体切弦长时，将两个刀片之间的夹角调整到与圆弧板所切的圆心角互为补角位置，以保证圆弧板切弦长之后两端厚度对称。
在修切弦长时，尺寸误差控制在0到-1mm之间；为保证拼缝误差，弦长的厚度端面与内弧端点切平面的夹角≤90°，以宽座角尺配合塞尺检验时，尺寸误差应≤0.5mm。
4)修切高度，利用切割设备将圆弧板多余的高度切除。在修切弧板高度时，尺寸误差控制在0到-1mm之间，同时也要保证高度端面与弦长端面垂直度，用630×400的宽座角尺检验，重直度误差应控控制在0到0.5mm范围内。
5)试拼，在拼接台上画与待加工空心圆柱外半径R大2mm的圆(即R+2为半径画圆)，将圆弧板的一端与所绘圆弧线对齐后，再依次拼接相邻的一块，直至构成一个完整的圆柱。通过试拼，有效减少圆弧板的拼接缝隙，提高成品率。试拼时，层间缝≤2mm,竖缝基本对齐，错位≤1mm,呈直线才算合格。
6)雕刻加工，首先使圆弧板外弧面的四个外弦端点处于同一水平高度，然后采用2头或4头雕刻机进行雕刻加工；雕刻加工时，雕刻刀具的路径沿着圆弧板高度方向予以加工，提高加工效率。
7)试拼修磨，将雕刻好的圆弧板按照雕刻图案的展开图进行试拼，并对试拼的相邻两圆弧板进行修磨过渡处理，以进一步消除拼接缝隙。
8)打磨抛光，采用粗磨的方式对雕刻好的圆弧板进行打磨抛光，打磨抛光后圆弧板的光泽度低于哑光，避免光污染，方便维护。为保证拼缝处的装饰效果，防止磨变形和勾头现象的产生，在打磨时，必须先拼接打磨拼缝(含竖向拼缝和横向拼缝)，然后再将圆柱拆成单件雕刻弧板打磨的其它部位。
9)检验；依既定空心柱弧板和雕刻产品的标准对产品进行终检。
10)包装入库。
作为上述方案的进一步说明，所述底模由两条平行的底模条构成，相邻两底模条之间的间隔为圆弧板弦长的1/2～5/6，圆环板放置在底模上之后，圆弧板最低点到底模底部的间距大于100mm，圆弧板两端伸出到底模外的长度大于100mm，以利于圆弧板的切割。
作为上述方案的进一步说明，所述圆弧板和底模之间通过胶或夹具固定，以防止切弦长时，圆弧板受力移动、造成误差。
作为上述方案的进一步说明，所述防刮伤垫层为水磨砂纸，纺织布或皮革。
作为上述方案的进一步说明，在步骤5)雕刻加工之前还设有编号步骤，即，根据圆弧板纹路、颜色、尺寸、层次的不同一条条编号。通过编号，降低安装难度，提高安装效率，保证安装后的整体装饰效果，使每件产的拼接安装位置与在工厂试拼加工时的位置完全一一对应。为确保实际拼装效果，在产品包装箱内还附有与编号相适应的拼接安装图纸。
作为上述方案的进一步说明，在步骤4)试拼之前还设有切弦长检验步骤，切弦长检验步骤包括首件检验和过程抽检，以提高成品率。
作为上述方案的进一步说明，试拼时，将待拼接的圆弧板侧边用牛皮纸或美纹纸包边，以避免圆弧板发生崩边、崩角现象。
本发明提供的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺其有益效果是：经多次重复试验证明，利用本发明提供的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺制得的空心圆柱，肉眼几乎看不到拼接缝隙，雕刻图案过渡流畅，拼接效果优异。
附图说明
图1所示为本发明提供的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺流程图；
图2所示为切弦长时圆弧板放置示意图；
图3所示为雕刻时圆弧板放置示意图；
图4所示为本发明提供的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺另一实施方式流程图；
图5所示为层叠式空心圆柱拼合好的实物图。
附图标记说明：
1、底模条，2、圆弧板。
具体实施方式
为方便本领域技术人员更好地理解本发明的实质，下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细阐述。
实施例一
如图1所示，一种层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，包括以下步骤：
1)开料step1，利用开料设备以内弧为标准，进行非等厚加工，并在既定高度、弦长的基础上预留30-40mm的余量进行开料，获得待拼接的各圆弧板。在开料时，需进行首件检验，以3mm厚圆弧板标准铝合金或标准钢模板作为基准，利用铝合金靠尺，塞尺进行误差检验。
2)粗磨step2，利用粗磨设备对照标准模板对各圆弧板进行粗磨，粗磨时以外弧为标准，使外弧同半径。粗磨后，圆弧板的线轮廓度误差控制在0.5mm内，直线度检验误差控制在0.5mm/m内。
3)修切弦长step3，在切弦长之前对圆弧板的线轮廓度和直线度误差进行再次确认；然后利用切割设备将圆弧板多余的弦长切除。
所述切割设备包括底模和两个刀片；所述底模内空，将内空的尖角切除使底模成V型；所述圆弧板的外弧面与底模的V型面接触，圆弧板与底模之间通过胶或夹具固定。在圆弧板的外弧面与底模的V型面之间设有水磨砂纸，以防止圆弧板的弧面被底模刮伤。切割前，刀片与底模平行，实际切割时，将两个刀片之间的夹角与圆弧板所切的圆心角互为补角。
参见图2所示，本实施例中，优选底模由两条平行的底模条1构成，相邻两底模条1之间的间隔B为圆弧板2弦长的2/3。圆环板2放置在底模条1上之后，圆弧板2最低点到底模条1底部的间距H大于100mm，圆弧板2两端伸出到底模条1外的长度L大于100mm。
在其他实施方式中，相邻两底模条1之间的间隔B在圆弧板2弦长的1/2～5/6之间任意调整。所述水磨砂纸用纺织布、皮革等其他防刮伤垫层代替，不限于本实施例。
在修切弦长时，尺寸误差控制在0到-1mm之间；为保证拼缝误差，弦长的厚度端面与内弧端点切平面的夹角≤90°，以宽座角尺配合塞尺检验时，尺寸误差应≤0.5mm。
4)修切高度step4，利用切割设备将圆弧板多余的高度切除。在修切弧板高度时，尺寸误差控制在0到-1mm之间，同时也要保证高度端面与弦长端面垂直度，用630×400的宽座角尺检验，重直度误差应控控制在0到0.5mm范围内。
5)试拼step5，在拼接台上画与待加工空心圆柱外半径R大2mm的圆，将圆弧板的一端与所绘圆弧线对齐后，再依次拼接相邻的一块，直至构成一个完整的圆筒。
试拼时，将待拼接的圆弧板侧边用牛皮纸或美纹纸包边，以防止崩边、崩角。试拼要求：层间缝≤2mm；竖缝基本对齐，错位≤1.0mm，呈直线。
6)雕刻加工step6。结合图3所示，首先使圆弧板2外弧面的四个外弦端点A处于同一水平高度，然后采用2头或4头雕刻机进行雕刻加工；雕刻加工时，雕刻刀具的路径沿着圆弧板高度方向B予以加工。这样，就能保证每台雕刻机可同时加工2块，从而提高生产效率。
7)试拼修磨step7，将雕刻好的圆弧板按照雕刻图案的展开图进行试拼，并对试拼的相邻两圆弧板进行修磨过渡处理，以消除雕刻过程中因雕刻刀具路径过切而没加工到位的地方。通过试拼，保证圆周方向的密拼接。
8)打磨抛光step8，采用粗磨的方式对雕刻好的圆弧板进行打磨抛光，打磨抛光后圆弧板的光泽度低于哑光，避免光污染，方便维护。为保证拼缝处的装饰效果，防止磨变形和勾头现象的产生，在打磨时，必须先拼接打磨拼缝(含竖向拼缝和横向拼缝)，然后再将圆柱拆成单件雕刻弧板打磨的其它部位。
在打磨抛光之后还设有检验步骤和包装入库步骤；检验时，依既定空心柱弧板和雕刻产品的标准对产品进行终检。
实施例二
如图4所示，本实施例提供的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺与实施例一基本一致，区别在于：
一、在步骤4)修切高度之前还设有切弦长检验step4a步骤，切弦长检验步骤包括首件检验和过程抽检。通过且弦长检验步骤，进一步保证相邻圆弧板的整齐拼接。
二、在步骤6)雕刻加工之前还设有编号step6a步骤，即，根据圆弧板纹路、颜色、尺寸、层次的不同一条条编号，以保证雕刻加工后，各拼接圆弧板能自然过渡，减少拼接痕迹，提高拼接效果。通过编号，降低安装难度，提高安装效率，保证安装后的整体装饰效果，使每件产的拼接安装位置与在工厂试拼加工时的位置完全一一对应。为确保实际拼装效果，在产品包装箱内还附有与编号相适应的拼接安装图纸。
作为本实施例的一种等效实施方式，所述编号步骤调到步骤4)试拼之前，不限于本实施例。
图5所示为利用本发明实施例二制得的层叠式空心圆柱，从该图可以看出，肉眼几乎看不到拼接缝隙，雕刻图案过渡流畅，拼接效果优异。
以上具体实施方式对本发明的实质进行了详细说明，但并不能以此来对本发明的保护范围进行限制。显而易见地，在本发明实质的启示下，本技术领域普通技术人员还可进行许多改进和修饰，需要注意的是，这些改进和修饰都落在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (9)
1.层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
1）开料，以内弧为标准，利用开料设备进行非等厚加工，并在既定高度、弦长的基础上预留30-40mm的余量进行开料，获得待拼接的各圆弧板；
2）粗磨，利用粗磨设备对照标准模板对各圆弧板进行粗磨，粗磨时以外弧为标准，使外弧同半径；
3）修切弦长，利用切割设备将圆弧板多余的弦长切除；所述切割设备包括底模和两个刀片；所述底模内空，将内空的尖角切除使底模成V型；所述圆弧板的外弧面与底模的V型面接触，并在圆弧板的外弧面与底模的V型面之间设有防刮伤垫层；两个刀片之间的夹角与圆弧板所切的圆心角互为补角；
4）修切高度，利用切割设备将圆弧板多余的高度切除；
5）试拼，在拼接台上画与待加工空心圆柱外半径R大2mm的圆，将圆弧板的一端与所绘圆弧线对齐后，再依次拼接相邻的一块，直至构成一个完整的圆柱；
6）雕刻加工，首先使圆弧板外弧面的四个外弦端点处于同一水平高度，然后采用2头或4头雕刻机进行雕刻加工；雕刻加工时，雕刻刀具的路径沿着圆弧板高度方向予以加工；
7）试拼修磨，将雕刻好的圆弧板按照雕刻图案的展开图进行试拼，并对试拼的相邻两圆弧板进行修磨过渡处理；
8）打磨抛光，采用粗磨的方式对雕刻好的圆弧板进行打磨抛光，打磨抛光后圆弧板的光泽度低于哑光；
9）检验，依既定空心柱弧板和雕刻产品的标准对产品进行终检；
10）包装入库。
2.根据权利要求1所述的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，所述底模由两条平行的底模条构成，相邻两底模条之间的间隔为圆弧板弦长的1/2～5/6，圆环板放置在底模上之后，圆弧板最低点到底模底部的间距大于100mm，圆弧板两端伸出到底模外的长度大于100mm。
3.根据权利要求1所述的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，所述圆弧板和底模之间通过胶或夹具固定。
4.根据权利要求1所述的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，所述防刮伤垫层为水磨砂纸，纺织布或皮革。
5.根据权利要求1所述的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，在步骤2）粗磨中，外弧最大半径比标准半径大2mm。
6.根据权利要求1所述的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，在步骤8）打磨抛光时，必须先拼接打磨拼缝，然后再将圆柱拆成单件圆弧板打磨。
7.根据权利要求1所述的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，在步骤5）雕刻加工之前还设有编号步骤，即，根据圆弧板纹路、颜色、尺寸、层次的不同一条条编号。
8.根据权利要求1所述的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，在步骤4）试拼之前还设有切弦长检验步骤，切弦长检验步骤包括首件检验和过程抽检。
9.根据权利要求1所述的层叠式空心圆柱雕刻加工工艺，其特征在于，试拼时，将待拼接的圆弧板侧边用牛皮纸或美纹纸包边。
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Address after: 517583 Guangdong Xian Heyuan Dongyuan Xian Tang Town Industrial Park (Guangdong high micro crystal technology Co., Ltd. factory building) Patentee after: WANFENG COMPOUND STONE TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 528300 block 3, four or five, Longzhou Road, Lun Jiao three Island Development Zone, Shunde District, Foshan, Guangdong Patentee before: WANFENG COMPOUND STONE TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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Effective date of registration: 20240516 Address after: Unit 406-407, 4th Floor, East Side of Shinan Cultural Center, Nanzhuang Avenue, Nanzhuang Town, Chancheng District, Foshan City, Guangdong Province, 528000 Patentee after: Foshan Chengyue New Materials Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 517583 Guangdong Xian Heyuan Dongyuan Xian Tang Town Industrial Park (Guangdong high micro crystal technology Co., Ltd. factory building) Patentee before: WANFENG COMPOUND STONE TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region before: China |