CN105048284A - 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法，通过分别在金字塔锥状氮化镓的顶部和底部制作多层的InGaN量子点和Ag纳米颗粒，利用量子结构的量子尺寸效应，实现InGaN量子点出射的单光子与Ag纳米颗粒的表面等离激元进行多重量子耦合，形成单光子激射，从而实现高效率和高强度的单光子发光。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域，特别是一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法。
背景技术
现今，单光子发光体和激光具有良好的单色性能，可用于发光器件、光纤通信、激光打印、激光刻录等应用领域。但由于目前的单光子发光体仍面临很多困难和挑战，如发光效率低、发光强度低、单色性能差等问题，尚不能获得广泛地应用。为了推动单光子发光体的广泛应用，大幅提升发光效率和发光强度是迫在眉睫的工作。虽然目前很多机构已经尝试了各种途径来提高其性能，但是要实现该目标还有很长的路。
鉴于现有技术中存在单光子发光体的单色性能差、发光效率和发光强度低等问题。因此有必要提出一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法，通过分别在金字塔锥状氮化镓的顶部和背面制作多层的InGaN量子点和Ag纳米颗粒，利用量子结构的量子尺寸效应，实现InGaN量子点出射的单光子与Ag纳米颗粒的表面等离激元进行多重量子耦合，形成单光子激射，从而实现高效率和高强度的单光子发光。
根据本发明的第一个方面，一种多重耦合的单光子发光体，包括：衬底，N型氮化镓层，具有纳米孔洞的掩膜版，第一InGaN量子点，金字塔锥状氮化镓，第二InGaN量子点，第一Ag纳米颗粒，第二Ag纳米颗粒以及反射镜，所述N型氮化镓层正面具有掩膜版的纳米孔洞，位于纳米孔洞中的第一InGaN量子点和位于N型氮化镓层背面的第一Ag纳米颗粒形成第一重单光子和等离激光耦合的单光子发光体，位于金字塔锥状氮化镓顶部的第二InGaN量子点和位于金字塔锥状氮化镓尖端的第二Ag纳米颗粒形成第二重单光子和等离激光耦合的单光子发光体，通过多重耦合，形成高效率和高亮度的单光子发光器件。
进一步地，在所述衬底上还形成缓冲层。
进一步地，所述掩膜版为SiNx或SiO2或其组合。
进一步地，所述第一InGaN量子点或第二InGaN量子点的直径为1~900nm，优选100nm。
进一步地，所述第一Ag纳米颗粒或第二Ag纳米颗粒的直径为1~900nm，优选100nm。
根据本发明的第二个方面，一种多重耦合的单光子发光体的制作方法，包括以下工艺步骤：
（1）在衬底上外延生长氮化镓缓冲层和N型氮化镓层；
（2）在N型氮化镓层上沉积掩膜版，通过蚀刻方法制作具有纳米孔洞的掩膜版；
（3）在掩膜版的纳米孔洞沉积第一InGaN量子点；
（4）采用外延技术生长金字塔锥状氮化镓；
（5）在金字塔锥状氮化镓的顶部沉积第二InGaN量子点；
（6）在金字塔锥状氮化镓的尖端沉积第二Ag纳米颗粒；
（7）采用光刻技术，在衬底背面制作纳米孔洞；
（8）在衬底背面的纳米孔洞里沉积第一Ag纳米颗粒；
（9）将衬底减薄抛光后，镀上反射镜。
进一步地，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝、ZnO等适合外延生长的衬底。
进一步地，所述步骤（1）在衬底上外延生长氮化镓缓冲层和N型氮化镓层采用金属有机化学气相沉积MOCVD或分子束外延MBE等外延生长方法，优选金属有机化学气相沉积法。
进一步地，所述步骤（2）在N型氮化镓层上沉积掩膜版，通过蚀刻方法制作具有纳米孔洞的掩膜版，纳米孔洞的尺寸为10~900nm，优选150nm，间距为10~900nm，优选200nm。
进一步地，所述在纳米孔洞沉积第一InGaN量子点或第二InGaN量子点的生长方法为金属有机化学气机沉积、分子束外延、磁控溅射等量子点的生长方法。
进一步地，所述步骤（4）采用外延技术生长金字塔锥状氮化镓，利用低温高压的三维生长方法，纵向生长速率高于横向生长速率，生长温度为800~1200度，优选1050度，压强为200~600Torr，优选500Torr，金字塔锥状氮化镓的高度为0.1~10μm，优选0.5μm。
进一步地，所述第一Ag纳米颗粒或第二Ag纳米颗粒的沉积方法为磁控溅射、电子束蒸发、化学反应等各种气相或液相生长方法。
进一步地，所述步骤（9）衬底减薄抛光后镀的反射镜材料为Al、Ag、DBR等各种具有反射功能的材料和结构，优选Al反射镜。
附图说明
图1为实施例1制作多重耦合的单光子发光体的步骤（1）~（2）示意图。
图2为实施例1制作多重耦合的单光子发光体的步骤（3）~（4）示意图。
图3为实施例1制作多重耦合的单光子发光体的步骤（5）示意图。
图4为实施例1制作多重耦合的单光子发光体的步骤（6）示意图。
图5为实施例1制作多重耦合的单光子发光体的步骤（7）~（9）示意图。
图示说明：100：蓝宝石衬底；101：氮化镓缓冲层；102：N型氮化镓层；103：具有纳米孔洞的掩膜版；104：第一InGaN量子点；105：金字塔锥状氮化镓；106：第二InGaN量子点；107：第二Ag纳米颗粒；108：第一Ag纳米颗粒；109：反射镜；110：第一InGaN量子点和第一Ag纳米颗粒形成的第一重单光子和等离激元耦合；111：第二InGaN量子点和第二Ag纳米颗粒形成的第二重单光子和等离激元耦合。
具体实施方式
下面结合示意图对本发明进行详细的描述，在进一步介绍本发明之前，应当理解，由于可以对特定的实施例进行改造，因此，本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解，由于本发明的范围只由所附权利要求限定，因此所采用的实施例只是介绍性的，而不是限制性的。除非另有说明，否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。
实施例1
本实施例提供的多重耦合的单光子发光体的制作方法，包括以下工艺步骤：
如图1所示，包含步骤（1）~（2），采用金属有机化学气相沉积法，在蓝宝石衬底100上，外延生长氮化镓缓冲层101和N型氮化镓层102；然后，将生长完的外延片取出反应室，采用磁控溅射沉积一层SiNx掩膜版，利用光罩和光刻技术，制作出具有纳米孔洞的SiNx掩膜版103。
如图2所示，包含步骤（3）~（4），将具有纳米孔洞的SiNx掩膜版103传进MOCVD反应室，沉积第一InGaN量子点104，然后采用低温高压的三维生长方法，纵向生长速率高于横向生长速率，将生长温度升至1050度，反应室压强升至500Torr，通入TMGA和NH3，生长金字塔锥状氮化镓105，锥状的高度为0.5μm。
如图3所示，包含步骤（5），在金字塔锥状氮化镓的顶部沉积生长第二InGaN量子点106，直径为100nm，然后，继续生长氮化镓盖层，将第二InGaN量子点包裹住。
如图4所示，包含步骤（6），在金字塔锥状氮化镓的尖端沉积第二Ag纳米颗粒107，直径为100nm。
如图5所示，包含步骤（7）~（9），首先将衬底背面减薄抛光，然后，利用光刻技术在衬底背面制作纳米孔洞，孔洞的直径为150nm，间距为200nm，然后，在纳米孔洞里沉积第一Ag纳米颗粒108，直径为100nm，最后，在衬底背面镀上一层Al反射镜109。
通过以上工艺步骤，最终形成第一InGaN量子点104和第一Ag纳米颗粒108形成的第一重单光子和等离激元耦合110以及第二InGaN量子点106和第二Ag纳米颗粒107形成的第二重单光子和等离激元耦合111，两者发出的光进行双重耦合，从而提升发光强度和发光效率。
实施例2
如图5所述，一种多重耦合的单光子发光体，包括：蓝宝石衬底100，缓冲层101，N型氮化镓层102，具有纳米孔洞的SiO2掩膜版103，第一InGaN量子点104，金字塔锥状氮化镓105，第二InGaN量子点106，第一Ag纳米颗粒108，第二Ag纳米颗粒107以及反射镜109，所述N型氮化镓层101正面具有SiNx掩膜版的纳米孔洞，位于纳米孔洞中的第一InGaN量子点104和位于N型氮化镓层背面的第一Ag纳米颗粒108形成第一重单光子和等离激光耦合110的单光子发光体，位于金字塔锥状氮化镓顶部的第二InGaN量子点106和位于金字塔锥状氮化镓尖端的第二Ag纳米颗粒107形成第二重单光子和等离激光耦合111的单光子发光体，通过多重耦合，形成高效率和高亮度的单光子发光器件。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非用于限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种修饰和变动，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应视权利要求书范围限定。
Claims (10)
1.一种多重耦合的单光子发光体，包括：衬底，N型氮化镓层，具有纳米孔洞的掩膜版，第一InGaN量子点，金字塔锥状氮化镓，第二InGaN量子点，第一Ag纳米颗粒，第二Ag纳米颗粒以及反射镜，所述N型氮化镓层正面具有掩膜版的纳米孔洞，位于纳米孔洞中的第一InGaN量子点和位于N型氮化镓层背面的第一Ag纳米颗粒形成第一重单光子和等离激光耦合的单光子发光体，位于金字塔锥状氮化镓顶部的第二InGaN量子点和位于金字塔锥状氮化镓尖端的第二Ag纳米颗粒形成第二重单光子和等离激光耦合的单光子发光体，通过多重耦合，形成单光子发光器件。
2.根据权利要求1所述的一种多重耦合的单光子发光体，其特征在于：所述掩膜版为SiNx或SiO2或其组合。
3.根据权利要求1所述的一种多重耦合的单光子发光体，其特征在于：所述第一InGaN量子点或第二InGaN量子点的直径为1~900nm。
4.根据权利要求1所述的一种多重耦合的单光子发光体，其特征在于：所述第一Ag纳米颗粒或第二Ag纳米颗粒的直径为1~900nm。
5.一种多重耦合的单光子发光体的制作方法，包括以下工艺步骤：
（1）在衬底上外延生长氮化镓缓冲层和N型氮化镓层；
（2）在N型氮化镓层上沉积掩膜版，通过蚀刻方法制作具有纳米孔洞的掩膜版；
（3）在掩膜版的纳米孔洞沉积第一InGaN量子点；
（4）采用外延技术生长金字塔锥状氮化镓；
（5）在金字塔锥状氮化镓的顶部沉积第二InGaN量子点；
（6）在金字塔锥状氮化镓的尖端沉积第二Ag纳米颗粒；
（7）采用光刻技术，在衬底背面制作纳米孔洞；
（8）在衬底背面的纳米孔洞里沉积第一Ag纳米颗粒；
（9）将衬底减薄抛光后，镀上反射镜。
6.根据权利要求5所述的一种多重耦合的单光子发光体的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）在N型氮化镓层上沉积掩膜版，通过蚀刻方法制作具有纳米孔洞的掩膜版，纳米孔洞的尺寸为10~900nm，间距为10~900nm。
7.根据权利要求5所述的一种多重耦合的单光子发光体的制作方法，其特征在于：所述沉积第一InGaN量子点或第二InGaN量子点的生长方法为金属有机化学气机沉积、分子束外延、磁控溅射。
8.根据权利要求5所述的一种多重耦合的单光子发光体的制作方法，其特征在于：所述步骤（4）采用外延技术生长金字塔锥状氮化镓，利用低温高压的三维生长方法，纵向生长速率高于横向生长速率，生长温度为800~1200度，压强为200~600Torr，氮化镓金字塔锥的高度为0.1~10μm。
9.根据权利要求5所述的一种多重耦合的单光子发光体的制作方法，其特征在于：所述第一Ag纳米颗粒或第二Ag纳米颗粒的沉积方法为磁控溅射、电子束蒸发、化学反应气相或液相生长方法。
10.根据权利要求5所述的一种多重耦合的单光子发光体的制作方法，其特征在于：所述步骤（9）反射镜材料为Al、Ag、DBR具有反射功能的材料和结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510417947.7A CN105048284B (zh) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510417947.7A CN105048284B (zh) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105048284A true CN105048284A (zh) | 2015-11-11 |
| CN105048284B CN105048284B (zh) | 2018-02-06 |
Family
ID=54454617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510417947.7A Active CN105048284B (zh) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105048284B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106848014A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-06-13 | 郑锦坚 | 一种半导体发光二极管的结构及其制作方法 |
| CN109004508A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-12-14 | 北京邮电大学 | 一种基于量子点的单光子源 |
| CN111403567A (zh) * | 2020-04-01 | 2020-07-10 | 中国科学院半导体研究所 | 量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法 |
| CN112071205A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-12-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种粘结结构及其制备方法、盖板及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050282218A1 (en) * | 2002-11-06 | 2005-12-22 | Prober James M | Microparticle-based methods and systems and applications thereof |
| KR20080068241A (ko) * | 2007-01-18 | 2008-07-23 | 광주과학기술원 | 실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조방법 |
| WO2009077557A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Stichting Imec Nederland | Gas sensing device |
| CN101499617A (zh) * | 2008-01-30 | 2009-08-05 | 中国科学院半导体研究所 | 采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 |
| CN102097564A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-06-15 | 华中科技大学 | 量子点分子发光器件 |
| CN102437511A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-05-02 | 东南大学 | 半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器 |
| US20150069217A1 (en) * | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Geoff W. Taylor | Imaging Cell Array Integrated Circuit |
-
2015
- 2015-07-16 CN CN201510417947.7A patent/CN105048284B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050282218A1 (en) * | 2002-11-06 | 2005-12-22 | Prober James M | Microparticle-based methods and systems and applications thereof |
| KR20080068241A (ko) * | 2007-01-18 | 2008-07-23 | 광주과학기술원 | 실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조방법 |
| WO2009077557A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Stichting Imec Nederland | Gas sensing device |
| CN101499617A (zh) * | 2008-01-30 | 2009-08-05 | 中国科学院半导体研究所 | 采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 |
| CN102097564A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-06-15 | 华中科技大学 | 量子点分子发光器件 |
| CN102437511A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-05-02 | 东南大学 | 半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器 |
| US20150069217A1 (en) * | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Geoff W. Taylor | Imaging Cell Array Integrated Circuit |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106848014A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-06-13 | 郑锦坚 | 一种半导体发光二极管的结构及其制作方法 |
| CN106848014B (zh) * | 2017-02-14 | 2018-11-23 | 郑锦坚 | 一种半导体发光二极管的结构及其制作方法 |
| CN109004508A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-12-14 | 北京邮电大学 | 一种基于量子点的单光子源 |
| CN111403567A (zh) * | 2020-04-01 | 2020-07-10 | 中国科学院半导体研究所 | 量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法 |
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| CN105048284B (zh) | 2018-02-06 |
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